一种单层双面互电容式触控功能片及其制备方法与流程

本发明涉及一种互电容触摸屏功能片及其制备方法，用于手机触摸屏等，属于触摸屏研究领域。

背景技术：

投射电容屏可分为自电容屏和互电容屏两种类型。在玻璃表面用ito(一种透明的导电材料)制作成横向与纵向电极阵列，这些横向和纵向的电极分别与地构成电容，这个电容就是通常所说的自电容，也就是电极对地的电容。当手指触摸到电容屏时，手指的电容将会叠加到屏体电容上，使屏体电容量增加。

在触摸检测时，自电容屏依次分别检测横向与纵向电极阵列，根据触摸前后电容的变化，分别确定横向坐标和纵向坐标，然后组合成平面的触摸坐标。自电容的扫描方式，相当于把触摸屏上的触摸点分别投影到x轴和y轴方向，然后分别在x轴和y轴方向计算出坐标，最后组合成触摸点的坐标。

如果是单点触摸，则在x轴和y轴方向的投影都是唯一的，组合出的坐标也是唯一的；如果在触摸屏上有两点触摸并且这两点不在同一x方向或者同一y方向，则在x和y方向分别有两个投影，则组合出4个坐标。显然，只有两个坐标是真实的，另外两个就是俗称的”鬼点”。因此，自电容屏无法实现真正的多点触摸。

互电容屏也是在玻璃表面用ito制作横向电极与纵向电极，它与自电容屏的区别在于，两组电极交叉的地方将会形成电容，也即这两组电极分别构成了电容的两极。当手指触摸到电容屏时，影响了触摸点附近两个电极之间的耦合，从而改变了这两个电极之间的电容量。检测互电容大小时，横向的电极依次发出激励信号，纵向的所有电极同时接收信号，这样可以得到所有横向和纵向电极交汇点的电容值大小，即整个触摸屏的二维平面的电容大小。根据触摸屏二维电容变化量数据，可以计算出每一个触摸点的坐标。因此，屏上即使有多个触摸点，也能计算出每个触摸点的真实坐标。

因而现今高端手机为实现更好的触摸体验效果，主要使用互电容式触摸屏。

全贴合概念的提出主要是由于早期的电容屏触摸屏与显示面板的贴合主要为框贴结构，即触摸屏与显示面板之间实际仍存在0.5mm左右的空气间隔，由于电容式触摸的原理所限，此部分空气层(相当于绝缘不导电层)，会影响触摸效果，同时由于空气折射的效果，透过触摸屏观看显示面板上的图像显示，会产生反光问题，尤其是在太阳光照射的情况下，很难看清显示面板图案，因而目前市场主流高端旗舰手机均会采用全贴合方式消除掉空气间隔层，通过光学胶将电容触摸屏与显示面板进行粘连，呈现更好的触摸显示效果。

互电容触摸屏功能片主要有三种主流制作方案:

一、单层双面ito结构pet，正反两面ito都需加工；

由于ito的不耐弯折性，以及pet膜材很薄，且正反面ito需要经过两次单独的加工，工序繁杂，因而ito折伤不良很高，尤其是在加工一面ito时，需要二次复杂的图案化加工，另一面(即背面ito)容易断裂，良品率低；同时由于有两层ito，成品使用过程中很容易由于弯折导致功能不良

二、单层单面ito结构pet加金属搭桥；

由于金属搭桥工艺精度要求高，在pet上制作困难且不耐弯折，同时金属搭桥结构边缘划线体验效果差，而且做成成品时可看到里面的金属亮点

三、使用双层单面ito结构pet，pet与pet之间需用oca粘连；

由于使用双层pet，整体厚度偏厚，以目前最薄的50微米厚度的单面ito结构pet为例，使用双层pet，中间贴合一层50微米oca，整体厚度达到150微米，是前两种方案厚度的3倍。

传统电容式触控传感器因为采用的是传统材料ito，无法实现较好的柔性，同样，由于ito的固有性质，制作透明导电电极时很难做到超薄。但是随着柔性电子和可穿戴行业的蓬勃发展，超薄超柔的电容式触控传感器的需求越来越大，现有方案一般是基于ito，通过非常复杂的工艺，可以制备出有轻度柔性的超薄电容式触控传感器，但是其成本十分昂贵，良率也较低，无法满足市场的需求。

技术实现要素：

本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供了一种超薄、柔性、耐弯折特性强的单层双面互电容式触控功能片，进一步地，可适配全贴合显示面板的需求；

