一种数据处理方法及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子信息技术领域中的存储技术，具体涉及一种数据处理方法及电子 设备。
【背景技术】
[0002] 目前，固态硬盘（SSD)在使用过程中不可避免的出现坏块，坏块分为：出厂坏块和 使用过程中出现的坏块。SSD通过坏块表对坏块进行管理，所述出厂坏块通过坏块表中的标 记很容易进行识别；而使用过程中出现的坏块则需要依靠闪存转换层（FTL)中的坏块管理 机制进行管理。例如：
[0003] 当SSD在初始化或进行读、写、擦的使用过程中，操作某一物理块（存储单元）失 败时，直接对该块进行标记操作，然后继续寻找下一个可操作的有效块并执行有效页的相 关复制操作。这样的坏块管理方法只能在SSD块的读、写、擦操作失败时进行处理，阻塞了 正常的数据处理流程。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，本发明实施例的主要目的在于提供一种数据处理方法及电子设备，以 至少解决现有技术存在的上述问题。
[0005] 本发明实施例提供了一种数据处理方法，应用于电子设备，所述电子设备至少包 括存储器，所述存储器中包括至少一个存储单元；所述方法包括：
[0006] 获取到预设时间段内针对所述存储器中每个存储单元的操作信息；
[0007] 基于所述操作信息，获取到所述存储器中每个存储单元当前对应的参考值；
[0008] 基于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的门限值，标记所述存储 器中的每个存储单元；
[0009] 所述标记，用于标识所述存储单元的属性信息。
[0010] 一个实施例中，该方法还包括：
[0011] 获取待处理数据的特征；
[0012] 基于所述标记以及待处理数据的特征，控制针对所述每个存储单元的数据写入操 作。
[0013] 其中，所述基于所述标记以及待处理数据的特征，控制针对所述每个存储单元的 数据写入操作，包括：
[0014] 确定与所述待处理数据的特征对应的标记；
[0015] 基于所述已确定的标记，选择与所述标记对应的存储单元进行数据写入操作。
[0016] 其中，所述获取待处理数据的特征，包括：
[0017] 对所述待处理数据进行分析，确定所述待处理数据的特征；
[0018] 所述待处理数据的特征至少包括：处理类型特征和处理频率特征。
[0019] 其中，所述基于所述已确定的标记，选择与所述标记对应的存储单元进行数据写 入操作，包括：
[0020] 选取与所述已确定标记对应的存储单元、或高于所述已确定标记对应的存储单元 进行所述数据写入操作。
[0021 ] 本发明实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备所述电子设备至少包括存储 器，所述存储器中包括至少一个存储单元，所述电子设备包括：
[0022] 第一获取模块，用于获取到预设时间段内针对所述存储器中每个存储单元的操作 信息；基于所述操作信息，获取到所述存储器中每个存储单元当前对应的参考值；
[0023] 标记模块，用于基于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的门限 值，标记所述存储器中的每个存储单元；
[0024] 所述标记，用于标识所述存储单元的属性信息。
[0025] -个实施例中，所述电子设备还包括：
[0026] 第二获取模块，用于获取待处理数据的特征；
[0027] 写入处理模块，用于基于所述标记以及待处理数据的特征，控制针对所述每个存 储单元的数据写入操作。
[0028] 上述方案中，所述写入处理模块，用于确定与所述待处理数据的特征对应的标记； 基于所述已确定的标记，选择与所述标记对应的存储单元进行数据写入操作。
[0029] 上述方案中，所述第二获取模块，用于对所述待处理数据进行分析，确定所述待处 理数据的特征；
[0030] 所述待处理数据的特征至少包括：处理类型特征和处理频率特征。
[0031] 上述方案中，所述写入处理模块，用于选取与所述已确定标记对应的存储单元、或 高于所述已确定标记对应的存储单元进行所述数据写入操作。
[0032] 本发明实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
[0033] 包括至少一个存储单元的存储器，用于存储每个存储单元的操作信息；
[0034] 控制器，用于获取到预设时间段内所述存储器中存储的每个存储单元的操作信 息，并基于所述操作信息，获取到所述存储器中每个存储单元当前对应的参考值；基于所述 存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的门限值，标记所述存储器中的每个存储单 元；其中，
[0035] 所述标记，用于标识所述每个存储单元的属性信息。
[0036] -个实施例中，所述控制器，还用于获取待处理数据的特征，并基于所述标记以及 待处理数据的特征，控制针对所述每个存储单元的数据写入操作。
