一种基于电容偏差的PUF电路的制作方法

本发明属于puf技术领域，更具体地，涉及一种基于电容偏差的puf电路。

背景技术：

physicalunclonablefunctions(puf)技术是当今半导体安全技术的最新突破。puf系统是一组微型的电路，通过提取ic制造过程中不可避免产生的个体差异，生成无限多个、特有的密钥，这些密钥不可预测和安排，永久存在，即使是芯片的制造商也无法仿制。和传统安全解决方案不同的是，puf技术可以为每个动态生成无限多的、特有的、一次性的密钥，无需为加密而储存密钥，因而在安全防伪领域具有巨大的应用前景。

然而，也正是由于用来生成密钥的电路器件采用了相同的图形和尺寸设计以及相同的生产工艺，其相关参数尽管不可避免地存在一定偏差，但这种偏差往往非常微弱，这导致puf电路单元在相同的激励下产生不同密钥值的情况时有发生，例如，对于同一激励，在某一时刻产生密钥0，在另一时刻又产生密钥1，因而严重影响了puf技术的可靠性，极大地限制了puf技术的进一步推广应用。

技术实现要素：

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种基于电容偏差的puf电路，能有效避免由于电路器件间的微弱差异导致产生的密钥值不稳定的情况，因而能显著提高puf技术的可靠性。

为实现上述目的，本发明提供了一种puf电路，包括电容阵列，译码选择电路、充电电路和比较器；所述电容阵列包括n+1个相同的电容单元，其中n个电容单元的一端接地，另一端分别连接至所述译码选择电路的n个输入端，所述译码选择电路的输出端连接至所述充电电路的第一电流输出端，用于产生随机电压信号；第n+1个电容单元作为参考电容单元，其一端接地，一端连接至充电电路的第二电流输出端，用于产生参考电压信号；所述随机电压信号和所述参考电压信号输入至所述比较器，使所述比较器输出响应信号。

优选地，所述电容单元由螺旋结构电容和开关并联而成，所述螺旋结构电容由成对金属线以螺旋方式缠绕得到，所述开关由复位信号控制。

优选地，所述译码选择电路包括译码电路和n选1电路，所述译码电路用于在激励信号的作用下生成选择信号，所述n选1电路用于在所述选择信号的作用下，从所述n个电容单元中选择1个电容单元连接至所述充电电路。

优选地，所述充电电路和所述比较器由使能信号控制，工作时，所述充电电路的第一电流输出端和第二电流输出端输出大小相等的电流，并同时对被所述译码选择电路选中的电容单元和参考电容单元进行充电，所述比较器比较正负输入端的电压大小，输出1位puf密钥。

总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：将成对金属线以螺旋方式缠绕得到螺旋结构电容，基于两个完全相同的螺旋结构电容生成密钥；由于无法精确控制层内电容的间距，一方面进一步提升了密钥的随机性和不可复制性，另一方面有利于增大用于生成密钥的两个电容间的差异，从而有效避免了由于电路器件间的微弱差异导致产生的密钥值不稳定的情况，因而能显著提高puf技术的可靠性。

附图说明

图1是本发明实施例的基于电容偏差的puf电路的结构示意图；

图2是本发明实施例的电容单元的结构示意图；

图3是本发明实施例的译码选择电路的结构示意图；

图4是本发明实施例的充电电路的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

如图1所示，本发明实施例的基于电容偏差的puf电路包括电容阵列100、译码选择电路101、充电电路102和比较器103。复位信号连接至电容阵列100，激励信号连接至译码选择电路101，使能信号连接至充电电路102和比较器103，比较器的输出端输出响应信号。

电容阵列100包括n+1个相同的电容单元104，分别为c1，c2，…，cn+1。其中，n个电容单元c1，c2，…，cn的一端接地，另一端分别连接至译码选择电路101的n个输入端。译码选择电路101的输出端连接至充电电路102的第一电流输出端，产生随机电压信号。电容阵列100中的第n+1个电容单元cn+1的一端接地，另一端连接至充电电路102的第二电流输出端，产生参考电压信号。充电电路102的第一电流输出端和第二电流输出端分别连接至比较器103的正负输入端。

如图2所示，本发明实施例中电容单元104由螺旋结构电容200和开关201并联而成，开关201的控制信号连接至复位信号。复位信号为低电平时，开关201为断开状态，螺旋结构电容200的电压保持不变。复位信号为高电平时，开关201为闭合状态，将螺旋结构电容200的两端连接至地，对螺旋结构电容200进行放电，将螺旋结构电容200的电压复位为0。螺旋结构电容200的理想电容值为c，由于制造工艺的偏差，每个电容单元内部的螺旋结构电容的电容值存在一定差异。

