一种应用于大电流稳压器和充电器中的温度线性补偿电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及补偿电路，具体涉及一种应用于大电流稳压器和充电器中的温度线性补偿电路。
【背景技术】
[0002]在各类稳压器和充电器设计中，温度保护模块一般采用数字处理方式，当温度升高并超过保护点时，以逻辑方式直接关闭功率通路或者降低输入功率，当温度降低时再放开功率限制。此类方法的缺点是不能最大化使用输入功率。又因为温度保护点一般设计中取值较高，在负载功率较大时，芯片可能在距离保护点很近的高温环境下工作，在手持式设备中，这个问题往往有很大的安全隐患。
【发明内容】
[0003]本发明针对现有技术中的不足，提供一种应用于大电流稳压器和充电器中的温度线性补偿电路。
[0004]本发明是通过以下的技术方案实现的:一种应用于大电流稳压器和充电器中的温度线性补偿电路，包括PM0SFET和NM0SFET，所述PMOSFET，NM0SFET连接二极管、基准电压、电流源。
[0005]本发明的优点在于:根据芯片结温自适应调节输入电流，无需其他控制端口。
【附图说明】
[0006]图1为本发明的结构示意图；
[0007]图2为10UT随温度变化示意图；
[0008]图中:Μ1/2/3/4/8/9为 PM0SFET，M5/6/7 为 NM0SFET，D1 为二极管，VR 为基准电压，IS1/2/3为电流源。
【具体实施方式】
[0009]下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
[0010]如图1、图2所示，一种应用于大电流稳压器和充电器中的温度线性补偿电路，包括PMOSFET和NM0SFET，所述PMOSFET，NM0SFET连接二极管、基准电压、电流源。
[0011]本发明适合用于各类稳压器和充电器的温度控制设计中，利用芯片结温的线性变换，控制芯片输入电流随结温的上升而下降，芯片达到一个动态的热平衡状态。确保最大负载条件下的芯片工作温度达到设计要求，最大化利用输入电流给负载提供功率。在既定电流IS1条件下，二极管压降VD为既定值，且VD随温度升高而线性降低。随着温度升高，VD接近VR，Ml/2和M3/4取合适的宽长比就可以工作在线性区，流过M6的电流记为I_SENSE，。将10UT作用于稳压器输入电流限制的设计中，设计为输入电流随10UT增大而减小。
[0012]以上所述的仅是本发明一优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种应用于大电流稳压器和充电器中的温度线性补偿电路，其特征在于:包括PMOSFET和NM0SFET，所述PMOSFET，NM0SFET连接二极管、基准电压、电流源。
【专利摘要】本发明公开了一种应用于大电流稳压器和充电器中的温度线性补偿电路，包括PMOSFET和NMOSFET，所述PMOSFET，NMOSFET连接二极管、基准电压、电流源。利用芯片结温的线性变换，控制芯片输入电流随结温的上升而下降，芯片达到一个动态的热平衡状态。确保最大负载条件下的芯片工作温度达到设计要求，最大化利用输入电流给负载提供功率。
【IPC分类】G05F1/567
【公开号】CN105278607
【申请号】CN201410355798
【发明人】王冬峰, 刘桂芝, 马丙乾, 吴国平
【申请人】无锡麟力科技有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年7月22日