专利名称：电磁场供能的装置中增大功能作用距离的方法及电路配置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于在一个由电磁场供给能量的装置上增大功能作用距离的电路配置，尤其是当使用在应答器或远程传感器中时，借助一个电压变换器由装置的工作电压来产生用于执行一个功能过程所需的功能电压。
此外本发明还涉及在一个由电磁场供给能量的装置上增大功能作用距离的方法，尤其是用在应答器或远程传感器上，其中借助一个电压变换器由装置的工作电压来产生用于执行一个功能过程所需的功能电压(Funktionsspannung)。
背景技术：
在工作于射频上的识别方法(RFID应用)的进展中，尤其在如RFID应答器的装置中，-它们从一个由基站产生的电磁场中获得用于其工作所需的能量及它们通常仅被提供很小的电功率(无源应答器)，当前要求它们的功能作用距离愈来愈大。“功能作用距离(Funktionsreichweite)”一词在下面应理解为装置到基站的一个距离，在该距离上所述装置能够在足够长的、用于执行一个相应功能过程所需的时间间隔上可靠地提供比其常规的工作电压显著地高的功能电压。这种功能过程例如可涉及一个编程过程，即在一个适当的存储装置如EEPROM中进行写或读，或-在面临该问题的远程传感器的情况下-涉及一个测量过程的执行。例如相应的编程电压在一般的EEPROMs上约为12至14V，而常规的工作电压在1至3V的范围中。在此情况下必须在几个毫秒范围的持续时间期间存在功能电压，以便能成功地结束功能过程。
在传统的无源应答器上该编程电压借助多级电压变换器或电压倍增器(电荷泵)来产生。在这里我们称之为电压的“上升(Hochlaufen)”。接着在一个预定时间中被操作，假设在该时间中提供了足够的功能电压，以便按规定结束预设定的功能过程。在此情况下除了对功能过程本身或其结果可能没有检验的事实外，尤其视为不利的是，功能时间-例如一个编程持续时间-固定地、与真正需要的时间无关地被预给定。
还公知了所述类型的装置，在这些装置中为了考虑变化的负载关系(例如由于增加了接通电流或由于饱和阶段的寄生电流使电压上升过程偏移或增长)与功能周期并行地测量工作电压。将这样获得的这些测量值与一个参考值相比较，其中对肯定的比较结果计数及在一个预定的时间期满后与另一参考值相比较。如果该值没有被超过，则功能过程被评判为不成功。在这种评判中被视为不利的首先是在测量工作电压的情况下仅涉及功能电压的间接测量，其中仅用工作电压的崩溃(Zusammenbruch)来提供关于功能电压的一个可靠的控制点。此外它涉及一个纯控制概念，其中也是功能时间与真正的上升时间(Hochlaufzeit)无关地确定及不能适配具体的要求、如一个编程作用范围的增大。
特别是对于最后所述的一个要求，在公知的装置上还被视为不利的是，在高阻抗电源时、例如当由从RF场接收的交变电压能量产生直流电压的阻抗过大时，由于增高的接通电流使工作电压陷落(einbricht)，这就导致电源接通复位(POR)，由此使功能作用距离附加地受到限制。因此具有多个晶体管开关元件的传统的电压倍增器具有由相应的电压降引起损耗的效果。
发明内容
本发明的任务在于更可靠及更灵活地使用开始部分所述类型的方法及电路配置，尤其考虑到功能作用距离的增大。
该任务将在开始部分所述类型的方法上这样来解决确定功能电压的至少一个特性及根据功能电压被确定的特性确认或放弃功能过程的结果。
在开始部分所述类型的电路配置上为了解决该任务提出设有一个用于确定功能电压的至少一个特性的确定电路及一个用于根据功能电压被确定的特性确认或放弃功能过程结果的评判电路。
