8，所述第二混频单元采用的型号为ADE-1lDX的混频器，所述第一声表滤波器、第二声表滤波器的芯片型号均为SBP1480S，所述第一单片放大器的芯片型号为BGA2776，所述第二单片放大器的芯片型号为SGA2463，所述第一介质滤波器的芯片型号为RB1480-5-6F，所述第三单片放大器、第四单片放大器的芯片型号均为SGA2163，所述第一 LC滤波器、第二 LC滤波器、第三LC滤波器的芯片型号均为B430-105/U-8C1B，所述第五单片放大器、第六单片放大器的芯片型号均为SBB2089，所述第一数控衰减器、第一放大器的芯片型号分别为美国HITTITE公司生产的HMC307QS16G和HMC311SC70，所述第二数控衰减器的芯片型号为AA104-73，所述反相器的芯片型号为74HC04，所述驱动器的芯片型号为74LV244，所述第一耦合器的芯片型号为ADC-6-13，所述第七单片放大器的芯片型号为AH102A，所述第一故障检测电路的芯片型号为 VJJ23MT-650。
[0026]进一步的，所述限幅二极管的芯片型号为W10001H，所述第一三极管、第二三极管的芯片型号均为ATF-54143，所述第四LC滤波器的芯片型号为B430-105/U-8C1B，所述一次混频单元采用的型号为ADE-1lDX的混频器，所述二次混频单元的芯片型号为美国HITTITE公司生产的HMC207S8，所述第三声表滤波器、第四声表滤波器的芯片型号均为SBP1480S，所述第八单片放大器的芯片型号为BGA2776，所述第二介质滤波器的芯片型号为RB1480-5-6F，所述第九单片放大器的芯片型号SGA2163，所述第二放大器、第三放大器的芯片型号均为HMC311SC70，所述第二中频滤波器、第三中频滤波器、第四中频滤波器的芯片型号均为BWL-LC/T-50/5/0-S/S，所述第十单片放大器的芯片型号为SBB2089，所述第二耦合器的芯片型号为ADC-6-1R，所述第二故障检测电路的芯片型号为VJJ23MT-650。
[0027]本实用新型的有益效果在于:
[0028]I)、本实用新型包括射频发射系统和射频接收系统，所述射频发射系统和射频接收系统均由至少两个并联的支路电路组成，可以分别单独线性控制干扰信号强度，并联的支路的结构相同，节约了成本和资源。
[0029]值得特别指出的是:本实用新型只保护由上述物理部件以及连接各个物理部件之间的线路所构成的装置或者物理平台，而不涉及其中的软件部分。
[0030]2)、本实用新型中的射频发射系统和射频接收系统采用互逆设计，选取相同的固定中频和本振信号，减少了发射系统的频率互调，提高系统的电磁兼容性能，接收系统前端采用低噪放单元，有效的降低了系统级联后的噪声系数。
[0031]3)、所述射频发射系统和射频接收系统中的每个支路电路均包括两次混频单元，有效地抑制和减小交调、并抑制谐波和杂波干扰，并且外部输入信号采用同一中频频率，以方便基带信号的处理。
[0032]4)、所述第一混频器、二次混频单元的芯片型号均为美国HITTITE公司生产的HMC207S8，所述第二混频单元、一次混频单元采用的型号均为ADE-1lDX的混频器，所述第一声表滤波器、第二声表滤波器、第三声表滤波器、第四声表滤波器的芯片型号均为SBP1480S，所述第五单片放大器、第十单片放大器的芯片型号均为SBB2089，所述第一单片放大器、第八单片放大器的芯片型号均为BGA2776。上述多个特定型号的部件互相配合，实现了本实用新型的最优设计。
【附图说明】
[0033]图1为本实用新型射频发射系统电路结构框图；
[0034]图2为本实用新型射频接收系统电路结构框图；
[0035]图3为本实用新型射频发射系统具体电路组成框图；
[0036]图4为本实用新型射频接收系统具体电路组成框图。
[0037]图中的附图标记含义如下:
[0038]10—第一混频单元 11 一第一中频滤波器 12—第一混频器
[0039]20一第一放大单兀 21—第一声表滤波器 22—第一单片放大器
[0040]23 一第二单片放大器24—第二声表滤波器30—第二混频单兀
