专利名称：测量杂质浓度的方法及存储杂质浓度测量程序的记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于测量半导体之类器件中杂质浓度的方法以及存储杂质浓度测量程序的记录介质，具体地说，涉及一种可以进行高精度测量的杂质浓度测量方法以及存储杂质浓度测量程序的记录介质。
在测量半导体之类器件表面附近沿深度方向的杂质分布方面，已提出过70多种方法。在这些方法中，SIMS(次级离子质谱测定法)被广泛采用，因为它能以显著的灵敏度获得沿深度方向微量元素的种类及含量信息。SIMS方法的详细介绍可参见文献“SOLID SURFACE ANALYSIS I,pp.196-257,published by KODANSHA,1995”。顺便指出，SIMS方法是一种损害样品的分析方法。
在采用SIMS方法的杂质浓度分析中，向样品中加入主要离子，以便定量分析样品发出的次级离子。由于此原因，即使在样品中杂质是惰性的且其杂质浓度很高的情况下，除了可以分析诸如半导体基片等样品的界面之外，还可以以较高灵敏度分析其内部。SIMS方法具有其它测量方法无可比拟的显著优点。
目前采用的一般非破坏性分析方法包括，利用能量散射的例如RBS(卢瑟福背反射方法)方法，或者基于脉冲CV测量的方法，该方法的基本测量原理是利用作为半导体中特有现象的耗尽层的变化。特别在半导体领域，作为非破坏性分析方法，通过脉冲CV测量来测量载流子浓度分布的方法由于其简单性而被经常采用。
例如，通过计算基于脉冲CV测量的载流子浓度分布的方法，可以测量出根据脉冲CV特性得出的载流子浓度分布，该方法见于文献“E.H.NICOLLIAN and J.R.BREWS,MOS Phisics and Technology,pp.371-422,JOHN WILEY & SONS,Inc.,1982”。
因为脉冲CV测量为非破坏性测量，所以可方便地进行多次。因而，即使测量装置中存在测量波动，也可以通过统计分析方法加以消除。
然而，在采用SIMS方法进行的杂质浓度测量中须产生次级离子，因为其复杂性和多变性使得该过程不能净化。因此，只有经验技术被实际采用。特别地，通常采用最多的是利用标准样品的技术。然而，在这些方法中，根据标准样品的质量、RSF(相对灵敏度因子)的计算方法、以及日误差变化等，会产生十几个百分比的误差。另外，SIMS方法是一种破坏性分析方法，因此不可能通过重复多次测量的统计分析方法来消除RSF波动的影响，因而不能校正杂质浓度。
另一方面，在计算基于脉冲CV测量的载流子浓度分布的方法中，根据向样品施加电压时其耗尽区宽度的变化来计算载流子浓度的分布。因此，当存在多种杂质时，只能测量由所有这些杂质所影响的载流子总量。
当引入高浓度的杂质时，根据脉冲CV测量所获得的载流子浓度的分布范围变窄，这使得不可能获得所引入杂质的整个分布图。而且，在杂质为惰性的情况下，因为惰性杂质不影响电气特性，所以在杂质浓度和载流子浓度之间没有一致性。因此，需要一种能够进行简单的广泛采用的高精度浓度测量的方法。
如前所述，在采用SIMS方法的测量中，如果没有标准样品，就不能定量测量精确的杂质浓度。其原因如下。具体地说，由SIMS方法直接获得的值为每单位时间的离子数量。然而，由于产生该离子的过程没有净化，所以特别须要采用经验方法，例如利用校正曲线并采用标准样品的方法。即使在采用标准样品的情况下，相对灵敏度函数RSF的日误差也很大，因而存在测量波动。另外，由于SIMS方法是一种破坏性分析方法，其测量结果的波动不能通过统计方法加以消除，这使得难于定量地测量杂质。
相应地，为利用SIMS方法测量杂质浓度，需要一种设计为具有确定杂质浓度分布的标准样品。然而，并不是总能得到可用于关键部件的标准样品。即使在存在标准样品的情况下，测量波动也会引起所测杂质浓度的变化。而且，由于SIMS方法是一种破坏性分析方法，难于通过统计方法来消除波动，从而产生如下问题，即不能确定地测量精确的杂质浓度。
在根据脉冲CV测量所得的分布图来计算载流子浓度分布的方法中，当测量区域存在多种杂质，杂质是惰性的，或者杂质浓度很高时，不能测量宽范围区域的精确杂质浓度。
这是由于如下原因。具体地说，当根据脉冲CV测量来计算载流子浓度的分布时，利用了施加电压时其耗尽区宽度的变化。为了使杂质浓度分布与载流子浓度分布相一致，必须使得将作为载流子的杂质与对比杂质是相同的，并且该对比杂质只是与此情况相对应的一种材料。而且，系统中存在的所有杂质必须是活性的。引入高浓度的杂质会限制确保载流子浓度分布的测量精度的范围。例如，基于脉冲CV测量所得的载流子浓度分布的测量范围被限制在较窄区域。其结果是，不能获得所需深度的载流子浓度分布。
