专利名称：磁头的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种数字摄像机(DVC)装置或磁带存储器等磁记录再现装置中使用的磁头，特别涉及适合磁道宽度窄且高密度记录、维持良好的磁带接触、并具有稳定的再现功率特性的磁头。
背景技术：
随着数字摄像机装置或磁带存储器等磁记录再现装置的记录密度变高，搭载在磁记录再现装置上的磁头的磁道宽度尺寸也变窄。
在窄磁道宽度的磁头中，配合磁道宽度尺寸，需要在露出于与记录介质的滑动面的部分，减小磁芯的宽度尺寸(厚度尺寸)。
在以下的专利文献1中，公开了缩短磁道宽度尺寸的磁头。图8是说明专利文献1所述的磁头的图。
图8所示的磁头的磁芯1中，将由磁性材料形成的磁芯半体2和磁芯半体3接合在一起。在上述磁芯1的两侧面，在前端侧形成第1阶差部4、4，在该第1阶差部4、4的前部形成第2阶差部5、5。在本发明中，将磁芯1的X方向的厚度尺寸作为宽度尺寸进行了说明，但在上述磁芯1中，在上述第1阶差部4、4的前面部分，磁芯1的宽度尺寸变小，在上述第2阶差部5、5前面的部分，磁芯1的宽度尺寸进一步减小。
该磁芯1的上述第2阶差部5、5前面的部分形成宽度窄的磁芯部6。另外，在上述第2阶差部5、5的前部，在上述宽度窄的磁芯部6的两侧由玻璃等形成有非磁性材料部7、7。上述宽度窄的磁芯部6和非磁性材料部7、7各自的前端面，露出于与记录介质的滑动面上。
在上述磁芯半体2和磁芯半体3的对置部，形成有用于卷取线圈的开口部8。在该开口部8前面的部分，磁芯半体2和磁芯半体3通过玻璃等非磁性材料而被接合，形成了磁隙G。在该磁头上，磁隙G的始端Ga露出于滑动面，磁隙G的终端Gb位于与上述开口部8的边界部，该终端Gb位于比上述第1阶差部4、4更靠近基部侧的位置。
此外，在以下的专利文献2中，也公开了在磁芯的侧面形成有阶差部的磁头。在该磁头中，在磁芯上1段形成有阶差部，在该阶差部的前部，在磁芯的两侧设有由玻璃等非磁性材料形成的非磁性材料部。
专利文献1USP 5157569；专利文献2特开昭59/14115号公报。
上述专利文献1所述的磁头中，用于卷取线圈的开口部8的上端位于第1阶差部4、4的基部侧；磁隙G的终端Gb，在第1阶差部4、4的基部侧，位于磁芯1的宽度尺寸大的部分。这样，通过使磁隙G的终端Gb位于磁芯的宽度尺寸大的部分，由此，防止磁隙G在宽度窄的磁芯部6的部分受损。但是，在该结构中，磁隙的深度Gd过深，从磁隙G的始端Ga向记录介质施加的漏磁场的强度降低，重写特性等降低。
在图8所示的结构中，为使上述磁隙的深度Gd变浅，还考虑在前部侧设置第1阶差部4、4和第2阶差部5、5。但是，在该构成中，在滑动面露出的阶差部4、4和5、5的边缘4a、4a、5a、5a靠近磁隙G的始端Ga，露出于滑动面的上述阶差部的边缘4a、4a、5a、5a碰到磁带的概率增大，从而使容易记录介质受损。
另外，专利文献2记载的磁头，在磁芯的侧面形成1段阶差部，在该阶差部的前部形成有非磁性材料部，但该磁头不是以使磁隙的磁道宽度变窄为目的，而是通过使非磁性材料部露出于与记录介质的滑动面，来提高耐磨损性。
如专利文献2所述，在磁芯上形成1段阶差部的磁头中，不能使磁隙的磁道宽度充分狭窄。假设在磁芯上形成1段的阶差部而使磁道宽度变窄，则磁芯整体的宽度尺寸过小，饱和磁通量降低，电流—磁转换效率降低。
此外，上述专利文献2中记载的磁头中只设置了1段阶差部，在该阶差部的前部，在磁芯部的两侧设置有非磁性材料部，因此，作为其结果，与记录介质的滑动面的宽度尺寸与磁芯整体的宽度尺寸相同。因此，滑动面和与记录介质的滑动面积增大，容易对记录介质造成损伤，此外，在磁头的滑动面容易附着从记录介质脱落的磁性粉。
发明内容
