1.一种抛负载低过压区的三晶体过流保护型A电路电压调节芯片，其特征在于包括：
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、储能延时单元、阈值调整单元、电阻R1、采样单元、基准单元和续流单元，其中：
所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管集电极通过电阻R1连接电源正极，所述第一晶体管的集电极还连接第三晶体管的输入端和储能延时单元的输入端，所述第三晶体管的接地端接地，所述第三晶体管的输出端连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的基极连接所述储能延时单元的输出端，所述储能延时单元的接地端接地，所述第二晶体管的发射极通过所述阈值调整单元连接所述第一晶体管的基极，所述第三晶体管输出端作为所述电压调节芯片的输出端，用于控制发电机的励磁电流；所述采样单元连接电源正极和地，所述采样单元的输出端通过所述基准单元连接所述第一晶体管的基极，所述续流单元连接于所述第三晶体管输出端和电源正极之间；
当发电机电源正极电压低于设定值时且所述第三晶体管正常导通时，所述储能延时单元储能，所述第二晶体管的发射极电流为0使所述第一晶体管截止；当发电机电源正极电压高于设定值时，所述采样单元输出电压通过所述基准单元驱动第一晶体管导通，使所述第三晶体管截止切断励磁电流，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若电源正极电压低于设定值则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若电源正极电压持续高于设定值则所述采样单元输出电压通过所述基准单元驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止切断励磁电流；当所述第三晶体管过流致使所述第三晶体管饱和压降超过所述阈值调整单元导通阈值电压时，所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止得到保护，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若过流解除则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若持续过流则所述第三晶体管过高的饱和压降通过所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止继续得到保护。
2.一种抛负载低过压区的三晶体过流保护型A电路电压调节芯片，其特征在于包括：
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、储能延时单元、阈值调整单元、电阻R1、二极管D6，采样单元、基准单元和续流单元，其中：
所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管集电极通过电阻R1连接电源正极，所述第一晶体管的集电极还连接第三晶体管的输入端和储能延时单元的输入端，所述第三晶体管的接地端接地，所述第三晶体管的输出端通过所述二极管D6连接所述第二晶体管的发射极，所述第二晶体管的基极连接所述储能延时单元的输出端，所述第二晶体管的集电极连接所述电源正极或连接所述第三晶体管的输出端，所述储能延时单元的接地端接地，所述第二晶体管的发射极通过所述阈值调整单元连接所述第一晶体管的基极，所述第三晶体管输出端作为所述电压调节芯片的输出端，用于控制发电机的励磁电流；所述采样单元连接电源正极和地，所述采样单元的输出端通过所述基准单元连接所述第一晶体管的基极，所述续流单元连接于所述第三晶体管输出端和电源正极之间；
当发电机电源正极电压低于设定值时且所述第三晶体管正常导通时，所述储能延时单元储能，所述第二晶体管的发射极电压被拉低使所述阈值调整单元和所述第一晶体管截止；当发电机电源正极电压高于设定值时，所述采样单元输出电压通过所述基准单元驱动第一晶体管导通，使所述第三晶体管截止切断励磁电流，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若电源正极电压低于设定值则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若电源正极电压持续高于设定值则所述采样单元输出电压通过所述基准单元驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止切断励磁电流；当所述第三晶体管过流致使所述第三晶体管饱和压降超过所述阈值调整单元导通阈值电压时，所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止得到保护，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若过流解除则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若持续过流则所述第三晶体管过高的饱和压降通过所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止继续得到保护。
3.一种抛负载低过压区的三晶体过流保护型A电路电压调节芯片，其特征在于包括：
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、储能延时单元、阈值调整单元、电阻R1、二极管D6、采样单元、基准单元和续流单元，其中：
所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管集电极通过电阻R1连接电源正极，所述第一晶体管的集电极还连接第三晶体管的输入端和储能延时单元的输入端，所述第三晶体管的接地端接地，所述第三晶体管的输出端通过所述二极管D6连接所述第二晶体管的基极，所述第二晶体管的基极还连接所述储能延时单元的输出端，所述第二晶体管的集电极连接所述电源正极或连接所述第三晶体管的输出端，所述储能延时单元的接地端接地，所述第二晶体管的发射极通过所述阈值调整单元连接所述第一晶体管的基极，所述第三晶体管输出端作为所述电压调节芯片的输出端，用于控制发电机的励磁电流；所述采样单元连接电源正极和地，所述采样单元的输出端通过所述基准单元连接所述第一晶体管的基极，所述续流单元连接于所述第三晶体管输出端和电源正极之间；
当发电机电源正极电压低于设定值时且所述第三晶体管正常导通时，所述储能延时单元储能，所述第二晶体管的基极电压被拉低使所述第二晶体管、所述阈值调整单元和所述第一晶体管均截止；当发电机电源正极电压高于设定值时，所述采样单元输出电压通过所述基准单元驱动第一晶体管导通，使所述第三晶体管截止切断励磁电流，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若电源正极电压低于设定值则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若电源正极电压持续高于设定值则所述采样单元输出电压通过所述基准单元驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止切断励磁电流；当所述第三晶体管过流致使所述第三晶体管饱和压降超过所述阈值调整单元导通阈值电压时，来自储能延时单元的输出端电压使所述第二晶体管产生基极电流，所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止得到保护，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若过流解除则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若持续过流则所述第三晶体管过高的饱和压降通过所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止继续得到保护。