专利名称：单相无桥功率因数校正电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种单相无桥功率因数校正电路。
背景技术：
随着世界各国对电器设备的功率因数和谐波电流作出标准限制，很多设备采用功 率因数校正电路来提升整机的功率因数，降低电流谐波，以符合规定之要求。 但是功率因数校正电路同时产生高频电磁干扰，影响其它设备的正常工作。为了 抑制此高频电磁干扰，一般除了采用电磁干扰滤波器外，还有采取在功率因数校正电路的 交流输入端或功率因数校正模块的第二电源输出端N2端对大地接Y电容的方法(如图1 所示)，或在功率因数校正模块输出的第二电源输出端N2端对功率因数校正电路交流输入 端接电容的方法(如图2所示)。单纯采用滤波器会导致滤波器体积较大，成本很高，而且 滤波器无法在所有频率段滤除干扰信号。采用图1的电路会使整机漏电流大，且需要安规 电容，导致成本升高。功率因数校正模块下部二极管上的电压和电流和开关管上的电压电 流突变情况一致，由于开关管的开关速度有限，所以整个下桥臂的电压和电流的突变并不 快.而上桥臂只有二极管，而且此二极管开关速度一般都比下面的两个开关管的速度快很 多(以防止下面的开关管上产生高压)，所以在上桥臂的二极管及第二电源输出端N2端会 产生较高的电流变化速度，从而产生较强的干扰信号。故图二电路其形成的干扰信号环路 上无法通过高频信号，其抑制高频电磁干扰效果不是很理想，而且其没有将此环路上的电 磁干扰干扰信号有效消耗掉。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种单相无桥功率因数校正电路，本实用新型所述单 相无桥功率因数校正电路在提升功率因数的同时，电磁干扰得到降低，使电路能有效的满 足国家相关规定的标准。
其技术方案如下 —种单相无桥功率因数校正电路，包括无桥功率因数校正模块、第一电感线圈Ll、 第二电感线圈L2，无桥功率因数校正模块的两个输入端分别为R端、S端，该校正电路的前 端为第一电源输入端Pl端、第二电源输入端Nl端，第一电源输入端Pl端通过第一电感线 圈Ll与R端连接，第二电源输入端Nl端通过第二电感线圈L2与S端连接，无桥功率因数 校正模块的后端为第一电源输出端P2端、第二电源输出端N2端；该校正电路还包括有第一 电容Cl、第二电容C2，第一电容Cl、第二电容C2的第一端分别与第一电源输入端Pl端、第 二电源输入端N1端连接，第一电容C1、第二电容C2的第二端并接后再与第一电源输出端 P2端连接。 在使用时，第一电源输入端P1端、第二电源输入端N1端分别与电源的两个输出 端连接；本实用新型由于在功率因数校正电路中设置有第一电容C1、第二电容C2，使得第 一电源输出端P2端、第二电源输出端N2端所输出的干扰信号通过第一电容Cl、第二电容C2-第一电感线圈Ll、第二电感线圈L2-无桥功率因数校正模块_第一电源输出端P2端、 第二电源输出端N2端这个内循环将干扰吸收，避免通过第一电源输出端P2端、第二电源输 出端N2端向外传导和辐射干扰信号，从而降低电路的电磁干扰。 本实用新型的进一步结构是 该校正电路还包括有共模第三电感线圈L3 、第四电感线圈L4，第三电感线圈L3设
于所述第一电感线圈11与R端之间，第四电感线圈L4设于所述第二电感线圈L2与S端之
间。共模第三电感线圈L3、第四电感线圈L4起到两方面的作用一方面抑制干扰信号电流
突变而产生新的干扰，另一方面也吸收回路中电源干扰所产生的能量。 在所述第一电源输出端P2端与第二电源输出端N2端之间设有第三电容C3。第
