一种IGBT元胞结构版图的制作方法

文档序号:18436443发布日期:2019-08-16 21:36阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种IGBT元胞结构版图,包括结构底板(1),其特征在于:所述结构底板(1)正表面的外圈环向布设有终端区(2),所述结构底板(1)的正表面且位于终端区(2)的内圈布设有元胞区(5),所述元胞区(5)上布设有源极压焊点(4)和栅极压焊点(3),所述栅极压焊点(3)上镶嵌有多晶硅(6)。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT元胞结构版图,其特征在于:所述源极压焊点(4)和栅极压焊点(3)均在元胞区(5)上呈环形阵列分布,所述源极压焊点(4)和栅极压焊点(3)相互之间呈交叉分布。

3.根据权利要求1所述的一种IGBT元胞结构版图,其特征在于:所述多晶硅(6)在栅极压焊点(3)上呈环形阵列分布。

4.根据权利要求1所述的一种IGBT元胞结构版图,其特征在于:所述结构底板(1)包括铜基板(13),所述铜基板(13)的正表面镀有钛基层(12),所述钛基层(12)的正表面镀有第一铝基层(11),所述终端区(2)和元胞区(5)均布设在第一铝基层(11)表面。

5.根据权利要求4所述的一种IGBT元胞结构版图,其特征在于:所述铜基板(13)的背表面镀有银基层(14),所述银基层(14)的背表面镀有第二铝基层(15)。

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