射频识别芯片防转移方法及防转移射频识别芯片的制作方法
【专利摘要】射频识别芯片防转移方法及防转移射频识别芯片，涉及RFID技术。本发明的方法包括下述步骤：1)设置第一点阵式触点区，并将其与RFID芯片形成电路连接，RFID芯片具有第一存储器；2)初始化：外部特征导体单元与第一点阵式触点区固定连接，使第一点阵式触点区中的全部或部分触点与外部导体形成电连接，RFID芯片检测第一点阵式触点区中的触点与外部导体的电连接状态并记录于第一存储器；3)初始化完成后，工作状态中，RFID芯片检测第一点阵式触点区的触点与外部导体的电连接状态，与第一存储器中的存储记录比较，若不一致，则将RFID芯片自身设定为异常状态。本发明能够有效防止转移利用的RFID芯片。
【专利说明】
射频识别芯片防转移方法及防转移射频识别芯片
技术领域
[0001 ]本发明涉及RFID技术。
【背景技术】
[0002]RFID技术即无线射频识别技术，是一种非接触的自动识别技术，其基本原理是利用射频信号和空间耦合(电感或电磁耦合)或雷达反射的传输特性，实现对被识别物体的自动识别。目前RFID已经开始用于物品的防伪，例如高档白酒的防伪。在RFID防伪领域，一个主要课题就是如何防转移，也就是防止真标签被从真品上剥离后贴在伪品上。常见的方法是利用RFID标签天线的毁坏实现防转移，也就是利用防揭、易碎等技术使RFID标签天线在脱离附着物时被破坏，从而使标签不能工作。但上述方法中，RFID芯片仍完好无损，有可能被取下后重新封装利用，这样防转移并不彻底。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够有效防止RFID芯片转移利用的方法，以及能够有效防止转移利用的RFID芯片。
[0004]本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，射频识别芯片防转移方法，其特征在于，包括下述步骤:
[0005]I)设置第一点阵式触点区，并将其与RFID芯片形成电路连接，RFID芯片具有第一存储器；
[0006]2)初始化:外部特征导体单元与第一点阵式触点区固定连接，使第一点阵式触点区中的全部或部分触点与外部导体形成电连接，RFID芯片检测第一点阵式触点区中的触点与外部导体的电连接状态并记录于第一存储器；
[0007]3)初始化完成后，工作状态中，RFID芯片检测第一点阵式触点区的触点与外部导体的电连接状态，与第一存储器中的存储记录比较，若不一致，则将RFID芯片自身设定为异常状态。
[0008]所述第一点阵式触点区固定设置于芯片的外表面。
[0009]所述外部特征导体单元包括一个金属层，该金属层与RFID芯片的GND脚形成电连接。
[0010]所述外部特征导体单元通过绝缘胶或导电胶粘接于第一点阵式触点区，使第一点阵式触点区的触点与外部特征导体的电连接状态固定。
[0011 ]本发明提供的防转移射频识别芯片包括下述部分:
[0012]触点区接口，用于于触点区的触点形成电路连接，所述触点区接口包括至少两个触点的连接点；
[0013]触点区状态检测电路，用于检测触点区接口与外部导体的电连接状态；
[0014]第一存储器，用于初始化完成时存储触点区接口的与外部导体的电连接状态；
[0015]比较控制器，用于比较下述A、B两种状态是否一致，并根据比较结果设置RFID芯片自身的状态:
[0016]A、初始化完成时触点区接口与外部导体的电连接分布状态，
[0017]B、工作状态下触点区接口与外部导体的电连接分布状态；
[0018]所述触点区状态检测电路与触点区接口连接，触点区检测电路还与第一存储器形成数据传输连接，比较控制器与触点区状态检测电路连接，比较控制器还与第一存储器连接。
[0019]进一步的，还包括第一点阵式触点区，其触点与触点区接口的触点连接点形成电连接，所述第一点阵式触点区固定设置于RFID芯片的表面。