本发明的另一目的是提供上述单层双面互电容式触控功能片的制备方法，该方法制作工艺简单，成本低。

本发明的目的通过以下技术方案来具体实现：

一种单层双面互电容式触控功能片，包括：

基底膜，所述基底膜包括第一表面和第二表面；

设置于第一表面的第一导电层，所述第一导电层由图案化的第一导电膜及设在所述第一导电膜边缘的第一导线构成，所述第一导线用于连接第一导电膜与电容感应芯片；

设置于第一导电层表面的第一光学胶层；

设置于第二表面的第二导电层，所述第二导电层由图案化的第二导电膜及设在所述第二导电膜缘的第二导线构成，所述第二导线用于连接第二导电膜与电容感应芯片；

设置于第二导电层表面的第二光学胶层。

优选地，所述第一导电膜采用由cvd法制备的单层石墨烯薄膜或多层石墨烯叠合膜。一般采用不超过5层，单层石墨烯薄膜最佳。单层石墨烯薄膜足以满足作为互电容触控传感器功能片导电层的灵敏度，且使用单层石墨烯薄膜只需转移一层石墨烯薄膜，减少了转移次数，降低成本，同时，单层石墨烯薄膜的柔性很强，与基底膜的黏附性强。

优选地，所述第二导电膜采用ito薄膜。

优选地，所述第一导线和所述第二导线均采用金属线，如银浆、铜线、钼铝钼线等，由金属薄层图案化而成。

优选地，所述第一导线与第一导电膜连接的一端搭接于第一导电膜的边缘，位于第一导电膜与基底膜之间，或者位于第一导电膜与第一光学胶层之间。

优选地，所述第二导线与第二导电膜连接的一端搭接于第二导电膜的边缘，位于第二导电膜与第二光学胶层之间。

优选地，所述基底膜为pet膜材。

优选地，所述基底膜的厚度为1-1000μm，例如：1μm、100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm、700μm、800μm、900μm、1000μm，等；进一步优选厚度为25-150μm，例如：25μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm，等。

优选地，所述第一光学胶层和所述第二光学胶层为无色透明的光学胶，优选oca光学胶。

优选地，所述第一光学胶层和所述第二光学胶层的厚度均为1-1000μm，例如：1μm、100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm、700μm、800μm、900μm、1000μm，等；进一步优选为10-150μm，例如：10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm，等。

一种单层双面互电容式触控功能片的制备方法，利用基底膜，所述基底膜包括第一表面和第二表面，具体步骤包括：

1)第二导电层的制作

s1:在基底膜的第二表面上涂布一层ito导电层；

s2:在ito表面制作一层金属薄层，将ito层和金属薄层图案化，形成ito感应图案和相应的导线，作为第二导电层；

s3:在第二导电层表面制作一层保护胶；

2)第一导电层的制作

所述包括四种制作工艺路线：

路线一：先在基底膜的第一表面转移一层或连续转移多层的石墨烯薄膜作为第一导电膜，再在石墨烯薄膜上设置一层金属薄层，依次对所述金属薄层和所述第一导电膜进行图案化处理，形成石墨烯感应图案和导线，第一导电层制作完毕；

路线二：先在基底膜的第一表面转移一层或连续转移多层的石墨烯薄膜作为第一导电膜，图案化所述第一导电膜，形成石墨烯感应图案，再在图案化的第一导电膜上设置一层金属薄层，图案化金属薄层，形成导线，第一导电层制作完毕；

路线三：先在基底膜的第一表面设置一层金属薄层，并图案化金属薄层，形成导线，再向第一表面上转移一层或连续转移多层的石墨烯薄膜作为第一导电膜，并图案化第一导电膜，形成石墨烯感应图案，第一导电层制作完毕；

路线四：先在基底膜的第一表面设置一层金属薄层，再向金属薄层表面上转移一层或连续转移多层的石墨烯薄膜作为第一导电膜，依次对所述第一导电膜和所述金属薄层进行图案化，形成石墨烯感应图案和导线，第一导电层制作完毕；

