技术总结
本实用新型公开了一种IGBT元胞结构版图，包括结构底板，所述结构底板正表面的外圈环向布设有终端区，所述结构底板的正表面且位于终端区的内圈布设有元胞区，所述元胞区上布设有源极压焊点和栅极压焊点，所述栅极压焊点上镶嵌有多晶硅，所述源极压焊点和栅极压焊点均在元胞区上呈环形阵列分布。本实用新型通过设置栅极压焊点和源极压焊点的配合使用，使栅极压焊点和源极压焊点与元胞区之间的位置相对固定，这样结构版图的使用更加准确，解决了结构版图在使用时，因栅极压焊点和源极压焊点与元胞区之间的位置存在差别，造成元器件的开关时间不一，从而导致结构版图出现使用不准确的问题，大大提高了结构版图的准确性。
技术研发人员：阳平
受保护的技术使用者：上海擎茂微电子科技有限公司
技术研发日：2019.03.13
技术公布日：2019.08.16