块进行选择，且所述奇数块与所述偶数块为相邻的两个块；确定模块304，用于确定所述块选择器可选择的所述奇数块对应的第一电压，以及所述块选择器可选择的所述偶数块对应的第二电压；电压设置模块306，用于依据所述译码地址对所述第一电压以及所述第二电压进行配置，以将所述译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压；导通模块308，用于分别导通控制所述第一电压传输的MOS管以及控制所述第二电压传输的MOS管。
[0071]优选地，所述装置还包括:接收模块310，用于在所述启动模块启动与所述译码地址对应的块选择器之前，通过地址输入接口接收待操作的块对应的地址；译码模块312，用于通过块译码器对所述地址进行译码，生成译码地址并通过译码地址输出接口输出；块选择器确定模块314，用于确定与所述译码地址对应的块选择器。
[0072]优选地，控制所述第一电压传输的MOS管设置在第一字线驱动中，控制所述第二电压传输的MOS管设置在第二字线驱动中；所述第一字线驱动与偶字线电压导通，所述第二字线驱动与奇字线电压导通。
[0073]优选地，所述存储类型的闪存中的块包含相同个数的奇数块与偶数块，且所述存储类型的闪存中块的个数为块选择器的两倍。
[0074]优选地，所述地址输入接口的个数为9个，所述译码地址输出接口为4个。
[0075]本发明实施例提供的NAND FLASH中的block操作装置，用于执行前述实施例一、实施例二中相应地操作方法，因此，具有与方法相应的有益效果，在此不再赘述。
[0076]在此提供的NAND FLASH中的block操作方案不与任何特定计算机、虚拟系统或者其它设备固有相关。各种通用系统也可以与基于在此的示教一起使用。根据上面的描述，构造具有本发明方案的系统所要求的结构是显而易见的。此外，本发明也不针对任何特定编程语言。应当明白，可以利用各种编程语言实现在此描述的本发明的内容，并且上面对特定语言所做的描述是为了披露本发明的最佳实施方式。
[0077]在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
[0078]类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图:即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循【具体实施方式】的权利要求书由此明确地并入该【具体实施方式】，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
[0079]本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。
[0080]此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
[0081 ] 本发明的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以在一个或者多个处理器上运行的软件模块实现，或者以它们的组合实现。本领域的技术人员应当理解，可以在实践中使用微处理器或者数字信号处理器(DSP)来实现根据本发明实施例的NAND FLASH中的block操作方案中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。本发明还可以实现为用于执行这里所描述的方法的一部分或者全部的设备或者装置程序(例如，计算机程序和计算机程序产品)。这样的实现本发明的程序可以存储在计算机可读介质上，或者可以具有一个或者多个信号的形式。这样的信号可以从因特网网站上下载得到，或者在载体信号上提供，或者以任何其他形式提供。
[0082]应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本发明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
【主权项】
1.一种存储类型的闪存中的块操作方法，其特征在于，包括: 启动与译码地址对应的块选择器，其中，所述块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，且所述奇数块与所述偶数块为相邻的两个块； 确定所述块选择器可选择的所述奇数块对应的第一电压，以及所述块选择器可选择的所述偶数块对应的第二电压； 依据所述译码地址对所述第一电压以及所述第二电压进行配置，以将所述译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压；分别导通控制所述第一电压传输的MOS管、以及控制所述第二电压传输的MOS管。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述启动与所述译码地址对应的块选择器步骤之前，所述方法还包括: 通过地址输入接口接收待操作的块对应的地址； 通过块译码器对所述地址进行译码，生成译码地址并通过译码地址输出接口输出； 确定与所述译码地址对应的块选择器。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，控制所述第一电压传输的MOS管设置在第一字线驱动中，控制所述第二电压传输的MOS管设置在第二字线驱动中； 所述第一字线驱动与偶字线电压导通，所述第二字线驱动与奇字线电压导通。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储类型的闪存中的块包含相同个数的奇数块与偶数块，且所述存储类型的闪存中块的个数为块选择器的两倍。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述地址输入接口的个数为9个，所述译码地址输出接口为4个。6.一种存储类型的闪存中的块操作装置，其特征在于，包括: 启动模块，用于启动与译码地址对应的块选择器，其中，所述块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，且所述奇数块与所述偶数块为相邻的两个块； 确定模块，用于确定所述块选择器可选择的所述奇数块对应的第一电压，以及所述块选择器可选择的所述偶数块对应的第二电压； 电压设置模块，用于依据所述译码地址对所述第一电压以及所述第二电压进行配置，以将所述译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压； 导通模块，用于分别导通控制所述第一电压传输的MOS管、以及控制所述第二电压传输的MOS管。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括: 接收模块，用于在所述启动模块启动与所述译码地址对应的块选择器之前，通过地址输入接口接收待操作的块对应的地址； 译码模块，用于通过块译码器对所述地址进行译码，生成译码地址并通过译码地址输出接口输出； 块选择器确定模块，用于确定与所述译码地址对应的块选择器。8.根据权利要求6或7所述的装置，其特征在于，控制所述第一电压传输的MOS管设置在第一字线驱动中，控制所述第二电压传输的MOS管设置在第二字线驱动中； 所述第一字线驱动与偶字线电压导通，所述第二字线驱动与奇字线电压导通。9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述存储类型的闪存中的块包含相同个数的奇数块与偶数块，且所述存储类型的闪存中块的个数为块选择器的两倍。10.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述地址输入接口的个数为9个，所述译码地址输出接口为4个。
【专利摘要】本发明提供了一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置，其中，所述方法包括：启动与译码地址对应的块选择器，块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，奇数块与偶数块为相邻的两个块；确定块选择器可选择的奇数块对应的第一电压，以及块选择器可选择的偶数块对应的第二电压；依据译码地址对第一电压以及第二电压进行配置，以将译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压；分别导通控制第一电压传输的MOS管、以及控制第二电压传输的MOS管。通过本发明实施例提供的存储类型的闪存中的块操作方案，可缩减一半数量的block？selector，相应地将减小NAND？FLASH的面积。
【IPC分类】G06F3/06
【公开号】CN105224248
【申请号】CN201510624779
【发明人】苏志强, 丁冲, 陈立刚, 谢瑞杰
【申请人】北京兆易创新科技股份有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年9月25日