3)第一光学胶层的制作

在第一导电层表面贴合一层光学胶形成第一光学胶层，

4)第二光学胶层的制作

去除第二导电层上的保护层，贴合一层光学胶形成第二光学胶层。

上述步骤2)中的四条路线，根据导线的材料不同选择最适合的路线。比如，采用常用的银浆作为导线材料时，可以采用印刷方法直接印刷成初步的图案，再通过激光将其线路化，此时更适于选择路线一或路线二，其中路线一的效率更高，两次图案化连惯完成，且效果最佳；采用常用的铜或者钼铝钼作为导线材料时，一般是通过溅镀的方式完成薄层辅设，图案化采用黄光工艺更佳，此时，选择路线三或路线四所得到的触控功能片更为灵敏、良率高，其中，路线三更佳。本发明最为优选路线一，此时导线优选采用银浆导线。

优选地，所述步骤2)或步骤4)中，所述图案化的方法采用激光直写工艺、等离子体刻蚀工世艺、黄光工艺或lift-off工艺，进一步优选采用激光直写工艺。

优选地，所述步骤3)中，所述保护胶为可剥胶、耐酸或干膜等保护胶，进一步优选可剥胶。

优选地，本发明中所述cvd法中，石墨烯生长衬底为pt、ni、cu、co、ir、ru、au、ag等金属及其合金等导体、或者si、sio2、al2o3等半导体、或者两者的复合材料。

优选地，所述步骤4)中，所述转移石墨烯的方法采用胶膜转移工艺。即先用胶膜将cvd法在生长衬底上生长的石墨烯薄膜保护起来，刻蚀掉生长衬底后形成石墨烯薄膜/胶膜的结构，在石墨烯薄膜/胶膜的石墨烯面与石墨烯所要转移的目标基底贴合，去除胶膜，即完成一次石墨烯的转移。优选的，所述胶膜采用热释放胶、热减粘胶、静电膜、硅胶防静电膜、pu防静电膜、亚克力防静电膜，胶膜厚度为1微米至1000微米，优选为150微米-250微米。去除胶膜时，根据所用胶膜的性质采用相应的方法。

本发明原理：

按照本发明的制备方法，可以将由ito膜蚀刻图案化为纵向电极(y电极)作为ito驱动层，石墨烯膜通过激光图案化为横向电极(x电极)作为石墨烯感应层，每个横向电极即为感应通道，感应通道边缘与ito边缘分别通过金属线搭接，ito膜形成的y电极与石墨烯构成的感应通道(x电极)分别在基底膜的两面，石墨烯感应层和ito驱动层分别用oca胶保护起来，形成了完整的互电容触摸屏功能片。

本发明有益效果：

现有的单层双面ito结构的pet膜，在隔离层(绝缘层)上溅镀ito成功率低导致成品率低，且溅镀出来的ito层方阻和透过率无法达到要求。

本发明单层双面互电容式触控功能片通过使用石墨烯结合ito分别作为互电容触摸屏中的两层透明导电电极，通过特殊的结构设计，一方面克服了单层双面ito结构ito加工易损坏的缺点，另一方面也依据石墨烯的特有性质，相互结合，实现了超薄超柔性且低成本的透明互电容式触控传感器功能片，并且灵敏度高，支持多点触控效果好。

本发明方法在一层薄膜两面分别形成ito层和石墨烯层，并对ito层和石墨烯层以及对应的导线层分别进行图案化，使电容式触控传感器整体厚度实现了超薄；同时由于石墨烯本身具有耐弯折特性，因而使整个功能片具有耐弯折特性(朝ito导电层方向弯曲而不损伤石墨烯层线路功能)。由于石墨烯加工图案化工艺简单，如ito激光刻蚀时功率需达到12w，而石墨烯激光刻蚀时功率只需4w，不会对背面ito层造成损伤，可以大大降低工艺的难度，提高整体工艺良率。同时，由于双面都采用光学胶进行贴合，可直接使用用于全贴合手机的制作，适应当今技术整体发展方向。

说明书附图

图1本发明单层双面互电容式触控功能片结构示意图(导线位于导电膜与光学胶之间)；

图2本发明单层双面互电容式触控功能片结构示意图(导线位于导电膜与基底膜之间)；

图3本发明工艺流程示意图(路线一)；

图4本发明工艺流程示意图(路线二)；

图5本发明工艺流程示意图(路线三)；

图6本发明工艺流示意程图(路线四)；

图7本发明单层双面互电容式触控传感器成品示意图；

其中，1—基底膜，101-第一表面，102-第二表面，2-第一导电膜，3-第一导线，30-金属薄层，4-第一光学胶层，5-第二导电膜，6-第二导线，60-金属薄层，7-第二光学胶层，8-保护层。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例一

