金属网格触摸屏结构及其制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种消除金属网格触摸屏中产生的莫尔效应的金属网格触摸屏结构及其制作方法。该金属网格触摸屏结构，包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层，所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层，而所述贴合层中包括具有第二分布图形的金属网格层，所述第一分布图形与所述第二分布图形相对应设置。采用金属网格与像素层中像素定义层对应设置，可以有效改善金属网格应用于触摸屏中的莫尔效应(Moire effect)的问题。
【专利说明】
金属网格触摸屏结构及其制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及触摸屏领域，尤其涉及一种消除金属网格触摸屏中产生的莫尔效应的金属网格触摸屏结构及其制作方法。
【背景技术】
[0002]在现有的触摸屏结构中，采用金属网格(Metal mesh)替代氧化铟锡物(ITO)，解决在触摸面板中使用氧化铟锡物材料所产生的两个主要问题:一是氧化铟锡物应用在玻璃传感器上的光学问题，氧化铟锡物会使整体光学尤其是穿透率下降，而金属网格为网格状，若能完全匹配 AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting D1de，主动矩阵有机发光二极体面板)的像素定义层，将不会有穿透率的损失。二是片电阻值过高的问题，现在业界氧化铟锡物的沉积技术，在玻璃基材上的片电阻可以达到50ohm/s，而金属网格虽然是金属材料，但因为网格的尺寸为每英寸上有250个孔，线宽为5um，导致原本的0.5ohm/s的片电阻需重新计算为等效片电阻，以模拟软体计算出的等效片电阻为50ohm/s，实际量测为30ohm/s,甚至更低，故在片电阻值上可以取代氧化铟锡物。
[0003]但是使用金属网格触控面板，其网格结构在显示屏上造成视觉波纹的莫尔效应(Moire effect)，莫尔效应是当注视一组线或点与另一组线或点的叠层时的一种视觉效果，这两组线或点相对大小，角落或间距上不同。有时也称为莫瑞效应、摩尔纹、或水波纹等。这样的波纹对于肉眼是可视的，使用者对于这种现象不能接受。金属网格在使用时会与AMOLED的像素层(Pixel Define Layer)产生莫尔效应，其中有两种情况莫尔效应会特别严重，第一种是当金属网格与像素层为一特殊夹角时，莫尔效应的情况容易看见，如图1所示，显示了金属网格与像素层存在夹角时，产生莫尔效应的示意图。第二种是当金属网格的网格平行于像素层的时候，因网格与像素层形成周期性的条纹，导致莫尔效应的出现，如图2所示，显示了金属网格与像素层平行时，产生莫尔效应的示意图。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种金属网格触控屏结构及其制作方法，可以解决采用金属网格实现触控屏时产生莫尔效应的问题。
[0005]实现上述目的的技术方案是:
[0006]本发明一种金属网格触摸屏结构，包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层，所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层，而所述贴合层中包括具有第二分布图形的金属网格层，所述第一分布图形与所述第二分布图形相对应设置。
[0007]采用金属网格层中的以第二分布图形设置的金属网格与像素层中以第一分布图形设置的像素定义层相对应设置，即将金属网格与像素定义层对齐设置，可以有效改善金属网格应用于触摸屏中的莫尔效应的问题。将金属网格的第二分布图形匹配于像素定义层的第一分布图形，纵向上看，金属网格完全设于像素定义层的范围内，在视觉效果上不会产生莫尔效应。
[0008]本发明金属网格触摸屏结构的进一步改进在于，所述金属网格层形成于所述贴合层内，且位于所述封装层的上表面。将金属网格层设于封装层上表面，由于在AMOELD的背侦牝对位公差小于lOum，可以减小第二分布图形和第一分布图形的对应匹配误差，保证消除莫尔效应现象。
