本实用新型涉及数据存储术领域，特别是海量数据分布式存储装置。
背景技术：
现有技术公开了申请号为：201621374186.8的一种海量数据分布式存储装置，采用通过设置箱体的四周的每一侧面贴设有可拆卸吸尘泡膜、四周底部设置有吸尘沟、顶部中心设置有高压风扇，存储盘的盘体上贴设有散热片，散热片的导热体通过一导热管与所述高压风扇抵接能够平衡箱体与机房室内的温度且能够很好的除去箱体内的灰尘，以此提高海量数据分布式存储装置使用可靠性和稳定性。
现有技术在进行使用的时候，散热片温度受机房室内的温度、存储器工作数量的影响，会产生与正常工作温度不同程度的偏差，而高压风扇的功率是一定的，温度偏差小时高压风扇频繁开关，温度偏差大时高压风扇高速持续工作，影响使用寿命同时会造成温度忽高忽低难以控制的问题。
因此本实用新型提供一种的新的方案来解决此问题。
技术实现要素：
针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供海量数据分布式存储装置，有效的解决了目前采用高压风扇散热造成的影响使用寿命、温度难以控制的问题。
其解决的技术方案是，包括主存储器，多个备用存储器，所述每个存储器包括置于箱体内存储盘、单片机控制器和高压风扇，其特征在于，还包括箱内温度采集电路、箱外温度采集电路、三梯度阈值比较电路、高压风扇功率驱动电路；
所述高压风扇功率驱动电路受单片机控制器控制，包括电阻R16、电阻R13，电阻R13、电阻R16的一端分别连接单片机的不同I/O口，电阻R16的另一端连接三极管Q5的基极，三极管Q5的发射极连接地，三极管Q5的集电极分别连接电阻R11的一端、电阻R12的一端，电阻R11的另一端连接电源+5V，电阻R12的另一端分别连接三极管Q1的基极、三极管Q3的基极，三极管Q1的发射极和二极管D1的负极连接源+36V，三极管Q3的发射极和二极管D3的正极连接地，三极管Q1的集电极分别连接三极管Q3的集电极、二极管D1的正极、二极管D3的负极，电阻R13的另一端连接三极管Q6的基极，三极管Q6的发射极连接地，三极管Q6的集电极分别连接电阻R14的一端、电阻R15的一端，电阻R14的另一端连接电源+5V，电阻R15的另一端分别连接三极管Q2的基极、三极管Q4的基极，三极管Q2的发射极和二极管D2的负极连接源+36V，三极管Q4的发射极和二极管D4的正极连接地，三极管Q2的集电极分别连接三极管Q4的集电极、二极管D2的正极、二极管D4的负极。
本实用新型智能调节、结构简单，通过在箱体内外设置传感器经减法运算输出正负偏差电压，进入三梯度阈值比较电路进行三梯度阈值比较，比较结果送入单片机，分析计算后输出两路不同脉冲占空比的PWM控制信号到高压风扇功率驱动电路，分别进行高压风扇自然通风、1/2、2/3、全速阶梯式下降，使温度保持在最佳温度，能有效的避免温度偏差小时高压风扇频繁开关，温度偏差大时高压风扇高速持续工作，影响使用寿命同时会造成温度忽高忽低难以控制的问题。
附图说明
图1为本实用新型的电路连接模块图。
图2为本实用新型的电路连接原理图。
具体实施方式
为有关本实用新型的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图1至图2对实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容，均是以说明书附图为参考。
下面将参照附图描述本实用新型的各示例性的实施例。
实施例一，海量数据分布式存储装置，包括主存储器，多个备用存储器，所述每个存储器包括置于箱体内存储盘、单片机控制器和高压风扇，箱内温度采集电路检测的存储盘的温度和箱外温度采集电路检测的箱外环境的自然温度经减法运算输出正负偏差电压，进入三梯度阈值比较电路进行三梯度阈值比较，比较结果送入单片机，分析计算后输出两路不同脉冲占空比的PWM控制信号到高压风扇功率驱动电路，分别进行高压风扇自然通风、1/2、2/3、全速阶梯式下降，使温度保持在最佳温度；所述高压风扇功率驱动电路受单片机控制器I/O口输出的PWM脉冲控制，根据不同占空比的PWM脉冲，分别进行高压风扇启停、1/2、2/3、全速运转，当需要调速时，高电平经电阻R16限流后加到三极管Q5的基极，由于三极管Q5的发射极连接地，集电极通过电阻R11连接电源+5V，此时三极管Q5导通，从而三极管Q5的集电极电位为为低电平，三极管Q5的集电极低电平信号经电阻R12加到三极管Q1和Q3的基极，由于三极管Q1的发射极接电源，三极管Q3的发射极接地，二极管D1、二极管D3反接并联在三极管的集电极和发射极，起保护作用，此时三极管Q1导通、三极管Q3截止，低电平经电阻R13限流后加到三极管Q6的基极，由于三极管Q6的发射极连接地，集电极通过电阻R14连接电源+5V，此时三极管Q6截止，从而三极管Q6的集电极电位为高电平，三极管Q6的集电极高电平信号经电阻R15加到三极管Q2和Q4的基极，由于三极管Q2的发射极接电源，三极管Q4的发射极接地，二极管D2、二极管D4反接并联在三极管的集电极和发射极，起保护作用，此时三极管Q2截止、三极管Q4导通，电流从电源正极经三极管Q1从左至右穿过高压风扇电机，再经三极管Q4回到电源负极，高压风扇电机运转。