本发明是为解决上述问题而提出的，目的是提供一种能够充分减小露出于滑动面的磁芯部的宽度尺寸而形成窄磁道宽度的磁隙，并能够与高密度记录对应、记录再现特性良好且与记录介质的滑动特性也良好的磁头。
本发明是一种磁头，其中，一对由磁性材料形成的磁芯半体接合而形成磁芯，在该磁芯的前部形成与记录介质滑动的滑动面，在该磁芯的基部设有底面，在将上述磁芯半体相互接合的接合部所形成的磁隙露出到上述滑动面；在上述磁芯的两侧面，在从上述前部向上述底面空出规定距离的位置，形成第1阶差部，在上述第1阶差部的前部侧形成第2阶差部；而上述磁芯的宽度尺寸，上述第1阶差部前面的部分比上述第1阶差部小，上述第2阶差部前面的部分比上述第2阶差部小，由第2阶差部前面的部分形成宽度窄的磁芯部；在上述第1阶差部前面的部分，在上述宽度窄的磁芯部的两侧设有非磁性材料部，上述磁隙的始端位于上述滑动面，终端位于上述滑动面和第2阶差部之间。
上述磁头，由于中间夹着2个阶差部而形成宽度窄的磁芯部，所以能够进行大大减小宽度窄的磁芯部的宽度尺寸的加工。而且，由于磁隙的终端位于第2阶差部的前部，所以能够减小磁隙的深度尺寸，能够提高对记录介质的漏磁场的强度。
本发明中，在上述磁隙的两侧接合非磁性材料部，并且，在上述磁隙的上述终端的基部侧也接合非磁性材料。
本发明的磁头，磁隙的深度方向的终端位于第2阶差部的前部，磁隙变浅。但是，由于在宽度窄的磁芯部的两侧设置非磁性材料部，并在磁隙终端的基部侧也附着非磁性材料，因此，能够加强形成在宽度尺寸小的宽度窄的磁芯部的磁隙，能够防止宽度窄的磁芯部在磁隙的周围受损。
例如，位于上述宽度窄的磁芯部两侧的非磁性材料部由玻璃形成，与上述磁隙的上述终端的基部侧接合的非磁性材料也是玻璃。
此外，本发明中，上述滑动面的露出上述磁隙的部分呈突出的凸曲面形状，该滑动面的凸曲面比上述第2阶差部更向基部侧延伸。
在上述方式中，由于使磁隙的上述终端位于第2阶差部的前部侧，所以即使将第2阶差部和第1阶差部位于磁芯的基部侧，也不影响磁隙的深度。因此，能够在离开磁隙的始端的位置，设定露出于滑动面上的上述各阶差部的边缘。因此，能够防止上述边缘对记录介质造成损伤。
此外，本发明中，在上述滑动面，上述宽度窄的磁芯部的前端面比上述非磁性材料部的前端面更突出。
在此种情况下，当横断上述滑动面、且对用与上述两侧面正交的面切断的切断面进行观察时，上述非磁性材料部的前端面最好呈凸曲线状。此外，在上述切断面，上述宽度窄的磁芯部的前端面的两角呈凸曲线状，该凸曲线的曲率半径比上述非磁性材料部的凸曲线的曲率半径小。
在本发明中，上述宽度窄的磁芯部的前端面比上述非磁性材料部的上面更向上方突出，上述非磁性材料部的前端面弯曲。因此，磁带和缝隙间的间隔稳定，能够发挥稳定的再现功率特性。
此外，上述宽度窄的磁芯部及位于其两侧的非磁性材料部的合计宽度尺寸大于等于40μm且小于等于80μm。
本发明，由于在磁芯上形成第1阶差部和第2阶差部，因此能够对第2阶差部前部的宽度窄的磁芯部进行宽度窄的加工，能够缩小磁隙的磁道宽度尺寸。而且，为了在第2阶差部前部设置磁隙的终端，所以能够使磁隙的深度尺寸变浅，能够提高施加给记录介质的磁场强度。虽然在宽度窄的磁芯部形成磁隙，但由于用非磁性材料加强磁隙的两侧和磁隙的终端，因此，能够容易防止宽度窄的磁芯部在磁隙的周边受损。
此外，通过稳定磁芯的滑动面和记录介质的滑动特性，也能够降低无信号损失。
图1是表示本发明的磁头的第1实施方式的立体图。
图2是从上侧观察图1所示的磁头的与记录介质的滑动面的平面图。
图3是图1所示的磁头的侧视图。
图4是用通过磁隙G的始端Ga、且与各侧面30D、30F垂直的面切断图1所示的磁头时的放大图。
图5是表示用实施例和比较例的磁头测定的、滑动面的宽度尺寸和再现功率包络的关系的图表。
图6是表示利用相位变换干涉法测定的实施例的磁头滑动面的表面形状的测绘图。
图7是比较例的磁头的立体图。
图8是以往的磁头的立体图。
