14的每一个是例如一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有一个作为第一端的栅极端、一个作为第二端的漏极端，及一个接地的源极端。第四转导元件114的宽长比为第三转导元件111的宽长比的N倍。待偏压转导元件2的宽长比为第三转导元件111的宽长比的P倍。值得注意的是，第三转导元件111、第四转导元件114及待偏压转导元件2可以都操作在饱和区或次临界区。
[0070]在操作中，第一电流信号il被分成流经电阻串112的参考电流信号Λ?η，及一个幅值为Il-Δ Iin且流经第三转导元件111的电流。第三转导元件111迫使电阻串112的第二末端上的电压的幅值为rYll-AIin)。电阻串112及电流源113共同迫使第一电压信号vl的幅值及偏压电压vb的幅值分别为Vl = ^a1-AIirO + AIinXR及Vb =Vl-AIinXRXKo此外，第二电流信号i2流经第四转导元件114。第四转导元件114迫使第二电压信号v2的幅值为V2 = r'td/N) XI2]o
[0071]在本实施态样中，由于第三转导元件111、第四转导元件114及待偏压转导元件2的电压至电流转换函数都是单调递增，且由于其一阶导数都是单调递增，放大器121的第一输入端及第二输入端分别为非反相输入端及反相输入端，以使第一电压信号vl的幅值相同于第二电压信号v2的幅值(也就是Vl = V2)o然而，在其它实施例中，当第三转导元件111、第四转导元件114及待偏压转导元件2都为电压至电流转换函数是单调递增且电压至电流转换函数的一阶导数是单调递减的元件时，放大器121的第一输入端及第二输入端分别为反相输入端及非反相输入端，以使第一电压信号vl的幅值相同于第二电压信号v2的幅值(也就是Vl = V2)。
[0072]图3说明偏压电路I的第二示范性实施态样，其是第一示范性实施态样的变形，且与第一示范性实施态样不同的地方在于B = Λ Iin及转换器11的配置。
[0073]由于B = AIin且 A = Δ IinXR，方程式 2 变成 Vl = Γ1 (Ι1) + Δ IinXR，且方程式 3 变成 V2 = T^td/N) X (I2+NX Δ Iin)] ο
[0074]转换器11包括一个第三转导元件131、一个缓冲器132、一个电阻串133、一个第一电流源134、一个第四转导元件135及一个第二电流源136。
[0075]第三转导元件131 (例如一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管)具有一个第一端(例如一个栅极端)及一个第二端(例如一个漏极端)。第三转导元件131的第二端耦接到控制器12的放大器121的第一输入端及控制器12的第一转导元件122的第二端。第三转导元件131从其第一端到其第二端的电压至电流转换函数为T(.)。
[0076]缓冲器132具有一个耦接到第三转导元件131的第二端的输入端，及一个输出端。
[0077]电阻串133具有一个耦接到缓冲器132的输出端的第一末端、一个耦接到第三转导元件131的第一端的第二末端，及一个提供偏压电压vb的中间端。电阻串133在其第一末端及其第二末端间的电阻值为R。电阻串133在其第一末端及其中间端间的电阻值为KXR0
[0078]第一电流源134耦接到第三转导元件131的第一端，且提供参考电流信号Λ iin。参考电流信号Δ iin流经电阻串133。
[0079]第四转导元件135 (例如一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管)具有一个第一端(例如一个栅极端)及一个第二端(例如一个漏极端)。第四转导元件135的第二端耦接到第四转导元件135的第一端、控制器12的放大器121的第二输入端及控制器12的第二转导元件123的第二端。第四转导元件135从其第一端到其第二端的电压至电流转换函数为NXT(.) ο
[0080]第二电流源136耦接到第四转导元件135的第二端，且提供一个幅值为NX Λ Iin的辅助电流Aia。辅助电流Δ ia流经第四转导元件135。
[0081]在操作中，第一电流信号il流经第三转导元件131。第三转导元件131迫使电阻串133的第二末端上的电压的幅值为T4(Il)。缓冲器132、电阻串133及第一电流源134共同迫使第一电压信号vl的幅值及偏压电压vb的幅值分别为Vl = T^dD + AIinXR及Vb = Vl-AIinXRXKo此外，第二电流信号i2及辅助电流Δ ia被合并成一个幅值为I2+NXΛIin且流经第四转导元件135的电流。第四转导元件135迫使第二电压信号v2的幅值为 V2 = r'td/N) X (I2+NX Alin)]。
[0082]图4说明偏压电路I的第三示范性实施态样，其是第一示范性实施态样的变形，且与第一示范性实施态样不同的地方在于B = Λ Iin及转换器11的配置。
[0083]由于B = AIin且 A = Δ IinXR，方程式 2 变成 Vl = Γ1 (Ι1) + Δ IinXR，且方程式 3 变成 V2 = T^td/N) X (I2+NX Δ Iin)] ο
[0084]转换器11包括一个第三转导元件141、一个缓冲器142、一个电阻串143、一个第一电流源144、一个第四转导元件145及一个第二电流源146。
[0085]第三转导元件141 (例如一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管)具有一个第一端(例如一个栅极端)及一个第二端(例如一个漏极端)。第三转导元件141的第二端耦接到第三转导元件141的第一端及控制器12的第一转导元件122的第二端。第三转导元件141从其第一端到其第二端的电压至电流转换函数为T(.)。
[0086]缓冲器142具有一个耦接到第三转导元件141的第二端的输入端，及一个输出端。
[0087]电阻串143具有一个親接到控制器12的放大器121的第一输入端的第一末端、一个耦接到缓冲器142的输出端的第二末端，及一个提供偏压电压vb的中间端。电阻串143在其第一末端及其第二末端间的电阻值为R。电阻串143在其第一末端及其中间端间的电阻值为KX R。