[0041]40—第二放大单元41 一第三单片放大器42—第一 LC滤波器
[0042]43—第四单片放大器44一第五单片放大器45—第二 LC滤波器
[0043]50—幅度控制单元51—第一数控衰减器52—第一放大器
[0044]53—第二数控衰减器60—耦合放大单元62—第六单片放大器
[0045]63—第七单片放大器70—第一故障检测单元71—第三LC滤波器
[0046]110—低噪放单元111一第一三极管112—第二三极管
[0047]120—一次混频单元130—一级放大单元131—第三声表滤波器
[0048]132—第八单片放大器133—第二介质滤波器134—第四声表滤波器
[0049]135—第九单片放大器140—二次混频单元150—二级放大单元
[0050]151—第二放大器152—第二中频滤波器153—第三放大器
[0051]154一第十单片放大器160—親合输出单元170—第二故障检测单元
【具体实施方式】
[0052]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0053]—种基于模拟干扰器的射频收发系统，包括射频发射系统和射频接收系统，所述射频发射系统和射频接收系统均由至少两个并联的支路电路组成，所述并联的支路电路的结构相同。
[0054]本实用新型在使用时，可以与现有技术中的软件配合实现射频信号的生成。下面结合现有技术中的软件对本实用新型的工作原理进行描述，但是必须指出的是:与智能控制系统相配合的软件不是本实用新型的创新部分，也不是本实用新型的组成部分。
[0055]如图1所示，所述射频发射系统中的每个支路电路均包括第一混频单元10，所述第一混频单元10的两个信号输入端分别连接外部输入中频信号和第一本振信号，第一混频单元10的信号输出端连接第一放大单元20的信号输入端，外部输入第二本振信号和第一放大单元20的信号输出端均连接第二混频单元30的信号输入端，所述第二混频单元30的信号输出端连接第二放大单元40的信号输入端，所述第二放大单元40的信号输出端连接幅度控制单元50的信号输入端，所述幅度控制单元50的信号输出端连接耦合放大单元60的信号输入端，所述耦合放大单元60的信号输出端输出射频信号，耦合放大单元60的耦合输出端连接第一故障检测单元70的信号输入端，所述第一故障检测单元70的信号输出端输出故障检测信号。
[0056]如图2所示，所述射频接收系统中的每个支路电路均包括低噪放单元110，所述低噪放单元110的信号输入端连接外部输入射频信号，外部输入第二本振信号和低噪放单元110的信号输出端均连接一次混频单元120的信号输入端，所述一次混频单元120的信号输出端连接一级放大单元130的信号输入端，外部输入第一本振信号和一级放大单元130的信号输出端均连接二次混频单元140的信号输入端，所述二次混频单元140的信号输出端连接二级放大单元150的信号输入端，所述二级放大单元150的信号输出端连接耦合输出单元160的信号输入端，所述耦合输出单元160的第一信号输出端输出中频信号，耦合输出单元160的耦合输出端连接第二故障检测单元170的信号输入端，所述第二故障检测单元170的信号输出端输出故障检测信号。
[0057]如图3所示，所述第一混频单元10包括第一中频滤波器11和第一混频器12 ;所述第一放大单元20包括第一声表滤波器21、第一单片放大器22、第一介质滤波器、第二单片放大器23、第二声表滤波器24 ;所述第二放大单元40包括第三单片放大器41、第一 LC滤波器42、第四单片放大器43、第五单片放大器44、第二 LC滤波器45 ;所述幅度控制单元50包括第一数控衰减器51、驱动器、反相器、第一放大器52、第二数控衰减器53 ;所述親合放大单兀60包括第六单片放大器62、第一親合器、第七单片放大器63 ；
[0058]如图4所示，所述低噪放单元110包括限幅二极管、第一三极管111、第二三极管112、第四LC滤波器；所述一级放大单元130包括第三声表滤波器131、第八单片放大器132、第二介质滤波器133、第四声表滤波器134、第九单片放大器135 ;所述二级放大单元150包