单元的状态最优，同时表示待处理数据的处理频率最高（即为频繁读取的热数据）；危险表 示存储单元的状态最差，同时表示关联的待处理数据的处理频率最低（即为偶尔读取的冷 数据）；
[0098] 同样，当待处理数据为待写入的数据时，待处理数据的特征可以为存储设备的存 储单元中存储的数据的处理频率，相应地，不同的待处理数据的特征可以采用与存储单元 的定性的标记（如前述的正常、危险、高危和损坏）来对应，其中，正常表示存储单元的状态 最优，同时表示待处理数据的处理频率最高（即为频繁写入以进行修改的热数据），高危表 示存储单元的状态最差，同时表示关联的待处理数据的处理频率最低（即为偶尔写入以进 行修改的冷数据）。
[0099] 这里，与上文描述相对应，当待处理数据为待读取的数据时，待处理数据的特征与 定性标记10对应时，可以选取存储待处理数据的且标记为10的存储单元响应数据处理请 求；待处理数据为待读取的数据时，且待读取的数据的特征与定性标记1对应时，可以选取 存储有待处理数据的且标记为1 (或者大于1)的存储单元响应数据处理请求；
[0100] 当待处理数据为待写入的数据，且待处理数据的特征与定性的标记正常对应时， 可以选取标记为正常的空闲存储单元响应数据处理请求。
[0101] 可见，本实施例中通过将存储单元的标记与待处理数据的特征对应，实际上将存 储单元对数据处理请求的支持能力与不同的待处理数据对应，这样利用对应关系能够准确 确定支持对待处理数据的数据处理请求进行响应的存储单元，可避免对属性较差的存储单 元的使用寿命加速用尽，相应解决了现有数据处理过程中因遇到坏块而导致的阻塞正常数 据处理流程的问题。
[0102] 实施例三
[0103] 本发明实施例提供了一种数据处理方法，应用于第一电子设备，所述电子设备至 少包括存储器，所述存储器中包括至少一个存储单元；如图3所示，包括：
[0104] 步骤301 :获取到预设时间段内针对所述存储器中每个存储单元的操作信息；
[0105] 步骤302 :基于所述操作信息，获取到所述存储器中每个存储单元当前对应的参 考值；
[0106] 步骤303:基于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的门限值，标 记所述存储器中的每个存储单元；所述标记，用于标识所述存储单元的属性信息；
[0107] 步骤304 :获取待处理数据的特征，确定与所述待处理数据的特征对应的标记；
[0108] 步骤305 :选取与所述已确定标记对应的存储单元、或高于所述已确定标记对应 的存储单元进行所述数据写入操作。
[0109] 本发明实施例中，所述每个存储单元的操作信息可包括以下信息至少之一：存储 单元的错误检查和纠正（ECC，ErrorCorrectingCode)信息；存储单元支持的擦除次数； 存储单元的读取和擦除纠错的历史信息。
[0110] 这里，由于针对每个存储单元的操作信息是变化的，因此，需要获取一段时间内的 操作信息，例如：可设置每隔1分钟获取一次针对每个存储单元的操作信息。
[0111] 本发明实施例中，所述存储器中每个存储单元当前对应的参考值，可基于所述获 取的操作信息进行计算得到，例如：可以设置损失函数，所述损失函数的参数为上述获取的 操作信息，作为一个应用场景，所述损失函数为COSt，可表示如下：
[0113] 其中，所述t为预设时间段的值，所述GlobalWrite表示当前读写操作的存储器 (bank)中的所有物理块被写入的次数；所述BlockWrite表示当前物理块被写入的次数；所 述GlobalValidPage表示当前读写操作的存储器中总的有效页数；所述BlockValidPage表 示当前物理块的有效页数；所述Blockerase表示当前物理块被擦除的次数。
[0114] 本发明实施例中，所述基于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的 门限值，标记所述存储器中的每个存储单元，包括：
[0115] 确定所述参考值小于第一预设门限值时，将所述存储单元标记为第一属性，用于 表征所述存储单元支持第一预设次数（正常使用频率）的数据读取、擦除或写入操作；
[0116] 确定所述参考值大于第一预设门限值且小于等于第二预设门限值时，将所述存储 单元标记为第二属性，用于表征所述存储单元支持第二预设次数的数据擦除或写入操作， 所述第二预设次数小于所述第一预设次数；
[0117] 确定所述参考值大于第二预设门限值且小于等于第三预设门限值时，将所述存储 单元标记为第三属性，用于表征所述存储单元只支持数据读取操作；
[0118] 确定所述参考值大于第三预设门限值时，将所述存储单元标记为第四属性，用于 表征所述存储单元已损坏。
[0119] 这里，所述第一预设门限值小于第二预设门限值，所述第二预设门限值小于所述 第三预设门限值。当然，基于实际的应用场景的不同，这里可设置更多个预设门限值，相应 的，可以将所述存储器中的存储单元标记为更多个属性。