一种单层双面互电容式触控功能片，参见图2所示，包括：基底膜1，所述基底膜1包括第一表面101和第二表面102；设置于第一表面102的第一导电层，所述第一导电层由图案化的第一导电膜2及设在所述第一导电膜边缘的第一导线3构成，所述第一导线3用于连接第一导电膜2与电容感应芯片；设置于第一导电层表面的第一光学胶层4；设置于第二表面102的第二导电层，所述第二导电层由图案化的第二导电膜5及设在所述第二导电膜缘的第二导线6构成，所述第二导线6用于连接第二导电膜5与电容感应芯片；设置于第二导电层表面的第二光学胶层7。所述第一导线3与第一导电膜2连接的一端搭接于第一导电膜2的边缘，位于第一导电膜2与基底膜1之间。所述第二导线6与第二导电膜5连接的一端搭接于第二导电膜5的边缘，位于第二导电膜5与第二光学胶层7之间。

所述第一导电膜采用由cvd法制备的单层石墨烯薄膜。所述第二导电膜采用ito薄膜。所述第一导线和所述第二导线均采用铜线，由铜金属薄层图案化而成。所述基底膜为pet膜材，优选厚度50μm。所述第一光学胶层和所述第二光学胶层为oca光学胶。所述第一光学胶层和所述第二光学胶层的厚度均为50μm。

其制备方法，参见图5：

(1)在基底膜1(pet膜)第二表面102溅射一层ito导电层，作为第二导电膜5；

(2)再在ito导电层表面制作一层铜金属薄层60；

(3)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将ito层5和铜金属薄层60图案化，形成ito感应图案和相应的铜通道走线，即第二导电膜5和第二导线6，第二导电层制作完毕；

(4)在第二导电层表面印刷一层可剥胶，作为对第二导电层的保护层8；

(5)在pet膜的第一表面101制作一层铜金属薄层30，

(6)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将铜金属薄层30图案化，形成第一导线3；

(7)在已有图案化铜导电层的pet膜第一表面转移一层单层石墨烯薄膜，作为第一导电膜，通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺对石墨烯薄膜进行图案化，形成石墨烯感应图案，第一导电层制作完毕；

(8)在第一导电层表面贴合一层oca光学胶形成第一光学胶层4，

(9)去除第二导电层上的可剥胶，贴合一层oca光学胶形成第二光学胶层7，

(10)将已完成的功能片大片裁切成小片形成一片完整的互电容功能片，参见图7。

实施例二

一种单层双面互电容式触控功能片，参见图1所示，包括：基底膜1，所述基底膜1包括第一表面101和第二表面102；设置于第一表面102的第一导电层，所述第一导电层由图案化的第一导电膜2及设在所述第一导电膜边缘的第一导线3构成，所述第一导线3用于连接第一导电膜2与电容感应芯片；设置于第一导电层表面的第一光学胶层4；设置于第二表面102的第二导电层，所述第二导电层由图案化的第二导电膜5及设在所述第二导电膜缘的第二导线6构成，所述第二导线6用于连接第二导电膜5与电容感应芯片；设置于第二导电层表面的第二光学胶层7。所述第一导线3与第一导电膜2连接的一端搭接于第一导电膜2的边缘，位于第一导电膜2与第一光学胶层4之间。所述第二导线6与第二导电膜5连接的一端搭接于第二导电膜5的边缘，位于第二导电膜5与第二光学胶层7之间。

所述第一导电膜1采用由cvd法制备的2层的多层石墨烯叠合膜。所述第二导电膜采用ito薄膜。所述第一导线和所述第二导线均采用银浆，由金属薄层图案化而成。所述基底膜为pet膜材，厚度为25μm。所述第一光学胶层和所述第二光学胶层为oca光学胶。所述第一光学胶层的厚度为50μm，所述第二光学胶层的厚度125μm。

