一种电容式触摸屏金属刻蚀工艺的制作方法与工艺

本发明涉及电子产品的触摸屏加工方法，主要涉及一种电容式触摸屏金属刻蚀工艺。

背景技术：
传统的电容屏金属走线刻蚀工艺，需要将大部分金属镀膜层刻蚀掉，并形成金属走线和“架桥”线条，因受集成生产时需要基板玻璃边缘留有较多的空间作为“对准”等符号与无效边缘（通常有10~15mm），四边的无效空间原来都是将金属镀膜层全部刻蚀掉，露出透明玻璃，从而消耗掉更多的蚀刻溶液，浪费材料，同时也增大了成本。

技术实现要素：
本发明的目的是提供一种电容式触摸屏金属刻蚀工艺，该生产工艺可以有效节省蚀刻溶液的用量从而节省生产成本。为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种电容式触摸屏金属刻蚀工艺，其特征在于包括以下步骤：步骤1：对电容式触摸屏金属镀膜层涂光刻保护胶，涂光刻保护胶区域包括经过后续加工最终保留在触摸屏上的有效金属走线、架桥线条以及最终将被去除掉的四边无效金属镀膜层；步骤2：对不涂有光刻保护胶的金属镀膜层进行蚀刻；步骤3：对电容式触摸屏进行切割成形，切割去除掉四边无效金属镀膜层区域。本发明是将这些四边无效空间的金属镀膜层不进行蚀刻，从而节省刻蚀液，对370X470玻璃可以节省约10%~15%的刻蚀液，680X880产品可以节省约8%~10%的刻蚀液，如果是混排方式，可以节省8%~30%的刻蚀液。作为优选，步骤1中有效金属走线、架桥线条与四边无效金属镀膜层之间留有不涂光刻保护胶的切割缝隙。该优选使得产品的后续切割时更加方便、高效，定位精度高，有效保护产品加工后的质量。作为优选，步骤1中涂光刻保护胶的工艺采用直接的局部涂胶的丝印工艺，并作烘烤、坚膜处理。该优选使得加工更加快速、便捷。作为优选，步骤1中涂光刻保护胶的工艺采用光刻工艺，首先对金属镀膜层进行全部涂布光刻保护胶，然后烘干，接着采用一块掩膜板（MASK板）对光刻保护胶进行曝光、显影、坚膜处理，掩膜板的遮掩图形包括有效金属走线、架桥线条以及四边无效金属镀膜层图形。该工艺的涂胶精确度更高，有效提高产品良率。作为优选，曝光工序采用黄光光刻，曝光量40mj/cm2-100mj/cm2,时间1s-5s,照度20mw/cm2-50mw/cm2；作为优选，步骤1中涂的保护胶膜厚1μm-2μm。作为优选，光刻保护胶烘干工序时在100℃-150℃下，烘烤8min-13min。作为优选，显影工序时采用浓度为0.5%-1.5%的NaOH碱液，显影时间50s-150s。作为优选，步骤2中蚀刻工序采用酸性蚀刻溶液为：磷酸60%~100%+醋酸10%~15%。作为优选，蚀刻时间为5-15分钟。与现有技术相比，本发明具有的优点和效果如下：本发明通过对四边无效金属镀膜层涂光刻保护胶，刻蚀时，此部分金属层因有光刻保护胶保护，不与蚀刻溶液发生反应，从而减少了蚀刻溶液的消耗，同时也能精确定位，在后续的切割过程中，切掉这些无效区域，成本上可节约10%~30%。附图说明图1是本发明实施例1中产品全部涂光刻保护胶后的结构示意图；图2是图1中产品进行曝光、显影、坚膜后的结构示意图；图3是图2中产品蚀刻后的结构示意图；图4是图3中产品去除光刻保护胶、清洗、切割后的结构示意图。图中：1-光刻保护胶、2-有效金属走线、架桥线条、3-四边无效金属镀膜层、4-切割缝隙。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清晰明白，一下结合实施案例，对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用与限定本发明。实施例1如图1、2、3、4所示，步骤1：对电容式触摸屏金属镀膜层涂光刻保护胶1，涂光刻保护胶1区域包括经过后续加工最终保留在触摸屏上的有效金属走线、架桥线条2以及最终将被去除掉的四边无效金属镀膜层3；步骤2：对不涂有光刻保护胶1的金属镀膜层进行蚀刻；步骤3：对电容式触摸屏进行切割成形，切割去除掉四边无效金属镀膜层3区域。步骤1中有效金属走线、架桥线条2与四边无效金属镀膜层3之间留有不涂光刻保护胶1的切割缝隙4，涂光刻保护胶1的工艺采用光刻工艺，首先对金属镀膜层进行全部涂布光刻保护胶1，然后烘干，接着采用一块掩膜板对光刻保护胶1进行曝光、显影、坚膜处理，掩膜板的遮掩图形包括有效金属走线、架桥线条2图形以及四边无效金属镀膜层3图形，涂的光刻保护胶1膜厚1μm，曝光工序采用黄光光刻，曝光量40mj/cm2,时间1s,照度20mw/cm2，光刻保护胶1烘干工序时在100℃下，烘烤8min，显影工序时采用浓度为0.5%的NaOH碱液，显影时间50s；步骤2中蚀刻工序采用酸性蚀刻溶液为：磷酸60%+醋酸10%，蚀刻时间为5分钟；去除光刻保护胶1并清洗。实施例2其与实施例1的区别在于：步骤1中涂的光刻保护胶1膜厚1.5μm，曝光工序采用黄光光刻，曝光量70mj/cm2,时间3s,照度35mw/cm2，光刻保护胶1烘干工序时在125℃下，烘烤11min，显影工序时采用浓度为1.0%的NaOH碱液，显影时间100s；步骤2中蚀刻工序采用酸性蚀刻溶液为：磷酸80%+醋酸13%，蚀刻时间为5-15分钟。实施例3其与实施例2的区别在于：步骤1中涂的光刻保护胶1膜厚2μm，曝光工序采用黄光光刻，曝光量100mj/cm2,时间-5s,照度50mw/cm2，光刻保护胶1烘干工序时在150℃下，烘烤13min，显影工序时采用浓度为1.5%的NaOH碱液，显影时间150s；步骤2中蚀刻工序采用酸性蚀刻溶液为：磷酸100%+醋酸15%，蚀刻时间为15分钟。实施例4其与实施例1的区别在于：步骤1中涂光刻保护胶1的工艺采用直接的局部涂胶的丝印工艺，并作烘烤、坚膜处理，并形成有效金属走线、架桥线条2以及四边无效金属镀膜层3的光刻保护胶1层。