三电容C3对第一电源输出端P2端与第二电源输出端N2端之间进行滤波，进一步降低了干扰。 所述无桥功率因数校正模块包括第一绝缘栅双极晶体管M1、第二绝缘栅双极晶体 管M2、第一二极管Dl、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、电阻Rl ;第一二极管 Dl、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4连接形成桥式整流电路，该桥式整流电路 的两个输入端分别为所述R端、S端，其中一个输出端为所述第一电源输出端P2端，另一个 输出端通过电阻R1与所述第二电源输出端N2端连接；第一绝缘栅双极晶体管M1、第二绝 缘栅双极晶体管M2的栅极分别为开关信号输入端，第一绝缘栅双极晶体管Ml、第二绝缘栅 双极晶体管M2的集电极分别与所述R端、S端连接，第一绝缘栅双极晶体管Ml、第二绝缘栅 双极晶体管M2发射极并接后与所述第二电源输出端N2端连接。 所述第一电容C1、第二电容C2均为高压瓷片电容。采用高压瓷片电容，一方面能 承受两端较高的电压，同时瓷片电容的高频特型比较好，有利于高频干扰信号的通过。 所述共模第三电感线圈L3、第四电感线圈L4的磁心为铁氧体磁芯或非晶磁心，以 提高其高频性能。 综上所述，本实用新型的优点是本实用新型所述单相无桥功率因数校正电路在 提升功率因数的同时，电磁干扰得到降低，使电路能有效的满足国家相关规定的标准。
图1是现有单相无桥功率因数校正电路的第一种结构图； 图2是现有单相无桥功率因数校正电路的第二种结构图； 图3是本实用新型所述单相无桥功率因数校正电路的结构具体实施方式如图3所示，一种单相无桥功率因数校正电路，包括无桥功率因数校正模块、第一 电感线圈Ll、第二电感线圈L2，无桥功率因数校正模块的两个输入端分别为R端、S端，该 校正电路的前端为第一电源输入端Pl端、第二电源输入端Nl端，第一电源输入端Pl端通 过第一电感线圈Ll与R端连接，第二电源输入端Nl端通过第二电感线圈L2与S端连接， 无桥功率因数校正模块的后端为第一电源输出端P2端、第二电源输出端N2端；该校正电路 还包括有第一电容Cl、第二电容C2，第一电容Cl、第二电容C2的第一端分别与第一电源输 入端Pl端、第二电源输入端Nl端连接，第一电容Cl、第二电容C2的第二端并接后再与第一电源输出端P2端连接。 其中，所述第一电容C1、第二电容C2均为高压瓷片电容，所述共模第三电感线圈 L3、第四电感线圈L4的磁心为铁氧体磁芯或非晶磁心。所述无桥功率因数校正模块包括第 一绝缘栅双极晶体管M1、第二绝缘栅双极晶体管M2、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二 极管D3、第四二极管D4、电阻Rl ;第一二极管Dl、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极 管D4连接形成桥式整流电路，该桥式整流电路的两个输入端分别为所述R端、S端，其中一 个输出端为所述第一电源输出端P2端，另一个输出端通过电阻Rl与所述第二电源输出端 N2端连接；第一绝缘栅双极晶体管M1、第二绝缘栅双极晶体管M2的栅极分别为开关信号输 入端，第一绝缘栅双极晶体管Ml、第二绝缘栅双极晶体管M2的集电极分别与所述R端、S端 连接，第一绝缘栅双极晶体管M1、第二绝缘栅双极晶体管M2发射极并接后与所述第二电源 输出端N2端连接。该校正电路还包括有共模第三电感线圈L3、第四电感线圈L4，第三电感 线圈L3设于所述第一电感线圈Ll与R端之间，第四电感线圈L4设于所述第二电感线圈L2 与S端之间；在所述第一电源输出端P2端与第二电源输出端N2端之间设有第三电容C3。 在使用时，第一电源输入端P1端、第二电源输入端N1端分别与电源的两个输出端 连接；本实施例由于在功率因数校正电路中设置有第一电容C1、第二电容C2，使得第一电 源输出端P2端、第二电源输出端N2端所输出的干扰信号通过第一电容Cl、第二电容C2-第 一电感线圈Ll、第二电感线圈L2-无桥功率因数校正模块_第一电源输出端P2端、第二电 源输出端N2端这个内循环将干扰吸收，避免通过第一电源输出端P2端、第二电源输出端N2 端向外传导和辐射干扰信号，从而降低电路的电磁干扰。共模第三电感线圈L3、第四电感线 圈L4起到两方面的作用一方面抑制干扰信号电流突变而产生新的干扰，另一方面也吸收 回路中电源干扰所产生的能量。 以上仅为本实用新型的较佳实施例，并不以此限定本实用新型的保护范围；在不 违反本实用新型构思的基础上所作的任何替换与改进，均属本实用新型的保护范围。
