一种新型数字水印嵌入装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于数字水印设备领域，具体来说，涉及一种新型数字水印嵌入装置。
【背景技术】
[0002]对于现如今的社会，票据已经成为重要的凭证，可以用来乘坐火车、汽车、轮船，可以用来进入公园、剧场、会议等，还可以用来作为领取物品等。由于票据的重要性，市面上也就出现了不少非法分子做假的票据贩子。
[0003]虽然国家采取了一定得手段，但是仍然会有这样的事情发生。现在国家对重点的票据如火车票等实行了实名制手段，但是，全部的票据还没有全部应用到。
【实用新型内容】
[0004]为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种新型数字水印嵌入装置，设计合理，防伪性强，应用于大众的普通生活中，在给人们带来便利的同时，也具有较好的安全性和实用性。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0006]一种新型数字水印嵌入装置，其特征在于:包括控制器、CMOS图像采集模块、水印生成模块、水印信息存储单元、检测模块、FLASH存储器、连接接口、显示器；所述控制器连接有检测模块、显示器、水印生成模块、连接接口、FLASH存储器，所述连接接口通过数据线连接有上位机；所述控制器连接有水印生成模块，水印生成模块连接有CMOS图像采集模块和水印信息存储单元。
[0007]作为一种优化的技术方案，所述检测模块包括FPGA模块、以及与FPGA模块连接的有SRAM存储单元；所述FPGA模块连接控制器。
[0008]作为一种优化的技术方案，所述控制器为单片机。
[0009]作为一种优化的技术方案，所述连接接口为RS485接口。
[0010]由于采用了上述技术方案，与现有技术相比较，本实用新型设计合理，防伪性强，应用于大众的普通生活中，在给人们带来便利的同时，也具有较好的安全性和实用性。
【附图说明】
[0011]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0012]图1是本实用新型一种实施例的原理框图。
【具体实施方式】
[0013]如图1所示，一种新型数字水印嵌入装置，包括控制器、CMOS图像采集模块、水印生成模块、水印信息存储单元、检测模块、FLASH存储器、连接接口、显示器。
[0014]所述控制器连接有检测模块、显示器、水印生成模块、连接接口、FLASH存储器，所述连接接口通过数据线连接有上位机。所述控制器连接有水印生成模块，水印生成模块连接有CMOS图像采集模块和水印信息存储单元。水印生成模块用于在CMOS图像采集模块的外部图像信息中嵌入数字水印信息，生成具有数字水印信息的图像信息，然后存储到FLASH存储器中。
[0015]所述检测模块包括FPGA模块、以及与FPGA模块连接的有SRAM存储单元；所述FPGA模块连接控制器。FPGA模块进行图像的预处理，同时将图像通过RS485接口传送到上位机中。所述控制器为单片机。单片机采用的是AVR单片机。所述连接接口为RS485接口。
[0016]本实用新型设计合理，防伪性强，应用于大众的普通生活中，在给人们带来便利的同时，也具有较好的安全性和实用性。
[0017]本实用新型不局限于上述的优选实施方式，任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或者相近似的技术方案，均属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种新型数字水印嵌入装置，其特征在于:包括控制器、CMOS图像采集模块、水印生成模块、水印信息存储单元、检测模块、FLASH存储器、连接接口、显示器； 所述控制器连接有检测模块、显示器、水印生成模块、连接接口、FLASH存储器，所述连接接口通过数据线连接有上位机； 所述控制器连接有水印生成模块，水印生成模块连接有CMOS图像采集模块和水印信息存储单元。2.根据权利要求1所述的新型数字水印嵌入装置，其特征在于:所述检测模块包括FPGA模块、以及与FPGA模块连接的有SRAM存储单元；所述FPGA模块连接控制器。3.根据权利要求2所述的新型数字水印嵌入装置，其特征在于:所述控制器为单片机。4.根据权利要求2所述的新型数字水印嵌入装置，其特征在于:所述连接接口为RS485接口。
【专利摘要】本实用新型公开了一种新型数字水印嵌入装置，包括控制器、CMOS图像采集模块、水印生成模块、水印信息存储单元、检测模块、FLASH存储器、连接接口、显示器；所述控制器连接有检测模块、显示器、水印生成模块、连接接口、FLASH存储器，所述连接接口通过数据线连接有上位机；所述控制器连接有水印生成模块，水印生成模块连接有CMOS图像采集模块和水印信息存储单元。本实用新型设计合理，防伪性强，应用于大众的普通生活中，在给人们带来便利的同时，也具有较好的安全性和实用性。
【IPC分类】G06T1/00
【公开号】CN204706068
【申请号】CN201520397928
【发明人】李斌
【申请人】西安新昆信息科技有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年6月10日