其制备方法，参见图4：

(1)在基底膜1(pet膜)第二表面102上涂布一层ito导电层，作为第二导电膜5；

(2)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将ito层图案化，

(3)在已图案化的ito表面印刷一层银浆金属薄层60并图案化，形成第二导线6，第二导电层制作完毕；

(4)在第二导电层表面制作一层耐酸保护胶，作为对第二导电层的保护层8；

(5)在pet膜的第一表面101上转移双层石墨烯薄膜，形成第一导电薄；

(6)通过激光、等离子体等工艺将石墨烯薄膜图案化；

(7)在图案化的石墨烯薄膜表面印刷一层银浆金属薄层30并图案化，形成石墨烯感应图案相应的银浆通道走线，即第一导线，第一导电层制作完毕。

(8)在第一导电层表面贴合一层oca光学胶形成第一光学胶层4，

(9)去除第二导电层上的保护层8，贴合一层oca光学胶形成第二光学胶层7，

(10)将已完成的功能片大片裁切成小片形成一片完整的互电容功能片，参见图7。

实施例三

一种单层双面互电容式触控功能片，参见图2所示，包括：基底膜1，所述基底膜1包括第一表面101和第二表面102；设置于第一表面102的第一导电层，所述第一导电层由图案化的第一导电膜2及设在所述第一导电膜边缘的第一导线3构成，所述第一导线3用于连接第一导电膜2与电容感应芯片；设置于第一导电层表面的第一光学胶层4；设置于第二表面102的第二导电层，所述第二导电层由图案化的第二导电膜5及设在所述第二导电膜缘的第二导线6构成，所述第二导线6用于连接第二导电膜5与电容感应芯片；设置于第二导电层表面的第二光学胶层7。所述第一导线3与第一导电膜2连接的一端搭接于第一导电膜2的边缘，位于第一导电膜2与基底膜1之间。所述第二导线6与第二导电膜5连接的一端搭接于第二导电膜5的边缘，位于第二导电膜5与第二光学胶层7之间。

所述第一导电膜采用由cvd法制备的单层石墨烯薄膜。所述第二导电膜采用ito薄膜。所述第一导线采用铜线，所述第二导线采用银浆导线，均由金属薄层图案化而成。所述基底膜为pet膜材，厚度为150μm。所述第一光学胶层和所述第二光学胶层为oca光学胶。所述第一光学胶层厚度为10μm，所述第二光学胶层的厚度为10μm。

其制备方法，参见图5：

(1)在基底膜1(pet膜)第二表面102上涂布一层ito导电层，作为第二导电膜5；

(2)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将ito层图案化，

(3)在已图案化的ito表面印刷一层银浆金属薄层60并图案化，形成ito感应图案相应的银浆通道走线，即第二导线6，作为第二导电层；

(4)在第二导电层表面制作一层干膜保护胶，作为对第二导电层的保护层8；

(5)在pet膜的第一表面101制作一层铜金属薄层30，

(6)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将铜导电层图案化，形成铜通道走线，即第一导线3；

(7)在带有第一导线3的pet膜第一表面101转移一层单层石墨烯薄膜，作为第一导电膜，通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺对石墨烯进行图案化，第一导电层制作完毕；

(8)在第一导电层表面贴合一层oca光学胶形成第一光学胶层4；

(9)去除第二导电层上的保护层8，贴合一层oca光学胶形成第二光学胶层7；

(10)将已完成的功能片大片裁切成小片形成一片完整的互电容功能片，参见图7。

实施例四

一种单层双面互电容式触控功能片，参见图1所示，包括：基底膜1，所述基底膜1包括第一表面101和第二表面102；设置于第一表面102的第一导电层，所述第一导电层由图案化的第一导电膜2及设在所述第一导电膜边缘的第一导线3构成，所述第一导线3用于连接第一导电膜2与电容感应芯片；设置于第一导电层表面的第一光学胶层4；设置于第二表面102的第二导电层，所述第二导电层由图案化的第二导电膜5及设在所述第二导电膜缘的第二导线6构成，所述第二导线6用于连接第二导电膜5与电容感应芯片；设置于第二导电层表面的第二光学胶层7。所述第一导线3与第一导电膜2连接的一端搭接于第一导电膜2的边缘，位于第一导电膜2与第一光学胶层4之间。所述第二导线6与第二导电膜5连接的一端搭接于第二导电膜5的边缘，位于第二导电膜5与第二光学胶层7之间。

所述第一导电膜3采用由cvd法制备的单层石墨烯薄膜。所述第二导电膜6采用ito薄膜。所述第一导线采用银浆导线，所述第二导线采用铜线，均由金属薄层图案化而成。所述基底膜为pet膜材，厚度为1μm。所述第一光学胶层和所述第二光学胶层为oca光学胶。所述第一光学胶层厚度为150μm，所述第二光学胶层的厚度为1μm。

其制备方法，参见图3：

(1)在基底膜1(pet膜)第二表面102上涂布一层ito导电层，作为第二导电膜5；

(2)再在ito导电层表面制作一层铜金属薄层60；

(3)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将ito层和金属薄层图案化，形成ito感应图案和第二导线6，第二导电层制作完毕；

