1.一种触控功能片的电极排线结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将掩模贴附于基底的中部位置处，以将所述基底分为中央覆盖区及边缘显露区；
采用真空镀膜技术在所述边缘显露区上沉积形成金属薄膜；
去除所述掩膜，所述中央覆盖区上设置有导电膜，对所述导电膜及所述金属薄膜进行激光刻蚀操作，以在所述中央覆盖区形成电极图案结构且在所述边缘显露区形成电极排线结构。
2.根据权利要求1所述的触控功能片的电极排线结构的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为0.03μm～3μm。
3.根据权利要求1所述的触控功能片的电极排线结构的制备方法，其特征在于，所述电极排线结构包括多条导电线路，所述导电线路的线宽为20μm～80μm。
4.根据权利要求1所述的触控功能片的电极排线结构的制备方法，其特征在于，所述基底的材质包括玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、带防眩功能的聚对苯二甲酸乙二醇酯和带防眩功能的玻璃其中至少一种。
5.根据权利要求1所述的触控功能片的电极排线结构的制备方法，其特征在于，当所述掩模材质为硬质板，所述将掩模贴附于基底的中部位置处的操作具体为将双面胶带粘贴在所述基底的中部位置处，将所述硬质板贴附在所述双面胶带上。
6.根据权利要求1所述的触控功能片的电极排线结构的制备方法，其特征在于，当所述掩模为柔性膜，所述将掩模贴附于基底的中部位置处的操作具体为将所述柔性膜贴附于所述基底的中部位置处；其中，所述柔性膜包括带可剥离胶pet膜、带可剥离胶pe膜、带可剥离胶cpp膜、覆硅胶pet膜、覆硅胶pe膜、覆硅胶cpp膜、覆低粘胶pet膜、覆低粘胶pe膜和覆低粘胶cpp膜其中至少一种。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述柔性膜的厚度为10μm～250μm，所述柔性膜的粘度为10g～50g。
8.根据权利要求5或6所述的触控功能片的电极排线结构的制备方法，其特征在于，所述掩模为一体式结构或分体式结构。
9.根据权利要求1所述的触控功能片的电极排线结构的制备方法，其特征在于，所述掩模设置有四个直角，以使形成的所述金属薄膜也具有四个直角，在对所述导电膜及所述金属薄膜进行激光刻蚀操作中，以所述掩模与所述金属薄膜交界的四个直角顶点作为四个标识对位点。
10.一种触控功能片的电极排线结构，其特征在于，由权利要求1～9中任一所述的触控功能片的电极排线结构的制备方法制备得到。