技术特征：
1.一种三维存储器的读取方法，其特征在于，所述三维存储器包括一个或多个存储页，以及分别与所述一个或多个存储页耦合的一个或多个字线，每个存储页包含一个或多个存储单元；所述读取方法包括：在对选定字线的存储单元执行读取操作时，判断所述读取操作是否为第一次读取操作；当所述读取操作为第一次读取操作时，对所述选定字线施加读取电压之前，向所述选定字线施加第一脉冲电压。2.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述判断所述读取操作是否为第一次读取操作，包括：确定前一次对所述三维存储器执行第一操作到对所述三维存储器执行所述读取操作之间的空闲时间；所述第一操作与所述读取操作相同或不同；基于所述空闲时间判断所述读取操作是否为第一次读取操作。3.根据权利要求2所述的读取方法，其特征在于，所述基于所述空闲时间判断所述读取操作是否为第一次读取操作，包括：判断所述空闲时间是否大于或等于第一时间；在判定所述空闲时间大于或等于所述第一时间时，判定所述读取操作为第一读取操作；在判定所述空闲时间小于所述第一时间时，判定所述读取操作不是第一次读取操作。4.根据权利要求3所述的读取方法，其特征在于，所述第一时间为12小时。5.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述判断所述读取操作是否为第一次读取操作，包括：确定前一次对所述三维存储器执行第一操作时施加在所述选定字线的栅极电压；基于所述栅极电压判断所述读取操作是否为第一次读取操作。6.根据权利要求5所述的读取方法，其特征在于，所述基于所述栅极电压判断所述读取操作是否为第一次读取操作，包括：判断所述栅极电压是否为负电压；在所述栅极电压为负电压时，判定所述读取操作为第一读取操作。7.根据权利要求2或5所述的读取方法，其特征在于，所述第一操作包括以下之一：编程或验证或读取。8.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述选定字线的存储单元为三级单元tlc。9.根据权利要求8所述的读取方法，其特征在于，所述选定字线的存储单元包含不同的第一编程态p1、第二编程态p2、第三编程态p3、第四编程态p4、第五编程态p5、第六编程态p6以及第七编程态p7。10.根据权利要求9所述的读取方法，其特征在于，在通过向所述选定字线施加用于读取第一编程态的第一读取电压和向所述选定字线施加用于读取第五编程态的第五读取电压读取所述选定字线的存储单元的逻辑低页时，所述读取方法还包括：在向所述选定字线施加所述第一读取电压与向所述选定字线施加所述第五读取电压之间，向所述选定字线施加所述第一脉冲电压；
其中，所述第一编程态和所述第五编程态为所述tlc中的两个编程态且所述第一编程态对应的阈值电压小于所述第五编程态对应的阈值电压。11.根据权利要求10所述的读取方法，其特征在于，所述第一读取电压为负电压；所述第五读取电压为正电压。12.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述第一脉冲电压大于对选定字线施加的所述读取电压。13.根据权利要求12所述的读取方法，其特征在于，所述第一脉冲电压为2伏；所述读取电压为1.41伏。14.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述第一脉冲电压的持续时间小于用于读取所述选定字线的存储单元任一编程态所需读取电压的持续时间。15.一种三维存储器，其特征在于，包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括一个或多个存储页；每个存储页包含一个或多个存储单元；分别与所述一个或多个存储页耦合的一个或多个字线；以及耦合在所述一个或多个字线上且用于控制所述存储器阵列的外围电路；其中，所述外围电路被配置为：在对选定字线的存储单元执行读取操作时，判断所述读取操作是否为第一次读取操作；当所述读取操作为第一次读取操作时，对所述选定字线施加读取电压之前，向所述选定字线施加第一脉冲电压。16.根据权利要求15所述的三维存储器，其特征在于，所述判断所述读取操作是否为第一次读取操作，包括：确定前一次对所述三维存储器执行第一操作到对所述三维存储器执行所述读取操作之间的空闲时间；所述第一操作与所述读取操作相同或不同；基于所述空闲时间判断所述读取操作是否为第一次读取操作。17.