专利名称：一种电容触摸屏的走线结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电容触摸屏的结构设计，更准确地说，涉及一种电容触摸屏的走线结构。
背景技术：
电容触摸屏金属走线的保护工艺，包括全部的单面搭桥SITO和双面走线DITO产品。SITO是Single ITO的简称。即菱型线路做法，XY轴都在玻璃的一面。DITO是DoubleITO的简称。即两面线路做法，XY轴分别布于玻璃上下两层。但是金属线裸露在空气中，随着时间的推移，触摸屏功能逐渐失灵，一般做法是对金属线进行显影蚀刻。现有电容屏的生产厂商的设计为可视区(VA区)为透明的氧化铟锡(IT0)，可视区以外的为金属钥铝钥走 线，金属线的线距越来越小，这种设计会产生如下问题，就是一旦金属线断开或者被划伤就会产生废品。而对金属线进行蚀刻会加剧废品的产生。
实用新型内容本实用新型为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种电容触摸屏的走线结构，可以避免了金属线裸露在空气中，可以有效地保护金属线，同时降低了废品率。为实现上述目的，本实用新型的技术方案是一种电容触摸屏的走线结构，包括可视区、导通的金属钥铝钥走线，在所述金属钥铝钥走线的下方设置有导通的ITO走线。优选的是，在金属钥铝钥走线的表面涂覆有二氧化硅涂层。优选的是，所述二氧化硅涂层的厚度为40-1OOnm。本实用新型的有益效果在于，使得即使金属钥铝钥走线有断线的情况发生，其下面依然有ITO走线起到导通的作用，提高了产品的合格率，降低了金属走线显影蚀刻的工艺要求。
图I示出了本实用新型触摸屏基材的结构示意图。图2示出了本实用新型电容屏的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式
对本实用新型的具体方案做进一步说明。本实用新型的所有原材料在市场上都可以购买到。其中乙酰丙酮，可采用不同的工艺路线丙酮与乙烯酮反应或乙酐与丙酮缩合或丙酮与乙酸乙酯缩合。丙酮与乙烯酮的反应的过程，实际上是以丙酮为原料，经乙烯酮、乙酸异丙烯酯，再经转化而得乙酰丙酮；工艺过程如下将含有1/1000 二硫化碳的丙酮气化后引入780-800°C的裂化炉，使之生成乙烯酮(或冰醋酸经气化磷酸三乙酯催化剂存在下，以氨为稳定剂，经700°C裂化炉裂解为乙烯酮)，乙烯酮用丙酮吸收，在硫酸或乙酰磺酰存在下，于61-71°C使之与乙酸反应生成乙酸异丙烯酯，经分馏提纯后，乙酸异丙稀酯纯度可达93-95%以上。再将乙酸异丙烯酯气化，引入预热至560-570°C转化炉，经分子重排生成乙酰丙酮，经冷凝，分馏提纯得成品。每吨产品消耗丙酮约2700kg。丙酮与乙酸乙酯缩合的过程是在金属钠存在下进行的。操作示例I在冷却的烧杯中加入120ml精制的乙酸乙酯和32ml氨气。在氨基钠加完后，在冰水中不停振摇24h后，在室温下放置过夜。次日加入IOOg冰，继而加入同量的冰水，取其水层，力口入稀硫酸使呈酸性。在此溶液中加入饱和乙酸铜溶液(将40g粉末状乙酸铜加一定量的热水溶解而成)，使乙酰丙酮形成铜盐析出。如反应液为碱性，可加入少量乙酸。过2-3h后，将青灰色乙酰丙酮抽滤，用水洗涤两次，直接移入分液漏斗中，加乙醚不断振摇，同时加入50ml4N硫酸使其分解。取乙 醚溶液，再用乙醚萃取酸层中的乙酰丙酮，合并两次乙醚溶液，用氯化钙干燥。将乙醚蒸去残留物继续蒸馏，收集125-140°C馏分。再于135-140°C精留，收量约15-20g。沸点139°C。操作示例2在1500ml圆底烧瓶中，加入金属钠25g及20ml乙醚，再加入225ml用冷却剂冷却过的乙酸乙酯。在冷却和不断搅拌下加73ml丙酮。在室温放置4h，加入400ml水，将水上层的乙酸乙酯分离，水层用乙酸中和，然后加入乙酸铜溶液(125g乙酸铜溶于1500ml水)即生成绿色的乙酰丙酮螯合物。放置2-3h后，沉淀完全，过滤。将沉淀悬浮于乙醚中，用50ml 40%稀硫酸振荡，乙醚层用氯化钙干燥。蒸去乙醚，把残留的油状分馏，收集124-140°C馏分，再分馏，收集139-140°C馏分。乙酐和丙酮的缩合反应是在三氟化硼催化下进行的此法收率较高。乙酰丙酮的精制方法将约20ml乙酰丙酮粗品溶于80ml苯中，然后与等体积的蒸馏水振荡3h。易溶于水的乙酸分配到水相中，而乙酰丙酮则易溶于苯中。