可降低反射视效的触控结构及其方法
【专利摘要】本发明公开了一种可降低反射视效的触控感应结构及其方法，其于透明基板的表面设有复数个第一轴向感应组件、复数个导电架桥单元及复数个第二轴向感应组件，此些第一轴向感应组件利用此些导电架桥单元跨接于此些第二轴向感应组件形成纵横交错的感应区。其中，于每一第一轴向感应组件与每一第二轴向感应组件的交错位置上设有至少一绝缘反射层，再于绝缘反射层的两侧分别设有透明绝缘层，其上覆盖金属导电层，藉由绝缘反射层、透明绝缘层及金属导电层来构成低阻抗、高导电性的导电架桥单元，能够降低反射视效，且增加触控灵敏度的功效。
【专利说明】可降低反射视效的触控结构及其方法
【【技术领域】】
[0001]本发明涉及一种触控感应结构及其方法，尤其涉及一种可降低SITO架桥反射视效的触控感应结构及其方法。
【【背景技术】】
[0002]随着半导体与电路设计的技术进步，触控面板逐渐成为最主要的输入界面，被广泛应用在各种电子产品中，例如手机、个人数字助理(PDA)或掌上型个人计算机等，使用上仅需以手指轻压触控面板即可阅读信息或输入信息，可取代传统电子装置上的按键和键盘，为人类带来生活上的便利性。
[0003]于触控面板结构持续简化以利于模块整合加速的需求下，触控产业走向单层触控结构与内嵌式(In-cell)触控结构。传统的单层触控面板中，请同时参阅图1及图2，图1为现有技术的结构示意图，图2为图1沿B-B’剖线的剖视放大图。使用的触控感测组件可包含复数条排列成行的行感测电极30 以及复数条排列成列的列感测电极32，在这些排列成行的行感测电极30与排列成列的列感测电极32的交错处设置一绝缘块34，以避免排列成行的行感测电极30与排列成列的列感测电极32之间发生短路。在排列成行的列感测电极可由复数个互相连接的导电单元组成，而排列成列的列感测电极则由复数个互相分开的导电单元组成，这些互相分开的导电单元再藉由横跨在绝缘块34上的导电架桥36的结构进行电性连接。
[0004]其中，导电架桥36的材料主要还是使用氧化铟锡(ΙΤ0)、金属或其他替代的可导电材料。由于ITO的透明度佳，但导电性较差，容易造成电性连接作用失效或不良，进而发生感测电极断路(open)或阻值异常，或者因感测电极的抗静电能力变差，造成触控面板的触控功能失效或不良等问题。金属材料则透明度差、易反光，但导电性较佳，也因为透明度差容易反光，故易于被人眼发现的缺点，使得金属材料应用于触控面板结构的接受度仍无法普及。因此，如何改善架桥反光效应以及提高触控灵敏度是亟待解决的问题。
[0005]有鉴于此，本发明遂针对上述现有技术的缺失，提出一种可降低反射视效的触控感应结构及其制作方法，以有效克服上述之该等问题。
【
【发明内容】
】
[0006]本发明的主要目的在于提供一种可降低反射视效的触控感应结构及其制作方法，其利用金属架桥导线的低阻抗优点来增加触控灵敏度，并透过新颖的架桥结构来降低反射视效的问题。
[0007]本发明的次要目的在于提供一种可降低反射视效的触控感应结构及其制作方法，其适用于各种尺寸的触控感应结构，可增加产业应用性。
[0008]本发明的次要目的在于提供一种可降低反射视效的触控感应结构及其制作方法，其可视需求调整喷印溶液固含量来调整每层结构厚度，使制程更具弹性。
[0009]为达以上的目的，本发明提供一种可降低反射视效的触控感应结构，包括一透明基板，其表面设有复数个第一轴向感应组件、复数个导电架桥单元及复数个第二轴向感应组件，此些第一轴向感应组件利用此些导电架桥单元跨接于此些第二轴向感应组件形成纵横交错的感应区。每一导电架桥单元包含至少一绝缘反射层、二透明绝缘层及一金属导电层；绝缘反射层设于每一第一轴向感应组件与每一第二轴向感应组件的交错位置上，二透明绝缘层分别设于绝缘反射层的两侧，金属导电层设于绝缘反射层上，以电性连接此些第一轴向感应组件。
[0010]该绝缘反射层可为复数层绝缘反射层，当该绝缘反射层为复数层结构时，以不同折射率匹配堆栈而成，以降低金属反光的情况。
[0011]该二透明绝缘层以喷印方式形成于该第一轴向感应组件与该第二轴向感应组件的交错位置上，且该二透明绝缘层的厚度介于0.5微米~5微米。
[0012]该绝缘反射层以喷印方式形成于该二透明绝缘层之间，且该绝缘反射层的厚度介于0.5微米~5微米。
[0013]该金属导电层以喷印方式形成于该绝缘反射层上，且该金属导电层的厚度介于
0.5微米~5微米。
[0014]该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.3~2.0。