如图3所示，本发明实施例的译码选择电路101包括译码电路300和n选1电路301。译码电路300输入为激励信号，输出选择信号连接至n选1电路301。n选1电路301包括n个输入端和1个输出端。激励信号为m位信号，满足2^m＝n，共有n个不同激励信号，对应n个不同的选择信号。例如，n＝128，m＝7，共有128个不同的激励信号，对应128个选择信号。译码电路300对m位的激励信号进行译码，产生对应的选择信号，控制n选1电路301选择对应的1个输入端连接至输出端。

如图4所示，本发明实施例的充电电路102包括偏置电路400、第一开关401、第二开关402和四个pmos管m1、m2、m3、m4。偏置电路400产生两个偏置电压，分别偏置m1、m2和m3、m4。pmos管m1、m2、m3、m4构成两路相同的共源共栅电流镜，其中m1、m2的尺寸相同，m3、m4的尺寸相同，采用严格匹配设计。第一开关401的一端连接至m3，另一端连接至第一电流输出端。第二开关402的一端连接至m4，另一端连接至第二电流输出端。开关401和402由使能信号控制，使能信号为低电平时，开关401和402断开。使能信号为高电平时，开关401和402闭合，两路共源共栅电流镜分别输出大小相同的电流到第一电流输出端和第二电流输出端。

比较器103为动态锁存比较器，由使能信号控制。使能信号为高电平时，比较器103处于复位状态。使能信号变为低电平时，比较器103比较正负输入端两个电压的大小，输出比较结果并进入锁存状态。

下面对输入激励信号产生puf密钥的过程进行说明：

(1)初始状态下，puf电路处于关闭状态。复位信号和使能信号都为低电平，充电电路102保持关闭，比较器103保持在锁存状态。

(2)在t1时刻，puf电路开始工作，复位信号由低电平变为高电平，使能信号保持为低电平，同时外部输入激励信号。在复位信号变为高电平后，电容阵列100中每个电容单元中的开关201处于闭合状态，螺旋结构电容200的两端接地，进行放电复位，两个极板之间的电压最终复位为0。充电电路102保持关闭，比较器103保持在锁存状态。

(3)译码选择电路101接收激励信号，其内部的译码电路300对输入的激励信号进行译码，产生对应的选择信号。上述选择信号控制n选1电路301选择对应的1个输入端连接至输出端，即选择电容阵列100中对应的电容单元ci，i＝1，2，…，n，连接至译码选择电路101的输出端。

(4)在t2时刻，复位信号由高电平变为低电平，使能信号保持为低电平。电容阵列100中每个电容单元中的开关201进入关断状态，电容复位结束。充电电路102保持关闭，比较器保持在锁存状态。

(5)在t3时刻，使能信号由低电平变为高电平，复位信号保持为低电平。充电电路102打开，比较器103进入复位状态。充电电路102中的第一开关401和第二开关402闭合，两路共源共栅电流镜分别输出两路大小相等的电流i到第一电流输出端和第二电流输出端。第一电流输出端连接至译码选择电路101的输出端，即连接至电容阵列100中被选择的电容单元ci，输出电流对该电容单元中的螺旋结构电容进行充电，产生随机电压信号。第二电流输出端连接至电容阵列100中的参考电容单元cn+1，输出电流对该电容单元中的螺旋结构电容进行充电，产生参考电压信号。

(6)在t4时刻，使能信号由高电平变为低电平，复位信号保持为低电平。充电电路102关闭，比较器输出比较结果并进入锁存状态。在t3到t4的这段时间内，充电电流i对电容单元ci充电产生的随机电压信号为vran＝i*(t4-t3)/ci，对电容单元cn+1充电产生的参考电压信号为vref＝i*(t4-t3)/cn+1。由于两个电容单元中电容器件存在工艺偏差，因此产生的随机电压信号和参考电压信号也存在一定的差异。在t4时刻，比较器103比较随机电压信号和参考电压信号的相对大小，输出响应信号并锁存。在一个实施例中，若随机电压信号大于参考电压信号，比较器103输出1，反之，则输出0，即产生一位puf数据。

若需要产生多位puf密钥，则重复步骤(2)至步骤(6)，并在步骤(2)中输入不同的激励信号，选择不同的电容单元进行比较，以产生多位puf数据。

本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。