0037]本发明实施例中，虽然两个block对应的电压均导通，但是由于其中一个电压为无效操作电压，因此，无效操作电压对应的block不被操作。
[0038]本发明实施例提供的存储类型的闪存中的块操作方法，一个block selector可对一个奇数块以及一个偶数块进行选择。具体地:确定两个块对应的电压，再对两个块对应的电压进行配置，将译码地址对应的块的电压设置为有效操作电压，将block selector可控制的另一个块的电压设置为无效操作电压，然后，分别导通控制这两个块电压导通的MOS管(即场效应管)。这样，由于仅有一个块对应的操作电压为有效，因此，可实现仅对一个块进行操作。通过本发明实施例提供的存储类型的闪存中的块控制方法，由于一个blockselector可对两个block进行选择控制，因此，在具体设置时，相较于现有的设置方式，可以缩减一半数量的block selector，相应地将减小NAND FLASH的面积。最终，降低NANDFLASH的成本。
[0039]实施例二
[0040]参照图2，示出了本发明实施例二的一种NAND FLASH中的block操作方法的步骤流程图。
[0041]本发明实施例的NAND FLASH中的block操作方法具体包括以下步骤:
[0042]步骤S202:通过地址输入接口接收待操作的块对应的地址。
[0043]需要对某一 block进行时，将该block对应的地址信息通过地址输入接口至块译码器即 BLOCK DECODER。
[0044]其中，地址输入接口的个数为9个，通过9个接口输出的信息来表征block地址。例如:九个地址输入接口输入的信息均为0，则指示地址为000000000，即blockO对应的地址。
[0045]步骤S204:通过块译码器对地址进行译码，生成译码地址并通过译码地址输出接口输出。
[0046]BLOCK DECODER将接收到的地址进行译码，将地址译码成与块选择器对应的译码地址相匹配的格式。
[0047]其中，译码地址输出接口可以为4个。
[0048]步骤S206:确定与译码地址对应的block selector。
[0049]本发明实施例中，由于一个奇数块与一个偶数块共用一个block selector，因此，block selector对应两个块的译码地址。
[0050]例如:block selectorO，则对应blockl、和block2的地址译码后的译码地址，因此，无论是blockl、和block2这两个哪个地址译码后，均对应block selectorO。
[0051]步骤S208:启动与译码地址对应的block selector。
[0052]本发明实施例中，NAND FLASH中的块被划分成奇数块组与偶数块组，且NANDFLASH中块的个数为block selector的两倍。其中，每个block selector可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，且奇数块与偶数块为相邻的两个块。
[0053]本步骤中，步骤S206确定block selector后，即可启动该block selector。
[0054]步骤S210:确定block selector可选择的奇数块对应的第一电压，以及blockselector可选择的偶数块对应的第二电压。
[0055]在NAND FLASH中设置有两组字线电压，分别为偶字线电压以及奇字线电压。其中，各奇数块对应的电压为奇字线电压组提供的电压，各偶数块对应的电压为偶字线电压组提供的电压。
[0056]具体到，每个块对应的电压，也是分别有相应的线路控制的，为了加以区分将各块对应的电压进行标识以进行区分。
[0057]例如:blockselector 可选择的 block 分别为 block 和 blockl，blockO 与 blockl分别对应有各自的电压。
[0058]步骤S212:依据译码地址对第一电压以及第二电压进行配置，以将译码地址指示的block对应的电压配置为有效操作电压，另一个block对应的电压配置为无效操作电压。
[0059]例如:译码地址对应的block为blockO，那么，在本步骤中，将blockO对应的第二电压配置为有效操作电压，将blockl对应的第一电压配置为无效操作电压。
[0060]步骤S214:分别导通控制第一电压传输的MOS管、以及控制第二电压传输的MOS管。
[0061]控制第一电压传输的MOS管设置在第一字线驱动中，控制第二电压传输的MOS管设置在第二字线驱动中；第一字线驱动与偶字线电压导通，第二字线驱动与奇字线电压导通。
