一种寄生导通效应消除电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型特别涉及一种寄生导通效应消除电路。该寄生导通效应消除电路，包括驱动器电路和单电源驱动电路，所述单电源驱动电路包括串连在一起的MOS管T1和T2，所述MOS管T1和T2的S极和D极之间分别通过二极管D1和D2单向连通；所述MOS管T2的D极和G极之间连接有电容C1，所述MOS管T1的D极连接高压直流电源，所述MOS管T2的S极接地；所述MOS管T2的G极与S极之间连接三极管Q1，所述三级管Q1分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1。该寄生导通效应消除电路，结构简单，通过将MOS管的G极与S极短路来消除寄生导通效应，这样流经米勒电容的电流将通过三极管旁路而不至于流向驱动器电路，有效的消除了IGBT的寄生导通效应。
【专利说明】
一种寄生导通效应消除电路
技术领域
[0001]本实用新型涉及UPS主机/电源模块设计技术领域，特别涉及一种寄生导通效应消除电路。
【背景技术】
[0002]米勒效应所产生的电容和峰值问题在日常工作中，属于一种比较常见的情况。在IGBT模块操作中，如果没有及时处理米勒电容问题，很容易造成IGBT损坏。
[0003]在日常的工作过程中，IGBT模块操作时一旦出现了米勒效应的寄生电容问题，往往见于明显的在O到15V类型的门极驱动器，也就是工程师们常说的单电源驱动器。门集-电极之间的耦合在IGBT关断期间，高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通，也就是门集电压尖峰，这对于IGBT乃至整机来说，都是一种潜在的危险。
[0004]通常情况下，为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生，通常有三种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容，第二是通过使用负门极电压驱动，第三个是改变门极电阻。如果使用第一方案，那么会使驱动电源功耗会增加，相同的门极驱动电阻情况下IGBT的开关损耗也会增加。第二个方案则需要考虑到额外费用和成本问题。第三种方法会增加开通损耗。本发明是一种有源米勒钳位的方法，解决IGBT米勒电容引起的寄生导通效应的问题。
[0005]基于上述问题，本实用新型提出了一种寄生导通效应消除电路。
【发明内容】
[0006]本实用新型为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种简单高效的寄生导通效应消除电路。
[0007]本实用新型是通过如下技术方案实现的:
[0008]—种寄生导通效应消除电路，其特征在于:包括驱动器电路和单电源驱动电路，所述驱动器电路通过电阻Rl连接到所述单电源驱动电路;所述单电源驱动电路包括串连在一起的MOS管Tl和T2，所述MOS管Tl和T2的S极和D极之间分别通过二极管Dl和D2单向连通;所述MOS管T2的D极和G极之间连接有电容Cl，所述MOS管Tl的D极连接高压直流电源，所述MOS管T2的S极接地;所述MOS管T2的G极与S极之间连接三极管Ql，所述三极管Ql分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1。
[0009]所述三极管Ql的E极和C极分别接MOS管T2的G极和S极，当MOS管T2的G极和S极的电压到达最大值Vcsmax时，三极管Ql处于导通状态;三极管Ql的B极和C极分别通过电阻R3和R4连接到电阻Rl;所述MOS管T2的G极通过电阻R2连接到电阻Rl。
[0010]所述三极管Ql为PNP型三极管。
[0011]所述MOS管Tl和T2均为P型MOS管。
[0012]所述MOS管Tl的G极接驱动器电路。
[0013]所述MOS管T2的G极和S极的电压最大值Vgs■为2.4V。
[0014]本实用新型的有益效果是:该寄生导通效应消除电路，结构简单，通过将MOS管的G极与S极短路来消除寄生导通效应，这样流经米勒电容的电流将通过三极管旁路而不至于流向驱动器电路，有效的消除了 IGBT的寄生导通效应。
【附图说明】
[0015]附图1为本实用新型寄生导通效应消除电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行详细的说明。应当说明的是，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0017]该寄生导通效应消除电路，包括驱动器电路和单电源驱动电路，所述驱动器电路通过电阻Rl连接到所述单电源驱动电路;所述单电源驱动电路包括串连在一起的MOS管Tl和T2，所述MOS管Tl和T2的S极和D极之间分别通过二极管Dl和D2单向连通;所述MOS管T2的D极和G极之间连接有电容Cl，所述MOS管Tl的D极连接高压直流电源，所述MOS管T2的S极接地;所述MOS管T2的G极与S极之间连接三极管Ql，所述三极管Ql分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1。
[0018]所述三极管Ql的E极和C极分别接MOS管T2的G极和S极，当MOS管T2的G极和S极的电压到达最大值VGSmax时，三极管Ql处于导通状态;三极管Ql的B极和C极分别通过电阻R3和R4连接到电阻Rl;所述MOS管T2的G极通过电阻R2连接到电阻Rl。
[0019]所述三极管Ql为PNP型三极管。
[0020]所述MOS管Tl和T2均为P型MOS管。
[0021 ]所述MOS管Tl的G极接驱动器电路。
[0022]所述MOS管T2的G极和S极的电压最大值Vcsmax为2.4V。
【主权项】
1.一种寄生导通效应消除电路，其特征在于:包括驱动器电路和单电源驱动电路，所述驱动器电路通过电阻Rl连接到所述单电源驱动电路;所述单电源驱动电路包括串连在一起的MOS管Tl和T2，所述MOS管Tl和T2的S极和D极之间分别通过二极管Dl和D2单向连通;所述MOS管T2的D极和G极之间连接有电容Cl，所述MOS管Tl的D极连接高压直流电源，所述MOS管T2的S极接地;所述MOS管T2的G极与S极之间连接三极管Ql，所述三极管Ql分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1。2.根据权利要求1所述的寄生导通效应消除电路，其特征在于:所述三极管Ql的E极和C极分别接MOS管T2的G极和S极，当MOS管T2的G极和S极的电压到达最大值VGSmax时，三极管Ql处于导通状态;三极管Ql的B极和C极分别通过电阻R3和R4连接到电阻Rl;所述MOS管T2的G极通过电阻R2连接到电阻Rl。3.根据权利要求1或2所述的寄生导通效应消除电路，其特征在于:所述三极管Ql为PNP型三极管。4.根据权利要求2所述的寄生导通效应消除电路，其特征在于:所述MOS管T2的G极和S极的电压最大值Vcsmax为2.4V。5.根据权利要求1所述的寄生导通效应消除电路，其特征在于:所述MOS管Tl和T2均为P型MOS管。
【文档编号】H03K17/567GK205545181SQ201620314495
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年4月15日
【发明人】肖波, 滕学军, 李松磊, 高鹏飞
【申请人】浪潮电子信息产业股份有限公司