技术特征：
技术总结
本发明公开了一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法。该方法提供了NC‑MOSFET的剖面结构，在传统MOSFET的金属栅极上添加一层氧化铪（HfO）作为铁电材料，实现负电容的集成制作。建立了NC‑MOSFET的串联等效电容模型，解析了器件的性能参数与负电容的数学关系，并根据电容分压原理，推导内部栅极的电压，明晰了内部电压放大的机制，通过计算CEQ，IDNC，SSNC和DIBLNC的标准差、偏度和峰度，实现了其抑制RDE效应的原理分析和建模。
技术研发人员：吕伟锋
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2018.05.16
技术公布日：2018.08.17