因此根据本发明用一种闭环形式的调节方案来代替公知方法的不灵活及易于失误的控制方案，该闭环形式的调节方案的方式在于直接监测对于功能过程起决定作用的功能电压及将监测结果用于调节功能持续时间。因此可以，在更大的作用距离及通常随之而来的供电速度的范围上可灵活地适配，即延长功能持续时间，而在功能过程很快结束的情况下，与很快结束相反的情况可与装置的重新可支配性同样相关。所述功能过程最好是一个编程过程，即一个写和/或读的过程，尤其是在一个电可擦除的存储装置、如一个EEPROM中。
在根据本发明的电路配置的进一步构型中以有利的方式提出确定电路被构成来将一个可直接配置给功能电压的量与一个参考值相比较，其中它合乎目的地涉及功能电压的一个电压值。相应地，根据本发明的方法的特征有利地在于，将一个可直接配置给功能电压的量与一个参考值相比较。
根据本发明的电路配置可具有一个分压器作为用于确定电压值的一个既简单又可靠的装置，在一个特别优选的进一步构型中该分压器是一个电容性的分压器，由此消除了通过分压器的直流电流。
此外根据本发明的电路配置在确定电路中可具有一个阈值开关(Schwellwertschalter)，由此使得功能电压与一个参考值的简单比较成为可能。此外评判电路最好具有一个第一计数器装置，用于对确定装置的输出信号进行评判，第一计数器装置被构成来求得一些时间间隔，在这些时间间隔期间功能电压具有用于执行该功能过程所需的特性。因此通过第一计数器装置确定了一个时间，在该时间中功能电压具有用于执行该功能过程所需的特性。
除此外，评判电路可具有一个第二计数器装置，用于确定从功能电压的产生所经过了的一些时间间隔。相应地，通过该第二计数器装置确定出从功能电压的产生所经过了的时间。
此外，以此方式，评判电路可被构成来用于当在第二计数器装置中超过一个预定数目的时间间隔时，中断和/或取消功能过程，即当由第二计数器装置确定的时间超过一个预定的值时，中断和/或取消功能过程。因此可避免过分长的功能持续时间，例如在离开了可靠功能作用距离时。
此外在根据本发明电路配置的一个优选构型中，评判电路被构成来用于当在第一计数器装置中达到一个预定数目的时间间隔时，确认功能过程的一个结果，即当由第一计数器装置确定的时间达到一个预定的终值(Endwert)时，确认功能过程的一个结果。以此方式，功能持续时间可被限制在真正需要的量度上。在此情况下第一计数器装置的预定的时间间隔小于第二计数器装置的预定的时间间隔。
为了避免在传统的电路配置中出现的电源接通复位(POR)的问题，一个优选构型提出，在电压变换器的前面连接了一用于限制接通电流的电路单元。根据本发明该电路单元可包括一个MOSFET晶体管或至少一个-需要时可转换(umschaltbares)的-RC网络，由此可根据要求地适配功能电压的上升特性。根据本发明的方法的一个相应的进一步构型的特征为限制电压变换器的输入电流，其中该限制随时被调节地适配。
为了限制功率损耗，根据本发明的电路配置的电压变换器还优选地由肖特基二极管替代晶体管作为开关装置。
本发明的其它特点及优点可从以下参照附图对实施例的说明中得到。
附图为图1根据本发明装置的一个电路框图；图2根据图1的本发明的装置中限制输入电流的一个电路单元的详细电路图；图3a-d在根据本发明的电路配置的功能电压上升过程中的电流随时间变化的波形图；图4图1中根据本发明的电路配置的一个电压变换器的详细电路图；图5图1中根据本发明的电路配置的一个确定及评判电路的详细电路图；及图6图1中根据本发明的一个电路配置的计数器装置的详细电路图。
具体实施例方式
图1中通过一个电路框图表示根据本发明的电路配置1的一个概要总体图。该装置最好单片集成地构成及确定用于一个(RF-)应答器或一个远程传感器中。
根据本发明的电路配置1具有一个用于限制该电路配置1的输入电流的第一电路单元2。它被连接在一个工作电压VDD上，该电压在所述应用的范围上借助一个接收装置(天线，未示出)从一个电磁波场中被提取及借助一个适合的整流器如一个二极管整流桥(未示出)被调整处理，这些是专业人员所熟知的。以下将借助图2来详细说明该电路单元2。
