触摸感测系统的制作方法_3

文档序号:8361066阅读:来源:国知局
)形成在第二钝化层PAC上。第一透明电极图案包括像素电极PXL和传感器信号线SL的透明电极图案。像素电极PXL通过穿过第一钝化层PASl和第二钝化层PAC的第一接触孔Hl连接到像素TFT Tl的源极 SE1。
[0054]传感器信号线SL包括透明电极图案和形成于透明电极图案上的第三金属图案M3。传感器信号线SL的透明电极图案通过穿过第一钝化层PASl的第三接触孔H3连接至传感器TFT T2的漏极DE2。
[0055]传感器信号线SL是使用第三金属图案M3形成的。第三金属图案M3连接到位于第三金属图案M3下方的透明电极图案。位于第三金属图案M3下方的透明电极图案形成了分段电极Cl至Cn。第三金属图案M3是由电阻低于透明电极图案的金属制成的,可以减小传感器信号线SL的电阻。
[0056]第三钝化层PAS2由绝缘材料制成,如氮化硅(SiNx),并覆盖第一透明电极图案和第二钝化层PAC。第四金属图案M4形成在第三钝化层PAS2上并且连接到传感器TFT T2的栅极。
[0057]传感器使能线TEL可以使用第四金属图案M4来形成。第四金属图案M4可以由电阻低于透明电极图案的金属制成。第四金属图案M4与传感器TFT T2的栅极结合在一起。
[0058]第二透明电极图案使用透明导电材料诸如铟锡氧化物(ITO)形成在第三钝化层PAS2上。第二透明电极图案形成在第四金属图案M4并接触第四金属图案M4。第二透明电极图案包括覆盖第四金属图案M4的透明电极图案和公共电压Vcom被施加到的像素的公共电极C0M(即分段电极SI到Sn)。公共电极C0M(即分段电极SI至Sn)通过穿过第三钝化层PAS2和第一钝化层PASl的第二接触孔H2连接至传感器TFT T2的源极SE2。
[0059]如上所述,本发明的实施方式将传感器TFT连接到分段电极,同时通过传感器使能线将传感器选通脉冲施加给多个传感器TFT的栅极,并通过连接到分段电极的传感器信号线来施加感测脉冲。结果是,本发明的实施方式可减少连接到自电容传感器的行数并充分地确保感测时间。
[0060]虽然已参照多个示例性实施方式进行了描述,但是应当理解的是,本领域的技术人员能够想到许多也落入本公开的原理的范围内的其他修改和实施方式。更具体地,在公开、附图和所附权利要求的范围内可以对主题组合布置的构成部件和/或布置进行各种改变和变型。除了构成部件和/或布置的改变和变型之外,本领域技术人员还会想到其他的用途。
【主权项】
1.一种触摸感测系统,该触摸感测系统包括: 多个传感器信号线,其连接到多个分段电极; 多个传感器使能线,其被施加了传感器使能脉冲; 多个传感器薄膜晶体管TFT,其响应于所述传感器使能脉冲而导通,并将来自所述传感器信号线的感测脉冲提供到所述分段电极;以及 触摸感测电路,其被构造成将所述传感器使能脉冲施加至所述传感器使能线,同时导通两个或更多个传感器TFT,并将所述感测脉冲施加至所述传感器信号线。
2.根据权利要求1所述的触摸感测系统,其中,所述分段电极是利用通过对用于向像素提供公共电压的公共电极进行分割而获得的图案来形成的。
3.根据权利要求2所述的触摸感测系统,其中,所述传感器TFT的每个都连接到显示输入图像的所述像素, 其中,每个像素都包括: 所述分段电极; 像素电极,其被施加了所述输入图像的数据电压;和 像素TFT,其被构造成响应于来自选通线的选通脉冲将来自数据线的所述数据电压提供至所述像素电极。
4.根据权利要求3所述的触摸感测系统,其中,每个传感器TFT都包括连接到所述传感器使能线的栅极、连接到所述传感器信号线的漏极和连接到所述分段电极的源极, 其中,所述像素TFT包括连接到所述选通线的栅极、连接到所述数据线的漏极和连接到所述像素电极的源极。
5.根据权利要求4所述的触摸感测系统,其中,所述传感器使能脉冲的宽度大于所述选通脉冲的宽度。
6.根据权利要求5所述的触摸感测系统,其中,所述传感器TFT和所述像素TFT中的至少一方是氧化物TFT, 其中,所述传感器TFT是顶栅结构的TFT, 其中,所述像素TFT是底栅结构的TFT。