(4)在第二导电层表面制作一层可剥胶，作为对第二导电层的保护层8；

(5)在pet膜的第一表面101上转移一层单层石墨烯薄膜，作为第一导电膜2；

(6)在石墨烯表面印刷一层银浆金属薄层30；

(7)通过激光、等离子体等工艺将石墨烯和银浆层依次分别进行图案化，形成石墨烯感应图案和相应的银浆通道走线，即第一导电膜2和第一导线3，第一导电层制作完毕；

(8)在第一导电层表面贴合一层50微米oca光学胶形成第一光学胶层4，

(9)去除第二导电层上的保护层8，贴合一层125微米oca光学胶形成第二光学胶层7，

(10)将已完成的功能片大片裁切成小片形成一片完整的互电容功能片，参见图7。

实施例五

一种单层双面互电容式触控功能片，参见图2所示，包括：基底膜1，所述基底膜1包括第一表面101和第二表面102；设置于第一表面102的第一导电层，所述第一导电层由图案化的第一导电膜2及设在所述第一导电膜边缘的第一导线3构成，所述第一导线3用于连接第一导电膜2与电容感应芯片；设置于第一导电层表面的第一光学胶层4；设置于第二表面102的第二导电层，所述第二导电层由图案化的第二导电膜5及设在所述第二导电膜缘的第二导线6构成，所述第二导线6用于连接第二导电膜5与电容感应芯片；设置于第二导电层表面的第二光学胶层7。所述第一导线3与第一导电膜2连接的一端搭接于第一导电膜2的边缘，位于第一导电膜2与基底膜1之间。所述第二导线6与第二导电膜5连接的一端搭接于第二导电膜5的边缘，位于第二导电膜5与第二光学胶层7之间。

所述第一导电膜采用由cvd法制备的单层石墨烯薄膜。所述第二导电膜采用ito薄膜。所述第一导线采用钼铝钼线，所述第二导线采用铜线，均由金属薄层图案化而成。所述基底膜为pet膜材，厚度为10μm。所述第一光学胶层和所述第二光学胶层为oca光学胶。所述第一光学胶层1μm，所述第二光学胶层的厚度为1000μm。

其制备方法，参见图5：

(1)在基底层1(pet膜)第二表面102溅射一层ito导电层，作为第二导电膜5；

(2)再在ito导电层表面制作一层铜金属薄层60；

(3)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将ito层和金属导电层图案化，形成ito感应图案和相应的铜通道走线，即第二导电膜5和第二导线6，第二导电层制作完毕；

(4)在第二导电层表面印刷一层可剥胶，作为对第二导电层的保护层8；

(5)在pet膜的第一表面101制作一层钼铝钼金属薄层30，

(6)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将钼铝钼导电层图案化，形成第一导线3；

(7)在pet膜第一表面101转移一层单层石墨烯导电层，作为第一导电膜，通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺对石墨烯进行图案化，形成石墨烯感应图案，第一导电层制作完毕；

(8)在第一导电层表面贴合一层oca光学胶形成第一光学胶层4，

(9)去除第二导电层上的可剥胶，贴合一层oca光学胶形成第二光学胶层7，

(10)将已完成的功能片大片裁切成小片形成一片完整的互电容功能片，参见图7。

实施例六

一种单层双面互电容式触控功能片，参见图1所示，包括：基底膜1，所述基底膜1包括第一表面101和第二表面102；设置于第一表面102的第一导电层，所述第一导电层由图案化的第一导电膜2及设在所述第一导电膜边缘的第一导线3构成，所述第一导线3用于连接第一导电膜2与电容感应芯片；设置于第一导电层表面的第一光学胶层4；设置于第二表面102的第二导电层，所述第二导电层由图案化的第二导电膜5及设在所述第二导电膜缘的第二导线6构成，所述第二导线6用于连接第二导电膜5与电容感应芯片；设置于第二导电层表面的第二光学胶层7。所述第一导线3与第一导电膜2连接的一端搭接于第一导电膜2的边缘，位于第一导电膜2与第一光学胶层4之间。所述第二导线6与第二导电膜5连接的一端搭接于第二导电膜5的边缘，位于第二导电膜5与第二光学胶层7之间。