[0009]本发明金属网格触摸屏结构的进一步改进在于，所述金属网格层形成于所述贴合层的上表面，且位于所述触摸层内。
[0010]本发明金属网格触摸屏结构的进一步改进在于，其特征在于，所述像素定义层具有第一宽度，所述金属网格层具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。
[0011]本发明金属网格触摸屏结构的进一步改进在于，所述第一宽度为18um至22um，所述第二宽度为4um至6um。
[0012]本发明一种金属网格触摸屏结构，包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层，所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层，所述AMOLED结构层上包括具有第二分布图形的金属网格层，所述第一分布图形与所述第二分部图形相对应设置。
[0013]本发明金属网格触摸屏结构的进一步改进在于，所述金属网格层设于所述AMOLED结构层和所述像素层之间，且位于所述AMOLED结构层的上表面。金属网格层设于像素层和AMOLED结构层之间，由于在AMOELD的内侧，对位公差小于10um，可以减小第二分布图形和第一分布图形的对应匹配误差，保证消除莫尔效应现象。
[0014]本发明金属网格触摸屏结构的进一步改进在于，所述像素定义层具有第一宽度，所述金属网格层具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。金属网格的线宽小于像素定义层，使得金属网格的周期排布匹配于像素层的周期成为可能，进而可以实现消除莫尔效应的现象。
[0015]本发明金属网格触摸屏结构的进一步改进在于，所述第一宽度为18um至22um，所述第二宽度为4um至6um。
[0016]本发明一种金属网格触摸屏结构的制作方法，
[0017]制作AMOLED 结构；
[0018]于AMOLED结构层之上制作像素层，所述像素层包括具有第一分布图形的像素定义层；
[0019]于像素层之上制作封装层；
[0020]于封装层之上制作具有第二分布图形的金属网格层，将所述第二分布图形与所述第一分布图形对应设置；
[0021 ] 于所述金属网格层之上贴合触摸层。
[0022]本发明金属网格触摸屏结构的制作方法的进一步改进在于，将所述像素定义层以第一宽度进行设置，将所述金属网格层中的金属网格以第二宽度进行设置，所述第一宽度大于所述第二宽度。
[0023]本发明一种金属网格触摸屏结构的制作方法，
[0024]制作AMOLED 结构；
[0025]于AMOLED结构之上制作具有第二分布图形的金属网格层以及像素层，所述像素层包括具有第一分布图形的像素定义层，将所述第一分布图形与所述第二分布图形对应设置；
[0026]于所述像素层之上制作封装层；
[0027]于所述封装层贴合触摸层。
[0028]本发明金属网格触摸屏结构的制作方法的进一步改进在于，将所述像素定义层以第一宽度进行设置，将所述金属网格层中的金属网格以第二宽度进行设置，所述第一宽度大于所述第二宽度。
【附图说明】
[0029]图1为现有技术中金属网格和像素层成夹角时产生莫尔效应的示意图；
[0030]图2为现有技术中金属网格和像素层平行时产生莫尔效应的示意图；
[0031]图3为本发明中金属网格和像素层中的像素定义层周期一致消除莫尔效应的示意图；
[0032]图4为本发明金属网格触摸屏结构中将金属网格置于触摸层中的结构示意图；
[0033]图5为本发明金属网格触摸屏结构中将金属网格置于触摸层中产生莫瑞效應的结构示意图；
[0034]图6为本发明金属网格触摸屏结构中将金属网格置于封装层之上的结构示意图；
[0035]图7为本发明金属网格触摸屏结构中将金属网格置于AMOLED结构层和像素层之间的结构示意图；
[0036]图8为本发明金属网格触摸屏结构的制作方法的第一较佳实施例；
[0037]图9为本发明金属网格触摸屏结构的制作方法的第二较佳实施例。
【具体实施方式】
[0038]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