因此，如果在需要采用脉冲CV测量来测量载流子浓度分布时引入了多种杂质，则难于单独测量各种杂质的浓度。当引入了高浓度的杂质时，只能测量界面附近的载流子浓度分布。另外，在杂质是惰性的情况下，载流子浓度的分布与杂质浓度的分布不一致。
本发明的目的在于提供一种用于测量杂质浓度的方法以及一种存储有杂质浓度测量程序的记录介质，该方法的特征在于它具有SIMS方法和脉冲CV测量的优点，可以获得宽范围深度的由其电气特性反映的杂质分布。SIMS方法的优点在于，例如，可测深度范围很宽，对应于引入多种杂质的情况，并且能够测量惰性杂质的浓度。脉冲CV测量方法的优点在于，例如可以获得载流子浓度的绝对值等等。
本发明用于测量杂质浓度的方法包括一个测量半导体基片的脉冲CV特性的步骤。接着，由其脉冲CV特性计算该半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布。然后，在测量脉冲CV特性的相同位置处进行半导体器件的SIMS测量，以计算杂质的SIMS分布图。在确保载流子浓度精度的深度范围内，用最小二乘方法对此SIMS分布图进行校正，使得在SIMS分布图中得到的一剂量与从载流子浓度中得到的一剂量相一致。
在本发明中，SIMS分布图的校正利用了根据脉冲CV特性的测量值所计算的载流子浓度分布。这使得可以在宽深度范围内精确测量杂质浓度。
另外，在每次引入杂质时，可以进行如下操作程序，包括SIMS测量，测量脉冲CV特性，利用上次测量结果进行模拟，估算杂质浓度和载流子浓度的分布，比较估算值与实际值，以及计算杂质的所投剂量。在此情况下，即使引入多种杂质，也可以定量地精确测量杂质浓度。
另外，在引入第一种导电型的第一杂质之后，可以引入作为该第一种导电型之反型的第二种导电型的第二杂质。在此情况下，即使以高浓度引入第一杂质，也可以通过所述脉冲CV特性的测量获得宽范围的分布图。
图1为表示本发明各实施例中主要步骤的流程图；图2为表示样品深度与载流子浓度之间关系的曲线图；图3为表示样品深度与杂质浓度之间关系的曲线图；图4为表示等比放大的SIMS分布图的曲线图；图5为表示根据本发明第一实施例的杂质浓度测量方法的流程图；图6A和6B为对应于本发明第二实施例的杂质浓度测量方法的流程图；以及图7为表示根据本发明第三实施例的杂质浓度测量方法的流程图；下面参照附图详细描述根据本发明第一实施例的杂质浓度测量方法。图1为表示本发明各实施例中主要步骤的流程图。在本发明各实施例中，在相同样品的相同位置处进行脉冲CV测量和SIMS测量(步骤S401)。
此时，在脉冲CV测量中，通过采用例如反转分布方法计算载流子浓度的分布图。图2为表示样品深度与载流子浓度之间关系的曲线图，其中纵坐标表示样品深度，横坐标表示载流子浓度。在脉冲CV测量中，得到如图2所示的曲线图。然而，能确保其精度的范围仅在图2中的拐点之间。
在SIMS测量中，在进行所述脉冲CV测量的相同样品的相同位置处进行测量，以计算杂质浓度的分布图。图3为表示样品深度与载流子浓度之间关系的曲线图，其中纵坐标表示样品深度，横坐标表示载流子浓度。在SIMS测量中，得到如图3所示的曲线图。
接下来，在确保载流子浓度精度的深度范围内，用最小二乘方法变换相对灵敏度函数RSF，使得在步骤S401中计算出的载流子浓度中得到的一剂量与也是在401中计算出的杂质浓度的一剂量相一致，并且等比放大各深度处的SIMS分布图(步骤S402)。图4曲线图表示等比放大的SIMS分布图，其中纵坐标表示样品深度，横坐标表示载流子浓度。SIMS分布图的等比放大使得可以获得基于脉冲CV测量的由电气特性反映的杂质浓度分布，如图4所示。
下面说明本发明的第一实施例。图5为表示对应于本发明第一实施例的杂质浓度测量方法的流程图。
在第一实施例中，首先在基片的表面上形成均匀的单一氧化膜(步骤S101)。然后测量该氧化膜的厚度。
接着，通过例如离子注入或固相扩散方法向基片中引入杂质(步骤102)。此时，通过离子注入等方法引入的杂质为惰性的。
然后，通过在氮气氛或类似气氛中进行退火处理使所有引入的杂质活化(步骤S103)。
在此之后，在其氧化膜上淀积一导电层，例如铝层，在后面进行脉冲CV测量时它将作为电极(步骤S104)。