[0062]通过导通MOS管即可将电压传输至block中，对block进行控制。本发明实施例中，虽然两个block对应的电压均导通，但是由于其中一个电压为无效操作电压，因此，无效操作电压对应的block不被操作。
[0063]本发明实施例提供的NAND FLASH中的block操作方法，一个block selector可对一个奇数block以及一个偶数block进行选择。具体地:确定两个block对应的电压，再对两个block对应的电压进行配置，将译码地址对应的block的电压设置为有效操作电压，将block selector可控制的另一个block的电压设置为无效操作电压，然后，分别导通控制这两个block电压导通的MOS管(即场效应管)。这样，由于仅有一个block对应的操作电压为有效，因此，可实现仅对一个block进行操作。通过本发明实施例提供的NANDFLASH中的块控制方法，由于一个block selector可对两个block进行选择控制，因此，在具体设置时，相较于现有的设置方式，可以缩减一半数量的block selector,相应地将减小NAND FLASH的面积。最终，降低NAND FLASH的成本、缩减制作时间。
[0064]下面参照图3，以一具体实例对实施例二中所述的block操作方法进行说明。本具体实例中，是通过译码寻址确定操作的block并对其进行操作。
[0065]如图3 所示，一个 NAND FLASH有 1024 个 block 和 512 个 block selector，并且有两组wordline电压(即字线电压)，分别为HPIwordline电压Vwl_E〈35:0>，和奇wordline电压 Vwl_0<35:0>o RA<8:0> 是 block 地址输入接口，blkdeca〈7: 0>、blkdecb〈3: 0>、blkdecc〈3:0>、blkdecd〈3:0>为译码地址输出接口。本具体实例中，通过BLOCK DECODER和512个blksel (block selector)共同译码选择两个blksel对应的两个block(—个奇 block 和一个偶 block)。BLOCK DECODER 将地址 RA〈8: 0> 译码产生 blkdeca〈7: 0>、blkdecb<3:0>、blkdecc<3:0>、blkdecd<3:0> ;然后通过译码地址启动对应的 blksel，blksel根据BLOCK DECODER的译码信号选通wl_drv (即字线驱动)来控制电压的传输。每个wl_drv中有36个电压传输MOS管，分别用于传输Vwl_E〈35:0>或Vwl_0〈35:0>，以将电压传输至block进行操作。
[0066]由于NAND FLANSH 一次仅对单个bock进行操作，则本方案设置两组wordline (字线)电压，即偶wordline电压Vwl_E〈35:0>和奇wordline电压Vwl_0〈35:0>，偶电压用于为各偶数块提供电压，奇电压用于为各奇数块提供电压。那么，在具体实现过程中，某一 blockselector (块选择器)启动后，需选中共用该block selector的两个blocks对应的电压，然后对选中的电压进行配置，将译码地址对应的block的电压配置为有效操作电压，将另一个block的电压配置为非有效操作电压即无效操作电压，即可实现对单个block的操作。假设对blockO进行操作，blkselO控制wl_drvO和wl_drvl中的MOS管导通，Vwl_E〈35: 0>和Vwl_0〈35: 0>则分别被传输到blockO和blockl中，而奇wordline电压Vwl_0〈35: 0>为非有效操作电压，故只对blockO操作。
[0067]本具体实例提供的block操作电路逻辑图，将NAND FLASH中的所有block按奇偶区分成两组，一个奇block与一个偶block共用同一个block selector，即经过地址译码，一次选中两个block。采用这种方案，block selector的数量减少一半，有效地减少blockselector的面积消耗，节约芯片的成本。
[0068]实施例三
[0069]参照图4，示出了本发明实施例三中的一种NAND FLASH中的block操作装置的结构框图。
[0070]本发明实施例的操作装置设置在NAND FLASH中，包括:启动模块302，用于启动与译码地址对应的块选择器，其中，所述块选择器可对一个奇数块和一个偶数