一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及芯片存储技术领域，特别是涉及一种存储类型的闪存中的块控制方法和装置。
【背景技术】
[0002]现有的NAND FLASH(即存储类型的闪存)中每个block selector (即块选择器)控制对一个block(即块)的控制。也就是说，若NAND FLASH中包含1024个block，则需要在NAND FLASH中设置1024个block selector分别对各块进行选址控制。
[0003]现有的NAND FLASH中的块操作方法如下:当需要对某一 block进行操作时，直接启动block对应的块选择器，然后，通过块选择器选择其对应的唯一的块即可。
[0004]而现有的NAND FLASH中的这种block selector与block--对应的设置结构以及操作块的方式，block selector的设置数量需要与block的数量相同，且blockselector主要由单管面积较大的高压MOS管设计组成，若数量较多，这就导致blockselector在NAND FLASH中会占用大量的面积，而如果block selector需要占用大量的面积，NAND FLASH的面积就需要足够大。本领域技术人员能够明了，NAND FLASH的面积大，则意味着NAND FLASH成本的增加。可见，现有的NAND FLASH由于需要设定与block相同数量的 block selector，因此，NAND FLASH 的成本高。
【发明内容】
[0005]鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的存储类型的闪存中块操作方法和装置。
[0006]依据本发明的一个方面，提供了一种存储类型的闪存中的块操作方法，包括:启动与译码地址对应的块选择器，其中，所述块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，且所述奇数块与所述偶数块为相邻的两个块；确定所述块选择器可选择的所述奇数块对应的第一电压，以及所述块选择器可选择的所述偶数块对应的第二电压；依据所述译码地址对所述第一电压以及所述第二电压进行配置，以将所述译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压；分别导通控制所述第一电压传输的MOS管、以及控制所述第二电压传输的MOS管。
[0007]优选地，在所述启动与所述译码地址对应的块选择器步骤之前，所述方法还包括:通过地址输入接口接收待操作的块对应的地址；通过块译码器对所述地址进行译码，生成译码地址并通过译码地址输出接口输出；确定与所述译码地址对应的块选择器。
[0008]优选地，控制所述第一电压传输的MOS管设置在第一字线驱动中，控制所述第二电压传输的MOS管设置在第二字线驱动中；所述第一字线驱动与偶字线电压导通，所述第二字线驱动与奇字线电压导通。
[0009]优选地，所述存储类型的闪存中的块包含相同个数的奇数块与偶数块，且所述存储类型的闪存中块的个数为块选择器的两倍。
[0010]优选地，所述地址输入接口的个数为9个，所述译码地址输出接口为4个。根据本发明的另一方面，提供了存储类型的闪存中的块操作装置，包括:启动模块，用于启动与译码地址对应的块选择器，其中，所述块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，且所述奇数块与所述偶数块为相邻的两个块；确定模块，用于确定所述块选择器可选择的所述奇数块对应的第一电压，以及所述块选择器可选择的所述偶数块对应的第二电压；电压设置模块，用于依据所述译码地址对所述第一电压以及所述第二电压进行配置，以将所述译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压；导通模块，用于分别导通控制所述第一电压传输的MOS管、以及控制所述第二电压传输的MOS管。
[0011]优选地，所述装置还包括:接收模块，用于在所述启动模块启动与所述译码地址对应的块选择器之前，通过地址输入接口接收待操作的块对应的地址；译码模块，用于通过块译码器对所述地址进行译码，生成译码地址并通过译码地址输出接口输出；块选择器确定模块，用于确定与所述译码地址对应的块选择器。
[0012]优选地，控制所述第一电压传输的MOS管设置在第一字线驱动中，控制所述第二电压传输的MOS管设置在第二字线驱动中；所述第一字线驱动与偶字线电压导通，所述第二字线驱动与奇字线电压导通。
[0013]优选地，所述存储类型的闪存中的块包含相同个数的奇数块与偶数块，且所述存储类型的闪存中块的个数为块选择器的两倍。
[0014]优选地，所述地址输入接口的个数为9个，所述译码地址输出接口为4个。
[0015]与现有技术相比，本发明具有以下优点:
[0016]本发明实施例提供的存储类型的闪存中的块操作方法和装置，一个块选择器可对一个奇数块以及一个偶数块进行选择。具体地:确定两个块对应的电压，再对两个块对应的电压进行配置，将译码地址对应的块的电压设置为有效操作电压，将块选择器可控制的另一个块的电压设置为无效操作电压，然后，分别导通控制这两个块电压导通的MOS管(即场效应管)。这样，由于仅有一个块对应的操作电压为有效，因此，可实现仅对一个块进行操作。通过本发明实施例提供的存储类型的闪存中的块控制方案，由于一个block selector可对两个block进行选择控制，因此，在具体设置时，相较于现有的设置方式，可以缩减一半数量的block selector，相应地将减小NAND FLASH的面积。最终，降低NAND FLASH的成本。
[0017]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的【具体实施方式】。
【附图说明】
[0018]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
[0019]图1是根据本发明实施例一的一种NAND FLASH中的block操作方法的步骤流程图；
[0020]图2是根据本发明实施例二的一种NAND FLASH中的block操作方法的步骤流程图；
[0021]图3是采用实施例二中的操作方法进行块操作的电路逻辑图；
[0022]图4是根据本发明实施例三的一种NAND FLASH中的block操作装置的结构框图。
【具体实施方式】
[0023]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0024]实施例一
[0025]参照图1，示出了本发明实施例一的一种NAND FLASH中的block操作方法的步骤流程图。
[0026]本发明实施例的NAND FLASH中的block操作方法包括以下步骤:
[0027]步骤S102:启动与译码地址对应的block selector。
[0028]本发明实施例中，在NAND FLASH中，将其包含的全部block分成两组，分别为奇数组与偶数组。一个奇数块与一个偶数块共用一个block selector。例如:NAND FLASH中包含1024个块，那么，block selector的个数为512个。
[0029]其中，每个block selector可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，且奇数块与偶数块为相邻的两个块。相应地，一个block selector同时对应一个奇数块和一个偶数块对应的译码地址。
[0030]例如:block selector对应A、B两个块，无论是通过A对应的译码地址还是通过B对应的译码地址，在选择block selector器时，均会选中该block selector。
[0031]步骤S104:确定block selector可选择的奇数块对应的第一电压，以及blockselector可选择的偶数块对应的第二电压。
[0032]每个block selector对应两个块，而这两个块分别对应一个电压。
[0033]步骤S106:依据译码地址对第一电压以及第二电压进行配置，以将译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压。
[0034]例如:译码地址对应的block为blockO，在启动block selector时，所启动的block selector 为 block selectorO，该 block selector 可对 blockO 以及 blockl 进行控制，因此，需要选中这两个block对应的电压，并且，将blockO对应的电压配置为有效电压，将blockl对应的电压配置为无效电压。
[0035]步骤S108:分别导通控制第一电压传输的MOS管、以及控制第二电压传输的MOS管。
[0036]在字线驱动中设置有MOS管，字线驱动与字线电压导通。通过导通MOS管即可将电压传输至block中，对block进行控制。
[