接下来，利用该导电层作为电极测量其脉冲CV特性(步骤S105)。
根据脉冲CV测量所得的脉冲CV特性，计算耗尽区的范围，由此计算沿深度方向的载流子浓度分布(步骤S106)。
在下一步骤中，剥去所述用作电极的导电层例如铝层(步骤S107)。
接下来，在如进行脉冲CV测量的相同位置处进行SIMS测量(步骤S108)。步骤S105至步骤S108对应于图1中所示的步骤S401。
然后，在确保载流子浓度精度的深度范围内，用最小二乘方法计算转换因子，使得在步骤S108中计算出的杂质浓度分布的一剂量值与在步骤S106中计算出的载流子浓度分布的一剂量值相一致，从而校正基于SIMS测量的杂质浓度(步骤S109)。步骤S109对应于图1中所示的步骤S402和S403。
接着，其杂质浓度在步骤S101至步骤S109中获得校正的该样品被用作标准样品，以进行其它样品杂质浓度的SIMS测量(步骤S110)。
在此情况下，象水银校准仪一样，脉冲CV测量装置本身配有内设电极，从而可以省去步骤S104和S107。
在此实施例中，如前所述引入杂质(步骤S102)。然而，在已引入活性杂质的样品中，如果样品在上述一系列步骤中仅被依次处理至步骤S105，也可以测量其杂质浓度。依次此实施例可以用于校正商业上可获得的标准样品的情况。
下面说明本发明的第二实施例。该实施例最好用于引入多种杂质的情况。一般地，当引入多种杂质时，通过通常的脉冲CV测量难于分析其载流子浓度的分布。在第一实施例中，说明了理想样品的杂质浓度测量方法。然而，因为标准样品的脉冲CV测量结果被用于反映其它样品的杂质浓度测量，所以一般说来必须补偿其脉冲CV测量的缺陷。图6A和6B为对应于本发明第二实施例的杂质浓度测量方法的流程图。
在此实施例中，首先当制作普通装置时，以与在制作获得杂质浓度分布所需装置的步骤中引入的杂质种类相同的数量制作附加基片(步骤S201)。须要指出，在这些附加基片上没有形成任何图纹，并且这些附加基片在后面步骤将被分离。
接着，向各基片中引入杂质(步骤S202)。
然后，分离出一个附加基片(步骤S203)。
在下一步中，判断在所分离基片的表面上是否形成有氧化膜(步骤S204)。
若没有氧化膜形成，则在所分离基片的表面形成氧化膜(步骤S205)，然后判断所分离基片中的杂质是否为惰性的(步骤S206)。另一方面，若已形成氧化膜，则判断该基片中的杂质是否为惰性的，而无须形成氧化膜(步骤S206)。
在所分离基片中的杂质为惰性的情况下，通过在氮气氛中进行退火处理或类似处理使该基片中的所有杂质活化(步骤S207)，然后采用带有内设电极的脉冲CV测量装置，例如水银校准仪，来测量其脉冲CV特性(步骤S208)。另一方面，当基片中杂质为活性时，测量其脉冲CV特性，而无须活化杂质(步骤S208)。
接着，根据所分离基片的脉冲CV特性，计算耗尽层的范围，由此计算沿深度方向的载流子浓度分布(步骤S209)。
接着，在进行脉冲CV测量的相同位置处进行SIMS测量(步骤S210)。步骤S208至S210对应于图1中所示的步骤S401。
然后，确定引入杂质的数目(步骤S211)。
当杂质是第一次引入时，在确保载流子浓度精度的深度范围内，用最小二乘方法校正基于SIMS测量的杂质浓度，使得在步骤S210中获得的杂质浓度分布的一剂量值与在步骤S209中获得的载流子浓度分布的一剂量值相一致，其方式同第一实施例(步骤S212)。步骤S212对应于图1中的步骤S402。该校正的分布图被确定为初始数据，在下一次引入杂质之前的诸步骤在于模拟估算下一次引入杂质之前的杂质浓度分布和载流子浓度分布(步骤S215)。
另一方面，如果杂质不是第一次引入，那么将杂质引入前的载流子浓度分布，该分布在上一次引入杂质时根据步骤S215的模拟分析加以估算，与本次杂质引入后在步骤S209中计算出的载流子浓度分布作比较，以计算出所投剂量(步骤S213)。下一步，校正本次SIMS分布的杂质浓度，使得在步骤S210中计算出的本次SIMS分布与上一次SIMS分布之差与在步骤S213中计算出的所投剂量相一致(步骤S214)。然后，以与第一次杂质引入同样的方式，估算下一次杂质引入之前的杂质浓度和载流子浓度的分布(步骤S215)。
在上述步骤之后，判断是否已引入所有杂质(步骤S216)。
若已经引入所有杂质，则结束基片的分离以及杂质分布的分析。另一方面，若尚未引入所有杂质，则向各基片中引入下一种杂质(步骤S202)。然后重复步骤S202至S216，直至全部引入所有杂质。
