性剂，其性质稳定，具有分散、乳化、润湿等多种性能，是悬浮液获得优异性能最主要的成分；甘油比重合适，与水和有机溶液都有很好的溶解性，作为辅助分散剂非常适合；聚丙二醇400具有乳化、润湿的作用，并且可以有效增稠，有效提升悬浮液的黏度和界面膜性质。另外，抛光液中含有适量的纳米S12,粒度均匀、分散性好、平坦化效率高。碱性溶液KOH使得抛光液为碱性，通过化学腐蚀辅助抛光，从而抛光效果更好，抛光效率更好。为了保持抛光液的稳定性，从而保证抛光的效率和质量，必须不断地补充碱性溶液，维持抛光液PH值基本不变。
[0019](4)本发明的指纹识别面板制备方法，通过涂刷三层油墨然后烘干，使得晶片的边缘不透光，可以有效地防止光线从晶片的侧面进入，对成像造成影响。
[0020](5)本发明的指纹识别面板采用蓝宝石为基材制成，由于蓝宝石硬度高，耐磨性好，使得触屏面板不易磨损和划伤；蓝宝石C向介电常数为11.4，而A向和M向均为9.4，本发明晶体生长时采用C向籽晶，保证了指纹识别面板对介电常数的要求。通过本发明的蓝宝石指纹识别面板制备方法制成的指纹识别面板，光洁度高，且成片质量高，废品率低，生产效率高，应用前景广阔。
【具体实施方式】
[0021]实施例1
本实施例的蓝宝石指纹识别面板制备方法具体包括如下步骤:
步骤一、晶体生长；在晶体生长炉的坩祸内装入纯净的Al2O3原料，所述坩祸上方设有可旋转和升降的提拉杆，提拉杆的下端夹设有C晶向的籽晶；将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体，升温至2200°C，使得Al2O3熔融，控制熔体的液面温度为2055°C，将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触，持续Ih ;待籽晶与熔体充分沾润后，提拉并转动籽晶，从而实现缩颈一扩肩一等径生长；缩颈阶段，控制熔体的液面温度为2050°C，以5mm/h的速度向上提拉籽晶，以48r/min的速度转动籽晶；扩肩阶段，控制熔体的液面温度为2048°C，以10mm/h的速度向上提拉籽晶，以55r/min的速度转动籽晶；等径阶段，控制熔体的液面温度为2052°C，以8mm/h的速度向上提拉籽晶，以50r/min的速度转动籽晶；待晶体生长结束后，将晶体生长炉内的温度降至1680°C，再对晶体进行退火处理，控制温度以100°C /h的速度缓慢降温并持续22h，从而得到晶体；
步骤二、晶体开方；对晶体进行定向，然后使用开方机进行开方，从而得到C向晶块； 步骤三、晶体切割；采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割，从而得到晶片；
步骤四、激光取片；将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体，将晶片按需求切割成相应大小；
步骤五、研磨；采用研磨机对晶片进行研磨；研磨时，加入研磨液，研磨盘对晶片加压至0.02Mpa，研磨盘的转速为1000rpm/min ;研磨完成后用无水乙醇清洗；所述研磨液组分包括:0.5%的颗粒大小为10 μm的立方氮化硼粉末，14%的烷基酚聚氧乙烯醚，4%的甘油，9%的聚丙二醇400，其余为去离子水；
步骤六、倒角；采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理；
步骤七、退火；将晶片放入退火炉内，以220°C /h的速度进行升温将温度升至1600°C，升温时在300 °C、800 °C、1600 °C分别保温6h，然后以200 °C的温度进行降温，降温时在1000°C、500°C分别保温3h冷却至室温取出；
步骤八、双面化学抛光；先用无水乙醇对晶片进行清洗，然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定；抛光时，加入抛光液，抛光盘对晶片加压至0.15 Mpa，抛光盘的转速为1500rpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后，在室温下进行自然冷却；所述抛光液组分包括:2%的颗粒大小为6 μπι的立方氮化硼粉末，16%的烷基酚聚氧乙烯醚，6%的甘油，11%的聚丙二醇400，2%的纳米二氧化硅，使得抛光液PH值为13.0的碱性溶液，其余为去离子水；抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值；
步骤九、镀超硬膜；采用磁控溅射镀膜机，将氮气电离成氮离子，再用氮离子轰击硅靶材，在晶片表面形成氮化硅镀层；