根据权利要求16所述的三维存储器，其特征在于，所述基于所述空闲时间判断所述读取操作是否为第一次读取操作，包括：判断所述空闲时间是否大于或等于第一时间；在判定所述空闲时间大于或等于所述第一时间时，判定所述读取操作为第一读取操作；在判定所述空闲时间小于所述第一时间时，判定所述读取操作不是第一次读取操作。18.根据权利要求15所述的三维存储器，其特征在于，所述判断所述读取操作是否为第一次读取操作，包括：确定前一次对所述三维存储器执行第一操作时施加在所述选定字线的栅极电压；基于所述栅极电压判断所述读取操作是否为第一次读取操作。19.根据权利要求18所述的三维存储器，其特征在于，所述基于所述栅极电压判断所述读取操作是否为第一次读取操作，包括：判断所述栅极电压是否为负电压；在所述栅极电压为负电压时，判定所述读取操作为第一读取操作。20.根据权利要求16或18所述的三维存储器，其特征在于，所述第一操作包括以下之
一：编程或验证或读取。21.根据权利要求15所述的三维存储器，其特征在于，所述选定字线的存储单元为三级单元tlc，其中，存储单元包含不同的第一编程态p1、第二编程态p2、第三编程态p3、第四编程态p4、第五编程态p5、第六编程态p6以及第七编程态p7。22.根据权利要求21所述的三维存储器，其特征在于，在通过向所述选定字线施加用于读取第一编程态的第一读取电压和向所述选定字线施加用于读取第五编程态的第五读取电压读取所述选定字线的存储单元的逻辑低页时，所述外围电路还被配置为：依次向所述选定字线施加所述第一读取电压、向所述选定字线施加所述第一脉冲电压；向所述选定字线施加所述第五读取电压；其中，所述第一编程态和所述第五编程态为所述tlc中的两个编程态且所述第一编程态对应的阈值电压小于所述第五编程态对应的阈值电压。23.根据权利要求15所述的三维存储器，其特征在于，所述存储器阵列为三维nand阵列。24.一种存储器系统，其特征在于，包括三维存储器，其中，所述三维存储器包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括一个或多个存储页；每个存储页包含一个或多个存储单元；分别与所述一个或多个存储页耦合的一个或多个字线；以及耦合在所述一个或多个字线上且用于控制所述存储器阵列的外围电路；其中，所述外围电路被配置为：在对选定字线的存储单元执行读取操作时，判断所述读取操作是否为第一次读取操作；当所述读取操作为第一次读取操作时，对所述选定字线施加读取电压之前，向所述选定字线施加第一脉冲电压；以及耦合到所述三维存储器并且被配置为控制所述三维存储器的存储器控制器。25.根据权利要求24所述的存储器系统，其特征在于，所述选定字线的存储单元为三级单元tlc，其中，存储单元包含不同的第一编程态p1、第二编程态p2、第三编程态p3、第四编程态p4、第五编程态p5、第六编程态p6以及第七编程态p7。26.根据权利要求25所述的存储器系统，其特征在于，在通过向所述选定字线施加用于读取第一编程态的第一读取电压和向所述选定字线施加用于读取第五编程态的第五读取电压读取所述选定字线的存储单元的逻辑低页时，所述外围电路还被配置为：依次向所述选定字线施加所述第一读取电压、向所述选定字线施加所述第一脉冲电压；向所述选定字线施加所述第五读取电压；其中，所述第一编程态和所述第五编程态为所述tlc中的两个编程态且所述第一编程态对应的阈值电压小于所述第五编程态对应的阈值电压。27.根据权利要求24所述的存储器系统，其特征在于，所述存储器系统还包括第一存储器接口和第二存储接口，其中，所述存储器控制器通过所述第一存储接口与所述三维控制器通信；所述存储器控制器通过所述第二存储接口与耦合在所述存储器系统的主机通信。28.根据权利要求24至27任一项所述的存储器系统，其特征在于，所述存储器系统是固态硬盘ssd或存储卡。
技术总结
本发明实施例涉及一种读取方法、三维存储器及存储器系统，其中，在所述三维存储器包括一个或多个存储页，以及分别与所述一个或多个存储页耦合的一个或多个字线；每个存储页包含一个或多个存储单元，所述读取方法包括：在对选定字线的存储单元执行读取操作时，判断所述读取操作是否为第一次读取操作；当所述读取操作为第一次读取操作时，对所述选定字线施加读取电压之前，向所述选定字线施加第一脉冲电压。压。压。
技术研发人员：夏仕钰 许锋 靳磊 李海涛 李楷威 谢学准 程婷
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.12.22
技术公布日：2022/6/28