[0015]该二透明绝缘 层的材质折射率范围为1.62~2。
[0016]本发明提供另一种可降低反射视效的触控感应的制作方法，包括下列步骤:形成纵横交错的复数个第一轴向感应组件及复数个第二轴向感应组件的感应区于一透明基板上；喷印二透明绝缘层形成于每一第一轴向感应组件与每一第二轴向感应线组件的交错位置上；喷印至少一绝缘反射层形成于二透明绝缘层之间，且位于第一轴向感应组件与第二轴向感应组件的交错位置上；及喷印一金属导电层形成于绝缘反射层上。
[0017]该二透明绝缘层、该绝缘反射层及该金属导电层的厚度介于0.5微米~5微米。
[0018]该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.3~2.0。
[0019]该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.62~2。
[0020]本发明再提供另一种可降低反射视效的触控感应的制作方法，包括下列步骤:形成纵横交错的复数个第一轴向感应组件及复数个第二轴向感应组件的感应区于一透明基板上；喷印至少一绝缘反射层形成于每一第一轴向感应组件与每一第二轴向感应组件的交错位置上；喷印二透明绝缘层分别形成于绝缘反射层两侧，且位于每一第一轴向感应组件与每一第二轴向感应组件的交错位置上；及喷印一金属导电层形成于绝缘反射层上。
[0021]该二透明绝缘层、该绝缘反射层及该金属导电层的厚度介于0.5微米~5微米。
[0022]该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.3~2.0。
[0023]该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.62~2。
[0024]以下藉由具体实施例详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
【【专利附图】
【附图说明】】
[0025]图1为现有技术的结构示意图。
[0026]图2为图2沿B-B ’剖线的剖视放大图。
[0027]图3为本发明的结构示意图。[0028]图4为图3沿A-A ’剖线的剖视放大图。
[0029]图5为本发明制作触控感应结构的步骤流程图。
[0030]图6A本发明制作导电架桥单元于第一轴向感应组件与第二轴向感应线组件的交错位置上的制作流程示意图。
[0031]图6B本发明制作导电架桥单元于第一轴向感应组件与第二轴向感应线组件的交错位置上的制作流程示意图。
[0032]图6C本发明制作导电架桥单元于第一轴向感应组件与第二轴向感应线组件的交错位置上的制作流程示意图。
[0033]图6D本发明制作导电架桥单元于第一轴向感应组件与第二轴向感应线组件的交错位置上的制作流程示意图。
[0034]图6E本发明制作导电架桥单元于第一轴向感应组件与第二轴向感应线组件的交错位置上的制作流程示意图。
[0035]图6F本发明制作导电架桥单元于第一轴向感应组件与第二轴向感应线组件的交错位置上的制作流程示意图。
[0036]图7为本发明另一制作触控感应结构的步骤流程图。
【【具体实施方式】】
[0037]由于传统触控面板使用金属导线作为架桥导电材料具有透光性差，且容易反光的问题，因此，本发明提出一种同样使用金属导线作为架桥导电材料的新颖触控感应结构，其可以改善上述现有技术的缺点，容后详述。
[0038]请同时参阅图3及图4，图3为本发明的结构示意图，图4为图3沿着A-A’剖线的剖视放大图。本发明是以SITO架构设计的触控感应结构，其包括一透明基板10，其同一表面上设有复数个第一轴向感应组件12、复数个导电架桥单元14及复数个第二轴向感应组件16，此些第一轴向感应组件12利用此些导电架桥单元14跨接于此些第二轴向感应组件16形成纵横交错的感应区。每一导电架桥单元14分别设于每一个第一轴向感应组件12与每一个第二轴向感应组件16之间。详言之，每一导电架桥单元14包含至少一绝缘反射层142、二透明绝缘层144、144丨及一金属导电层146 ;绝缘反射层142设于每一第一轴向感应组件12与每一第二轴向感应组件16的交错位置上，二透明绝缘层144、144 ’分别设于绝缘反射层142的两侧，金属导电层146设于绝缘反射层142上，以电性连接此些第一轴向感应组件12。本发明将架桥绝缘层分成绝缘反射层142、二透明绝缘层144、144丨三个区块，并由金属导电层146形成于绝缘反射层142，金属导电层146形成于绝缘反射层142上的宽度等于或略小于绝缘反射层142，而金属导电层146所形成的长度会大于绝缘反射层142，也就是让相邻的第一轴向感应组件12产生电性连接；使得经由绝缘反射层142来降低入射光的反射，进而有效降低导电架桥单元所产生的反光效应。