子设备，所述电子设备包括存储器，所述存储器中 包括至少一个存储单元，所述存储器可以为固态硬盘和机械硬盘，其中固态硬盘采用的存 储颗粒可以为单层单元（SLC，SingleLayerCell单层单元）、（MLC，Multi-LevelCell多 层单元）或3BIT单元（TLC，Trinary-LevelCell);机械硬盘可以采用单磁碟、双磁碟或多 磁碟的存储结构。
[0135] 如图4所示，所述电子设备40包括：
[0136] 第一获取模块401，用于获取到预设时间段内针对所述存储器中每个存储单元的 操作信息；基于所述操作信息，获取到所述存储器中每个存储单元当前对应的参考值；
[0137] 标记模块402,用于基于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的门 限值，标记所述存储器中的每个存储单元；所述标记，用于标识所述存储单元的属性信息。
[0138] 这里，由于针对每个存储单元的操作信息是变化的，因此，需要获取一段时间内的 操作信息，例如：可设置每隔1分钟获取一次针对每个存储单元的操作信息。
[0139] 本发明实施例中，所述存储器中每个存储单元当前对应的参考值，可基于所述获 取的操作信息进行计算得到，例如：可以设置损失函数，所述损失函数的参数为上述获取的 操作信息，作为一个应用场景，所述损失函数为COSt，可表示如下：
[0141] 其中，所述t为预设时间段的值，所述GlobalWrite表示当前读写操作的存储器 (bank)中的所有物理块被写入的次数；所述BlockWrite表示当前物理块被写入的次数；所 述GlobalValidPage表示当前读写操作的存储器中总的有效页数；所述BlockValidPage表 示当前物理块的有效页数；所述Blockerase表示当前物理块被擦除的次数。
[0142] 本发明实施例中，所述基于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的 门限值，标记所述存储器中的每个存储单元，包括：
[0143] 确定所述参考值小于第一预设门限值时，将所述存储单元标记为第一属性，用于 表征所述存储单元支持第一预设次数（正常使用频率）的数据读取、擦除或写入操作；
[0144] 确定所述参考值大于第一预设门限值且小于等于第二预设门限值时，将所述存储 单元标记为第二属性，用于表征所述存储单元支持第二预设次数的数据擦除或写入操作， 所述第二预设次数小于所述第一预设次数；
[0145] 确定所述参考值大于第二预设门限值且小于等于第三预设门限值时，将所述存储 单元标记为第三属性，用于表征所述存储单元只支持数据读取操作；
[0146] 确定所述参考值大于第三预设门限值时，将所述存储单元标记为第四属性，用于 表征所述存储单元已损坏。
[0147] 这里，所述第一预设门限值小于第二预设门限值，所述第二预设门限值小于所述 第三预设门限值。当然，基于实际的应用场景的不同，这里可设置更多个预设门限值，相应 的，可以将所述存储器中的存储单元标记为更多个属性。
[0148] 作为一个应用场景，基于上述损失函数，所述第一、二、三预设门限值可分别设置 为T1，T2，T3,相应的，所述cost彡1\时，将所述存储单元标记为所述第一属性；所述T^cos t< 1~2时，将所述存储单元标记为所述第二属性；所述T2〈C〇st< !^时，将所述存储单元标 记为所述第三属性；所述cost>TJt，将所述存储单元标记为所述第四属性。
[0149] 一个实施例中，如图5所示，所述电子设备还包括：
[0150] 第二获取模块403,用于获取待处理数据的特征；
[0151] 写入处理模块404,用于基于所述标记以及待处理数据的特征，控制针对所述每个 存储单元的数据写入操作。
[0152] 其中，所述写入处理模块404,用于确定与所述待处理数据的特征对应的标记；基 于所述已确定的标记，选择与所述标记对应的存储单元进行数据写入操作。
[0153] 作为一个实施例，当待处理数据为待读取的数据时，待处理数据的特征可以为存 储设备的存储单元中存储的数据的处理频率，相应地，不同的待处理数据的特征可以采用 与存储单元的量化的标记（如1-10)来对应，其中，10表示存储单元的状态最优，同时表示 关联的待处理数据的处理频率最高（即为频繁读取的热数据）；1表示存储单元的状态最 差，同时表示关联的待处理数据的处理频率最低（即为偶尔读取的冷数据）。
[0154] 同样，当待处理数据为待写入的数据时，待处理数据的特征可以为存储设备的存 储单元中存储的数据的处理频率，相应地，不同的待处理数据的特征可以采用与存储单元 的量化的标记（如1-10)来对应，其中，10表示存储单元的状态最优，同时表示待处理数据 的处理频率最高（即为频繁写入以进行修改的热数据），1表示存储单元的状态最差，同时 表示关联的待处理数据的处理频率最低（即为偶尔写入以进行修改的冷数据）。
