423之间。此外,在本发明的另一种实施例中，具有多层金属材质的第二跨接部42的其中至少一层为金属氧化层，一种较佳实施方式其中的第一层421是为金属氧化层(例如以氧化钥制作第一层421)，藉此，不但具有降低第二跨接部42的光反射率，避免第二跨接部42出现可见问题的功效，且第二层422还可以由第一层421和第三层423提供保护，具有良好的导电率以及较低的阻抗。
[0041]请参阅第5图，为本发明跨接线之构造的电容式触控面板的又一种实施例平面构造图，本实施例的大致结构及连接关系与第I图所示的实施例相同，不同之处在于，于本实施例中，跨接线40的构造包括:一第一跨接部41和数个第二跨接部42a和42b电性连接于该第一跨接部41的其中至少一端，第5图中仅以第一跨接部41的两端分别电性连接于两个第二跨接部以示说明，但并不以此为限。该些第二跨接部42a和42b的一端电性连接该第一跨接部41，该些第二跨接部42a和42b的另一端电性连接相邻的该第二传感器22，任二相邻的该些第二跨接部42a和42b间隔排列；由于具有数个第二跨接部42a和42b，且均为金属材质，因此不仅能大大改善现有采用ITO材质之跨接线在爬坡部的位置容易断裂的问题，还能取到双重保障的作用，倘若其中一个跨接部断裂，还能藉由其他的跨接部进行导通。因而跨接线42能与第二传感器22良好的电性连接，制程良率及触控面板可靠度也大大提升。而且，金属材质的该些第二跨接部42a和42b的宽度比第一跨接部41更小，较佳的第一跨接部41宽度至少是第二跨接部42的宽度的10倍以上，因此也可以有效避免如上文所述的ITO跨接线可见的问题。第二跨接部42a和42b亦可为多层金属材质堆栈结构，且可透过如上文所述的采用低反射率金属材质和金属氧化材质或者其中的任一种方式实现，详细可参照上文描述，在此不再赘述。
[0042]请参阅第6图，为具有前述本发明提出之跨接线的电容式触控面板的一种制造方法的步骤流程图，包括下列步骤:
[0043]于步骤A中(请同时参照第8A图)，在透明基板50的第一表面51以第一次制程(例如溅镀和光刻制程)形成第一方向电极10和第二方向电极20 (其堆栈结构请见第8A图)，第一方向电极10包含:在第一方向相互间隔排列的数个第一传感器12 (该部件的位置可参考第I图)、和电性连接在第一方向相邻之该第一传感器12的第一导线13，其中第二方向电极20包含在第二方向相互间隔排列的数个第二传感器22，其中第二方向电极20的任二个相邻的第二传感器22分别位于第一方向电极I的第一导线13的两侧；其中用于形成第一方向电极10和第二方向电极20的第一次制程可视第一方向电极10和第二方向电极20采用的材料而定，一般而言包含溅镀和光刻制程和印刷制程其中的任一种。且，该第一制程可以是一个步骤完成，也可以是分步骤完成。例如可以是第一方向电极10与第二方向电极20于不同的步骤完成，更进一步的，第一方向电极10中第一传感器12和第一道线13也可以于不同的步骤中完成，但本发明并不以此为限；
[0044]于步骤B中(请同时参照第SB图)，以第二次制程(例如溅镀和光刻制程或点胶的方式)形成电绝缘层30 (其堆栈结构请见第SB图)，电绝缘层30可选自光阻材料，包括正光阻材料与负光阻材料，例如是聚酰亚胺(polyimide ；PI),也可由其他透明电绝缘材料制造，所述的透明电绝缘材料包含氧化硅Si02和其他等效材料，但本发明并不以此为限。该电绝缘层30至少覆盖该第一导线13，并使该第二方向电极20的该第二传感器22的接触端221外露，该电绝缘层30在该第二方向的两端分别邻近该第二传感器22的位置由于其本身的厚度与第二传感器之间构成一爬坡部31，爬坡部31是一种斜面并且和基板50的第一表面51之间具有一夹角；以及
