一种IGBT元胞结构版图的制作方法

本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种IGBT元胞结构版图。

背景技术：

IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

在现代半导体电子工业中，IGBT元胞结构版图得到了广泛使用，现有的结构版图在使用时，栅极压焊点和源极压焊点与元胞区之间的位置存在差异，这样容易使得元器件的开关时间不一，从而导致结构版图出现使用不准确的问题，大大降低了结构版图的实用性。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种IGBT元胞结构版图，具备栅极压焊点和源极压焊点与元胞区之间的位置相对固定的优点，解决了结构版图出现使用不准确的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种IGBT元胞结构版图，包括结构底板，所述结构底板正表面的外圈环向布设有终端区，所述结构底板的正表面且位于终端区的内圈布设有元胞区，所述元胞区上布设有源极压焊点和栅极压焊点，所述栅极压焊点上镶嵌有多晶硅。

优选的，所述源极压焊点和栅极压焊点均在元胞区上呈环形阵列分布，所述源极压焊点和栅极压焊点相互之间呈交叉分布。

优选的，所述多晶硅在栅极压焊点上呈环形阵列分布。

优选的，所述结构底板包括铜基板，所述铜基板的正表面镀有钛基层，所述钛基层的正表面镀有第一铝基层，所述终端区和元胞区均布设在第一铝基层表面。

优选的，所述铜基板的背表面镀有银基层，所述银基层的背表面镀有第二铝基层。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1、本实用新型通过设置栅极压焊点和源极压焊点的配合使用，使栅极压焊点和源极压焊点与元胞区之间的位置相对固定，这样结构版图的使用更加准确，解决了结构版图在使用时，因栅极压焊点和源极压焊点与元胞区之间的位置存在差别，造成元器件的开关时间不一，从而导致结构版图出现使用不准确的问题，大大提高了结构版图的准确性，值得推广。

2、有利于芯片在模块封装时，拓扑电路排布设计的灵活和方便性。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型栅极压焊点结构示意图；

图3为本实用新型结构底板俯视剖视图。

图中：1结构底板、11第一铝基层、12钛基层、13铜基板、14银基层、15第二铝基层、2终端区、3栅极压焊点、4源极压焊点、5元胞区、6多晶硅。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-3，一种IGBT元胞结构版图，包括结构底板1，结构底板1包括铜基板13，铜基板13的正表面镀有钛基层12，钛基层12的正表面镀有第一铝基层11，终端区2和元胞区5均布设在第一铝基层11表面，铜基板13的背表面镀有银基层14，银基层14的背表面镀有第二铝基层15，结构底板1正表面的外圈环向布设有终端区2，结构底板1的正表面且位于终端区2的内圈布设有元胞区5，元胞区5上布设有源极压焊点4和栅极压焊点3，源极压焊点4和栅极压焊点3均在元胞区5上呈环形阵列分布，源极压焊点4和栅极压焊点3相互之间呈交叉分布，通过设置栅极压焊点3和源极压焊点4的配合使用，使栅极压焊点3和源极压焊点4与元胞区5之间的位置相对固定，这样结构版图的使用更加准确，解决了结构版图在使用时，因栅极压焊点3和源极压焊点4与元胞区5之间的位置存在差别，造成元器件的开关时间不一，从而导致结构版图出现使用不准确的问题，大大提高了结构版图的准确性，值得推广，栅极压焊点3上镶嵌有多晶硅6，多晶硅6在栅极压焊点3上呈环形阵列分布。

使用时，通过设置栅极压焊点3和源极压焊点4的配合使用，使栅极压焊点3和源极压焊点4与元胞区5之间的位置相对固定，这样结构版图的使用更加准确，解决了结构版图在使用时，因栅极压焊点3和源极压焊点4与元胞区5之间的位置存在差别，造成元器件的开关时间不一，从而导致结构版图出现使用不准确的问题，大大提高了结构版图的准确性。

综上所述：该IGBT元胞结构版图，通过设置栅极压焊点3和源极压焊点4的配合使用，解决了结构版图出现使用不准确的问题。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。