[0088]第一电流源144耦接到电阻串143的第一末端，且提供参考电流信号Δ iin。参考电流信号Λ iin流经电阻串143。
[0089]第四转导元件145 (例如一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管)具有一个第一端(例如一个栅极端)及一个第二端(例如一个漏极端)。第四转导元件145的第二端耦接到第四转导元件145的第一端、控制器12的放大器121的第二输入端及控制器12的第二转导元件123的第二端。第四转导元件145从其第一端到其第二端的电压至电流转换函数为NXT(.) ο
[0090]第二电流源146耦接到第四转导元件145的第二端，且提供一个幅值为NX Λ Iin的辅助电流Aia。辅助电流Aia流经第四转导元件145。
[0091]在操作中，第一电流信号il流经第三转导元件141。第三转导元件141迫使缓冲器142的输入端上的电压的幅值为T4(Il)。缓冲器142、电阻串143及第一电流源144共同迫使第一电压信号vl的幅值及偏压电压vb的幅值分别为Vl = T^dD + AIinXR及Vb = Vl-AIinXRXKo此外，第二电流信号i2及辅助电流Δ ia被合并成一个幅值为I2+NXΛIin且流经第四转导元件145的电流。第四转导元件145迫使第二电压信号v2的幅值为 V2 = r'td/N) X (I2+NX Alin)]。
[0092]图5说明偏压电路I的第四示范性实施态样，其是第一示范性实施态样的变形，且与第一示范性实施态样不同的地方在于A = O,Vb = ￥2+八11以1^1(及转换器11的配置。
[0093]由于B = O且A = 0，方程式2变成Vl = Γ1 (I1-Δ Iin)，且方程式3变成V2 =T^td/N) ΧΙ2]-Δ IinXRo
[0094]转换器11包括一个第三转导元件151、一个第一电流源152、一个第四转导元件153、一个缓冲器154、一个电阻串155及一个第二电流源156。
[0095]第三转导元件151 (例如一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管)具有一个第一端(例如一个栅极端)及一个第二端(例如一个漏极端)。第三转导元件151的第二端耦接到第三转导元件151的第一端、控制器12的放大器121的第一输入端及控制器12的第一转导元件122的第二端。第三转导元件151从其第一端到其第二端的电压至电流转换函数为Τ(.) O
[0096]第一电流源152耦接到第三转导元件151的第二端，且提供一个幅值为ΔΠη的辅助电流Δ ia。辅助电流Aia构成第一电流信号il的一部分。
[0097]第四转导元件153 (例如一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管)具有一个第一端(例如一个栅极端)及一个第二端(例如一个漏极端)。第四转导元件153的第二端耦接到第四转导元件153的第一端及控制器12的第二转导元件123的第二端。第四转导元件153从其第一端到其第二端的电压至电流转换函数为NXT(.)。
[0098]缓冲器154具有一个耦接到第四转导元件153的第二端的输入端，及一个输出端。
[0099]电阻串155具有一个親接到控制器12的放大器121的第二输入端的第一末端、一个耦接到缓冲器154的输出端的第二末端，及一个提供偏压电压vb的中间端。电阻串155在其第一末端及其第二末端间的电阻值为R。电阻串155在其第一末端及其中间端间的电阻值为KX R。
[0100]第二电流源156親接到电阻串155的第一末端，且提供参考电流信号Δ iin。参考电流信号Λ iin流经电阻串155。
[0101]在操作中，第一电流信号il被分成辅助电流Aia，及一个幅值为Il-AIin且流经第三转导元件151的电流。第三转导元件151迫使第一电压信号vl的幅值为Vl =THll-AIin)。此外，第二电流信号i2流经第四转导元件153。第四转导元件153迫使缓冲器154的输入端上的电压的幅值为Tl (1/Ν) X 12]。缓冲器154、电阻串155及第二电流源156共同迫使第二电压信号v2的幅值及偏压电压vb的幅值分别为V2 = ^[(1/N) X 12]-Δ IinXR 及 Vb = V2+A IinXRXK。
[0102]图6说明偏压电路I的第五示范性实施态样，其是第一示范性实施态样的变形，且与第一示范性实施态样不同的地方在于B = AIin、A = O,Vb = V2+Δ IinX RXK及转换器11的配置。
[0103]由于B= AIin且A = 0，方程式2变成Vl = T1(Il),且方程式3变成VZ = TKl/N) X (I2+NX Δ Ι?η)]-Δ IinXR0
[0104]转换器11包括一个第三转导元件161、一个第四转导元件162、一个第一电流源163、一个缓冲器164、一个电阻串165及一个第二电流源166。
[0105]第三转导元件161 (例如一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管)具有一个第一端(例如一个栅极端)及一个第二端(例如一个漏极端)。第三转导元件161的第二端耦接到第三转导元件161的第一端、控制器12的放大器121的第一输入端及控制器12的第一转导元件122的第二端。第三转导元件161从其第一端到其第二端的电压至电流转换函数为T(.) O
[0106]第四转导元件162 (例如一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管)具有一个第一端(例如一个栅极端)及一个第二端(例如一个漏极端)。第四转导元件162的第二端耦接到第四转导元件162的第一端及控制器12的第二转导元件123的第二端。第四转导元件162从其第一端到其第二端的电压至电流转换函数为ΝΧΤ(.)。
[0107]第一电流源163耦接到第四转导元件162的第二端，且提供一个幅值为NX Λ Iin的辅助电流Aia。辅助电流Δ ia