根据图1，在电路单元2-它输出一个电压VDD’作为输出电压-上，连接了一个电压变换器电路3，对它还借助图3详细地描述。该电压变换器电路3具有二个用于控制信号OSC_PROG或NHVON的信号输入端。该电压变换器电路被构成来产生一个功能电压VPP，它明显地高于工作电压VDD(典型为12-14V相对1.6V)及最好用作编程电压，例如用于一个EEPROM(电可擦除的可编程只读存储器-electronicallyerasableprogrammablereadonlymemory；未示出)的写入或擦除。
为了功能电压VPP的确定及评判，根据本发明的电路配置1还具有一个连接在电压变换器电路3后面的、组合的确定及评判电路4，在下面借助图5及6详细地描述它。除了用于控制信号NHVON的第一信号输入端4.4外，该确定及评判电路4还具有用于参考信号VREF，IREF_HV的其它输入端4.2，4.3及在其输出端4.5上输出一个逻辑控制信号HV_OK，它的高电平表示适合执行一个所拟定的功能过程的功能电压，尤其是足够用于一个EEPROM编程的功能电压。
图2借助一个详细的电路图表示用于限制与工作电压VDD相关的输入电流IE的一个电路单元2。它首先具有多个串联连接的电阻R1，R2。这些电阻与一个连接于它们后面的电容器C1构成一个阻容(RC)网络，该阻容网络起到对输入量IE的滤波功能(参见图3a，b)。电阻R2可由一个并联连接的PMOS晶体管2.1旁路。PMOS晶体管2.1的栅极2.1a通过一个“非”元件2.2连接到评判信号HV_OK上；PMOS晶体管2.1的衬底端子(Bulkanschluβ)2.1b与源极2.1c与一个位于电阻R1，R2之间的节点2.3相连接。通过该RC网络滤波后的输出电压VDD’在一个输出端2.4上被提供给后面的电压变换器电路3。
以这种方式，在控制信号HV_OK高(HIGH)电平时第二电阻R2被旁路，由此产生了一个变化了(减小)的RC网络R1，R2，C1的滤波作用，这就实现了在后面的电压变换器电路3(参见图4)中电压的加速升高。
根据本发明，电路单元2被设置来用于通过限制输入电流IE防止工作电压的陷落及随后的电源接通复位。变换地(未明确表示出)，为此也可在电路单元2中使用无PMOS晶体管的、更简单构成的RC网络，即具有恒定滤波特性的、或仅具有一个自导通PMOS-它的栅极接在基片电位上-的阻容网络。
以下借助图3a-d来描述电路单元2的限制电流的功能图3a表示当未使用如上所述的电流限制装置时输入电流IE及功能电压VPP-也称为“高电压”-随时间t变化的波形。高电流-对于典型的应用约为10μA的数量级-在一个相对长的时间100μs上可导致不希望的、工作电压的陷落。图3b表示当使用单个PMOS情况下的变化波形。对于输入电流IE得到一个单个的、高的电流峰值，但由于它有限的持续时间对于工作电压的陷落并不是非常关键的。而可看出功能电压VPP的上升过程相对图3a的情况变慢。图3c表示当使用一个单一的、恒定滤波作用的RC网络时-即具有恒定的欧姆电阻及恒定的电容时-得到一个随时间几乎恒定的输入电流IE，而现在功能电压VPP更缓慢地上升。因此RC网络最好经调节可转换(参见图3d)，如在图2的构型中所示的一旦功能电压VPP达到对于执行所预定的功能过程适合的值(这里VPP＝11.5V)及出现了相应的高电平信号HV_OK＝1(见下文)时，通过PMOS晶体管2.1的导通使电阻R2旁路，及返回电路单元2的滤波作用，这意味着更好的效率。这在图3d中借助跳变上升的电流显示出来。
因此，根据本发明借助电路单元2限制电压变换器3的输入电压VDD’(参见图1，4)。但这将引起功能电压VPP的上升特性强烈地变化，如以上借助图3a-d的波形所描述的。因此根据本发明该上升时间是用于供给能量用的(RF)场的场强的函数或者是一个设置在电路配置1前面的电流源的特性如其内阻、空载电压或类似特性的函数。根据本发明对此通过确定及评判电路4的设置来考虑(图1，5，6)。