[0037] 本发明实施例提供的数据处理方法及电子设备，所述电子设备获取到预设时间段 内针对所述存储器中每个存储单元的操作信息，并基于所述操作信息，获取到所述存储器 中每个存储单元当前对应的参考值；基于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预 设的门限值，标记所述存储器中的每个存储单元；所述标记，用于标识所述存储单元的属性 信息。可见，本发明实施例可对存储器中的每个存储单元进行标记，这样，在数据处理过程 中可依据与存储单元对应的标记有针对性地进行相应存储单元的数据处理操作，避免在现 有数据处理过程中因遇到坏块而导致的阻塞正常数据处理流程的问题，因此，本发明实施 例可相应提高数据处理效率。
【附图说明】
[0038] 图1为本发明实施例所述数据处理方法流程示意图一；
[0039] 图2为本发明实施例所述数据处理方法流程示意图二；
[0040] 图3为本发明实施例所述数据处理方法流程示意图三；
[0041] 图4为本发明实施例所述电子设备的结构不意图一；
[0042] 图5为本发明实施例所述电子设备的结构示意图二；
[0043] 图6为本发明实施例所述电子设备的结构不意图三。
【具体实施方式】
[0044] 下面结合附图及具体实施例对本发明再作进一步详细的说明。
[0045] 实施例一
[0046] 本发明实施例提供了一种数据处理方法，应用于第一电子设备，所述电子设备至 少包括存储器，所述存储器中包括至少一个存储单元；如图1所示，包括：
[0047] 步骤101 :获取到预设时间段内针对所述存储器中每个存储单元的操作信息；
[0048] 步骤102 :基于所述操作信息，获取到所述存储器中每个存储单元当前对应的参 考值；
[0049] 步骤103 :基于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的门限值，标 记所述存储器中的每个存储单元；所述标记，用于标识所述存储单元的属性信息。
[0050] 本发明实施例中，所述存储器可以为固态硬盘和机械硬盘，其中固态硬盘采用的 存储颗粒可以为单层单元（SLC，SingleLayerCell单层单元）、（MLC，Multi-LevelCell 多层单元）或3BIT单元（TLC，Trinary-LevelCell);机械硬盘可以采用单磁碟、双磁碟或 多磁碟的存储结构。
[0051] 其中，所述每个存储单元的操作信息可包括以下信息至少之一：存储单元的错误 检查和纠正（ECC，ErrorCorrectingCode)信息；存储单元支持的擦除次数；存储单元的 读取和擦除纠错的历史信息。
[0052] 存储单元可以是存储介质的物理划分，也可是存储介质的逻辑划分；存储单元可 以采用存储设备中的最小存储单元，以SSD为例，存储单元可以采用page(4KB)，当然也可 以采用page容量的整数倍；以机械硬盘为例，存储单元可以为一个扇区（sector)的容量， 一般为4KB，当然也可以采用扇区容量的整数倍。
[0053] 这里，由于针对每个存储单元的操作信息是变化的，因此，需要获取一段时间内的 操作信息，例如：可设置每隔1分钟获取一次针对每个存储单元的操作信息。
[0054] 本发明实施例中，所述存储器中每个存储单元当前对应的参考值，可基于所述获 取的操作信息进行计算得到，例如：可以设置损失函数，所述损失函数的参数为上述获取的 操作信息，作为一个应用场景，所述损失函数为cost，可表示如下：
[0056] 其中，所述t为预设时间段的值，所述GlobalWrite表示当前读写操作的存储器 (bank)中的所有物理块被写入的次数；所述BlockWrite表示当前物理块被写入的次数；所 述GlobalValidPage表示当前读写操作的存储器中总的有效页数；所述BlockValidPage表 示当前物理块的有效页数；所述Blockerase表示当前物理块被擦除的次数。
[0057] 本发明实施例中，所述基于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的 门限值，标记所述存储器中的每个存储单元，包括：
[0058] 确定所述参考值小于第一预设门限值时，将所述存储单元标记为第一属性，用于 表征所述存储单元支持第一预设次数（正常使用频率）的数据读取、擦除或写入操作；
[0059] 确定所述参考值大于第一预设门限值且小于等于第二预设门限值时，将所述存储 单元标记为第二属性，用于表征所述存储单元支持第二预设次数的数据擦除或写入操作， 所述第二预设次数小于所述第一预设次数；
[0060] 确定所述参考值大于第二预设门限值且小于等于第三预设门限值时，将所述存储 单元标记为第三属性，用于表征所述存储单元只支持数据读取操作；
[0061] 确定所述参考值大于第三预设门限值时，将所述存储单元标记为第四属性，用于 表征所述存储单元已损坏。
[0062] 这里，所述第一预设门限值小于第二预设门限值，所述第二预设门限值小于所述 第三预设门限值。当然，基于实际的应用场景的不同，这里可设置更多个预设门限值，相应 的，可以将所述存储器中的存储单元标记为更多个属性。
[0063] 作为一个应用场景，基于上述损失函数，所述第一、二、三预设门限值可分别设置 为T1，T2，T