[0020]还包括外部导体，所述外部导体与RFID芯片的GND端电连接。
[0021]进一步的，所述第一点阵式触点区包括至少两种高度的触点，这样可以进一步加强第一点阵式触点区与外部导体连接的随机性。
[0022]本发明的有益效果是，RFID芯片能够检测到转移利用的情况，并可依据检测结果设定自身状态为异常，有效的防止RFID芯片转移利用。
【附图说明】
[0023]图1是本发明的RFID芯片结构示意图。
[0024]图2是本发明的RFID芯片天线示意图。
[0025]图3是采用了不规则形状外部导体的RFID芯片天线示意图。
【具体实施方式】
[0026]本发明所述的外部特征导体是指初始化时预置的外部导体，“外部导体”包括了外部特征导体，也包括转移利用后的外部导体。因此，“外部特征导体”是“外部导体”的一个子类。
[0027]本发明的射频识别芯片防转移方法包括下述步骤:
[0028]I)设置第一点阵式触点区，并将其与RFID芯片形成电路连接，RFID芯片具有第一存储器;所述第一点阵式触点区固定设置于芯片的外表面。
[0029]2)初始化:外部特征导体单元包括一个金属层，该金属层与RFID芯片的GND脚形成电连接。
[0030]外部特征导体单元与第一点阵式触点区固定连接，使第一点阵式触点区中的全部或部分触点与外部导体形成电连接，RFID芯片检测第一点阵式触点区中的触点与外部导体的电连接状态并记录于第一存储器；
[0031]3)初始化完成后，工作状态中，RFID芯片检测第一点阵式触点区的触点与外部导体的电连接状态，与第一存储器中的存储记录比较，若不一致，则将RFID芯片自身设定为异常状态。
[0032]所述外部特征导体单元通过绝缘胶或导电胶粘接于第一点阵式触点区，使第一点阵式触点区的触点与外部特征导体的电连接状态固定。
[0033]本发明的防转移射频识别芯片包括下述部分:
[0034]触点区接口，用于于触点区的触点形成电路连接，所述触点区接口包括至少两个触点的连接点；
[0035]触点区状态检测电路，用于检测触点区接口与外部导体的电连接状态；
[0036]第一存储器，用于初始化完成时存储触点区接口的与外部导体的电连接状态；
[0037]比较控制器，用于比较下述A、B两种状态是否一致，并根据比较结果设置RFID芯片自身的状态:
[0038]A、初始化完成时触点区接口与外部导体的电连接分布状态，
[0039 ] B、工作状态下触点区接口与外部导体的电连接分布状态；
[0040]所述触点区状态检测电路与触点区接口连接，触点区检测电路还与第一存储器形成数据传输连接，比较控制器与触点区状态检测电路连接，比较控制器还与第一存储器连接。
[0041 ]还包括第一点阵式触点区，其触点与触点区接口的触点连接点形成电连接，所述第一点阵式触点区固定设置于RFID芯片的表面。
[0042]更进一步的，所述第一点阵式触点区包括至少两种高度的触点，S卩，配合以具有不同高度触点的第二点阵式触点区，二者的接触点(电连接)更为随机和不规则，伪造难度也更大。
[0043]实施例:
[0044]如图1，RFID芯片设计上除天线引脚及GND引脚外增加若干引脚，在加工芯片工艺环节，这些引脚将长金属球形成小的触点。RFID芯片内部有专门的检测电路可以检测这些小触点是接地还是浮空的状态。RFID芯片的存储器内还开辟专门区域，用于存放检测到的每个小触点接地/浮空状态。此外，RFID芯片还有比较电路，能自动对比存放在存储器内的上述接地/浮空状态与当前检测到的接地/浮空状态。
[0045]如图2，RFID标签天线针对上述RFID芯片有一定的特殊设计，其核心是增加了一大片金属层(图中的阴影区域)。当RFID芯片用倒扣工艺封装到RFID标签天线上，众多小触点将通过金属层连接到芯片GND脚，也就是接地。但是，由于这些小触点接触面积比较小，并不能保证每个小触点都能良好连接，因而实际上是部分小触点接地而部分小触点浮空，这种状态的分布是随机的。
