光组件的高压电流源电路及光组件的制作方法

本实用新型涉及光组件领域，尤其涉及一种光组件的高压电流源电路及光组件。

背景技术：

光组件的高压电流源电路应用于光组件在高压条件下，给光组件提供一定的电流或提供可调的电流，电流的大小可根据实际需求进行调节。

图1为现有技术中光组件的高压电流源电路一实施例的电路结构图，参照图1，该光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端VIN01、光电二极管D01和电阻R01。具体地，所述光电二极管D01的阴极与所述高压电源输入端VIN01连接，所述光电二极管D01的阳极经所述电阻R01接地。本实施例中，所述光电二极管D01正常工作的电压在其反向击穿电压电压VBR的附近，通常是比反向击穿电压电压VBR少3V左右，反向击穿电压电压VBR一般在30V到50V之间，若将所述光电二极管D01的消耗电压记为Vapd，则Vapd＝VBR-3V。本实施例中的所述电阻R01用于调节所述光电二极管D01的电流I1，具体地，电流I1的计算公式如下：I1＝(VIN01-Vapd)/R01，即本实施例可以通过改变所述电阻R01的阻值来改变流过所述光电二极管D01的电流I1的大小。

但是，图1所示的光组件的高压电流源电路存在以下缺陷：

电流精度差。当固定输出一定的电流(例如100uA)给所述光电二极管D01时，由于所述光电二极管D01本身会消耗电压Vapd，由于Vapd与反向击穿电压电压VBR紧密相关，而反向击穿电压电压VBR在30V到50V不等，这样会导致所述电阻R01两端的实际电压与理论计算值有一定的误差，当所述电阻R01的阻值一定时，流过所述光电二极管D01的电流I1的大小会随着所述电阻R01两端的实际电压而发生变化，从而存在误差，使得该电路的电流精度差；

(二)老化条件一致性差。当固定输出一定的电流(例如100uA)给所述光电二极管D01时，在高压电源输入端VIN01输入一定电压的情况下，通过选取合适阻值的所述电阻R01，即可使得流过所述光电二极管D01的电流达到100uA。在此基础上，若同时老化同一款或者几款光电二极管，所需电流均为100uA，但是由于光电二极管的消耗电压不同，之前设置好的输入高压和电阻的阻值不会改变，当对不同型号的光电二极管进行老化时，光电二极管的消耗电压Vpad的电压值不一样，导致流过光电二极管的电流不一样，从而导致其他不同型号的光电二极管达不到100uA的老化条件，即图1所示的光组件的高压电流源电路会对光电二极管的老化结果有影响，老化条件一致性差。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的在于提供一种光组件的高压电流源电路，旨在解决现有光组件的高压电流源电路的电流精度差和老化条件一致性差的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种光组件的高压电流源电路，所述光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、三极管对管及光电二极管；所述三极管对管包括第一PNP三极管和第二PNP三极管；其中：

所述第一电阻的第一端与所述高压电源输入端连接，所述第一电阻的第二端与所述三极管对管中的所述第一PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的集电极分别与所述第三电阻的第一端及所述第二PNP三极管的基极连接，所述第二PNP三极管的基极还与所述第一PNP三极管的基极连接，所述第三电阻的第二端接地；所述第二电阻的第一端与所述高压电源输入端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极连接，所述第二PNP三极管的集电极与所述光电二极管的阴极连接，所述光电二极管的阳极接地。

优选地，所述高压电源输入端的电压大于或等于50V且小于或等于80V。

此外，为实现上述目的，本实用新型还提供一种光组件的高压电流源电路，所述光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、光电二极管、第一PNP三极管及第二PNP三极管；其中：

所述第一电阻的第一端与所述高压电源输入端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的集电极分别与所述第三电阻的第一端及所述第二PNP三极管的基极连接，所述第二PNP三极管的基极还与所述第一PNP三极管的基极连接，所述第三电阻的第二端接地；所述第二电阻的第一端与所述高压电源输入端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极连接，所述第二PNP三极管的集电极与所述光电二极管的阴极连接，所述光电二极管的阳极接地。