这些步骤确保能够获得由电气特性反映的杂质分布，如图1中步骤S403所示。
下面说明本发明的第三实施例。此实施例优先用于所引入杂质浓度较高的情况。在此实施例中，所有引入的杂质都将被活化。一般说来，当引入杂质的浓度较高时，根据由脉冲CV测量结果所计算出的载流子浓度分布，难于校正SIMS分布。图7为表示根据本发明第三实施例的杂质浓度测量方法的流程图。
在此实施例中，当制作普通装置时，添加了将在后面步骤中被分离出来且其上不形成任何图纹的附加基片(步骤S301)。
接着，向各基片中引入高浓度的第一种导电型第一杂质A(步骤S302)。
然后，分离出一个附加基片(步骤S303)。
向所分离的基片中引入第二种导电型的第二杂质B(步骤S304)。该第二种导电型为第一种导电型的反型。
接着，判断在所分离基片上是否已形成氧化膜(步骤S305)。
在已形成氧化膜的情况下，在氮气氛中通过退火或类似处理使该基片中的所有杂质A和B活化(步骤S306)。然后采用带有内设电极的脉冲CV测量装置，例如水银校准仪，来测量其脉冲CV特性(步骤S308)。
另一方面，若尚不形成氧化膜，则形成氧化膜，并且使所有杂质A和B活化，其方式与已形成氧化膜的情况相同(步骤S307)。然后测量其脉冲CV特性(步骤S308)。
接着，根据所分离基片的脉冲CV特性，计算耗尽层的范围，由此计算沿深度方向的载流子浓度分布(步骤S309)。
接着，在进行脉冲CV测量的相同位置处进行SIMS测量(步骤S310)。步骤S308至S310对应于图1中所示的步骤S401。
接着，基于产生的SIMS分布图估算载流子浓度的分布(步骤S311)。
然后，在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，用最小二乘方法校正基于SIMS测量的杂质浓度分布图，使得在步骤S311中估算的杂质浓度分布中得到的一剂量与在步骤S309中获得的载流子浓度分布的一剂量相一致(步骤S312)。步骤S312对应于图1中的步骤S402。
这些步骤确保能够获得由电气特性反映的杂质分布，如图1中步骤S403所示。
在此实施例中，在步骤S304引入了与杂质A导电型相反的杂质B。因此，即使杂质A的浓度很高，也可以准确地校正其杂质浓度。
附带指出，在这些实施例中，通过采用其上存储有上述步骤的记录介质，并且采用计算机执行存储在记录介质中的杂质浓度测量程序，也可以测量杂质浓度。
权利要求
1．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤向半导体基片中引入一种杂质；活化该杂质；测量该半导体基片的脉冲CV特性；根据此脉冲CV特性计算所述半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行该半导体基片的SIMS测量，以计算所述杂质的SIMS分布；在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正，使得从所述SIMS分布图中得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致；以及将该半导体基片用作标准样品进行其它样品的SIMS测量。
2．如权利要求1所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述引入杂质的步骤之前，还包括在所述半导体基片上形成氧化膜的步骤。
3．如权利要求2所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述测量脉冲CV特性的步骤之前还包括在所述氧化膜上形成电极的步骤，在所述计算载流子浓度分布的步骤之后还包括去除所述电极的步骤。
4．如权利要求3所述的杂质浓度测量方法，其中，所述测量脉冲CV特性的步骤为利用所述半导体基片的反面和所述电极进行脉冲CV特性的测量。