[0039]请参阅图3所示，显示了本发明中采用金属网格和像素层中像素定义层对应设置，使得金属网格与像素定义层对齐，两者的周期一致，藉此消除莫尔效应的示意图。本发明金属网格触摸屏结构及其制作方法，采用金属网格和像素层中像素定义层的周期一致的方法，金属网格与像素层中的像素定义层相对应，可实现消除莫尔效应的效果，像素定义层的宽度大于金属网格的线宽，使得金属网格置于像素定义层内，视觉上不会产生莫尔效应现象，有效改善金属网格重叠而产生的摩尔纹现象。下面结合附图，对本发明金属网格触摸屏结构及其制作方法进行说明。
[0040]请参阅图4，显示了本发明金属网格触摸屏结构中将金属网格置于触摸层中的结构示意图。下面结合图4，对本发明金属网格触摸屏结构进行说明。如图4所示，本发明金属网格触摸屏结构包括依次设置的AMOLED结构层10、像素层20、封装层30、贴合层40、以及触摸层50，像素层20中包括具有第一分布图形的像素定义层201，该像素定义层201于像素层20中呈条形状间隔设置，像素定义层201之间的间隔处设有RGB的像素点。贴合层30中包括具有第二分布图形的金属网格层，金属网格60以第二分布图形设置形成了金属网格层，该第一分布图形与第二分布图形相对应设置，这里的对应是指第二分布图形的范围对应设在第一分布图形的范围内，该第一分布图形为间隔分布的条形状像素定义层201，第二分布图形为间隔分布的条形状的金属网格60，每一金属网格60对应设于相应的像素定义层201的范围内，也就实现了金属网格60与像素定义层201的对应设置。
[0041]在本实施例中，金属网格60形成于贴合层40的上表面，且位于触摸层50内，像素定义层201具有第一宽度，金属网格层60具有第二宽度，该第一宽度大于第二宽度，确保设置后金属网格60在对应的像素定义层60的范围内。
[0042]金属网格层中的金属网格60的第二宽度为4um至6um，优选采用5um。像素层20中的像素定义层201的第一宽度为18um至22um，优选采用20um。该金属网格层中的金属网格60设于触摸层50内，将金属网格60与像素定义层201 —一对应，将金属网格60置于像素定义层201的范围内，从视觉上看，如图4中显示的带箭头的虚线，代表视觉效果，一个金属网格60处的两个视线相隔距离近，且金属网格置于像素定义层201范围内，视觉上不会产生莫尔效应现象。具体效果参见图3所示，显示了金属网格和像素层周期一致消除莫尔效应的示意图。从理论上讲，将金属网格60的周期与像素定义层201的周期设为一致，金属网格60置于像素定义层201的范围内，能够消除莫尔效应现象。但是实际操作时，将金属网格60置于触摸层50内有可能会产生莫尔效应现象，其实际的效果为图5所示，请参阅图5，显示了本发明金属网格触摸屏结构中将金属网格置于触摸层中的结构示意图，下面结合图5对本发明金属网格触摸屏结构进行说明。
[0043]如图5所不，本发明金属网格触摸屏结构中的金属网格60设于触摸层50内，触摸层50通过贴合层40贴合于封装层30之上，在贴合过程中，触摸层50的对位公差大于10um，其中，金属网格60的第二宽度为5um，像素定义层201的第一宽度为20um，如果将金属网格60与像素定义层201中心对齐，金属网格60再加上触摸层50在贴合过程中产生的1um公差，使得金属网格60会有部分超出像素定义层201的范围，这样就出现了金属网格与像素层平行时产生莫尔效应的现象。将金属网格60置于触摸层50内而制作的触摸屏结构中，金属网格60由于触摸层50的对位公差较大，偏移了像素定义层201，与像素定义层201不能很好的对应，这时视觉上会产生莫尔效应现象。如果将金属网格60设于靠近像素定义层201的一端，即使加上偏移公差10um，金属网格60也不会超出像素定义层201的范围，所以，金属网格60设于触摸层50内，需要考虑对位公差的因素，才能彻底消除莫尔效应现象的产生。
[0044]将金属网格设于触摸层时，可能会产生莫尔效应现象，不能完全消除莫尔效应。而且还要考虑对位公差的因素，对于制程和设计均需要更高的要求，不容易实现。基于上述问题的考虑，提出将金属网格60设于AMOLED的结构内或者结构之上，由于现有制程技术中，AMOLED的结构内和结构之上的制程公差在1um以内，可以满足金属网格与像素定义层周期一致的要求。另外，金属网格60不在触摸层内，触摸层存在的对位公差，不会影响到金属网格60的位置，所以可以解决金属网格60设于触摸层内所产生的问题。