其中，绝缘反射层142为复数层绝缘反射层构成时，能以不同折射率匹配堆栈而成，以大幅降低反光效应；举例来说，一般透明绝缘材质的折射率为1.58~1.62，人眼感受较低，较佳可使用透明绝缘材质的折射率为1.3~2.0的材质予以实现大幅降低反光效应的功效，进一步使用单层的绝缘反射层142，可使用较高折射率的透明绝缘材也就是1.62~2左右(真空的折射率为I)，虽单层可降低反光效应，但若使用多层设计的绝缘反射层142，即可利用不同层折射率，让光的散射角度与面板平行。
[0039]请同时参阅图3、图5及图6A?图6F，图5为本发明制作触控感应结构的步骤流程图，图6A?图6F为本发明制作导电架桥单元于第一轴向感应组件与第二轴向感应线组件的交错位置上的制作流程示意图。首先，如步骤S10，形成纵横交错的复数个第一轴向感应组件12及复数个第二轴向感应组件16的感应区于一透明基板10上。该些第一轴向感应组件12及该些个第二轴向感应组件16可为感应电极，如设计为菱形图案导电电极，并位于透明基板10的同一平面上。再如步骤S12，喷印二透明绝缘层144形成于每一第一轴向感应组件12与每一第二轴向感应线组件16的交错位置上，同时参阅图6A，先喷印一透明绝缘层144于第二轴向感应线组件16上，再如第6B图所示，喷印另一透明绝缘层144’于第二轴向感应线组件16上，且透明绝缘层144与透明绝缘层144’之间具有一间隔宽度，透明绝缘层144、144’的厚度介于0.5微米?5微米。接续上述,如步骤S14,喷印至少一绝缘反射层142形成于二透明绝缘层144、144’之间，绝缘反射层142的厚度介于0.5微米?5微米，二透明绝缘层144、144’与绝缘反射层142总厚度较佳为相同的喷印厚度，且绝缘反射层142位于第一轴向感应组件12与第二轴向感应组件16的交错位置上；此外，绝缘反射层142的厚度亦可大于二透明绝缘层144、144’，在此不加以局限。其中，绝缘反射层142可为多层结构，如第6C图所示，先喷印一层绝缘反射层1422，再如第6D所示，于绝缘反射层1422上再喷印一层绝缘反射层14224，接着如第6E所示，于绝缘反射层1424上喷印一层绝缘反射层14226 ;当然，可视产品需求以喷印更多层绝缘反射层，在此不加以局限绝缘反射层的结构，且每一层绝缘反射层的厚度可依据制程需求各别调整，如喷印厚度介于0.5微米?5微米。最后,如步骤S16,喷印一金属导电层146形成于绝缘反射层1426上,金属导电层146较佳喷印厚度介于0.5微米?5微米，如第6F图。
[0040]其中，当于第二轴向感应线组件16上依序形成透明绝缘层144、144’、绝缘反射层142之后，即可让第一轴向感应组件12与第二轴向感应组件16之间形成电性绝缘，而每一第一轴向感应组件则透过金属导电层146搭接以形成电性连接；藉由上述制作流程可得知本发明新颖的导电架桥单元14不仅具备低阻抗、导电性佳的功效，又能够充分应用于触控产品上，增加触控灵敏度，以及降低金属架桥的反光效应，可广泛制作各种尺寸的触控装置，确实能够提升产业应用性。
[0041]除了上述的制作步骤流程之外，请同时参阅图3及图7，图7为本发明另一制作触控感应结构的步骤流程图。如步骤S20，形成纵横交错的复数个第一轴向感应组件12及复数个第二轴向感应组件16的感应区于一透明基板10上。此些第一轴向感应组件12及此些个第二轴向感应组件16位于透明基板10的同一平面上。再如步骤S22，喷印至少一绝缘反射层142形成于每一第一轴向感应组件12与每一第二轴向感应组件16的交错位置上，绝缘反射层的厚度介于0.5微米?5微米。再如步骤S24，喷印二透明绝缘层144分别形成于绝缘反射层142的两侧，且位于每一第一轴向感应组件12与每一第二轴向感应线组件16的交错位置上；二透明绝缘层144与绝缘反射层142较佳为相同的喷印厚度；当然，绝缘反射层142亦可大于二透明绝缘层144的厚度。最后,如步骤S26,喷印一金属导电层146形成于绝缘反射层142上，金属导电层146较佳喷印厚度介于0.5微米?5微米；藉由金属导电层146将每一第一轴向感应组件12进行搭接以形成电性连接。
[0042]综上所述，本发明以SITO架构制作触控感应结构，主要是利用金属架桥导线的低阻抗、导电性佳等优点来增加触控灵敏度，并透过新颖的架桥结构来降低反射视效的问题，适用于各种尺寸的触控装置，且制程简单及应用弹性大，故极具市场竞争优势。