5．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤将一种杂质引入多个半导体基片中；将另一种杂质引入除一个半导体基片之外的所述多个半导体基片中；重复将还在的其他杂质引入所述半导体的步骤，其中所述半导体中不包括与前面杂质引入步骤数相同数量的半导体基片；当每次引入杂质时，测量所述半导体基片之一的脉冲CV特性；根据此脉冲CV特性计算所述半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行该半导体基片的SIMS测量，以计算所述杂质的SIMS分布；当所述杂质引入是第一次引入时，在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正，使得从SIMS分布图中得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致；对各个步骤进行模拟，直至下一次引入杂质，以估算下一次杂质引入前的载流子浓度分布；当所述杂质引入不是第一次引入时，将上次杂质引入结束后估算的载流子浓度分布与本次杂质引入结束后的载流子浓度分布实际值加以比较；根据所述比较结果计算本次所引入杂质的剂量；用最小二乘方法校正所述SIMS分布，使得其所投剂量与该计算出的剂量一致；以及对各个步骤进行模拟，直至下一次引入杂质，以估算下一次杂质引入前的载流子浓度分布。
6．如权利要求5所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述引入杂质的步骤之后，还包括在所述半导体基片上形成氧化膜的步骤。
7．如权利要求5所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述引入杂质的步骤之后，还包括使所述杂质活化的步骤。
8．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤向一个第一半导体基片和一个第二半导体基片中引入第一种导电型的第一杂质；向所述第一半导体基片中引入第二种导电型的第二杂质，第二种导电型为所述第一种导电型的反型；测量所述第一半导体基片的脉冲CV特性；根据此脉冲CV特性计算所述第一半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行该第一半导体基片的SIMS测量，以计算所述第一和第二杂质的SIMS分布；根据所述第一和第二杂质的SIMS分布，估算所述第一半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；以及在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，用最小二乘方法校正所述SIMS分布，使得由所述脉冲CV特性获得的该载流子浓度分布的一剂量与从所估算的载流子浓度分布中得到的一剂量相一致。
9．如权利要求8所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述引入第二杂质的步骤之后，还包括在所述第一半导体基片上形成氧化膜的步骤。
10．如权利要求8所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述引入第二杂质的步骤之后，还包括使所述第一和第二杂质活化的步骤。
11．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤测量一个半导体基片的脉冲CV特性；根据此脉冲CV特性计算所述半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行该半导体基片的SIMS测量，以计算杂质的SIMS分布；以及在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正，使得从SIMS分布图中得到的一剂量与从所述载流子浓度分布中得到的一剂量相一致。
12．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤测量一个半导体基片的脉冲CV特性；根据此脉冲CV特性计算所述半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行该半导体基片的SIMS测量，以计算杂质的SIMS分布；在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正，使得从SIMS分布图中得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致；对各个步骤进行模拟，直至下一次引入杂质，以估算下一次杂质引入前的载流子浓度分布；向所述半导体基片中引入杂质；将上次杂质引入结束后所估算的载流子浓度分布与本次杂质引入结束后的载流子浓度分布实际值加以比较；根据所述比较结果计算本次所引入杂质的剂量；校正所述SIMS分布，使得其所投剂量与该计算出的剂量一致；以及对各个步骤进行模拟，直至下一次引入杂质，以估算下一次杂质引入前的载流子浓度分布。