优选地，所述第一PNP三极管的参数与所述第二PNP三极管的参数相同。

优选地，所述高压电源输入端的电压大于或等于50V且小于或等于80V。

此外，为实现上述目的，本实用新型还提供一种光组件，所述光组件包括光组件的高压电流源电路，所述光组件的高压电流源电路为如上所述的光组件的高压电流源电路。

本实用新型提供一种光组件的高压电流源电路，该光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、三极管对管及光电二极管；所述三极管对管包括第一PNP三极管和第二PNP三极管；所述第一电阻的第一端与所述高压电源输入端连接，所述第一电阻的第二端与所述三极管对管中的所述第一PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的集电极分别与所述第三电阻的第一端及所述第二PNP三极管的基极连接，所述第二PNP三极管的基极还与所述第一PNP三极管的基极连接，所述第三电阻的第二端接地；所述第二电阻的第一端与所述高压电源输入端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极连接，所述第二PNP三极管的集电极与所述光电二极管的阴极连接，所述光电二极管的阳极接地。本实用新型解决了现有光组件的高压电流源电路的电流精度差和老化条件一致性差的问题，从而提高了对光电二极管进行老化时的老化准确性和效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为现有技术中光组件的高压电流源电路一实施例的电路结构图；

图2本实用新型光组件的高压电流源电路第一实施例的电路结构图；

图3本实用新型光组件的高压电流源电路第二实施例的电路结构图。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

本实用新型提供一种光组件的高压电流源电路，图2本实用新型光组件的高压电流源电路第一实施例的电路结构图，参照图2，本实施例中，该光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端VIN02、第一电阻R02、第二电阻R03、第三电阻R04、三极管对管101及光电二极管D02，其中，所述三极管对管101包括第一PNP三极管Q1和第二PNP三极管Q2。

具体地，所述第一电阻R02的第一端与所述高压电源输入端VIN02连接，所述第一电阻R02的第二端与所述三极管对管101中的所述第一PNP三极管Q1的发射极连接，所述第一PNP三极管Q1的集电极分别与所述第三电阻R04的第一端及所述三极管对管101中的所述第二PNP三极管Q2的基极连接，所述三极管对管101中的所述第二PNP三极管Q2的基极还与所述第一PNP三极管Q1的基极连接，所述第三电阻R04的第二端接地；所述第二电阻R03的第一端与所述高压电源输入端VIN02连接，所述第二电阻R03的第二端与所述三极管对管101中的所述第二PNP三极管Q2的发射极连接，所述三极管对管101中的所述第二PNP三极管Q2的集电极与所述光电二极管D02的阴极连接，所述光电二极管D02的阳极接地。本实施例中，所述高压电源输入端VIN02的电压大于或等于50V且小于或等于80V。

本实施例中，所述高压电源输入端VIN02输入的电压通过所述第一电阻R02和所述第二电阻R03加到到所述三极管对管101中两个PNP三极管的发射极，两只参数完全相同的三极管封装在一起构成三极管对管，即本实施例中，所述三极管对管101中的所述第一PNP三极管Q1的参数和所述第二PNP三极管Q2的参数完全相同，本实施例中所述三极管对管101中两个PNP三极管的基极连在一起。本实施例中，与所述第一PNP三极管Q1的集电极连接的所述第三电阻R04可用来设定初始电流大小(即设定流过所述第一电阻R02和流过所述第三电阻R04的电流)，所述第二PNP三极管Q2的集电极可直接输出成比例的镜像电流，供给所述光电二极管D02。

本实施例中，考虑到所述三极管对管101中的两个PNP三极管本身会消耗一定的电压，该电压也称为管压降，一般是大于0V小于1V(如0.3V或0.7V)，若所述三极管对管101中的所述第一PNP三极管Q1的管压降记为Vbe1，则设定的初始电流I2为：I2＝(VIN02-Vbe1)/(R02+R04)，式中，VIN02代表所述高压电源输入端VIN02的电压，Vbe1代表所述三极管对管101中所述第一PNP三极管Q1的管压降，R02代表所述第一电阻R02的阻值，R04代表所述第三电阻R04的阻值。需要说明的是，本实施例中，所述第一电阻R02为阻值较小的电阻。本实施例中，由于所述三极管对管101中的两个PNP三极管的参数完全相同，所以所述三极管对管101中的两个PNP三极管的管压降相等，即所述第一PNP三极管Q1的基极与发射极之间的电压Vbe1与所述第二PNP三极管Q2的基极与发射极之间的电压Vbe2相等，则I2*R02＝I2out*R03，式中，I2out为所述第二PNP三极管Q2的集电极的输出电流(下称镜像输出电流)，从而所述镜像输出电流I2out＝I2*(R02/R03)。