7.根据权利要求5所述的触摸感测系统,其中,一个帧时段被时分为显示驱动时段和触摸感测时段,在所述显示驱动时段期间,所述公共电压被提供到所述分段电极而所述输入图像的数据被施加至所述像素,在所述触摸感测时段期间,所述感测脉冲被提供到所述分段电极并对触摸输入进行感测, 其中,所述传感器TFT在所述触摸感测时段期间导通并在所述显示驱动时段期间保持在截止状态, 其中,所述像素TFT在所述显示驱动时段期间导通并在所述触摸感测时段期间保持在截止状态。
8.根据权利要求7所述的触摸感测系统,其中,在所述显示驱动时段期间,所述公共电压被提供至所述传感器信号线, 其中,在所述触摸感测时段期间,所述感测脉冲被提供至所述传感器信号线。
9.根据权利要求2至7中任一项所述的触摸感测系统,其中,所述感测脉冲在大于所述公共电压的电压与小于所述公共电压的电压之间摆动。
10.根据权利要求2至7中任一项所述的触摸感测系统,其中,所述感测脉冲的电压低于所述公共电压。
11.根据权利要求4所述的触摸感测系统,其中,所述传感器使能线与所述选通线交叠, 其中,所述传感器信号线与所述数据线交叠。
12.根据权利要求4所述的触摸感测系统,该触摸感测系统还包括: 形成在基板上的第一金属图案; 形成在所述基板上并覆盖所述第一金属图案的栅绝缘层; 所述像素TFT和所述传感器TFT的半导体图案,其形成在所述栅绝缘层上,使得所述半导体图案与所述像素TFT的栅极和所述传感器TFT的栅极相交叠; 形成在所述半导体图案的沟道部分中的蚀刻阻挡件; 形成在所述栅绝缘层上以覆盖所述半导体图案的第二金属图案; 被构成为覆盖所述半导体图案和所述第二金属图案的第一钝化层; 被构造成覆盖所述第一钝化层的第二钝化层; 形成在所述第二钝化层上的第一透明电极图案; 被构造成覆盖所述第一透明电极图案和所述第二钝化层的第三钝化层; 形成在所述第三钝化层上并连接至所述传感器TFT的栅极的第四金属图案;以及 与所述第四金属图案相接触并形成在所述第三钝化层上的第二透明电极图案, 其中,所述第一金属图案包括所述选通线、连接到所述选通线的所述像素TFT的栅极和所述传感器TFT的遮光图案, 其中,所述第二金属图案包括所述数据线、连接到所述数据线的所述像素TFT的漏极、所述像素TFT的源极、所述传感器TFT的漏极和所述传感器TFT的源极, 其中,所述第一透明电极图案包括所述像素电极和所述传感器信号线的透明电极图案, 其中,所述第二透明电极图案包括所述分段电极和覆盖所述第四金属图案的透明电极图案。
13.根据权利要求12所述的触摸感测系统,其中,所述传感器信号线包括所述第一透明电极图案的一部分和形成在所述第一透明电极图案上的第三金属图案, 其中,所述第四金属图案包括所述传感器使能线。
14.根据权利要求13所述的触摸感测系统,其中,所述像素电极通过穿过所述第一钝化层和所述第二钝化层的第一接触孔连接到所述像素TFT的所述源极, 其中,所述分段电极通过穿过所述第三钝化层和所述第一钝化层的第二接触孔连接到所述传感器TFT的所述源极, 其中,所述传感器信号线的所述透明电极图案通过穿过所述第一钝化层的第三接触孔连接到所述传感器TFT的所述漏极。
【专利摘要】触摸感测系统。本发明讨论了触摸感测系统。该触摸感测系统包括:传感器信号线,其连接到分段电极;传感器使能线,其被施加了传感器使能脉冲;传感器薄膜晶体管(TFT),其响应于所述传感器使能脉冲而导通,并将来自所述传感器信号线的感测脉冲提供到所述分段电极;和触摸感测电路,其被构造成将所述传感器使能脉冲施加至所述传感器使能线,同时导通两个或更多个传感器TFT,并将所述感测脉冲施加至所述传感器信号线。
【IPC分类】G06F3-044
【公开号】CN104679365
【申请号】CN201410406395
【发明人】金周汉, 金承谦
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年8月18日
【公告号】US20150153858
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