[0045]参阅图6，显示了本发明金属网格触摸屏结构中将金属网格置于封装层30之上的结构示意图。下面结合图6对本发明金属网格触摸结构进行说明。所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层，而所述贴合层中包括具有第二分布图形的金属网格层，所述第一分布图形与所述第二分布图形相对应设置。
[0046]如图6所示，本发明金属网格触摸屏结构包括依次设置的AMOLED结构层10、像素层20、封装层30、贴合层40、以及触摸层50，像素层20中包括具有第一分布图形的像素定义层201，像素定义层201与图4的实施例中的结构相同，本实施例与图4的实施例的区别在于，金属网格层设于贴合层40内，且位于封装层30的上表面，金属网格60设于封装层30上表面，且贴合层40包覆于金属网格60的外表面。利用半导体制程将金属网格60制作于封装层30之上，该制程的对位公差在1um以内，通过制程将金属网格60置于封装层30之上后，在对位公差范围内，很容易保证金属网格层60对应设在像素定义层201范围内，从视觉上看，如图4中显示的带箭头的虚线，代表视觉效果，一个金属网格处的两个视线相隔距离近，且金属网格置于像素定义层201范围内，视觉上不会产生莫尔效应现象。具体效果参见图3所示，显示了金属网格和像素层周期一致消除莫尔效应的示意图。
[0047]参阅图7，显示了本发明金属网格触摸屏结构中将金属网格置于AMOLED结构层和像素层之间的结构示意图。下面结合图7对本发明金属网格触摸结构进行说明。
[0048]如图7所示，本发明金属网格触摸屏结构包括依次设置的AMOLED结构层10、像素层20、封装层30、贴合层40、以及触摸层50，像素层20中包括具有第一分布图形的像素定义层201，该像素定义层201于像素层20中呈条形状间隔设置，像素定义层201之间的间隔处设有RGB的像素点。贴合层30中包括具有第二分布图形的金属网格层，金属网格60以第二分布图形设置形成了金属网格层，该第一分布图形与第二分布图形相对应设置，这里的对应是指第二分布图形的范围对应设在第一分布图形的范围内，该第一分布图形为间隔分布的条形状像素定义层201，第二分布图形为间隔分布的条形状的金属网格60，每一金属网格60对应设于相应的像素定义层201的范围内，也就实现了金属网格60与像素定义层201的对应设置。像素定义层201具有第一宽度，金属网格层60具有第二宽度，该第一宽度大于第二宽度，确保设置后金属网格60在对应的像素定义层60的范围内。金属网格层中的金属网格60的第二宽度为4um至6um，优选采用5um。像素层20中的像素定义层201的第一宽度为18um至22um，优选采用20um。
[0049]在本实施例中，金属网格层设于AMOLED结构10的上表面，设于AMOLED结构10和像素层20之间，该金属网格60设于AMOLED结构层10和像素层20之间，利用半导体制程将金属网格60制作于AMOLED结构层10和像素层20之间，该制程的对位公差在1um以内，在对位公差范围内，使得金属网格60很容易保证在像素定义层201的范围内，从视觉上看，如图7中显示的带箭头的虚线，代表视觉效果，一个金属网格处的两个视线相隔距离近，且金属网格置于像素定义层201的范围内，视觉上不会产生莫尔效应现象。具体效果参见图3所示，显示了金属网格和像素层中的像素定义层周期一致消除莫尔效应的示意图。
[0050]将金属网格层设于AMOLED的内侧或者背侧，现有制程中的对位公差在1um以内，可以保证金属网格60和像素层20中的像素定义层201的周期一致，金属网格60和像素定义层201相对应，使得金属网格60在像素定义层201的范围内，可以有效避免莫尔效应的产生。
[0051]本发明金属网格触摸屏的有益效果为:
[0052]通过将金属网格60设置为与像素层20中像素定义层201的对应设置，可以避免金属网格产生的莫尔效应问题。将金属网格60设于AMOLED的内侧或者背侧，保证对位公差在1um以内，具体位置为AMOLED中的封装层之上或者为AMOLED结构层和像素层之间，可以确保金属网格与像素定义层相对应，有效消除金属网格所产生的莫尔效应现象。采用金属网格的触摸屏结构，还具有等效片电阻值低，在电性上反应为收发频率上升，还可提高扫描次数，增加过滤环境噪音的效果，提升线性度的表现。
