一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置的制造方法

文档序号:10127974阅读:374来源:国知局
一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种成像检测装置,具体地涉及一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置。
【背景技术】
[0002]太赫兹(THz)辐射是指振荡频率在0.1THz-lOTHz (ITHz = 1012Hz)的电磁波,此波段的电磁辐射具有很多独特的性质:1) THz波对很多介电材料和非极性液体有很好的穿透性,因此太赫兹波可以对不透明物体进行透视成像;2)THz波另一个显著特点是它的安全性,它的光子能量很低,对生物体安全;3)THz波段还包含了丰富的光谱信息,具有良好的光谱分辨特性。因而太赫兹技术在生物医学、安全监测等领域都有独特的优势。
[0003]目前从辐射源考虑,THz成像技术可分为脉冲波THz成像和连续波THz成像两大类。脉冲波THz时域光谱成像是研究最广泛的THz成像技术,主要是利用超短脉冲激发产生THz脉冲,经过时域到频域的转换得到样品各种信息,然后进行数据处理得到THz图像,此方法产生的THz功率低(微瓦级)、成像速度慢、数据处理繁琐。连续波THz成像技术中,THz源可以采用量子级联激光器,但是量子级联激光器输出频率较高,且需要低温运行;还可以采用返波振荡器,其优点是输出频率可调,但其输出频率太低(< 1.5THz) ;co2激光抽运连续波激光器也是产生连续波THz的辐射源,可以室温工作,且输出功率较高,可调频率多,易于操作。从成像方法来考虑,THz成像技术可分为扫描成像和实时成像两大类:扫描成像技术对样品上各点逐次扫描,成像速度慢;而THz实时成像主要采用电光晶体,成像速度快、但成像面积小,检测物体面积较大时需要对辐射光进行扩束。