[0120] 作为一个应用场景，基于上述损失函数，所述第一、二、三预设门限值可分别设置 为T1，T2，T3,相应的，所述cost彡1\时，将所述存储单元标记为所述第一属性；所述T^cos t< 1~2时，将所述存储单元标记为所述第二属性；所述T2〈C〇st< !^时，将所述存储单元标 记为所述第三属性；所述cost>TJt，将所述存储单元标记为所述第四属性。
[0121] 本发明实施例中，所述存储单元的标记可以写入到每个存储单元的存储空间中， 例如使用特定格式编码的符号或数字（如二进制数字的组合）来表征不同的标记，将每个 存储单元的标记对应写入到存储单元的起始存储空间中（当然，可以携带存储单元的特定 存储空间如最后几位的存储空间中），标记所需的存储空间使标记的种类而定；存储单元 的标记也可以写入到存储设备的特定的存储单元中，即预先约定用于存储各存储单元的标 记的存储单元，并将各存储单元的标记统一写入，这有利于快速查找存储单元的标记，作为 优选方案，存储设备中各存储单元的标记统一写入到存储单元中支持正常使用频率的存储 单元中，即：所述存储单元支持的擦写次数高于擦写次数阈值，从而避免存储单元的损坏导 致存储设备中各存储单元的标记丢失。
[0122] 由于标记标识的是存储单元的不同的属性信息，因此可以采用定量或定性的标记 来描述存储单元的属性信息；以采用定量的标记为例，存储单元的属性可以采用从10至 100等差序列中的元素来表示，其中100表示存储单元的属性最优，10标识存储单元的属性 最差；
[0123] 以采用定性的标记为例，可以采用健康和不健康来描述一个存储单元的状态信 息；当然，存储单元的属性信息也可以采用多个定性标记来描述，如使用正常、危险、高危和 损坏来描述，其中正常表示存储单元支持正常频率的读取、写入和擦除操作；危险表示存储 单元支持的擦写次数低于正常值，不能支持正常频率的擦除和写入，只能支持频率较低的 擦除和写入；高危表示存储单元支持的擦写次数接近临界值（如零），不能支持数据的擦除 和写入，只能支持数据的读取；损坏表示存储单元已经不能使用。
[0124] 本发明实施例中，所述获取待处理数据的特征，包括：对所述待处理数据进行分 析，确定所述待处理数据的特征。
[0125] 作为一个实施例，存储设备可基于接收到的外部的数据处理请求后，对待处理数 据进行分析；所述数据处理请求可对需要处理的数据，也即待处理数据、以及处理的类型 (包括读取、删除和写入）进行指示。其中，所述待处理数据的特征可包括：待处理数据的 处理频率（表征待处理数据的冷热程度）以及待处理数据的类型，也就是待处理数据是需 要读取的数据、需要删除的数据还是需要写入的数据。其中，可通过对存储单元中存储的数 据响应的历史处理请求进行分析，可以确定需要写入的待处理数据的操作频率，如一个或 多个存储单元中存储的某一数据块（可以对应一个文件）被读取的频率。
[0126] 本发明实施例中，所述选取与所述已确定标记对应的存储单元、或高于所述已确 定标记对应的存储单元进行所述数据写入操作，可包括：
[0127] 确定与所述待处理数据的特征对应的标记；基于所述已确定的标记，选择与所述 标记对应的存储单元进行数据写入操作。
[0128] 作为一个实施例，当待处理数据为待写入的数据时，待处理数据的特征可以为存 储设备的存储单元中存储的数据的处理频率，相应地，不同的待处理数据的特征可以采用 与存储单元的量化的标记（如1-10)来对应，其中，10表示存储单元的状态最优，同时表示 待处理数据的处理频率最高（即为频繁写入以进行修改的热数据），1表示存储单元的状态 最差，同时表示关联的待处理数据的处理频率最低（即为偶尔写入以进行修改的冷数据）。
[0129] 作为一个实施例，当待处理数据为待写入的数据时，待处理数据的特征可以为存 储设备的存储单元中存储的数据的处理频率，相应地，不同的待处理数据的特征可以采用 与存储单元的定性的标记（如前述的正常、危险、高危和损坏）来对应，其中，正常表示存储 单元的状态最优，同时表示待处理数据的处理频率最高（即为频繁写入以进行修改的热数 据），高危表示存储单元的状态最差，同时表示关联的待处理数据的处理频率最低（即为偶 尔写入以进行修改的冷数据）。
[0130] 这里，与上文描述相对应，当待处理数据为待写入的数据，且待处理数据的特征与 定性标记中的危险（低于最高等级的标记）对应时，可以选取标记为危险的空闲的存储单 元进行所述数据写入操作；当然，这里还可以选择标记等级更高的、标记为正常的空闲的存 储单元进行所述数据写入操作。如果待处理数据为待写入的数据，且待处理数据的特征与 定性标记中的正常（等级最高的标记）对应时，只能选取标记为正常的空闲的存储单元进 行所述数据写入操作。
[0131] 对于读取操作同理，此处不再详述。
[0132] 可见，本发明实施例选取与已确定标记对应的存储单元进行所述数据写入等操 作，而且高于已确定标记对应的存储单元也支持所述数据写入等操作，因此可以选择标记 等级较高的存储单元进行数据处理操作，这样，可以避免擦写次数接近临界值的存储单元 加速损坏，实现了磨损均衡，保证了对数据处理请求的响应性能。
[0133] 实施例四
[0134] 本发明实施例还提供了一种电