技术特征：
技术总结
本发明公开了一种砷化镓共源共栅赝配高电子迁移率晶体管小信号等效电路模型，包括各个电极端口的寄生部分和本征部分，所述各个电极端口的寄生部分由栅极寄生部分、漏极寄生部分、源极寄生部分和栅漏极间寄生部分组成，所述本征部分由M1栅源极间本征单元、M1栅漏极间本征单元、M1漏源极间本征单元和M2等效本征单元组成；该小信号等效电路模型可以简化测试步骤，提高仿真同测试结果的拟合精度。
技术研发人员：党锐锐;吕志浩;徐志伟
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2018.04.27
技术公布日：2018.10.09