【发明内容】

[0004]为解决现有成像装置中可测样品成像面积较小、成像速度慢、数据处理繁琐的技术问题,本实用新型提供一种结构简单、操作方便的太赫兹波实时水印成像检测装置。
[0005]本实用新型通过以下技术方案来实现发明目的:
[0006]—种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:该装置包括连续波太赫兹辐射源(1)、准直扩束系统(2)、高阻硅片(3)、氩离子激光器(4)、第一离轴抛物面镜(5)、第二离轴抛物面镜出)、样品台(7)、第三离轴抛物面镜(8)、太赫兹波探测器(9)和计算机
(10);
[0007]所述太赫兹波源(1)依次连接准直扩束系统(2)、高阻硅片(3)、第一离轴抛物面镜(5)、第二离轴抛物面镜¢)、样品台(7)、第三离轴抛物面镜(8)、太赫兹波探测器(9)和计算机(10);
[0008]所述可调谐氩离子激光器⑷照射到高阻硅片(3)上。
[0009]所述的连续波太赫兹辐射源(1)为返波振荡器、量子级联激光器或co2激光抽运连续波太赫兹辐射源。
[0010]所述的准直扩束系统(2)为开普勒型或伽利略型准直扩束系统。
[0011]所述的高阻娃片⑶厚度h = 400 μ m,半径r = 25mm,电阻率10000 Ω cm。
[0012]所述的太赫兹波探测器(9)为焦平面阵列探测器,探测灵敏度高,实时性好。
[0013]所述的太赫兹波探测器(9)选用日本NEC公司的IRV-T0831C焦平面阵列相机。
[0014]本实用新型的优点在于:
[0015]a.对太赫兹波束进行了二次扩束,在样品台能够对面积较大的物体进行检测;
[0016]b.利用可调谐氩离子激光是否照射到高阻硅片上,实现对检测装置的开、关控制,能够对显示图像帧数进行控制;
[0017]c.利用焦平面阵列探测器及其自带软件对图像进行实时成像显示,探测灵敏度高,实时性好;
[0018]d.本实用新型应用的太赫兹波能量低,装置使用安全,不会对人体造成任何辐射威胁,不存在放射性污染。
【附图说明】
[0019]图1本实用新型成像装置结构图
[0020]图2 (a) 5元人民币水印成像图
[0021]图2(b) 20元人民币水印成像图
[0022]图中,连续波太赫兹辐射源(1)、准直扩束系统(2)、高阻硅片(3)、氩离子激光器
(4)、第一离轴抛物面镜(5)、第二离轴抛物面镜(6)、样品台(7)、第三离轴抛物面镜(8)、太赫兹波探测器(9)和计算机(10)
【具体实施方式】
[0023]如附图所示,一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,包括连续波太赫兹辐射源(1)、准直扩束系统(2)、高阻硅片(3)、氩离子激光器(4)、第一离轴抛物面镜(5)、第二离轴抛物面镜(6)、样品台(7)、第三离轴抛物面镜(8)、太赫兹波探测器(9)和计算机(10);
[0024]所述的连续波太赫兹辐射源(1)经准直扩束系统(2)后被准直扩束,到达高阻硅片(3),由氩离子激光器(4)是否照射到高阻硅片实现对检测装置的开、关控制,通过第一离轴抛物面镜(5)和第二离轴抛物面镜(6)进行扩束后照射到样品台(7)的待测含有样品上,连续波太赫兹透过样品后被第三离轴抛物面镜(8)聚焦,再利用太赫兹波探测器(9)成像,并将成像数据输入到计算机(10)进行实时在线处理与显示。
[0025]所述的连续波太赫兹辐射源(1)为返波振荡器、量子级联激光器或co2激光抽运连续波太赫兹辐射源。
[0026]所述的准直扩束系统(2)为开普勒型或伽利略型准直扩束系统。
[0027]实施例
[0028]选择美国相干公司的SIFIR-50co2激光抽运连续波太赫兹辐射源,调节频率到2.52THzo设计的高阻硅厚度h = 400 μπι,高阻硅片的半径为r = 25mm,高阻硅电阻率10000 Ω cm,可调谐氩离子激光器工作波长514nm,光束直径0.75mm,功率2W。使相应频率的太赫兹波聚焦在预设的高阻硅中间位置。太赫兹波探测器(9)选用日本NEC公司的IRV-T0831C焦平面阵列相机,通过USB接口与计算机(10)相连,探测灵敏度高,实时性好。
【主权项】
1.一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:该装置包括连续波太赫兹辐射源(1)、准直扩束系统(2)、高阻硅片(3)、氩离子激光器(4)、第一离轴抛物面镜(5)、第二离轴抛物面镜¢)、样品台(7)、第三离轴抛物面镜(8)、太赫兹波探测器(9)和计算机(10); 所述太赫兹波源(1)依次连接准直扩束系统(2)、高阻硅片(3)、第一离轴抛物面镜(5)、第二离轴抛物面镜(6)、样品台(7)、第三离轴抛物面镜(8)、太赫兹波探测器(9)和计算机(10); 所述氩离子激光器(4)照射到高阻硅片(3)上。2.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的连续波太赫兹辐射源(1)为返波振荡器、量子级联激光器或co2激光抽运连续波太赫兹辐射源。3.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的准直扩束系统(2)为开普勒型或伽利略型准直扩束系统。4.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的高阻娃片⑶厚度h = 400 μ m,半径r = 25mm,电阻率10000 Ω cm。5.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的太赫兹波探测器(9)为焦平面阵列探测器。6.根据权利要求1或5所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的太赫兹波探测器(9)选用日本NEC公司的IRV-T0831C焦平面阵列相机。
【专利摘要】本实用新型公开了一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,该装置包括连续波太赫兹辐射源、准直扩束系统、高阻硅片、氩离子激光器、离轴抛物面镜、样品台、太赫兹波探测器和计算机。本实用新型利用准直扩束系统将太赫兹波准直为平行光束,并经离轴抛物面镜进行二次扩束,透过样品后将其聚焦到太赫兹波探测器,通过计算机对图像进行实时成像显示,并且利用氩离子激光是否照射到高阻硅片上,实现对检测装置的开、关控制。本实用新型的连续波太赫兹实时水印成像检测装置具有结构紧凑,响应速度快,开关方便,可以对水印进行实时成像,具有重要的实际应用价值。还可以对隐藏在报纸、织物、塑料等包裹物内的金属危险品等物体进行无损探测。
【IPC分类】G01N21/84, G07D7/12
【公开号】CN205038165
【申请号】CN201520721353
【发明人】申彦春, 赵国忠, 刘影
【申请人】首都师范大学
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年9月18日
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