专利名称：二极管仿真电路模型的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体设计技术，特别涉及一种二极管仿真电路模型。
背景技术：
HSPICE仿真器被公认为精确电路仿真领域的“黄金标准”，并可借助一流的仿真及分析算法提供经代工厂认证过的MOS器件模型仿真，是速度最快、最受信赖的电路仿真器之一。在当今半导体设计业主流的HSPICE仿真器中，常规的二极管(diode)器件仿真模型的电流描述公式如下二极管正向工作电流id为 _5]
权利要求
1.一种二极管仿真电路模型,其特征在于，包括一正向二极管模型、一电压控制电流源、一寄生电阻； 所述电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间； 所述正向二极管模型，反向击穿电流为零； 所述电压控制电流源，其电流值为
2.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，所述正向二极管模型，正向工作电流为
3.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，t为25°C。
4.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，Rx为40欧姆。
5.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，Bvrev为5.45V。
6.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，jrev为1E-14。
7.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，nrev为0.55。
全文摘要
本发明公开了一种二极管仿真电路模型，包括一正向二极管模型，还包括一电压控制电流源、一寄生电阻；电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间；所述正向二极管模型，反向击穿电流为零；所述电压控制电流源，电流值为本发明的二极管仿真电路模型，提高了二极管反向特性的模型精度和灵活性，在二极管的正向工作电流与反向击穿电流都能得到较好的对准精度。
文档编号G06F17/50GK103064994SQ20111032204
公开日2013年4月24日 申请日期2011年10月21日 优先权日2011年10月21日
发明者王正楠 申请人:上海华虹Nec电子有限公司