苯相中的乙酰丙酮可直接应用，也可将苯蒸馏除。原料消耗定额丙酮(工业品，含水< 0. 5%)2553kg/t、发烟硫酸(以112504计)121^八、乙酐(95%)191^/t、二硫化碳(化学纯)6kg/1。本实用新型的液体二氧化硅混合物的制备方法可以采用IXD领域应用的液体二氧化硅的制备方法，其属于现有技术，在此不再具体说明。实施例I按照上述方法配置液体二氧化硅混合物，其配方为50g 二氧化硅、20g 二氧化钛、770g2-甲基-2，4-戍二醇、40g异丙醇、80g乙醇、40g水、IOg乙酰丙酮。实施例2按照上述方法配置液体二氧化硅混合物，其配方为40g 二氧化硅、20g 二氧化钛、800g2-甲基-2，4-戍二醇、30g异丙醇、60g乙醇、40g水、IOg乙酰丙酮。实施例3按照上述方法配置液体二氧化硅混合物，其配方为50g 二氧化硅、IOg 二氧化钛、850g2-甲基-2，4-戍二醇、20g异丙醇、40g乙醇、30g水、IOg乙酰丙酮。实施例4按照上述方法配置液体二氧化硅混合物，其配方为30g 二氧化硅、IOg 二氧化钛、850g2-甲基-2，4-戍二醇、20g异丙醇、50g乙醇、30g水、IOg乙酰丙酮。上述液体二氧化硅混合物的低温固化温度是230度，这个温度很容易测量，将上述实施例得到的液体二氧化硅混合物进行透射率(高透)测试。高透是用各种测透过率的设备，波长选择550nm都可以测出的，比如全光谱透过率仪，分光光度计，测试IXD透过率的IXD-5100等设备都可以测出来。[0023]选择上述一种液体二氧化硅混合物进行涂覆，本实用新型液体二氧化硅混合物由于其低温固化、高透等特性使得其可以通过柯式印刷法(俗称凸版印刷)，将液体二氧化硅SiO2有选择性地转印到玻璃基材上，再经过230°C的高温固化，得到固体二氧化硅SiO2层，具有高透、硬度高等特性。一般步骤是清洁基底-转印-干燥-高压汞灯下UV光照射-弯曲。其中，干燥步骤的温度是90°C，保持5分钟。本实用新型的柯式印刷法同样可以做到涂覆整版区域和仅金属走线区域两种做法。本实用新型的这种SiO2涂覆固化后是近似于透明无色的。低温固化温度是230度，SiO2的印刷厚度选择为400 1000埃，也就是40-100nm，更加优选的是40_700nm，表面硬度是7H以上，产品的透过率是85. 8%，(理论值SiO2是97. 3%)。本实用新型的触摸屏基材的结构如图I所示，依次为上层ITO膜I、玻璃2、下层ITO膜3、金属线4、SiO2涂覆层5。增加的SiO2涂覆层可以很好地保护金属线，同时，二氧 涂覆二氧化硅涂层。如图2所示电容屏，包括可视区(VA区)10，可视区10的四周为金属钥铝钥的走线11，所述金属钥铝钥的走线的下面设有连接导通的ITO走线12，这样的设置，使得即使金属钥铝钥走线有断线的情况发生，其下面依然有ITO走线12起到导通的作用，提高了产品的合格率，降低了金属走线显影蚀刻的工艺要求。在金属钥铝钥的走线11的表面可以涂覆一层上文所述的SiO2涂覆层5。当然也可以涂覆现有技术中其他的二氧化硅混合物。现有的做法是在走线上涂覆一层绝缘油来保护，绝缘油也是丝网印刷上去的。以上所述仅为本实用新型较佳的实施方式，并非用来限定本实用新型的实施范围，但凡在本实用新型的保护范围内所做的等效变化及修饰，皆应认为落入了本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种电容触摸屏的走线结构，包括可视区、导通的金属钥铝钥走线，其特征是在所述金属钥铝钥走线的下方设置有导通的ITO走线。
2.根据权利要求I所述的电容触摸屏的走线结构，其特征在于在金属钥铝钥走线的表面涂覆有二氧化娃涂层。
3.根据权利要求2所述的电容触摸屏的走线结构，其特征是所述二氧化硅涂层的厚度为 40_100nm。
专利摘要本实用新型公开了一种电容触摸屏的走线结构，包括可视区、导通的金属钼铝钼走线，在所述金属钼铝钼走线的下方设置有导通的ITO走线。这样的设计使得即使金属钼铝钼走线有断线的情况发生，其下面依然有ITO走线起到导通的作用，提高了产品的合格率，降低了金属走线显影蚀刻的工艺要求。
文档编号G06F3/044GK202512553SQ20122002520
公开日2012年10月31日 申请日期2012年1月19日 优先权日2012年1月19日
发明者张海龙, 王亚彬 申请人:深圳秋田微电子有限公司