522和像素电极层112皆位于钝化层122上方，像素电极层112通过第一通孔141与源极22s或漏极22d连接，驱动电极521和感测电极522通过第二通孔142分别连接于驱动线53和感测线54。驱动电极521、感测电极522与像素电极112是由一导电层同时所形成。
[0027]本实施例中，驱动电极521和感测电极522同时作为公共电极层。一方面，当控制器14通过驱动线53传送公共电压至驱动电极521时，源极驱动器16会通过薄膜晶体管22传递数据电压至像素电极112。此时施加于像素电极112的数据电压和施加于驱动电极521(或是感测电极522)的公共电压差会导致像素电极112和驱动电极52之间的液晶层204的液晶分子转动，因而呈现不同的灰阶。另一方面，当控制器14通过驱动线53传送驱动信号至驱动电极521时，数据线114停止传递数据电压至像素电极112。此时，感测电极522会将所感应到的感测信号传输至控制器54，像素电极112和驱动电极521(或是感测电极522)之间的液晶分子仍会保持之前的转动状态。也就是说，本实施例的驱动电极521和感测电极522在显示影像阶段时，会做为公共电极以接收公共电压；在触控侦测阶段时，会用来侦测触摸位置之用。
[0028]本实施例的彩膜基板202包括彩色滤光层116、黑色矩阵层118和玻璃基板120。彩色滤光层116用来滤出不同颜色的光线。黑色矩阵层118用来遮挡漏光。间隙子206用来维持阵列基板200和彩膜基板202之间的间隔，以收容液晶层204。驱动线53位于彩膜基板202上的黑色矩阵层118在阵列基板200上的垂直投影区域内，以减小驱动线53对开口率的影响。
[0029]请参阅图4-图11，图4-图11绘示制造图3A的触摸面板100的阵列基板200的示意图。如图4所示，首先提供一个玻璃基板102，接着进行一金属薄膜沉积制程，以于玻璃基板102表面形成第一金属层(未显示)，并利用第一掩膜来进行第一微影蚀刻，以蚀刻得到薄膜晶体管22的栅极22g以及扫描线(未图示)。虽然图4并未标示出扫描线，但本领域的技术人员可以了解栅极22g实质上是扫描线的一部分。
[0030]请参阅图5，接着沉积以氮化硅(SiNx)为材质的栅级绝缘层106而覆盖栅极22g。[0031 ] 请参阅图6，于栅级绝缘层106上沉积非晶娃(a — Si ,Amorphous Si)层于栅极22g上方。接着利用第二掩膜以蚀刻非晶硅层以构成半导体层22c。半导体层22c作为薄膜晶体管22的半导体层。
[0032]请参阅图7，于栅级绝缘层106上沉积第二金属层(未图示)，并利用第三掩膜进行微影蚀刻，蚀刻该第二金属层以形成薄膜晶体管22的源极22s、漏极22d以及数据线114。数据线114是直接连接到源极22s，本领域的技术人员可以了解源极22s实质上是数据线114的一部分。此外，源极22s和漏极22d的位置也可以对调。
[0033 ] 请参阅图8，接着沉积以可溶性聚四氟乙稀(Po 1 yf luoroal koxy，PFA)为材质的隔离层110，并覆盖源极22s及漏极22d和数据线114，再利用第四掩膜蚀刻隔离层110，用以去除漏极22d上方的部份隔离层110，直至漏极22d表面，以于漏极22d上方形第一通孔141。同时在数据线114的上方形成凹槽143。也就是说，第一通孔141对准漏极22d
[0034]请参阅图9，在隔离层110上形成第三金属层(未图示)，接着利用第五掩膜蚀刻该第三金属层以在凹槽143的位置形成驱动线53。驱动线53用于传送驱动信号以及公共电压。
[0035]请参阅图10，沉积钝化层122于隔离层110和驱动线53上，接着利用第六掩膜蚀刻钝化层122以形成贯穿钝化层122的第一通孔141和第二通孔142。第二通孔142位于驱动线53的上方。
[0036]请参阅图11，沉积以氧化铟锡物(Indium tin oxide，ΙΤ0)或石墨稀或金属为材质的导电层(未图示)。接着利用第七掩膜蚀刻该导电层以同时形成像素电极层112和驱动电极521。像素电极层112通过预先形成的第一通孔141与薄膜晶体管22的漏极22d电性连接。驱动电极521通过预先形成的第二通孔142与驱动线53连接。像素电极层112构成数个像素电极，驱动电极521构成数个触控电极，数个像素电极和数个触控电极交替形成于钝化层122 上。
[0037]由于图3A和图3B皆用来表示同一触摸面板，图4-图11的制程步骤亦可以形成图3B的结构。也就是说，在形成图9所示的驱动线53的同时，该步骤也会同时形成图3B的感测线54;在形成图11所示的驱动电极521的同时，该步骤也会同时形成图3B的感测电极522。
[0038]至此，本实施例的阵列基板200已完成。之后在将彩膜基板202和液晶层204组合后，便可以形成本实施例的触摸面板100。
[0039]在其他实施方式中，触摸面板100还可以是具有触控功能的有机发光二极管(0LED)显示面板或其他显示面板。
[0040]相较于现有技术，本发明的触摸面板的阵列基板的驱动线可以传输公共电压和驱动信号，因此不需额外增设驱动信号线来传输驱动信号。所以可以避免现有技术的触控面板因设置驱动信号线而增加边框宽度的问题。另外，由于驱动线利用第三金属层制成，因此减少因额外设置驱动信号线而产生寄生电容的问题。此外，驅動电极和感測電極是由氧化铟锡或是金属构成，可以增加触控灵敏度。
