将上述步骤S210所得基板先放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于基板的硅靶材，关闭镀膜腔体，抽真空到真空度为10 3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击基板材料5?30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为IPa，氩气的分压为IPa，待气压规显示气压稳定之后，再在温度为100°C下加热基板，待温度显示稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.lnm/s?5nm/s ;镀完膜后，调节机器使基板进入下一个镀膜腔体；
[0073]S230、真空磁控溅射法沉积类钻石薄膜(DLC)
[0074]步骤S220中的基板进入装有类钻石(DLC)靶材的真空腔体，基板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为IPa，待气压规显示气压稳定之后，再在温度为100°C下加热基板，待温度显示稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在基板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.lnm/s?5nm/s ;镀完膜后，通入空气，接着取出基板；
[0075]S240、真空蒸镀的二氧化硅薄膜
[0076]将上述步骤S230所得的基板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩祸，分别往其中的两个坩祸加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有Si02的坩祸，关闭其余坩祸。接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.0lPa，氩气的分压为IPa,待气压规显示气压稳定之后，加热基板到60°C，待温度显示稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.lnm/s?5nm/s ;镀完Si02膜后，关闭装有二氧化硅的坩祸。
[0077]S250、真空蒸镀抗指纹薄膜
[0078]打开装有AF膜料的坩祸。接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为IPa，待气压规显示气压稳定之后，不加热基板，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.lnm/s?5nm/s ;镀完AF膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出基板即得具有抗刮及抗指纹性能的电脑触摸屏。
[0079]本方法制得的电脑触摸屏抗刮性能良好，光学性能良好，制程可控精度高。
[0080]本发明一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法步骤简单、合理，操作方便，其制备过程简单、成本低，可制成抗刮性能及光学性能良好的触摸屏。
[0081]最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明而并非限制本发明所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本发明已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本发明进行修改或等同替换；而一切不脱离本发明的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。
【主权项】
1.一种抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于:依次包括触摸屏的基板，所述基板材料上覆有真空溅镀的二氧化硅膜；所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜。2.如权利要求1所述的抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于:所述基板采用玻璃基板、塑料基本或薄膜基板中的任意一种。3.如权利要求1所述的抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于:所述真空溅镀的二氧化硅膜厚度小于1nm04.如权利要求1所述的抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于:所述真空溅镀的类钻石膜膜层厚度小于50nmo5.如权利要求1所述的抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于:所述真空蒸镀的二氧化硅膜的厚度小于20nmo6.如权利要求1所述的抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于:所述真空蒸镀的抗指纹膜厚度小于20nm。7.一种制备如权利要求1至6任一项权利要求所述的抗刮抗指纹触摸屏的方法，其特征在于，依次包括以下步骤: 1)清洗用作触摸屏的基板材料 首先用去离子水清洗基板材料，然后将清洗过的基板材料放置在丙酮溶液中进行超声清洗，接着用酒精清洗基板材料，再用去离子水清洗，吹干，备用； 2)真空磁控溅射法沉积二氧化硅膜 将上述步骤I)所得基板先放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于基板的硅靶材，关闭镀膜腔体，抽真空到真空度为10 3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击基板材料5?30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.5Pa?5Pa，氩气的分压为0.1Pa?5Pa，待气压稳定后，在温度为25 °C?200 °C下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.lnm/s?5nm/s ;镀完二氧化硅膜后，转移基板进入下一个镀膜腔体； 3)真空磁控溅射法沉积类钻石膜 将上述步骤2)中的基板进入装有类钻石靶材的真空腔体，基板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa?5Pa，待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25°C?150°C下加热基板，待温度稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在基板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.lnm/s?5nm/s ;镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出基板； 4)真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜 将上述步骤3)所得的基板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩祸，分别往其中的两个坩祸加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有二氧化硅的坩祸，关闭其余坩祸；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为OPa?0.0lPa，氩气的分压为0.1Pa?5Pa，待气压稳定之后，再在温度为25°C?100°C下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.lnm/s?5nm/s ;镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩祸； 5)真空蒸镀法沉积抗指纹膜 打开装有抗指纹膜料的坩祸，接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa?5Pa，待气压稳定之后，再在温度为25°C?100°C下加热基板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.lnm/s?5nm/s ;镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出基板。8.如权利要求7所述的制备抗刮抗指纹触摸屏的方法，其特征在于:所述步骤2)中真空磁控溅射的硅靶材纯度大于99.9%。9.如权利要求7所述的制备抗刮抗指纹触摸屏的方法，其特征在于:抗刮膜成分为类钻石靶材的碳原子SP3杂化程度大于70%，纯度大于99.9%。10.如权利要求7所述的制备抗刮抗指纹触摸屏的方法，其特征在于:所述真空蒸镀的二氧化硅膜料纯度大于99.9%。
【专利摘要】本发明公开了一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法，依次包括触摸屏的基板，所述基板材料上覆有真空溅镀的二氧化硅膜；所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜，制备过程简单，可制成抗刮性能良好的触摸屏，尤其，采用真空磁控溅射法制得的DLC多晶薄膜材料具有很高的透过性和良好的抗刮性能，适于推广与应用。
【IPC分类】G06F3/041
【公开号】CN105204685
【申请号】CN201510607152
【发明人】何颜玲
【申请人】何颜玲, 王华亮
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年9月22日