实施例二，在实施例一的基础上，所述箱内温度采集电路用于检测存储盘的温度，包括负温度系数的热敏电阻Rt1，当箱内温度发生变化时，热敏电阻Rt1的阻值成反比例发生变化，从而电阻R1和热敏电阻Rt1组成的分压电路电压发生变化，即经电容C1、电阻R2和电阻R3、电容C2组成的阻容滤波电路，滤除杂波干扰后送到运算放大器AR1反相输入端的电压发生变化，与运算放大器AR1的同相输入端电压进行减法比例运算，从运算放大器AR1 的输出端输出；所述箱外温度采集电路用于检测箱外环境的自然温度，包括 型号为 DS18B20温度传感器P1，温度传感器P1的引脚1连接地，温度传感器P1的引脚3连接电源+5V，温度传感器P1的引脚2输出温度信号经上拉电阻R5送到运算放大器AR1的同相输入端；所述三梯度阈值比较电路将箱内外温度差信号进行三梯度阈值比较，比较结果送入单片机，包括运算放大器AR2、AR3、 AR4，运算放大器AR2、AR3、 AR4的反相输入端通过电阻R6连接温差信号，运算放大器AR2、AR3、 AR4的同相输入端连接电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10组成的分压电路，当温差为负温差且低于正常工作温度20℃时，进行自然通风，当温差为正温差且高于正常温度20℃度+5℃时，运算放大器AR4的输出端输出有效电平低电平到接单片机的I/O口，单片机进行分析计算后输出两路脉冲50％占空比的PWM控制信号到高压风扇功率驱动电路，进行1/2速降温；当温差高于20℃度+8℃时，运算放大器AR3的输出端输出有效电平低电平到接单片机的I/O口，单片机进行分析计算后输出两路不同脉冲60％占空比的PWM控制信号到高压风扇功率驱动电路，进行2/3速降温；当温差高于20℃度+15℃时，运算放大器AR2的输出端输出有效电平低电平到接单片机的I/O口，单片机进行分析计算后输出两路100％高电平PWM控制信号到高压风扇功率驱动电路，进行全速降温。
实施例三，在实施例二的基础上，所述单片机为型号为EM78P418带PWM口的单片机，其根据三梯度阈值比较电路的比较结果，进行分析计算后输出两路不同脉冲占空比的PWM控制信号到高压风扇功率驱动电路，控制高压风扇电机的启停、转速从而使箱体内温度进行自然通风、1/2、2/3、全速阶梯式下降，使温度保持在最佳温度。
本实用新型在进行使用的时候，箱内温度采集电路检测的存储盘的温度和箱外温度采集电路检测的箱外环境的自然温度经减法运算输出正负偏差电压，进入三梯度阈值比较电路进行三梯度阈值比较，当温差为负温差且低于正常工作温度20℃时，三梯度阈值比较电路输出高电平，单片机不工作，进行自然通风，当温差为正温差且高于正常温度20℃度+5℃时，运算放大器AR4输出有效低电平到接单片机，单片机进行分析计算后输出两路脉冲50％占空比的PWM控制信号到高压风扇功率驱动电路，进行1/2速降温；当温差高于20℃度+8℃时，运算放大器AR3的输出端输出有效电平低电平到接单片机的I/O口，单片机进行分析计算后输出两路不同脉冲60％占空比的PWM控制信号到高压风扇功率驱动电路，进行2/3速降温；当温差高于20℃度+15℃时，运算放大器AR2的输出端输出有效电平低电平到接单片机的I/O口，单片机进行分析计算后输出两路100％高电平PWM控制信号到高压风扇功率驱动电路，进行全速降温，采用阶梯式降温，使温度保持在最佳温度，能有效的避免温度偏差小时高压风扇频繁开关，温度偏差大时高压风扇高速持续工作，影响使用寿命同时会造成温度忽高忽低难以控制的问题。
以上所述是结合具体实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型具体实施仅局限于此；对于本实用新型所属及相关技术领域的技术人员来说，在基于本实用新型技术方案思路前提下，所作的拓展以及操作方法、数据的替换，都应当落在本实用新型保护范围之内。