所述第一导电膜采用由cvd法制备的两层石墨烯叠合膜。所述第二导电膜采用ito薄膜。所述第一导线和所述第二导线均采用银浆，均由金属薄层图案化而成。所述基底膜为pet膜材，厚度为1000μm。所述第一光学胶层和所述第二光学胶层为oca光学胶。所述第一光学胶层的厚度为600μm，所述第二光学胶层的厚度为1μm。

其制作方法，参见图4：

(1)在基底膜1(pet膜)第二表面102上涂布一层ito导电层，即第二导电膜5；

(2)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将ito层图案化，

(3)在已图案化的ito表面印刷一层银浆金属薄层60并图案化，形成ito感应图案相应的银浆通道走线，即第二导线6，第二导电层制作完毕；

(4)在第二导电层表面制作一层干膜保护胶，作为对第二导电层的保护层8；

(5)在pet膜的第一表面101上转移两层石墨烯薄膜，形成第一导电膜2；

(6)通过激光、等离子体等工艺将石墨烯图案化；

(7)在石墨烯表面印刷一层银浆金属薄层30并图案化，形成石墨烯感应图案相应的银浆通道走线，即第一导线3，第一导电层制作完毕；

(8)在第一导电层表面贴合一层oca光学胶形成第一光学胶层4，

(9)去除第二导电层上的保护层8，贴合一层oca光学胶形成第二光学胶层7，

(10)将已完成的功能片大片裁切成小片形成一片完整的互电容功能片，参见图7。

实施例七

一种单层双面互电容式触控功能片，参见图2所示，包括：基底膜1，所述基底膜1包括第一表面101和第二表面102；设置于第一表面102的第一导电层，所述第一导电层由图案化的第一导电膜2及设在所述第一导电膜边缘的第一导线3构成，所述第一导线3用于连接第一导电膜2与电容感应芯片；设置于第一导电层表面的第一光学胶层4；设置于第二表面102的第二导电层，所述第二导电层由图案化的第二导电膜5及设在所述第二导电膜缘的第二导线6构成，所述第二导线6用于连接第二导电膜5与电容感应芯片；设置于第二导电层表面的第二光学胶层7。所述第一导线3与第一导电膜2连接的一端搭接于第一导电膜2的边缘，位于第一导电膜2与基底膜1之间。所述第二导线6与第二导电膜5连接的一端搭接于第二导电膜5的边缘，位于第二导电膜5与第二光学胶层7之间。

所述第一导电膜采用由cvd法制备的单层石墨烯薄膜。所述第二导电膜采用ito薄膜。所述第一导线采用钼铝钼线，所述第二导线采用银浆，均由金属薄层图案化而成。所述基底膜为pet膜材，厚度为200μm。所述第一光学胶层和所述第二光学胶层为oca光学胶。所述第一光学胶层厚度为500μm，所述第二光学胶层的厚度为200μm。

其制备方法，参见图5：

(1)在基底膜1(pet膜)第二表面102上涂布一层ito导电层，作为第二导电膜5；

(2)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将ito层图案化，

(3)在已图案化的ito表面印刷一层银浆金属薄层60并图案化，形成ito感应图案相应的银浆通道走线，即第二导线，第二导电层制作完毕；

(4)在第二导电层表面制作一层可剥胶保护胶，作为对第二导电层的保护层8；

(5)在pet膜的第一表面101制作一层钼铝钼金属薄层30，

(6)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将钼铝钼导电层图案化，形成钼铝钼通道走线，即第一导线3；

(7)在pet膜第一表面转移一层单层石墨烯薄膜并通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺图案化，形成石墨烯感应图案，即第一导电膜2，第一导电层制作完毕；

(8)在第一导电层表面贴合一层oca光学胶，形成第一光学胶层4；

(9)去除第二导电层上的保护层8，贴合一层oca光学胶，形成第二光学胶层7，

(10)将已完成的功能片大片裁切成小片形成一片完整的互电容功能片，参见图7。

实施例八

一种单层双面互电容式触控功能片，参见图1所示，包括：基底膜1，所述基底膜1包括第一表面101和第二表面102；设置于第一表面102的第一导电层，所述第一导电层由图案化的第一导电膜2及设在所述第一导电膜边缘的第一导线3构成，所述第一导线3用于连接第一导电膜2与电容感应芯片；设置于第一导电层表面的第一光学胶层4；设置于第二表面102的第二导电层，所述第二导电层由图案化的第二导电膜5及设在所述第二导电膜缘的第二导线6构成，所述第二导线6用于连接第二导电膜5与电容感应芯片；设置于第二导电层表面的第二光学胶层7。所述第一导线3与第一导电膜2连接的一端搭接于第一导电膜2的边缘，位于第一导电膜2与第一光学胶层4之间。所述第二导线6与第二导电膜5连接的一端搭接于第二导电膜5的边缘，位于第二导电膜5与第二光学胶层7之间。

