构固定或附着到彼此，以及可移动或刚性附接或关系，除非另外明确地描述。此外，通过参考优选实施例例示本发明的特性和优点。因此，本发明显然不应该限于此类优选实施例，这些优选实施例示出可以单独存在或者以其它特性组合存在的某些可能的非限制性特性组合；本发明的范围由所附权利要求限定。
[0029]图1是示出根据一个示例性实施例的用于制造双标签的天线的步骤的流程图101。结合图2A-B中所示的结构描述图1中列出的步骤。在第一步骤103，提供或制造箔结构151 (图2A中所示)。箔结构151包括位于第一金属层155和第二金属层157之间的介电层153。在所示的实施例中，第一金属层155具有第一厚度并且第二金属层157具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。但是，第一和第二金属层155、157的实际厚度以及它们之间的任何厚度差异可以有所变化。此类变化例如可以取决于以下因素，这些因素包括要从箔结构形成的天线的频率要求、双标签的所需刚度、针对标签进行的设计选择、影响双标签制造工艺的后续步骤的设计选择，以及其它因素。进一步，在某些实施例中，第一和第二金属层的厚度可以相同。
[0030]在某些实施例中，可以从以下项形成介电层153:流延聚丙烯(CPP)、聚乙烯(PE)、定向聚丙烯(0ΡΡ)，或者适合于双标签的特定实现的另一种类型的介电材料。可以从铝形成第一和第二金属层155、157。可以针对相应层使用其它材料，但是，应理解金属-介电质-金属箔的一部分将用于形成电容器，并且每个金属层的多个部分将用于形成天线。在其中针对双标签形成这些元件的实施例中，针对箔结构选择的材料需要针对得到的双标签实现这些元件的功能。
[0031]介电层153的厚度可以有所变化。在某些实施例中，介电层的厚度可以是从双标签的箔结构151形成的RF电容器的工作频率中的一个因素。在某些实施例中，例如介电层153可以非常薄。薄介电层153允许制造非常小的RF电路，这些电路在8.2MHz下工作。介电层的材料选择和介电层的厚度选择是两个示例性因素，此外还有其它因素，这些因素促成得到的RF电路的工作频率。
[0032]如果在第一步骤103中提供箔结构151，或者在某些实施例中在第一步骤103中制造箔结构151，则可以通过在第一金属层155和/或第二金属层157上沉积一种或多种类型的抗蚀剂材料来继续天线的制造。可以以任何所需顺序执行这些抗蚀剂沉积步骤。进一步，例如如果在两个或更多沉积步骤中使用相同的抗蚀剂材料，则可以同时执行抗蚀剂沉积步骤。
[0033]在一个抗蚀剂沉积步骤105中，在第一金属层155上沉积第一抗蚀剂159。该第一抗蚀剂在第一金属层155上的沉积可以限定RF线圈和RF电容器的第一电极，该线圈和第一电极可以从第一金属层155形成。图2B中不出在第一和第二金属层155、157上沉积抗蚀剂159、161的示例性箔结构151。
[0034]在另一个抗蚀剂沉积步骤107中，在第二金属层157上沉积第一抗蚀剂159。第一抗蚀剂159在第二金属层157上的沉积可以限定RF电容器的第二电极，该电极从第二金属层157形成。在另一个抗蚀剂沉积步骤109中，在第二金属层157上沉积第二抗蚀剂161。第二抗蚀剂161在第二金属层157上的沉积可以限定近场天线的连接衬垫，以便连接衬垫从第二金属层157形成。近场天线和远场天线也可以从第二金属层157形成。第一抗蚀剂159或第二抗蚀剂161可以用于限定近场天线和/或远场天线。
[0035]在某些备选实施例中，第一抗蚀剂在第一金属层155上的沉积可以限定远场天线和近场天线之一或两者。在备选实施例中，远场天线和近场天线之一或两者可以分别从第二抗蚀剂在第二金属层上的沉积形成。在其中远场天线和近场天线在不同金属层上形成的实施例中，可以在所述过程的随后阶段在操作上连接这两个天线。
