一种低压差线性稳压器的制作方法

本实用新型涉及稳压器技术领域，具体是指一种低压差线性稳压器。

背景技术：

低压差线性稳压器是应用在片上全集成低压差线性稳压器LDO模块，其用途是在芯片中为子模块提供经过线性调节的电源电压，同时最小化面积和功率，降低成本。目前，在主流的CMOS工艺中设计低压差线性稳压器(LDO)，仍然面临着一些技术挑战。主要难点在于普通低压差线性稳压器中，输出准确度(精度)高的稳压器的瞬态响应电压回稳时间慢，而电压回稳时间快的稳压器的输出准确率低。

技术实现要素：

本实用新型的目的是克服以上的技术缺陷，提供一种低压差线性稳压器，同时具备快速反馈和慢速反馈双路反馈环路。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的技术方案为：一种低压差线性稳压器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1，所述的第一MOS管M1和第四MOS管M4的源极均接电源Vcc，所述的第一MOS管M1的栅极分别与第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极相连，所述的第二MIM电容C2分别与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出Vout相连，所述的第二MOS管M2的栅极通过电容C1接地，并与误差放大器AMP1的输出相连，所述的第二MOS管M2的漏极分别与第三MOS管M3、第五MOS管M5的源极相连，所述的第三MOS管M3的栅极接Vb3，第三MOS管M3的源极接地，所述的第四MOS管M4的栅极接Vb1，所述的第五MOS管M5的栅极接Vb2。

本实用新型与现有技术相比的优点在于：本实用新型提出一种新的结构，设计了一种同时具备快速反馈和慢速反馈双路反馈环路，解决了现有技术中输出准确度高的稳压器的瞬态响应电压回稳时间慢，而电压回稳时间快的稳压器的输出准确率低的技术问题。

作为改进，所述的第一误差放大器AMP1正输入端接Vin，负输入端通过R2与Vout相连，通过R1接地。

作为改进，所述的第一MIM电容C1的阳极接第一误差放大器AMP1的输出端Vout，阴极接地。

作为改进，所述的第二MIM电容C2的阳极分别与第一MOS管M1的栅极、第四MOS管M4的漏极和第五MOS管M5的漏极相连，阴极与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出端Vout相连。

附图说明

图1是本实用新型一种低压差线性稳压器的电路图结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明。

一种低压差线性稳压器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1，所述的第一MOS管M1和第四MOS管M4的源极均接电源Vcc，所述的第一MOS管M1的栅极分别与第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极相连，所述的第二MIM电容C2分别与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出Vout相连，所述的第二MOS管M2的栅极通过电容C1接地，并与误差放大器AMP1的输出相连，所述的第二MOS管M2的漏极分别与第三MOS管M3、第五MOS管M5的源极相连，所述的第三MOS管M3的栅极接Vb3，第三MOS管M3的源极接地，所述的第四MOS管M4的栅极接Vb1，所述的第五MOS管M5的栅极接Vb2。

所述的第一误差放大器AMP1正输入端接Vin，负输入端通过R2与Vout相连，通过R1接地。

所述的第一MIM电容C1的阳极接第一误差放大器AMP1的输出端Vout，阴极接地。

所述的第二MIM电容C2的阳极分别与第一MOS管M1的栅极、第四MOS管M4的漏极和第五MOS管M5的漏极相连，阴极与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出端Vout相连。

本实用新型在具体实施时，该电路中同时存在慢速环路和快速环路，慢速环路包括误差放大器AMP1，电容C1和MOS管M2，它可以通过偏置M2将直流电平设置为Vout-Vgs(M2)，输出和输入关系为快速环路包括M2、M3、M4和M5，当Vout在交流事件中发生变化，则变化将快速折回快速环路，以负反馈形式传输到M1的栅极，回稳瞬态响应的电压。

以上对本实用新型及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本实用新型的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本实用新型创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本实用新型的保护范围。