具体实施例方式
图1是表示本发明的第1实施方式磁头的立体图，图2是从上侧观察图1所示的磁头的与记录介质的滑动面30a的平面图，图3是上述磁头的侧视图。
图1所示的磁头20是搭载在数字摄像机(DVC)装置的磁记录再现装置上的磁头。该磁头20设置在旋转磁鼓的外周部分。在磁记录再现装置中，记录介质即磁带螺旋状卷取在上述旋转磁鼓的外周部分而移动，在上述旋转磁鼓转动时，磁头20在磁带记录面上倾斜地滑动。
在图1中，将旋转磁鼓的旋转周方向即对磁头20的磁带的滑动方向表示为Y方向。此外，在本说明书中，与上述Y方向正交的X方向为磁头20的宽度方向，Z1方向是磁头20的前部方向，Z2方向是磁头20的基部方向。
该磁头20具有磁芯30。上述磁芯30的前部侧(Z1侧)成为与磁带的滑动面33。此外，在基部侧，沿X/Y平面形成有平坦的底面30H。另外，滑动面33通过研磨磁芯30的前部而形成，滑动面33的形状是在磁带的扫描方向(图示Y方向)具有一定曲率的曲面形状。
磁芯30是将用单晶铁氧体制造的磁芯半体30A和30B接合而构成。磁芯30的X方向的宽度尺寸小，在X方向的表面上形成有大面积的侧面30D和侧面30E。在磁芯30的上述侧面30D、30E内，形成有在宽度方向(Y方向)上贯通的开口部31，在该开口部31内卷绕导线而形成线圈32。
在上述磁芯30的一方侧面30D和另一方侧面30E上，形成第1阶差部34、34，在该第1阶差部34、34前面的部分，以较小的宽度尺寸形成有磁芯30。在该第1阶差部34、34前面形成有第2阶差部35、35，在该第2阶差部35、35前面的部分，以更小宽度尺寸形成有磁芯30，磁芯30的第2阶差部35、35前面的部分成为宽度窄的磁芯部30F。
另外，在该第2阶差部35、35前面的部分，在上述宽度窄的磁芯部30F的两侧，密封形成了由玻璃(SiO2)等非磁性材料形成的非磁性材料部41、41。
图2表示各部分的宽度尺寸。磁芯30的整体宽度尺寸(形成有开口部3 1的部分的宽度尺寸)为W1。该第1阶差部34、34前面的部分，的宽度尺寸为比上述宽度尺寸W1窄的宽度尺寸W2，上述第2阶差部35、35前面的宽度窄的磁芯部30F的宽度尺寸为Wt。如后面的说明，磁隙G的始端Ga露出于上述宽度窄的磁芯部30F的表面，所以，在用上述磁隙G在磁带上记录数据时表观的记录磁道宽度，与上述宽度尺寸Wt一致。另外，实际上记录在磁带上的数据的记录磁道宽度，未必与上述宽度尺寸Wt一致，而稍微扩展。
此外，在磁芯30的与磁带的滑动面33，露出有上述宽度窄的磁芯部30F、和位于其两侧的上述非磁性材料部41、41。上述滑动面33的宽度尺寸，是宽度窄的磁芯部30F的宽度尺寸和非磁性材料部41、41的宽度尺寸的合计，滑动面33的宽度尺寸与上述宽度尺寸W2大致一致。
上述磁头20实现在磁带上的高密度记录，上述宽度窄的磁芯部30F的宽度尺寸(所表现出的磁道宽度尺寸)Wt，为5μm～20μm的左右。在此情况下，上述宽度尺寸W2大于等于40μm且小于等于80μm。此外，上述宽度尺寸W2最好大于等于40μm且小于等于70μm，更好为大于等于40μm且小于等于55μm。此外，上述宽度尺寸W1为100μm～200μm左右。
在上述磁芯30的制造工序中，采用块接合体，该块接合体是将一对用于形成磁芯半体30A和磁芯半体30B的、X方向上较长的磁性体的块体相对置，并用玻璃(SiO2)等粘接性的非磁性材料接合所述两块而成的。在上述块接合体的前部，残留上述宽度窄的磁芯部30F，在其两侧加工槽，在该槽内充填玻璃等非磁性材料。此外，将块接合体的前部研磨加工成上述滑动面33的形状。然后，在充填有非磁性材料的部分，再形成深的槽，形成第1阶差部34、34和第2阶差部35、35。然后，上述块接合体，在第1阶差部34和第1阶差部34的之间被切分，形成各自的磁芯30。
