电容的器件失配的修正方法

文档序号:6463930阅读:612来源:国知局
专利名称:电容的器件失配的修正方法
技术领域
本发明涉及一种半导体器件的失配修正方法。
背景技术
在集成电路设计和生产过程中,由于不确定性、随机误差、梯度误差等原因, 一些设计时完全相同的半导体器件生产后却存在偏差,这便称为半导体器件的失配 (mismatch)。器件失配会引起器件结构参数和电学参数变化,从而极大地影响模拟电路的特性。随着半导体生产工艺发展,器件尺寸不断缩小,器件失配主要由随机误差造成,而这种随机误差通常是由集成电路生产工艺引起的。SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)是一款通用的集成电路仿真软件。由于器件失配对集成电路的影响很大,有必要通过软件仿真及早发现并加以修正。目前SPICE软件中缺少针对电容的器件失配模型。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种电容的器件失配模型,该模型可在SPICE 软件中对电容由于随机误差导致的失配进行仿真并予以修正。为解决上述技术问题,本发明电容的器件失配的修正方法为首先,确定电容的工艺失配参数为3个,分别为面积型电容密度(area-dominated capacitance density)(perimeter-dominated capacitance density) >
(Capacitance);其次,设定面积型电容密度的随机偏差σ^0Α =Jl^+ D2XTIca-,
crACA,WxL设定周长型电容密度的随机偏差〃2 o\CP+ + XT^cp ;
ciACP,W L设定电容值的随机偏差σ<j\c =a\CA χ (W χ L)2 +a2ACP x[2x(fF + Z)]2;其中W为电容宽度、L为电容长度、D为电容之间的间距,S,CA、ΤΔα、S,m、S,CP2、 ΤΔα>为随机偏差修正因子;再次,对电容的器件失配进行修正,具体包括
C = CA _ original χ (W xZ)x[l + fFxZx ACA χ agauss(0,\,3) + D χ ThCA χ agauss{0Xy)\ 一^lWxL
CC
+ CP _ original χ [2 χ (fF + Z)] χ {1 + 2 χ (W + L) χ χ agauss{0X >) + ^^ χ agauss{0X >) 一WL+D χT\cp χagauss(0X3)\}其中C为修正后的电容值,CA_original为原始的面积型电容密度,CP_original为原始的周长型电容密度;所述agauss(0,l,3)表示期望值为 1、标准差(standard deviation)为 1/3 的正态分布取值范围内的随机数。本发明可以在SPICE软件中对电容的器件失配进行仿真分析,而且充分考虑到电容宽度W、电容长度L和器件间距D对电容的器件失配的影响。
具体实施例方式本发明电容的器件失配的修正方法为首先,确定电容的工艺失配参数为为3个,分别为面积型电容密度CA、周长型电容密度CP、电容值C。之所以采用这三个参数作为电容的工艺失配参数,是由于这三个参数之间如有如下物理意义C = CAX (WXL)+CPX2X (W+L),这是公式0。其中W为电容宽度、L为电容长度。其次,基于对大量电容的器件失配数据的研究及分析,发现上述3个参数的随机偏差都是和电容宽度W和电容长度L成反比,与电容之间的间距D成正比,由此得到各个工艺失配参数的随机误差,包括面积型电容密度CA的随机偏差〃
权利要求
1.一种电容的器件失配的修正方法,其特征是首先,确定电容的工艺失配参数为3个,分别为面积型电容密度、周长型电容密度、电容值;其次,设定面积型电容密度的随机偏差〃2心=J^- + D2 xTlCA ;crACA,WxL设定周长型电容密度的随机偏差σ2ΑΟΡ=^ψ + ^ + 2 XT^cp-,ciACP,W L设定电容值的随机偏差
2.根据权利要求1所述的电容的器件失配的修正方法,其特征是,所述随机偏差修正因子ΤΔα和ΤΔ。Ρ仅与D相关,所述随机偏差修正因子仅与W和L相关,所述随机偏差修正因子仅与W相关,所述随机偏差修正因子S,CP2仅与L相关。
3.根据权利要求2所述的电容的器件失配的修正方法,其特征是,所述随机偏差修正因子
全文摘要
本发明公开了一种电容的器件失配的修正方法,首先,确定电容的工艺失配参数为3个,分别为面积型电容密度、周长型电容密度、电容值;其次,设定这3个参数的随机偏差;再次,对电容的器件失配进行修正。本发明可以在SPICE软件中对电容的器件失配进行仿真分析,而且充分考虑到电容宽度W、电容长度L和器件间距D对电容的器件失配的影响。
文档编号G06F17/50GK102385645SQ20101027161
公开日2012年3月21日 申请日期2010年9月3日 优先权日2010年9月3日
发明者周天舒, 王正楠 申请人:上海华虹Nec电子有限公司
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