技术总结
一种抛负载低过压区的三晶体过流保护型A电路电压调节芯片，包括：第一晶体管Q1发射极接地，Q1集电极经电阻R1接电源正极B+，该集电极还连接第三晶体管Q3栅极和储能延时单元5输入端；晶体管Q3源极接地E，其漏极连接第二晶体管Q2集电极，晶体管Q2基极连接储能延时单元5输出端，储能延时单元5的接地端接地，晶体管Q2发射极通过阈值调整单元4连接晶体管Q1的基极，晶体管Q3的漏极为励磁端F；采样单元7连接电源正极和地，其输出端通过基准单元8连接晶体管Q1的基极，续流单元9连接于励磁端和B+之间；具有芯片电路简单、耐压高、有过流保护功能、耐温性好、抛负载过压区低、成本低、适应范围广、可靠性高的优点。
技术研发人员：杨明
受保护的技术使用者：佛山中锦微电科技有限公司
技术研发日：2017.12.10
技术公布日：2018.10.23