13．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤在一个基片表面上形成均匀的氧化膜；向所述基片中引入作为待测量物体的唯一杂质；使该杂质全部活化；在所述基片上淀积一电极材料以形成电极，从而制得MOS结构；通过利用该基片的反面和所述电极，测量该基片的脉冲CV特性；根据此脉冲CV特性计算所述基片沿深度方向的载流子浓度分布；剥去所述电极；在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行所述基片的SIMS测量；使得由该SIMS测量所得的SIMS分布与所述的载流子浓度分布相一致，从而校正标准样品的杂质浓度；以及通过将所述基片用作标准样品对需测量物体进行SIMS测量，该标准样品用于下一次及其后的SIMS测量。
14．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤在程序开始时，以与杂质引入次数相同的数目添加其上不形成任何图纹的基片，使得每次引入杂质时可以分离出一个基片；在每次引入杂质时分离出一个选自所述诸附加基片的基片；当所述分离基片上不存在氧化膜时，在该分离基片上形成氧化膜；当所述杂质为惰性时，使所述分离基片中的杂质活化；通过采用带有内设电极的脉冲CV测量装置，对所述分离基片进行脉冲CV测量；根据此脉冲CV特性计算载流子浓度分布；在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行SIMS测量；当所述杂质引入是第一次引入时，校正由所述SIMS测量所得的杂质浓度，使得该杂质浓度与所计算出的载流子浓度分布相一致；对各个步骤进行模拟，直至下一次引入杂质，以估算载流子浓度分布；将杂质引入之前所估算的载流子浓度分布与本次杂质引入结束后的所述载流子浓度分布的实际值加以比较，以计算自第二次杂质引入之后的本次引入杂质的剂量；确定杂质浓度，使得由所述SIMS测量所得分布的剂量与该计算出的剂量一致；以及对各个步骤进行模拟，直至下一次引入杂质，以估算杂质分布。
15．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤制备一个基片，其上不形成任何图纹，使得在引入一种第一杂质结束之后可以进行基片的分离；在引入所述第一杂质之后，分离该基片；向所述分离基片中引入一种第二杂质，该第二杂质为所述第一杂质的反型；当已引入第二杂质的所述基片上不存在氧化膜时，在其上形成氧化膜；当所述第一和第二杂质为惰性时，使所述分离基片中的第一和第二杂质活化；通过采用带有内设电极的脉冲CV测量装置，测量所述分离基片的脉冲CV特性；根据此脉冲CV特性计算载流子浓度分布；在测量所述脉冲CV特性的相同位置处对所述第一杂质以及第二杂质的离子进行SIMS测量；将所述第一和第二杂质的SIMS分布加以综合，以估算沿深度方向的载流子浓度分布；以及在确保所述载流子浓度的精确的范围内，用最小二乘方法确定SIMS的杂质浓度，使得由所述载流子浓度分布得到的一剂量与根据所述SIMS测量所估算出的载流子浓度估算分布得到的一剂量相一致。
16．一种用于存储杂质浓度测量程序的记录介质，其中记录有如权利要求1至15任一所述的杂质浓度测量方法的程序。
全文摘要
在半导体基片的相同位置处进行脉冲CV特性的测量和SIMS测量。对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正,使得从SIMS分布图得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致;在引入多种杂质的情况下,进行脉冲CV测量和SIMS测量,根据每次引入杂质时的模拟分析,估算杂质浓度分布和载流子浓度分布。当引入的杂质浓度较高时,引入其导电型与前面杂质导电型相反的杂质。
文档编号G06F17/00GK1223467SQ9812493
公开日1999年7月21日 申请日期1998年11月17日 优先权日1998年11月17日
发明者庄俊之 申请人:日本电气株式会社