[0155] 作为一个实施例，当待处理数据为待读取的数据时，待处理数据的特征可以为存 储设备的存储单元中存储的数据的处理频率，相应地，不同的待处理数据的特征可以采用 与存储单元的定性的标记（如前述的正常、危险、高危和损坏）来对应，其中，正常表示存储 单元的状态最优，同时表示待处理数据的处理频率最高（即为频繁读取的热数据）；危险表 示存储单元的状态最差，同时表示关联的待处理数据的处理频率最低（即为偶尔读取的冷 数据）；
[0156] 同样，当待处理数据为待写入的数据时，待处理数据的特征可以为存储设备的存 储单元中存储的数据的处理频率，相应地，不同的待处理数据的特征可以采用与存储单元 的定性的标记（如前述的正常、危险、高危和损坏）来对应，其中，正常表示存储单元的状态 最优，同时表示待处理数据的处理频率最高（即为频繁写入以进行修改的热数据），高危表 示存储单元的状态最差，同时表示关联的待处理数据的处理频率最低（即为偶尔写入以进 行修改的冷数据）。
[0157] 这里，与上文描述相对应，当待处理数据为待读取的数据时，待处理数据的特征与 定性标记10对应时，可以选取存储待处理数据的且标记为10的存储单元响应数据处理请 求；待处理数据为待读取的数据时，且待读取的数据的特征与定性标记1对应时，可以选取 存储有待处理数据的且标记为1 (或者大于1)的存储单元响应数据处理请求；
[0158] 当待处理数据为待写入的数据，且待处理数据的特征与定性的标记正常对应时， 可以选取标记为正常的空闲存储单元响应数据处理请求。
[0159] 其中，所述第二获取模块403,具体用于对所述待处理数据进行分析，确定所述待 处理数据的特征；所述待处理数据的特征至少包括：处理类型特征和处理频率特征。
[0160] 上述方案中，所述写入处理模块404,还可用于选取与所述已确定标记对应的存储 单元、或高于所述已确定标记对应的存储单元进行所述数据写入操作。
[0161] 作为一个实施例，当待处理数据为待写入的数据时，待处理数据的特征可以为存 储设备的存储单元中存储的数据的处理频率，相应地，不同的待处理数据的特征可以采用 与存储单元的定性的标记（如前述的正常、危险、高危和损坏）来对应，其中，正常表示存储 单元的状态最优，同时表示待处理数据的处理频率最高（即为频繁写入以进行修改的热数 据），高危表示存储单元的状态最差，同时表示关联的待处理数据的处理频率最低（即为偶 尔写入以进行修改的冷数据）。
[0162] 这里，与上文描述相对应，当待处理数据为待写入的数据，且待处理数据的特征与 定性标记中的危险（低于最高等级的标记）对应时，可以选取标记为危险的空闲的存储单 元进行所述数据写入操作；当然，这里还可以选择标记等级更高的、标记为正常的空闲的存 储单元进行所述数据写入操作。如果待处理数据为待写入的数据，且待处理数据的特征与 定性标记中的正常（等级最高的标记）对应时，只能选取标记为正常的空闲的存储单元进 行所述数据写入操作。
[0163] 实施例五
[0164] 本发明实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括存储器，所述存储器中 包括至少一个存储单元，所述存储器可以为固态硬盘和机械硬盘，其中固态硬盘采用的存 储颗粒可以为单层单元（SLC，SingleLayerCell单层单元）、（MLC，Multi-LevelCell多 层单元）或3BIT单元（TLC，Trinary-LevelCell);机械硬盘可以采用单磁碟、双磁碟或多 磁碟的存储结构。
[0165] 如图6所示，所述电子设备50包括：
[0166] 存储器501，用于存储每个存储单元5011的操作信息；
[0167] 控制器502,用于获取到预设时间段内所述存储器501中存储的每个存储单元的 操作信息，并基于所述操作信息，获取到所述存储器中每个存储单元当前对应的参考值；基 于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的门限值，标记所述存储器中的每个 存储单元；其中，
[0168] 所述标记，用于标识所述每个存储单元的属性信息。
[0169] 这里，由于针对每个存储单元的操作信息是变化的，因此，需要获取一段时间内的 操作信息，例如：可设置每隔1分钟获取一次针对每个存储单元的操作信息。
[0170] 本发明实施例中，所述存储器中每个存储单元当前对应的参考值，可基于所述获 取的操作信息进行计算得到，例如：可以设置损失函数，所述损失函数的参数为上述获取的 操作信息，作为一个应用场景，所述损失函数为COSt，可表示如下：
[0172] 其中，所述t为预设时间段的值，所述GlobalWrite表示当前读写操作的存储器 (bank)中的所有物理块被写入的次数；所述BlockWrite表示当前物理块被写入的次数；所 述GlobalValidPage表示当前读写操作的存储器中总的有效页数；所述BlockValidPage表 示当前物理块的有效页数；所述Blockerase表示当前物理块被擦除的次数。
[0173] 本发明实施例中，所述基于所述存储单元当前对应的参考值以及至少一个预设的 门限值，标记所述存储器中的每个存储单元，包括：
[0174] 确定所述参考值小于第一预设门限值时，将所述存储单元标记为第一属性，用于 表征所述存储单元支持第一预设次数（正常使用频率）的数据读取、擦除或写入操作；