本实施例光组件的高压电流源电路，由于设定的初始电流I2＝(VIN02-Vbe)/(R02+R04)，而所述三极管对管101中的两个PNP三极管的管压降是固定值，因此，本实施例中，所述初始电流I2可以通过改变所述高压电源输入端VIN02的电压、所述第一电阻R02的阻值和所述第三电阻R04的阻值来调节；本实施例中，镜像输出电流I2out可以通过改变所述第一电阻R02和所述第二电阻R03的比例来调节。

本实施例光组件的高压电流源电路，当需要固定输出一定的电流给所述光电二极管D02时(例如，镜像输出电流I2out＝100uA)，在所述高压电源输入端VIN02输入一定的电压的情况下，本实施例可以通过调节所述第三电阻电阻R04的阻值和所述第一电阻R02的阻值来设定初始电流I2(I2＝(VIN02-Vbe1)/(R02+R04)，例如设定I2＝200uA)，然后通过调节所述第一电阻R02和所述第二电阻R03的阻值比例为1/2，由I2*R02＝I2out*R03可得：I2out＝200uA*1/2＝100uA，该100uA直接供给所述光电二极管D02，即本实施例光组件的高压电流源电路具有电流精度高的优点。

并且，本实施例光组件的高压电流源电路，当需要固定输出一定的电流给所述光电二极管D02时(例如，镜像输出电流I2out＝100uA)，在所述高压电源输入端VIN02输入一定的电压的情况下，本实施例可以通过设置好所述第三电阻电阻R04的阻值和所述第一电阻R02的阻值，以及设置好所述第一电阻R02和所述第二电阻R03的阻值比例，则所述镜像输出电流I2out(即流过所述光电二极管D02的电流)是一定的，因此，不管本实施例光组件的高压电流源电路用于老化同一款光电二极管还是老化不同的几款光电二极管，流过光电二极管的电流都不会发生改变，因此，本实施例光组件的高压电流源电路在对光电二极管进行老化时，具有老化条件一致性好的优点。

需要说明的是，本实施例中，所述高压电源输入端VIN02输入的电压的大小可根据实际需求而定，所述三极管对管101的型号也可根据实际使用的电压而定(例如需要考虑所述三极管对管101的耐压值)，另外，本实施例可根据相应的规格书查到所述三极管对管101中的PNP三极管的管压降。

综上所述，由于本实施例光组件的高压电流源电路具有电流精度高及老化条件一致性好的优点，因此本实施例光组件的高压电流源电路提高了对光电二极管进行老化时的老化准确性和效率。

图3本实用新型光组件的高压电流源电路第二实施例的电路结构图，参照图3，本实施例中，该光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端VIN02’、第一电阻R02’、第二电阻R03’、第三电阻R04’、第一PNP三极管Q1’及第二PNP三极管Q2’。本实施例中，所述第一PNP三极管Q1’和所述第二PNP三极管Q2’为参数相同的两个独立的三极管。具体地，所述第一电阻R02’的第一端与所述高压电源输入端VIN02’连接，所述第一电阻R02’的第二端与所述第一PNP三极管Q1’的发射极连接，所述第一PNP三极管Q1’的集电极分别与所述第三电阻R04’的第一端及所述第二PNP三极管Q2’的基极连接，所述第二PNP三极管Q2’的基极还与所述第一PNP三极管Q1’的基极连接，所述第三电阻R04’的第二端接地；所述第二电阻R03’的第一端与所述高压电源输入端VIN02’连接，所述第二电阻R03’的第二端与所述第二PNP三极管Q2’的发射极连接，所述第二PNP三极管Q2’的集电极与所述光电二极管D02’的阴极连接，所述光电二极管D02’的阳极接地。所述高压电源输入端VIN02’的电压大于或等于50V且小于或等于80V。

本实施例与上述第一实施例的区别是：本实施例未采用上述第一实施例所述的三极管对管101，而是采用所述第一PNP三极管Q1’和所述第二PNP三极管Q2’这两个独立的PNP三极管替代了上述第一实施例所述的三极管对管101，本实施例中，所述第一PNP三极管Q1’的参数和所述第二PNP三极管Q2’的参数相同，本实施例光组件的高压电流源电路的工作原理和有益效果与上述第一实施例相同，此处不再赘述。

本实用新型还提供一种光组件，该光组件包括光组件的高压电流源电路，所述光组件的高压电流源电路的电路结构可参照上述实施例，在此不再赘述。理所应当地，由于本实施例的光组件采用了上述光组件的高压电流源电路的技术方案，因此该光组件具有上述光组件的高压电流源电路所有的有益效果。

以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。