图4详细地表示根据本发明的用于由电路单元2的工作电压VDD或输出电压VDD’产生功能电压VPP的电压变换器电路3。该电压变换器电路3首先具有(图4中左边所示的)一个逻辑控制电路3.1，它由两个“与非”(NAND)门3.1a，b及四个“非”元件3.1c-f构成。第一NAND门3.1a的一个输入端直接地与电压变换器电路3的一个输入端3.2相连接，在该输入端上施加一个振荡信号OSC_PROG。第一NAND门3.1a的另一输入端在中间连接了一个“非”元件3.1d的情况下与电压变换器电路3的另一输入端3.3相连接，在该输入端上施加一个控制信号NHVON，它的高(HIGH)电平表示未产生出(足够的)功能电压。在第二NAND门3.1b上的连接形式基本上相应于在第一NAND门3.1a上的连接形式，但这里在用于振荡信号OSC_PROG的输入端与NAND门3.1b的相应输入端之间也连接了一个“非”元件3.1c。每另一“非”元件3.1e，3.1f位于相应的NAND门3.1a，3.1b的输出端的后面。
上述逻辑控制电路3.1在对电压变换器电路3其余部分的两个假想过渡点A，B上，根据控制信号OSC_PROG，NHVON对真正的电压变换器/电压倍增器部分-根据本发明它构成多级电荷泵-提供两个以振荡周期变化的、互补的时钟信号CP1，CP2。为此电压变换器电路3的该部分(图4中右面所示)首先具有一个PMOS晶体管3.4形式的开关装置，它的栅极3.4a与输入端3.3(控制信号NHVON)相连接及它的源极3.4b连接到电路单元2的输出电压VDD’。与PMOS晶体管3.4的漏极3.4c连接的是一个肖特基二极管3.5-3.5(n)形式的开关装置的串联电路，这些二极管的具体数目n与目标的电压增高系数相关，这在图4中通过一个矩形括号表示。这些肖特基二极管3.5-3.5(n)总是在导通方向上相对电压VDD’相同方向地布置。该二极管串联支路在其末梢端上连接到用于产生功能电压信号VPP的输出端3.6。
在每两个肖特基二极管、例如二极管3.5与3.5’或二极管3.5’与3.5”之间的节点3.7-3.7(n-1)上，总是在相应的节点与两个相对二极管串联支路平行延伸的、用于互补的时钟信号CP1，CP2的导线3.8，3.8’中一个导线之间连接有电容器3.9-3.9(n-1)。
肖特基二极管3.5-3.5(n)及电容器3.9-3.9(n-1)的结构这样工作，即当输入端3.3上控制信号NHVON为低电平时根据公知的多级电荷泵的原理工作，它使这些节点3.7-3.7(n-1)的电位相继地提高及在输出端3.6上提供一个相对所谓的HV-级联(HV-Kaskade)的输入电压VDD’增高多倍的输出电压VPP，该电压根据本发明可作为功能电压使用。电荷泵本身的工作原理是专业人员所熟知的。通过根据本发明使用肖特基二极管取代传统方式中使用的晶体管开关装置，由于其较小的压降减小了功率损耗，由此用较少的级可达到较高的功能电压。
图5详细表示出根据本发明的确定及评判电路4。它首先具有输入端4.1-4.4，分别用于功能电压VPP、一个与它比较的参考电压VREF、一个与参考电压VREF相关的参考电流IREF_HV及控制信号NHVON。此外设有一个用于控制信号HV_OK(参见图1，2)的输出端4.5及一个连接在工作电压VDD上的端子4.6。
作为根据本发明有重要意义的组成部分，该确定及评判电路4首先具有一个容性分压器4.7，它由至少两个相对功能电压VPP的输入端4.1串联的、及连接在该输入端4.1与基片电位VSS之间的电容器4.7a，4.7c组成。同时，分压器4.7的下面的电容器4.7a被补充连接一个与其并联的电容器4.7b。该电容器4.7b用于分压器4.7以后的平衡(例如线路分离)。以此方式，该分压器4.7不作为电压变换器(参考图4)的任何负载，因为不出现任何直流电流。