[0053]参阅图8，显示了本发明金属网格触摸屏结构的制作方法的第一较佳实施例。下面结合图8，对本发明金属网格触摸屏结构的制作方法进行说明。
[0054]如图8所示，本发明金属网触摸屏结构的制作方法包括:
[0055]执行步骤Sll，制作AMOLED结构。结合图6所示，利用一般半导体制程制作AMOLED结构，得到AMOLED结构层10。接着执行步骤S12。
[0056]执行步骤S12，在AMOLED结构层10之上制作像素层。将像素层20制作于AMOLED结构层之上，该像素层20包括具有第一分布图形的像素定义层201，该像素定义层201于像素层20中呈条形状间隔设置，像素定义层201之间的间隔处设有RGB的像素点，得到像素层20。接着执行步骤S13。
[0057]执行步骤S13，在像素层20之上制作封装层。利用封装层将像素层20和AMOLED结构层10封装起来。接着执行步骤S14。
[0058]执行步骤S14，在封装层30之上制作具有第二分布图形的金属网格层，将第二分布图形与第一分布图形对应设置，将金属网格60以第二分布图形设置形成金属网格层，该第二分布图形与第一分布图形对应设置，使得金属网格60的范围置于对应的像素定义层201的范围内，金属网格60与像素层20中的像素定义层201相对应。金属网格60具有第二宽度，像素定义层201具有第一宽度，第一宽度大于第二宽度。较佳地，该第二宽度为4um至6um，优选采用5um。第一宽度为18um至22um，优选采用20um。采用一般半导体制程得到金属网格层，其制作过程中的公差在1um以内，符合公差范围要求，得到的金属网格层中的金属网格60仍在像素定义层201的范围内，有效确保了消除莫尔效应的现象。接着执行步骤S15。
[0059]执行步骤S15，在金属网格之上贴合触摸层。通过贴合层40将触摸层50贴合于金属网格之上。
[0060]这样就得到了金属网格触摸屏结构。该金属网格触摸屏结构由于包含有金属网格60，使其具有等效片电阻值低，在电性上反应为收发频率上升，还可提高扫描次数，增加过滤环境噪音的效果，提升线性度的表现。通过将金属网格60设置为与像素层20中的像素定义层201相对应，可以避免金属网格产生的莫尔效应问题。将金属网格60设于AMOLED的背侧，保证对位公差在1um以内，具体位置为AMOLED中的封装层之上或，可以确保金属网格与像素定义层相对应，有效消除金属网格所产生的莫尔效应现象。
[0061]参阅图9，显示了本发明金属网格触摸屏结构的制作方法的第二较佳实施例。下面结合图9对本发明金属网格触摸屏结构的制作方法进行说明。
[0062]如图9所示，本发明金属网格触摸屏结构的制作方法包括:
[0063]执行步骤S21，制作AMOLED结构，结合图7所示，利用一般半导体制程制作AMOLED结构，得到AMOLED结构层10。接着执行步骤S12。
[0064]执行步骤S22，在AMOLED结构之上制作具有第二分布图形的金属网格层和像素层20，该像素层20包括具有第一分布图形的像素定义层201，将第一分布图形与第二分布图形对应设置，金属网格60置于像素层20和AMOLED结构层10之间，金属网格60与像素层20中的像素定义层201对应设置，使得金属网格60的范围置于对应的像素定义层201的范围内。金属网格60具有第二宽度，像素定义层201具有第一宽度，第一宽度大于第二宽度。较佳地，第二宽度为4um至6um，优选采用5um。第二宽度为18um至22um，优选采用20um。采用一般半导体制程得到金属网格，其制作过程中的公差在1um以内，符合公差范围要求，得到的金属网格层中的金属网格60仍在像素定义层201的范围内，有效确保了消除莫尔效应的现象。接着执行步骤S23。
[0065]执行步骤S23，像素层之上制作封装层。利用封装层30将像素层20、金属网格层50、以及AMOLED结构层10封装起来。接着执行步骤S24。
[0066]执行步骤S24，在封装层之上制作贴合触摸层。通过贴合层40将触摸层50制作于封装层30之上。