步骤十、涂油墨；将镀膜后的晶片盖上镂空板，在晶片的边缘处刷涂油墨且重复刷涂三层；
步骤十一、热烘；将涂完油墨的晶片放入热烘机中热烘3h后，空冷至室温。
[0022]实施例2
本实施例的蓝宝石指纹识别面板制备方法具体包括如下步骤:
步骤一、晶体生长；在晶体生长炉的坩祸内装入纯净的Al2O3原料，所述坩祸上方设有可旋转和升降的提拉杆，提拉杆的下端夹设有C晶向的籽晶；将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体，升温至2100°C，使得Al2O3熔融，控制熔体的液面温度为2055°C，将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触，持续0.5h ;待籽晶与熔体充分沾润后，提拉并转动籽晶，从而实现缩颈一扩肩一等径生长；缩颈阶段，控制熔体的液面温度为2050°C，以3mm/h的速度向上提拉籽晶，以45r/min的速度转动籽晶；扩肩阶段，控制熔体的液面温度为2048°C，以8mm/h的速度向上提拉籽晶，以50r/min的速度转动籽晶；等径阶段，控制熔体的液面温度为2052°C，以5mm/h的速度向上提拉籽晶，以48r/min的速度转动籽晶；待晶体生长结束后，将晶体生长炉内的温度降至1580°C，再对晶体进行退火处理，控制温度以80°C /h的速度缓慢降温并持续18h，从而得到晶体；
步骤二、晶体开方；对晶体进行定向，然后使用开方机进行开方，从而得到C向晶块； 步骤三、晶体切割；采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割，从而得到晶片；
步骤四、激光取片；将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体，将晶片按需求切割成相应大小；
步骤五、研磨；采用研磨机对晶片进行研磨；研磨时，加入研磨液，研磨盘对晶片加压至0.022Mpa，研磨盘的转速为1200rpm/min ;研磨完成后用无水乙醇清洗；所述研磨液组分包括:2%的颗粒大小为20 μm的立方氮化硼粉末，16%的烷基酚聚氧乙烯醚，6%的甘油，11%的聚丙二醇400，其余为去离子水；
步骤六、倒角；采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理；
步骤七、退火；将晶片放入退火炉内，以180°C /h的速度进行升温将温度升至1600°C，升温时在300 °C、800 °C、1600 °C分别保温2h，然后以200 °C的温度进行降温，降温时在1000°C、500°C分别保温2h冷却至室温取出；
步骤八、双面化学抛光；先用无水乙醇对晶片进行清洗，然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定；抛光时，加入抛光液，抛光盘对晶片加压至0.12Mpa，抛光盘的转速为lOOOrpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后，在室温下进行自然冷却；所述抛光液组分包括:0.5%的颗粒大小为I μπι的立方氮化硼粉末，14%的烷基酚聚氧乙烯醚，4%的甘油，9%的聚丙二醇400，0.5%的纳米二氧化硅，使得抛光液PH值为11.0的碱性溶液，其余为去离子水；抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值；
步骤九、镀超硬膜；采用磁控溅射镀膜机，将氮气电离成氮离子，再用氮离子轰击硅靶材，在晶片表面形成氮化硅镀层；
步骤十、涂油墨；将镀膜后的晶片盖上镂空板，在晶片的边缘处刷涂油墨且重复刷涂三层；
步骤十一、热烘；将涂完油墨的晶片放入热烘机中热烘2h后，空冷至室温。
[0023] 实施例3
本实施例的蓝宝石指纹识别面板制备方法具体包括如下步骤:
步骤一、晶体生长；在晶体生长炉的坩祸内装入纯净的Al2O3原料，所述坩祸上方设有可旋转和升降的提拉杆，提拉杆的下端夹设有C晶向的籽晶；将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体，升温至2150°C，使得Al2O3熔融，控制熔体的液面温度为2055°C，将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触，持续Ih ;待籽晶与熔体充分沾润后，提拉并转动籽晶，从而实现缩颈一扩肩一等径生长；缩颈阶段，控制熔体的液面温度为2050°C，以3?5mm/h的速度向上提拉籽晶，以46r/min