[0041]综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，但该较佳实施例并非用以限制本发明，该领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【主权项】
1.一种触摸面板，其包括: 基板； 第一金属层，位于所述基板上，用来形成薄膜晶体管的栅极； 栅级绝缘层，位于所述第一金属层上； 其特征在于，所述阵列基板另包含: 第二金属层，位于所述栅级绝缘层上，用来形成所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极； 隔离层，位于所述第二金属层上，并设置贯穿所述隔离层的第一通孔，所述第一通孔对准所述源极或漏极； 第三金属层，位于所述隔离层上，用来形成驱动线，所述驱动线用于传送驱动信号以及公共电压； 钝化层，层叠(laminated)于所述隔离层上，并设置贯穿所述钝化层的所述第一通孔和第二通孔，所述第二通孔对准所述数据线； 像素电极，通过所述第一通孔与所述源极或漏极连接； 驱动电极，通过所述第二通孔与所述驱动线连接;及 感测电极，用来传送感测信号以及所述公共电压， 其中，所述驱动电极、所述感测电极同时作为公共电极层。2.根据权利要求1所述的触摸面板，其特征在于，所述像素电极、所述感测电极和所述驱动电极是由一导电层同时所形成。3.根据权利要求2所述的触摸面板，其特征在于，所述导电层是氧化铟锡或是金属构成。4.根据权利要求1所述的触摸面板，其特征在于，所述数据线用来通过所述薄膜晶体管传递数据电压至所述像素电极层。5.根据权利要求4所述的触摸面板，其特征在于，当所述驱动线传送所述公共电压至所述驱动电极时，所述数据线用来通过所述薄膜晶体管传递数据电压至所述像素电极层。6.根据权利要求4所述的触摸面板，其特征在于，当所述驱动线传送所述驱动信号至所述驱动电极时，所述数据线停止通过所述薄膜晶体管传递数据电压至所述像素电极层。7.一种制造触摸面板的方法，其包括: 形成第一金属层于基板上； 蚀刻所述第一金属层以形成薄膜晶体管的栅极； 形成栅级绝缘层于所述薄膜晶体管的栅极上； 形成第二金属层于所述栅级绝缘层上； 蚀刻所述第二金属层以形成数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极； 形成隔离层于所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极之上； 蚀刻所述隔离层以形成贯穿所述隔离层的第一通孔，所述第一通孔对准所述源极或漏极； 沉积第三金属层于所述隔离层上； 蚀刻所述第三金属层以于所述数据线的上方形成驱动线和感测线，所述驱动线用于传送驱动信号以及公共电压，所述感测线用于传送感测信号以及所述公共电压； 沉积钝化层于所述隔离层和所述驱动线上； 蚀刻所述钝化层，以形成贯穿所述钝化层的所述第一通孔和第二通孔，所述第二通孔位于所述驱动线的上方； 沉积导电层于所述钝化层、所述驱动线、所述源极或漏极上； 蚀刻所述导电层以形成像素电极、驱动电极和感测电极，所述像素电极通过所述第一通孔与所述源极或漏极连接，所述驱动电极通过所述第二通孔连接于所述驱动线，其中所述感测电极用来传送感测信号以及所述公共电压，所述驱动电极和所述感测电极同时作为公共电极层； 其中，所述驅動电极和所述感測電極同时作为所述阵列基板的公共电极层。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述导电层是氧化铟锡或是金属构成。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述第二金属层于所述栅级绝缘层上的步骤之前，所述方法另包含: 形成非晶硅层于所述栅级绝缘层上;及 蚀刻所述非晶硅层以形成所述薄膜晶体管的半导体层。
【专利摘要】本发明公开一种触摸面板，其包括：第一金属层位于基板上，用来形成薄膜晶体管的栅极；栅级绝缘层，位于所述第一金属层上；第二金属层，位于所述栅级绝缘层上，用来形成所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极；隔离层位于所述第二金属层上，并设置贯穿所述隔离层的第一通孔，所述第一通孔对准所述源极或漏极；第三金属层，位于所述隔离层上，用来形成驱动线；钝化层，层叠于所述隔离层上，并设置贯穿所述钝化层的所述第一通孔和第二通孔；像素电极，通过所述第一通孔与所述源极或漏极连接；驱动电极，通过所述第二通孔与所述驱动线连接；及感测电极，用来传送感测信号以及所述公共电压，其中，所述驱动电极、所述感测电极同时作为公共电极层。
【IPC分类】G06F3/041, G02F1/1333, G02F1/1343, G06F3/044
【公开号】CN105487717
【申请号】CN201610034176
【发明人】郝思坤
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2016年1月19日