[0046]RFID芯片封装成RFID标签后，要进行一个初始化动作。其过程是在特殊指令的作用下RFID芯片检测所有小触点的接地/浮空状态，并把这些接地/浮空状态放于存储器内。一旦RFID芯片完成了初始化，存储器内的接地/浮空状态数据将被锁定不能更改。此后，RFID芯片会在每次上电后自动对比存放在存储器内的接地/浮空状态与当前测量到的接地/浮空状态。
[0047]当RFID芯片被取下并重新封装，很难确保这些小触点的接地/浮空状态全部不变。此时只要重新上电，RFID芯片就会检测到当前接地/浮空状态与存储器内接地/浮空状态不一致。一旦发生这种情况，RFID芯片就主动且不可逆地改变自身状态，例如改写存储器内特定地址的数据并锁定。
[0048]外界读写器很容易获知RFID芯片上述状态的改变，从而获知该RFID芯片是转移后重复利用的，最终达到防转移的目的。
[0049]在上述基础上，为了进一步增强小触点接地/浮空状态的随机性和可控性，可以在RFID标签天线上做适当改进。如图3，用于连接小触点及GND脚的金属层设计成不规则形状，则从设计上就保证了部分小触点必然处于浮空状态。芯片在安放到RFID天线上时对位存在误差，细微的位置偏差都会导致小触点接地/浮空状态不同，因此即便是相同的金属层也能确保一定的随机性。
【主权项】
1.射频识别芯片防转移方法，其特征在于，包括下述步骤: 1)设置第一点阵式触点区，并将其与RFID芯片形成电路连接，RFID芯片具有第一存储器； 2)初始化:外部特征导体单元与第一点阵式触点区固定连接，使第一点阵式触点区中的全部或部分触点与外部导体形成电连接，RFID芯片检测第一点阵式触点区中的触点与外部导体的电连接状态并记录于第一存储器； 3)初始化完成后，工作状态中，RFID芯片检测第一点阵式触点区的触点与外部导体的电连接状态，与第一存储器中的存储记录比较，若不一致，则将RFID芯片自身设定为异常状??τ O2.如权利要求1所述的射频识别芯片防转移方法，其特征在于，所述第一点阵式触点区固定设置于芯片的外表面。3.如权利要求1所述的射频识别芯片防转移方法，其特征在于，所述外部特征导体单元包括一个金属层，该金属层与RFID芯片的GND脚形成电连接。4.如权利要求1所述的射频识别芯片防转移方法，其特征在于，所述外部特征导体单元通过绝缘胶或导电胶粘接于第一点阵式触点区，使第一点阵式触点区的触点与外部特征导体的电连接状态固定。5.防转移射频识别芯片，其特征在于，包括下述部分: 触点区接口，用于于触点区的触点形成电路连接，所述触点区接口包括至少两个触点的连接点； 触点区状态检测电路，用于检测触点区接口与外部导体的电连接状态； 第一存储器，用于初始化完成时存储触点区接口的与外部导体的电连接状态； 比较控制器，用于比较下述Α、Β两种状态是否一致，并根据比较结果设置RFID芯片自身的状态: Α、初始化完成时触点区接口与外部导体的电连接分布状态， B、工作状态下触点区接口与外部导体的电连接分布状态； 所述触点区状态检测电路与触点区接口连接，触点区检测电路还与第一存储器形成数据传输连接，比较控制器与触点区状态检测电路连接，比较控制器还与第一存储器连接。6.如权利要求5所述的防转移射频识别芯片，其特征在于，还包括第一点阵式触点区，其触点与触点区接口的触点连接点形成电连接，所述第一点阵式触点区固定设置于RFID芯片的表面。7.如权利要求5所述的防转移射频识别芯片，其特征在于，还包括外部导体，所述外部导体与RFID芯片的GND端电连接。8.如权利要求6所述的防转移射频识别芯片，其特征在于，所述第一点阵式触点区包括至少两种高度的触点。
【文档编号】G06K19/07GK106022435SQ201610268481
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】彭泽忠, 邸鹏, 毛军华, 雷鸣
【申请人】江苏凯路威电子科技有限公司