此外，用标记4.8表示一个比较装置(比较器)，它按照差分放大器的形式由两个NMOS晶体管4.8a，b及一个由PMOS晶体管4.8c，d组成的PMOS电流镜(有效负载)构成。
差分放大器4.8在标号4.6上与工作电压VDD相连接及通过源极端子4.8aa，bb之间的节点4.8e和另一NMOS晶体管4.9与基片电位VSS相连接。该NMOS晶体管4.9与相邻的NMOS晶体管4.10按照一个电流镜的方式相连接及与它一起到用于差分放大器4.8的恒流电路的作用。此外设有另一NMOS晶体管4.11，它与一个在输入端4.3上与参考信号IREF_HV相连接的PMOS晶体管4.12共同起作用，该PMOS晶体管4.12的栅极受信号NHVON的控制。在用于控制信号HV_OK的输出端4.5及一个相邻的节点4.13之间附加地连接有一个“非”元件4.14。
在端子4.6及节点4.13之间还设有一个由两个PMOS晶体管4.15，4.16组成的部分，这两个PMOS晶体管的栅极受节点4.8f上差分放大器4.8的输出信号或在中间连接“非”元件4.17的条件下受信号NHVON的控制。
对于NHVON＝0时，差分放大器4.8将在第一NMOS晶体管4.8a栅极上的、由分压器4.7输出的、来自功能电压VPP的、及由此可直接配置给差分放大器的部分电压xVPP与第二NMOS晶体管4.8b栅极上的参考电压VREF相比较。以此方式，该比较装置4.8在节点4.8f上对于电压xVPP大于或等于参考信号VREF的情况输出这样一个信号作为输出电压，使得PMOS晶体管4.15阻断及使节点4.13处于基片电位(低电平)，由此使得在输出端4.5输出信号HV_OK＝1(高电平)，这表示具有足够的功能电压。对于NHVON＝0且xVpp＜VREF时，节点4.13处于高电平且HV_OK＝0(低电平)。对于NHVON＝1时，该部分电压xVpp始终处于0V，PMOS晶体管4.15导通，使得节点4.13持续地处于工作电压VDD的电位(高电平)及输出端4.5输出的信号始终是HV_OK＝0(低电平)。同时NMOS晶体管4.18及4.19形式的、另外的开关装置用于也对于NHVON＝1时，给出相应确定的状态，尤其在节点4.13上给出相应确定的状态(高电平)。最后图6表示适合的计数器装置5，6，它们同样最好被包括在根据本发明的确定及评判电路4中及被构成来用于对输出信号HV_OK的抽样进行提取及评判。这根据本发明-如所述地-是必要的，以便能够根据功能电压的上升时间调节一个功能过程的持续时间、例如编程时间。
为此目的，图6所示的电路单元具有一个所谓合格抽样计数器(Gut-Sample-Zhler)形式的第一计数器装置5及一个抽样计数器形式的第二计数器装置6。两者均按照分频器的形式被构成单边沿触发的D触发器的链式电路5.1-5.4或6.1-6.3，这是专业人员所熟知的。此外还表示出一个对于所有触发器共同的复位输入端7，用于合格抽样计数器5的时钟脉冲输入端5.5，用于抽样计数器6的、另一时钟脉冲输入端6.4及至少一个用于确定及评判电路4的确定信号HV_OK的输入端5.6。此外合格抽样计数器5具有一个输出端5.7及抽样计数器6具有一个输出端6.5。在所示的实施例中输入端5.5及5.6通过“与”(AND)门5.8逻辑连接；它的输出信号作为时钟信号提供到第一计数器-触发器5.1的时钟输入端C。每个最后的链式触发器5.4，6.3的数据输入端被连接到工作电压VDD。