[0067]这样就得到了金属网格触摸屏结构。该金属网格触摸屏结构由于包含有金属网格，使其具有等效片电阻值低，在电性上反应为收发频率上升，还可提高扫描次数，增加过滤环境噪音的效果，提升线性度的表现。通过将金属网格60设置为与像素层20的周期一致，可以避免金属网格产生的莫尔效应问题。将金属网格60设于AMOLED的内侧，保证对位公差在1um以内，具体位置为AMOLED结构层和像素层之间，可以确保金属网格与像素定义层相对应，有效消除金属网格所产生的莫尔效应现象。
[0068]以上结合附图实施例对本发明进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定，本发明将以所附权利要求书界定的范围作为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种金属网格触摸屏结构，包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层，其特征在于，所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层，而所述贴合层中包括具有第二分布图形的金属网格层，所述第一分布图形与所述第二分布图形相对应设置。2.如权利要求1所述的金属网格触摸屏结构，其特征在于，所述金属网格层形成于所述贴合层内，且位于所述封装层的上表面。3.如权利要求1所述的金属网格触摸屏结构，其特征在于，所述金属网格层形成于所述贴合层的上表面，且位于所述触摸层内。4.如权利要求1至3任一项所述的金属网格触摸屏结构，其特征在于，所述像素定义层具有第一宽度，所述金属网格层具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。5.如权利要求4所述的金属网格触摸屏结构，其特征在于，所述第一宽度为ISum至22um，所述第二宽度为4um至6um。6.—种金属网格触摸屏结构，包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层，其特征在于，所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层，所述AMOLED结构层上包括具有第二分布图形的金属网格层，所述第一分布图形与所述第二分部图形相对应设置。7.如权利要求5所述的金属网格触摸屏结构，其特征在于，所述金属网格层设于所述AMOLED结构层和所述像素层之间，且位于所述AMOLED结构层的上表面。8.如权利要求6或7所述的金属网格触摸屏结构，其特征在于，所述像素定义层具有第一宽度，所述金属网格层具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。9.如权利要求8所述的金属网格触摸屏结构，其特征在于，所述第一宽度为ISum至22um，所述第二宽度为4um至6um。10.一种金属网格触摸屏结构的制作方法，其特征在于， 制作AMOLED结构； 于AMOLED结构层之上制作像素层，所述像素层包括具有第一分布图形的像素定义层； 于像素层之上制作封装层； 于封装层之上制作具有第二分布图形的金属网格层，将所述第二分布图形与所述第一分布图形对应设置； 于所述金属网格层之上贴合触摸层。11.如权利要求10所述的金属网格触摸屏结构的制作方法，其特征在于，将所述像素定义层以第一宽度进行设置，将所述金属网格层中的金属网格以第二宽度进行设置，所述第一宽度大于所述第二宽度。12.—种金属网格触摸屏结构的制作方法，其特征在于， 制作AMOLED结构； 于AMOLED结构之上制作具有第二分布图形的金属网格层以及像素层，所述像素层包括具有第一分布图形的像素定义层，将所述第一分布图形与所述第二分布图形对应设置； 于所述像素层之上制作封装层； 于所述封装层贴合触摸层。13.如权利要求12所述的金属网格触摸屏结构的制作方法，其特征在于，将所述像素定义层以第一宽度进行设置，将所述金属网格层中的金属网格以第二宽度进行设置，所述第一宽度大于所述第二宽度。
【文档编号】G06F3/041GK105892737SQ201510039240
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2015年1月26日
【发明人】林育蔚, 杜娟
【申请人】上海和辉光电有限公司