[0045]于步骤C中(请同时参照第8C-8D图)，在该电绝缘层30上方形成一跨接线40，该跨接线40包含透明并具有导电性的一第一跨接部41和金属材质的一第二跨接部42，该第一跨接部42覆盖于该电绝缘层30，该第一跨接部41在该第二方向的两端与该电绝缘层30之两端的爬坡部31之间具有一间隙43，该第二跨接部42形成于该间隙43的位置，各第二跨接部42的一端电性连接于第一跨接部41的一端，且该第二跨接部42跨越该电绝缘层30的该爬坡部31，该第二跨接部42的另一端电性连接于相邻的该第二传感器22。请参阅第7图绘示的步骤流程图，步骤C用于形成本发明之跨接线40的一实施例包括下列步骤:
[0046]前述步骤C用于形成本发明之跨接线40的一实施例，请参阅第7图绘示的步骤流程图，包括下列步骤:
[0047]首先，于步骤Cl中，以第三次制程(例如溅镀和光刻制程)在该电绝缘层30上方形成该第一跨接部41 (其堆栈结构请见第SC图)，该第一跨接部41在该第二方向的两端与该电绝缘层30之两端的爬坡部31之间具有一间隙43 ;以及
[0048]然后，于步骤C2中，以第四次制程(例如溅镀制程)在该第一跨接部41与该电绝缘层30之两端的爬坡部31之间的该间隙43处形成金属材质的该第二跨接部42(其堆栈结构请见第8D图)，该第二跨接部42分别与该第一跨接部41和相邻的该第二传感器22电性连接，该第二跨接部42分别在该第一跨接部41的两端通过该电绝缘层30的该爬坡部31并且电性连接于二个相邻的该第二传感器22。
[0049]在本发明方法的一实施例中，包括:在以第四次制程形成金属材质的该第二跨接部42的同时形成用于电性连接第一方向电极10的第一方向外围线路(未绘示)，以及用于电性连接第二方向电极20的第二方向外围线路(未绘示)；因此本发明方法可以在既有制程下，只是通过改进跨接线的构造就能达到避免跨接线断裂，提升制程良率。
[0050]请参阅第9图，在本发明方法的一实施例还包括一形成保护层60的步骤D.，是以一第五次制程形成一保护层60 (passivat1n layer)覆盖于该第一方向电极10 (其堆栈结构请见第SE图)、该第二方向电极20和该跨接线40的表面，该保护层60是为一种透明绝缘材料，所述的透明绝缘材料包含氧化硅Si02和其他等效材料，用于保护该第一方向电极
10、该第二方向电极20和该跨接线40。
[0051]在本发明方法的一实施例中，其中形成金属材质的该第二跨接部的一种实施方式，包括:使用低反射率的金属材质(例如铝、铬和氧化铬)形成该第二跨接部，具有降低第二跨接部的光反射率，避免第二跨接部出现可见问题的功效。
[0052]在本发明方法的一实施例中，其中形成金属氧化材质的该第二跨接部42的一种实施方式可包括:在形成第二跨接部42的制程中透过控制氧气量的方式形成一种金属氧化材质的该第二跨接部42，例如在溅镀制程中加大通入氧气量，令金属材料与氧气反应生成对应的金属氧化材质；透过金属氧化材质的第二跨接部42降低光反射率，避免第二跨接部42出现可见的问题。但本发明并不以此为限。
[0053]在本发明方法的一实施例中，其中形成金属材质的该第二跨接部42的一种实施方式，包括:形成一种具有多层金属材质的该第二跨接部42，并形成至少一抗反射层于该第二跨接部42的表面，抗反射层的实施方式可以透过采用低反射率金属材质和金属氧化材质其中的任一种方式实现，具有降低第二跨接部42的光反射率，避免第二跨接部42出现可见问题的功效。
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