所示的每个D触发器5.1-5.4，6.1-6.3作为1∶2的分频器工作，由此所示链式电路如所述地可用作(二进制)计数器(Dual-Zhler)。当输入端5.6上施加了高(HIGH)电平(HV_OK＝1)时，计数器5在输入端5.5上的时钟信号CLK_HV_OK的每个上升边沿时向上计数值1，直到最后在最后的触发器5.4的输入端C上的上升边沿时得到输出信号HV_OK_OUT＝1，它指示合格的功能电压抽样的数目足够，由此一个待执行的功能过程、如一个编程或擦除过程可被评判为成功地结束。因此本发明的主题与在先公开的控制方案不同，在公知方案中在功能电压关断及功能过程被评定为(成功的)结束前总必须等待一个确定的、固定预给定的持续时间。最大可检测的合格抽样数目nmax通过所使用的触发器数目预给出。抽样计数器6类似地工作，仅是这里计数一个CLK_OVERFLOW信号的时钟脉冲，即求得一个确定的时间，最好为从功能电压产生开始所经过的时间。如果计数器6达到其终值，则在输出端6.5上输出一个信号HV_OVERFLOW，它表示超过了到功能电压的产生最大的允许时间。相应地抽样计数器6的输出信号“胜过”合格抽样计数器5的输出信号，即当在HV_OK_OUT＝1以前被置成HV_OVERFLOW＝1时，功能过程被中断或被评定为失败。这最好在一个适当构成的、这里未示出的功能控制电路中实现。在此情况下，计数器6的真正的随时间改变的终值高于计数器5的终值，这可以通过在输入端6.4上信号CLK_OVERFLOW相应较长的时钟周期来达到。
参考标号表1电路配置 2.1b衬底端子2电路单元 2.1c源极端子2.1 PMOS晶体 2.2 “非”元件2.1a 栅极 2.3 节点
2.4 输出端4.8aa源极3 电压变换器电路4.8bb源极3.1 控制电路 4.8 c，d PMOS-晶体管3.1a，b“与非”门 4.8f 节点3.1c-f “非”元件 4.9 NMOS-晶体管3.2 输入端4.10 NMOS-晶体管3.3 输入端4.11 NMOS-晶体管3.4 PMOS-晶体管 4.12 PMOS-晶体管3.4a栅极 4.13 节点3.4b源极 4.14 “非”元件3.5-3.5(n)肖特基二极管 4.15 PMOS-晶体管3.6 输出端4.16 PMOS-晶体管3.7-3.7(n)节点 4.17“非”元件3.8，3.8’ 导线 4.18 NMOS-晶体管3.9-3.9(n-1)电容器4.19 NMOS-晶体管4 确定及评判电路5计数器4.1 输入端5.1-4D触发器4.2 输入端5.5 输入端4.3 输入端5.6 输入端4.4 输入端5.7 输出端4.5 输出端5.8 “与”门4.6 端子 6计数器4.7 分压器6.1-3D触发器4.7a，b 电容器6.4 输入端4.8 比较装置 6.5 输出端4.8a，b NMOS-晶体管 A，B 点
C 时钟输入端C1电容器CLK_HV_OK 时钟信号CLK_OVERFLOW 时钟信号CP1，2 时钟信号D 数据输入端HV_OK 控制信号HV_OK_OUT 控制信号HV_OVERFLOW控制信号IE输入电流IREF_HV参考电流NHVON 控制信号OSC_PROG 振荡器信号R1，R2电阻t 时间VDD工作电压VDD’ 电压VPP功能电压VREF 参考电压xVPP电压
权利要求
1.用于在一个由电磁场供给能量的装置上增大功能作用距离的电路配置，尤其是在应答器或远程传感器上，借助一个电压变换器由该装置的工作电压来产生用于执行一个功能过程所需的功能电压，其特征在于设有一个用于确定该功能电压(VPP)的至少一个特性的确定电路(4)及一个用于根据该功能电压(VPP)的所述被确定的特性确认或放弃该功能过程的结果的评判电路(4，5，6)。
2.根据权利要求1的电路配置，其特征在于该确定电路(4)被构成来将可直接配置给该功能电压的量(xVPP)的一个与一个参考值(VREF)相比较。
3.根据权利要求1或2的电路配置，其特征在于由该确定电路(4)可确定该功能电压的一个电压值(VPP)。
4.根据权利要求3的电路配置，其特征在于为了确定该电压值(VPP)，该确定电路(4)具有一个分压器(4.7)。
5.根据权利要求4的电路配置，其特征在于该分压器(4.7)是一个电容性的分压器。