[0036]在某些实施例中，第一抗蚀剂159和第二抗蚀剂161可以是不同类型的抗蚀剂材料。在此类实施例中，每种抗蚀剂可以通过不同去除过程来去除。例如，第一抗蚀剂159可以是一种类型的抗蚀剂材料，可以通过第一类型的去除过程来去除，并且第二抗蚀剂161可以是第二类型的抗蚀剂材料，可以通过第二类型的去除过程来去除。在此类实施例中，用于第二抗蚀剂161的去除过程可能不去除第一抗蚀剂159。
[0037]第一抗蚀剂159例如可以是不容易去除的抗蚀剂(例如，溶剂型抗蚀剂)，并且第二抗蚀剂161可以是比第一抗蚀剂159更容易去除的抗蚀剂。在一个实施例中，第一抗蚀剂159可以用于形成远场天线191和/或近场天线189。在该实例中，可以使用第二抗蚀剂161以便可以去除连接衬垫193的一部分(S卩，臂)。因为第二抗蚀剂161比第一抗蚀剂159更容易去除，所以可以去除连接衬垫193的一部分(S卩，臂)，同时保留远场天线191和/或近场天线189。
[0038]在去除连接衬垫193的一部分之后，可以将1C芯片以粘附方式贴附到近场天线189。进一步，在将1C芯片以粘附方式贴附到连接衬垫193之后，可以使用加热和/或压力固化粘合剂，因此在1C芯片与连接衬垫193之间产生坚固的结合。为了针对1C芯片贴附到近场天线189提供额外的强度，可以从第一金属层155或第二金属层157形成结构195。在图3中所示的一个优选实施例中，结构195可以从这样的金属层形成:该金属层与从中形成近场天线189的金属层相对。例如，如果近场天线189从第二金属层157形成，则结构195可以从第一金属层155形成(或者反之亦然)。但是，在其它实施例中，结构195可以从形成近场天线189的同一金属层形成。
[0039]可以进一步布置结构195以便结构195的至少一部分与连接衬垫193重叠。以这种方式布置的结构195可以提供除了以下之外的功能或者不同于以下的功能:提供增加的芯片贴附强度。结构195例如可以用于使在1C芯片贴附过程中出现的热量消散。因此，在该实施例中，结构195可以使在1C芯片贴附过程中出现的热量能够在整个结构195中消散，或者甚至在整个箔结构151中消散，而不是允许在芯片贴附期间施加的热量集中在一个区域(例如，近场天线189区域)上。
[0040]在某些其它实施例中，第一抗蚀剂159和第二抗蚀剂161可以是相同的抗蚀剂材料。在其中第一抗蚀剂159和第二抗蚀剂161相同的实施例中，可以以单个去除步骤去除所有抗蚀剂材料。在其它实施例中，可以仅在第一金属层155上沉积第一抗蚀剂159，而仅在第二金属层157上沉积第二抗蚀剂。
[0041]第一抗蚀剂159和第二抗蚀剂161之一或两者可以是可印刷抗蚀剂材料，以便沉积步骤105、107、109中的一个或多个可以包括将第一或第二抗蚀剂印刷到相应的第一或第二材料层155、157上。在此类实施例中，第一抗蚀剂可以是印刷远场天线和/或近场环形天线的抗蚀油墨(resist ink)。在某些实施例中，第一抗蚀剂可以同时印刷远场天线和近场环形天线。可以将第一抗蚀剂材料印刷到第一或第二材料层155、157之一或两者上，并且第二抗蚀剂材料可以是比第一抗蚀剂更容易去除的抗蚀油墨。第二抗蚀剂例如可以用于去除连接衬垫193的一部分，同时可以使用第一抗蚀剂以便保留近场天线和远场天线。
[0042]在沉积步骤105、107、109之后是蚀刻步骤111。在步骤111，以一种工艺蚀刻第一和第二金属层155、157以便去除抗蚀剂未覆盖的金属。使用蚀刻步骤111，RF线圈、RF电容器、远场天线、近场天线和连接衬垫全部由第一和第二金属层的被抗蚀剂覆盖的金属形成。在去除步骤113，去除至少连接衬垫上的抗蚀剂，从而使RFID元件能够电親合到连接衬垫，并且因此耦合到近场天线。可以去除连接衬垫193上的抗蚀剂，因为在连接衬垫193上沉积的抗蚀剂比第一抗蚀剂更容易去除。包括通过图1中所示的步骤101-113形成的多个天线的中间箔结构适合于制造成双标签。
[0043]在某些实施例中，远场天线形成为UHF远场偶极天线，可以使用适当的工作范围配置该天线。在某些实施例中，UHF远场偶极天线的工作范围可以在范围为0.8至2.5GHz的谐振频率下。在某些实施例中，近场天线形成为UHF近场环形天线，可以使用适当的工作范围配置该天线。在某些实施