权利要求一种单相无桥功率因数校正电路，包括无桥功率因数校正模块、第一电感线圈L1、第二电感线圈L2，无桥功率因数校正模块的两个输入端分别为R端、S端，该校正电路的前端为第一电源输入端P1端、第二电源输入端N1端，第一电源输入端P1端通过第一电感线圈L1与R端连接，第二电源输入端N1端通过第二电感线圈L2与S端连接，无桥功率因数校正模块的后端为第一电源输出端P2端、第二电源输出端N2端；其特征在于，该校正电路还包括有第一电容C1、第二电容C2，第一电容C1、第二电容C2的第一端分别与第一电源输入端P1端、第二电源输入端N1端连接，第一电容C1、第二电容C2的第二端并接后再与第一电源输出端P2端连接。
2. 如权利要求1所述单相无桥功率因数校正电路，其特征在于，该校正电路还包括有 共模第三电感线圈L3、第四电感线圈L4，第三电感线圈L3设于所述第一电感线圈Ll与R 端之间，第四电感线圈L4设于所述第二电感线圈L2与S端之间。
3. 如权利要求2所述单相无桥功率因数校正电路，其特征在于，在所述第一电源输出 端P2端与第二电源输出端N2端之间设有第三电容C3。
4. 如权利要求1或2或3所述单相无桥功率因数校正电路，其特征在于，所述无桥功率 因数校正模块包括第一绝缘栅双极晶体管Ml、第二绝缘栅双极晶体管M2、第一二极管Dl、 第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、电阻Rl ;第一二极管Dl、第二二极管D2、第 三二极管D3、第四二极管D4连接形成桥式整流电路，该桥式整流电路的两个输入端分别为 所述R端、S端，其中一个输出端为所述第一电源输出端P2端，另一个输出端通过电阻R1与 所述第二电源输出端N2端连接；第一绝缘栅双极晶体管M1、第二绝缘栅双极晶体管M2的 栅极分别为开关信号输入端，第一绝缘栅双极晶体管M1、第二绝缘栅双极晶体管M2的集电 极分别与所述R端、S端连接，第一绝缘栅双极晶体管M1、第二绝缘栅双极晶体管M2发射极 并接后与所述第二电源输出端N2端连接。
5. 如权利要求1或2或3所述单相无桥功率因数校正电路，其特征在于，所述第一电容 C1、第二电容C2均为高压瓷片电容。
6. 如权利要求1或2或3所述单相无桥功率因数校正电路，其特征在于，所述共模第三 电感线圈L3、第四电感线圈L4的磁心为铁氧体磁芯或非晶磁心。
专利摘要本实用新型公开一种单相无桥功率因数校正电路，包括无桥功率因数校正模块、第一电感线圈L1、第二电感线圈L2、第一电容C1、第二电容C2，无桥功率因数校正模块的两个输入端分别为R端、S端，该校正电路的前端为第一电源输入端P1端、第二电源输入端N1端，第一电源输入端P1端通过第一电感线圈L1与R端连接，第二电源输入端N1端通过第二电感线圈L2与S端连接，无桥功率因数校正模块的后端为第一电源输出端P2端、第二电源输出端N2端；第一电容C1、第二电容C2的第一端分别与第一电源输入端P1端、第二电源输入端N1端连接，第一电容C1、第二电容C2的第二端并接后再与第一电源输出端P2端连接。本实用新型电磁干扰得到降低，能有效的满足国家相关规定的标准。
文档编号G05F1/70GK201436615SQ20092005553
公开日2010年4月7日 申请日期2009年4月28日 优先权日2009年4月28日
发明者冯宇杰, 唐政清, 曹成, 谭泽汉, 赵红强 申请人:珠海格力电器股份有限公司