6.根据权利要求1至5中一项的电路配置，其特征在于该评判电路(4)具有一个第一计数器装置(5)，用于对该确定装置(4)的一个输出信号(HV-OK)进行进行评判。
7.根据权利要求6的电路配置，其特征在于该第一计数器装置(5)被构成来求得一些时间间隔，在这些时间间隔期间该功能电压(VPP)具有用于执行该功能过程所需的特性。
8.根据权利要求6或7的电路配置，其特征在于该评判电路(4)具有一个第二计数器装置(6)，用于确定从该功能电压(VPP)的产生所经过了的一些时间间隔。
9.根据权利要求8的电路配置，其特征在于该评判电路(4)被构成来用于当在该第二计数器装置(6)中超过一个预定数目的时间间隔时，中断和/或取消该功能过程。
10.根据权利要求8或9的电路配置，其特征在于该评判电路(4)被构成来用于当在第一计数器装置(5)中达到一个预定数目的时间间隔时，确认该功能过程的一个结果。
11.根据权利要求1至10中一项的电路配置，其特征在于在该电压变换器(3)的前面连接了一个用于限制一个接通电流(IE)的电路单元(2)。
12.根据权利要求11的电路配置，其特征在于该电路单元(2)包括一个MOSFET晶体管(2.1)。
13.根据权利要求11的电路配置，其特征在于该电路单元(2)包括至少一个RC网络(R1，R2，C1)。
14.根据权利要求11的电路配置，其特征在于该电路单元(2)包括至少一个可转换的RC网络(R1，R2，C1)。
15.根据权利要求1至14中一项的电路配置，其特征在于为了限制功率损耗，该电压变换器(3)具有肖特基二极管(3.5-3.5(n))作为开关装置。
16.根据权利要求1至15中一项的电路配置应用在一个应答器中。
17.根据权利要求1至15中一项的电路配置应用在一个远程传感器中。
18.在一个由电磁场供给能量的装置上增大功能作用距离的方法，尤其是用在应答器或远程传感器上，其中借助一个电压变换器由该装置的工作电压来产生用于执行一个功能过程所需的功能电压，其特征在于确定该功能电压的至少一个特性及根据该功能电压的所述被确定的特性确认或放弃该功能过程的结果。
19.根据权利要求18的方法，其特征在于将一个可直接配置给该功能电压的量与一个参考值相比较。
20.根据权利要求18或19的方法，其特征在于通过一个第一计数器装置确定一个时间，在该时间中该功能电压具有用于执行该功能过程所需的特性。
21.根据权利要求18至20中一项的方法，其特征在于通过一个第二计数器装置确定一个从功能电压的产生所经过了的时间。
22.根据权利要求21的方法，其特征在于当所述由该第二计数器装置确定的时间超过一个预定的值时，中断和/或取消该功能过程。
23.根据权利要求20至22中一项的方法，其特征在于当所述由该第一计数器装置确定的时间达到一个预定的终值时，确认该功能过程的一个结果。
24.根据权利要求18至23中一项的方法，其特征在于限制该电压变换器的输入电流。
25.根据权利要求24的方法，其特征在于该限制随时被调节地适配。
26.根据权利要求20至25中一项的方法，其特征在于所述功能过程是一个编程过程，即一个写和/或读的过程，尤其是在一个电可擦除的存储装置、如一个EEPROM中。
全文摘要
在一个由电磁场供给能量的装置上增大功能作用距离的方法，尤其是用在应答器或远程传感器上，其中借助一个电压变换器由装置的工作电压来产生用于执行一个功能过程所需的功能电压，其特征在于确定功能电压的至少一个特性及一个用于根据功能电压被确定的特性确认或放弃功能过程的结果。以此方式，尤其可使一个功能时间间隔如一个EEPROM的编程时间灵活地适配于电源状态。
文档编号G06K19/07GK1627097SQ20041009830
公开日2005年6月15日 申请日期2004年12月3日 优先权日2003年12月3日
发明者马丁·菲舍尔, 福尔克哈特·弗拉斯内克尔, 乌尔里希·弗里德里希, 迪尔克·齐贝策 申请人:Atmel德国有限公司