图3是将一方的侧面30D为正前方来示出磁芯30的侧视图。另外，在图3中，部分去除在正前方示出的上述磁性材料层41的一部分，以便于理解磁芯半体30A和磁芯半体30B被接合的磁隙G的位置和形状。
如图3所示，在磁芯30的前部侧，在宽度窄的磁芯部30F，在磁芯半体30A和磁芯半体30B的接合对置面，分别形成由铁硅铝磁性合金等高饱和密度的金属形成的金属磁性膜42、42，形成所谓的MIG(Metal In Gap)结构的磁头。磁芯半体30A和磁芯半体30B，通过玻璃等粘接性的非磁性材料，接合上述金属磁性膜42、42相互之间，在上述宽度窄的磁芯部30F的接合部成为磁隙G。
上述磁隙G的始端Ga，在滑动面33上，露出于上述宽度窄的磁芯部30F的表面，能够表观磁道宽度设定为Wt。上述磁隙G的基部侧的终端Gb，位于与上述开口部31的交界点。该终端Gb位于上述第2阶差部35的前部侧，磁隙G只由宽度窄的磁芯部30F形成。
如图3及图4所示，在上述开口部31的上端部分，粘着了玻璃等粘接性的非磁性材料43，上述磁隙G的终端Gb的相对于上述开口部31的部分(朝基部侧的部分)的全区，被上述非磁性材料43覆盖。即，形成在宽度窄的磁芯部30F上的上述磁隙G，通过由粘接性的非磁性材料形成的上述非磁性材料部41、41，加强X方向的两侧，在其终端Gb，在开口部31内，通过粘着上述非磁性材料43而被加强。因此，即使大大减小从磁隙G的始端Ga到终端Gb的深度尺寸(间隔)Gb，磁隙G也不会因与磁带的滑动摩擦力而破损。
上述非磁性材料43，也可以通过其他工序供给上述非磁性材料41、41的非磁性材料，或也可以通过形成上述非磁性材料41、41的非磁性材料的一部分渗入上述开口部31的上端周围，而由上述非磁性材料43形成。
如上所述，通过缩短磁隙G的深度尺寸Gd，能够使磁束集中在磁隙G的始端Ga，能够提高来自磁隙G的始端Ga的漏磁场强度，提高重写特性等。
此外，在比磁芯30的上述开口部31更靠近基部侧的位置，在磁芯半体30A和磁芯半体30B的对置面，也形成金属磁性膜42、42，利用玻璃等粘接性的非磁性材料层，接合金属磁性膜42和金属磁性膜42。
如图1～图3所示，在磁芯30的上端，形成有朝Y方向弯曲的凸曲面形状的滑动面33。在磁芯30上形成第1阶差部34、34和第2阶差部35、35的结果，弯曲面即上述滑动面33，比上述第2阶差部35、35更朝底面30H而形成。其结果，在上述滑动面33上，露出了第1阶差部34、34的边缘34a、34a和第2阶差部35、35的边缘35a、35a。
但是，在上述磁芯30，磁隙G的终端Gb位于第2阶差部35、35的前部侧，而且由于磁隙G由上述非磁性材料41、41及非磁性材料部43加强，因此，即使尽可能地在靠近底面30H的位置形成第2阶差部35、35和第1阶差部34、34，也不影响上述磁隙G的形状，并且也不影响磁隙G的深度尺寸Gd。
通过尽可能地在靠近底面30H的位置，设定第2阶差部35、35和第1阶差部34、34，能够从位于滑动面33的弯曲的顶点的磁隙G的始端Ga，分离露出于滑动面33的上述边缘34a、34a和边缘35a、35a。此外，也能够在不从旋转磁鼓的外周面露出的位置，设定这些边缘。因此，能够降低边缘34a、34a和边缘35a、35a碰到磁带的概率，上述边缘不易对磁带造成损伤。
如图4所示，在该磁芯30，上述滑动面33由上述宽度窄的磁芯部30F的上面及两侧的非磁性材料部41、41的上面形成，但上述宽度窄的磁芯部30F的上面，从上述非磁性材料部41、41的上面41a、41a，向上方突出高度h2。在本实施方式中，所谓“上方”是图示Z1方向，是靠近磁带的方向。
如图4所示，非磁性材料部41、41的上面41a、41a，是随着从宽度窄的磁芯部30F的两侧面向横方向(X方向)，缓慢朝磁芯30的基部突出的凸曲面形状。在图4中，用S1、S1表示该凸曲面。
