触控传感器的跨接线、制造方法及电容式触控面板的制作方法_2

文档序号:9374944阅读:来源:国知局
请一并参阅第I图和第2图,第I图显示为根据本发明之一实施例,具有本发明之跨接线构造的电容式触控面板的平面构造图;第2图为第I图在I1-1I位置的构造断面图。如第I图所示,具有本发明之跨接线40的触控面板包含:设置于第一方向(例如X轴方向)的一第一方向电极10和设置于第二方向(例如Y轴方向)的一第二方向电极20、一电绝缘层30、一跨接线40、一基板50、一第一方向周边线路11、一第二方向周边线路21、一控制器C。
[0032]基板50具有透光之性质,且是用以支撑设置于第一方向电极10、第二方向电极20与跨接线40于基板50之同一侧。另外,基板50可为触控面板的盖板,其相对设置有第一方向电极10、第二方向电极20的另一表面可作为使用者触碰感测面。基板50通常是使用下列透光材料其中的任一种制作,所述透光材料包括,玻璃(Glass)、聚碳酸脂(polycarbonate, PC)、聚对苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate, PET)、聚甲基丙烯酸甲脂(polymethylmesacrylate, PMMA)、聚讽(Polysulfone, PES)以及环烯共聚物(cyclic olefin copolymer)。在本发明的一实施例中,基板50为一玻璃平板或塑料平板。
[0033]第一方向电极10和第二方向电极20是经配置以感测施加于基板12之触控信号,且第一方向电极10通过与第一方向周边线路11电性连接,第二方向电极20通过与第二方向周边线路21电性连接,将所感测到的触控信号传输至一控制器C。在本实施例中,第一方向电极10和第二方向电极20设置于基板50的第一表面51并且互相交错。其中第一方向电极10包括:在第一方向相互间隔排列的复数个第一传感器12,连接第一方向上相邻之该第一传感器12的一第一导线13 ;第二方向电极20包括:在第二方向相互间隔排列的复数个第二传感器22,其中第二方向电极20的任二个相邻的第二传感器22分别位于第一方向电极10其中的一第一导线13的两侧。又,一电绝缘层30至少覆盖于该第一导线13上,第二方向电极20与第一导线13彼此之间以电绝缘层30电性绝缘,从而避免第二方向电极20与第一方向电极10之间发生短路。且覆盖于第一导线13上的电绝缘层30由于其本身的厚度与第二传感器22之间构成一爬坡部31。
[0034]跨接线40覆盖于该电绝缘层30上,具体而言,跨接线40是跨越间隔在第二方向上相邻的二个第二传感器22之间的该电绝缘层30,并且电性连接二个该第二传感器22。该跨接线40与该第一导线13彼此形成交错,并透过电绝缘层30相互电性绝缘。第一传感器12和第二传感器22是用以感测所施加之触控信号,而第一导线13和跨接线40则用以传输所感测到的触控信号。
[0035]在本发明之一实施例中,第一传感器12、第二传感器22与第一导线13的材料可包括各种透明导电材料,例如,氧化铟锡(indium tin oxide ;ΙΤ0)、氧化铟锌(indiumzinc oxide ;IZ0)、氧化镉锡(cadmium tin oxide ;CT0)、氧化招锋(aluminum zinc oxide ;AZO)、氧化铟锋锡(indium tin zinc oxide ;ITZ0)、氧化锋(zinc oxide)、氧化镉(cadmiumoxide)、氧化給(hafnium oxide ;Hf0) > 氧化铟嫁锋(indium gallium zinc oxide ;InGaZnO)、氧化铟嫁锋续(indium gallium zincmagnesium oxide ;InGaZnMgO)、氧化铟嫁续(indium gallium magnesium oxide ;InGaMgO)或氧化铟嫁招(indium gallium aluminumoxide ; InGaAlO)。此外,第一传感器12、第二传感器22与第一导线13的材料亦可包括奈米金属材料、金属网格(metal mesh)等,奈米金属材料例如奈米银线、奈米铜线、奈米碳管等。第一导线13的材料还可包含不透明导电材料例如为金属。
[0036]本发明提出的跨接线40的构造包括:透明并具有导电性的一第一跨接部41和金属材质的一第二跨接部42,该第一跨接部41覆盖于该电绝缘层30,且该第一跨接部41于基板50上的垂直投影的长度比该电绝缘层30于基板50上的垂直投影的长度短。一般的,一个第一跨接部41至少对应两个第二跨接部42,该第一跨接部41的两端分别电性连接于各该第二跨接部42。具体的,各第二跨接部42的一端电性连接于该第一跨接部41的一端,第二跨接部42跨越该电绝缘层30的爬坡部31,并且第二跨接部42的另一端电性连接于相邻的该第二传感器22。
[0037]第一跨接部41是采用透明的导电材质制作,所述透明的导电材料包括:氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镉锡(CTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(ITZO)、氧化锌(zincoxide)、氧化镉(cadmium oxide)、氧化給(hafnium oxide, HfO)、石墨烯(Graphene)、奈米银线(Ag nanowire)以及奈米碳管(Carbon nanotubes, CNT)其中的任一种。该第二跨接部42由金属材料制作,所述的金属材料包含:钥、金、银、铜和铝其中之任一种,但不限定于此。由于金属材质的该第二跨接部42在物理性质方面会较使用透明的导材料制作的第一跨接部41强韧,藉此可有效改善ITO材质之跨接线需跨越电绝缘层的高度,而由于其物理性质脆弱导致在爬坡部31处易断裂破损的问题,使得跨接线40能顺利跨越爬坡部31而与第二传感器22电性连接。另一方面,通常,为了降低透明导电材料的第一跨接部41的阻抗,同时降低金属材质的第二跨接部42的可见度,金属材质的该第二跨接部42的宽度比第一跨接部41更小,较佳的第一跨接部41宽度至少是第二跨接部42的宽度的10倍以上,因此可以有效避免先前技术采用ITO制作的跨接线的宽度较宽(一般是金属跨接线之宽度的10倍以上),导致顺着ITO跨接线的方向目视时,在某一个比较低的角度范围上,ITO跨接线在爬坡部位置比较亮,而产生ITO跨接线可见的问题。
[0038]在本发明一较佳实施例中,第二跨接部42可采用金属氧化材质或者低反射率的金属材质(例如铝、铬和氧化铬,但不限定于此)来降低第二跨接部42的光反射率,藉此能更加有效的改善第二跨接部42的可视问题。
[0039]请参阅第3图,为本发明跨接线之构造的电容式触控面板的另一种实施例的构造断面图。本实施例的大致结构及连接关系与第2图所示的实施例相同,不同之处在于,于本实施例中,该第二跨接部42具有多层金属材质堆栈结构,且该第二跨接部42的表面至少具有一抗反射层420,抗反射层420的材料可采用低反射率金属材质(例如铝、铬和氧化铬)和金属氧化材质或者其中的任一种方式实现,藉此,具有降低第二跨接部42的光反射率,避免第二跨接部42出现可见问题。
[0040]请参阅第4图,为本发明跨接线之构造的电容式触控面板的另一种较佳实施例的构造断面图。于该实施例中,第二跨接部42具有三层金属材质,分别为第一层421的钥(Mo)、第二层422的铝(Al)以及第三层423的钥(Mo),第一层421为第二跨接部42的表面,第二层422介于第一层421和第三层
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