所述第一导电膜采用5层石墨烯叠合膜。所述第二导电膜采用ito薄膜。所述第一导线采用银浆导线，所述第二导线采用铜线，均由金属薄层图案化而成。所述基底膜为pet膜材，厚度为10μm。所述第一光学胶层和所述第二光学胶层为oca光学胶。所述第一光学胶层的厚度为1μm，所述第二光学胶层的厚度为1μm。

其制作方法，参见图3：

(1)在基底膜1(pet膜)第二表面102上涂布一层ito导电层，作为第二导电膜5；

(2)再在ito导电层表面制作一层铜金属薄层60；

(3)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将ito层和铜导电层图案化，形成ito感应图案和相应的铜通道走线，即第二导电膜和第二导线，第二导电层制作完毕；

(4)在第二导电层表面制作一层可剥胶，作为对第二导电层的保护层8；

(5)在pet膜的第一表面101上转移5层石墨烯薄膜，5层石墨烯薄膜的叠合膜作为第一导电膜2；

(6)在石墨烯表面印刷一层银浆金属薄层30；

(7)通过激光、等离子体等工艺将石墨烯和银浆依次分别进行图案化，形成石墨烯感应图案相应的银浆通道走线，即第一导电膜2和第一导线3，第一导电层制作完毕；

(8)在第一导电层表面贴合一层oca光学胶形成第一光学胶层4；

(9)去除第二导电层上的保护层8，贴合一层oca光学胶形成第二光学胶层7，

(10)将已完成的功能片大片裁切成小片形成一片完整的互电容功能片，参见图7。

实施例九

一种单层双面互电容式触控功能片，参见图2所示，包括：基底膜1，所述基底膜1包括第一表面101和第二表面102；设置于第一表面102的第一导电层，所述第一导电层由图案化的第一导电膜2及设在所述第一导电膜边缘的第一导线3构成，所述第一导线3用于连接第一导电膜2与电容感应芯片；设置于第一导电层表面的第一光学胶层4；设置于第二表面102的第二导电层，所述第二导电层由图案化的第二导电膜5及设在所述第二导电膜缘的第二导线6构成，所述第二导线6用于连接第二导电膜5与电容感应芯片；设置于第二导电层表面的第二光学胶层7。所述第一导线3与第一导电膜2连接的一端搭接于第一导电膜2的边缘，位于第一导电膜2与基底膜1之间。所述第二导线6与第二导电膜5连接的一端搭接于第二导电膜5的边缘，位于第二导电膜5与第二光学胶层7之间。

所述第一导电膜采用单层石墨烯薄膜。所述第二导电膜采用ito薄膜。所述第一导线采用钼铝钼线，所述第二导线采用银浆，均由金属薄层图案化而成。所述基底膜为pet膜材，厚度为100μm。所述第一光学胶层和所述第二光学胶层为oca光学胶。所述第一光学胶层的厚度为30μm，所述第二光学胶层的厚度为60μm。

其制备方法，参见图6：

(1)在基底膜1(pet膜)第二表面102上涂布一层ito导电层，作为第二导电膜5；

(2)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将ito层图案化，

(3)在已图案化的ito表面印刷一层银浆金属薄层60并图案化，形成ito感应图案相应的银浆通道走线，即第二导线6，第二导电层制作完毕；

(4)在第二导电层表面制作一层可剥胶保护胶，作为对第二导电层的保护层8；

(5)在pet膜的第一表面101制作一层钼铝钼金属薄层30，

(6)再在钼铝钼金属薄层30的表面转移一层单层石墨烯薄膜，作为第一导电膜2；

(7)通过激光、等离子体、黄光、lift-off等工艺将钼铝钼薄层和石墨烯薄膜依次分别进行图案化，形成石墨烯感应图案和相应的钼铝钼通道走线，即第一导电膜2和第一导线3，第一导电层制作完毕；

(8)在第一导电层表面贴合一层oca光学胶，形成第一光学胶层4；

(9)去除第二导电层上的保护层8，贴合一层oca光学胶，形成第二光学胶层7，

(10)将已完成的功能片大片裁切成小片形成一片完整的互电容功能片，参见图7。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。