[0043]唯以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围。故即凡依本发明申请范围所述的特征及精神所为之均等变化或修饰，均应包括于本发明的申请专利范围内。
【权利要求】
1.一种可降低反射视效的触控感应结构，其特征是，包括: 一透明基板，其表面设有复数个第一轴向感应组件、复数个导电架桥单元及复数个第二轴向感应组件，该些第一轴向感应组件利用该些导电架桥单元跨接于该些第二轴向感应组件形成纵横交错的感应区，每一该导电架桥单元包含: 至少一绝缘反射层，设于每一该第一轴向感应组件与每一该第二轴向感应组件的交错位置上； 二透明绝缘层，分别设于该绝缘反射层的两侧 '及 一金属导电层，设于该绝缘反射层上，以电性连接该些第一轴向感应组件。
2.如权利要求1所述的可降低反射视效的触控感应结构，其特征是:该绝缘反射层可为复数层绝缘反射层，当该绝缘反射层为复数层结构时，以不同折射率匹配堆栈而成，以降低金属反光的情况。
3.如权利要求1所述的可降低反射视效的触控感应结构，其特征是:该二透明绝缘层以喷印方式形成于该第一轴向感应组件与该第二轴向感应组件的交错位置上，且该二透明绝缘层的厚度介于0.5微米~5微米。
4.如权利要求1所述的可降低反射视效的触控感应结构，其特征是:该绝缘反射层以喷印方式形成于该二透明绝缘层之间，且该绝缘反射层的厚度介于0.5微米~5微米。
5.如权利要求1所述的可降低反射视效的触控感应结构，其特征是:该金属导电层以喷印方式形成于该绝缘反射层上，且该金属导电层的厚度介于0.5微米~5微米。
6.如权利要求1所述的可降低反射视效的触控感应结构，其特征是:该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.3~2.0。
7.如权利要求1所述的可降低反射视效的触控感应结构，其特征是:该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.62~2。
8.—种可降低反射视效的触控感应的制作方法，其特征是，包括下列步骤: 形成纵横交错的复数个第一轴向感应组件及复数个第二轴向感应组件的感应区于一透明基板上； 喷印二透明绝缘层形成于每一该第一轴向感应组件与每一该第二轴向感应线组件的交错位置上； 喷印至少一绝缘反射层形成于该二透明绝缘层之间，且位于该第一轴向感应组件与该第二轴向感应组件的交错位置上；及 喷印一金属导电层形成于该绝缘反射层上。
9.如权利要求8所述的可降低反射视效的触控感应的制作方法，其特征是:该二透明绝缘层、该绝缘反射层及该金属导电层的厚度介于0.5微米~5微米。
10.如权利要求8所述的可降低反射视效的触控感应的制作方法，其特征是:该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.3~2.0。
11.如权利要求8所述的可降低反射视效的触控感应的制作方法，其特征是:该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.62~2。
12.—种可降低反射视效的触控感应的制作方法，其特征是，包括下列步骤: 形成纵横交错的复数个第一轴向感应组件及复数个第二轴向感应组件的感应区于一透明基板上；喷印至少一绝缘反射层形成于每一该第一轴向感应组件与每一该第二轴向感应组件的交错位置上； 喷印二透明绝缘层分别形成于该绝缘反射层两侧，且位于该每一该第一轴向感应组件与每一该第二轴向感应组件的交错位置上；及喷印一金属导电层形成于该绝缘反射层上。
13.如权利要求1 2所述的可降低反射视效的触控感应的制作方法，其特征是:该二透明绝缘层、该绝缘反射层及该金属导电层的厚度介于0.5微米~5微米。
14.如权利要求12所述的可降低反射视效的触控感应的制作方法，其特征是:该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.3~2.0。
15.如权利要求12所述的可降低反射视效的触控感应的制作方法，其特征是:该二透明绝缘层的材质折射率范围为1.62~2。
【文档编号】G06F3/041GK103995611SQ201410139262
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年4月8日 优先权日:2014年4月8日
【发明者】吴锡尧, 罗文凯 申请人:业成光电（深圳）有限公司, 英特盛科技股份有限公司