如此，由于露出磁隙G的始端Ga的宽度窄的磁芯部30F的上面，从上述非磁性材料部41、41的上面41a、41a向上方突出，所以能够良好地保持上述磁隙G的始端Ga与磁带的接触性。此种磁头20，搭载在旋转磁鼓上，在通过旋转磁鼓的旋转沿磁带滑动时，能够消除磁隙G的始端Ga和磁带的间隔损失，能够提高记录·再现能力。
此外，如图4所示，在宽度窄的磁芯部30F的上面，也至少在其左右两侧部形成凸曲面C1、C1。由于在宽度窄的磁芯部30F上形成凸曲面C1、C1，并且在其两侧的非磁性材料部41、41上形成凸曲面S1、S1，所以在滑动面33沿磁带滑动时，能够不对磁带产生损伤，并且能够使磁隙G的始端Ga稳定地与磁带滑动接触。
磁头20的滑动面33从旋转磁鼓的外周面稍微突出，因此，在上述滑动面33碰到的部分，有时磁带依滑动面的形状产生变形。当宽度窄的磁芯部30F的凸曲面C1、C1的平均曲率半径，小于非磁性材料部41、41的凸曲面S1、S1的平均曲率半径时，即使在磁带如上所述变形时，宽度窄的磁芯部30F的上面，在宽度尺寸Wt的整个范围，都容易与磁带接触，能够良好地保持磁隙G的始端Ga与磁带的接触性。
另外，如图4所示，所谓平均曲率半径是在观察通过滑动面33、并垂直于两侧面30D、30E的断面时，将上述凸曲面C1、C1的棱线即曲线的微小区间的曲率的积分值，除以上述曲线的长度得出的值。
实施例在旋转磁鼓上搭载图1～图4所示的实施例的磁头20及比较例的磁头60。采用该旋转磁鼓的磁记录再现装置，在旋转磁鼓的外周螺旋状地卷取磁带，利用旋转磁鼓的转动，磁头20或磁头60的滑动面，对磁带沿相对于该磁带行走方向倾斜的方向进行扫描。
(实施例)对于图1～图4所示的磁头20，采用将宽度窄的磁芯部30F的宽度尺寸Wt即表观磁道宽度尺寸固定为12μm，使两侧部的非磁性材料部41、41的宽度尺寸不同，滑动面33的宽度尺寸W2不同的多种磁头。上述滑动面33的宽度尺寸W2，是宽度窄的磁芯部30F的宽度尺寸和其两侧的非磁性材料部41、41的宽度尺寸的合计尺寸。
(比较例)制造图7所示的磁头60。比较例的磁头60，在滑动面61形成有露出磁隙G的始端Ga的宽度窄的磁芯部62。在该宽度窄的磁芯部62的左右两侧，形成非磁性材料部63、63，另外，在其两侧形成有由磁芯的一部分形成的侧方磁芯部64、64。此外，滑动面61的向X方向的弯曲形状的曲率与实施例的磁头20相同。此外，磁芯的材料或非磁性材料与实施例相同，在磁隙G对置的金属磁性膜的膜厚和材料或磁隙G的深度尺寸也与实施例相同。
多个制造磁头，该多个磁头与实施例同样，将比较例的磁头60的宽度窄的磁芯部62的宽度尺寸固定为12μm，使非磁性材料部63、63及侧方磁芯部64、64的合计的宽度尺寸，即滑动面61的宽度尺寸不同。
(测定方法)利用上述磁记录再现装置，进行在预先记录磁信息的磁带上的再现操作。上述磁头20或60，在操作记录在磁带上的规定的磁道时，对上述磁头20或60开始磁带的上述磁道扫描时得到的初期再现功率的强度、和在磁头20或60结束扫描上述磁道时的终期再现功率的强度进行测定，求出终期再现功率的强度与初期再现功率的强度的比率(百分比)。该比率是磁头扫描规定的磁道时的再现包络的强度的变动率，反过来讲是上述强度的维持率。
图5表示测定后的上述比率(包络强度的维持率)。在图5中，横轴是滑动面的宽度尺寸(在实施例2中为W2)，纵轴是上述包络强度的维持率。在图中，用黑圆点表示采用实施例的磁头20时的测定结果。另外，在图5中，1个黑圆点及1个横棒，分别与1个试样的结果对应。
根据图5，随着与磁带对置的滑动面的宽度尺寸(在实施例2中为W2)变小，再现功率的包络维持率增大。此外，在上述滑动面的宽度尺寸一定时，实施例的磁头20的包络强度的维持率，大于比较例的磁头60的上述维持率，另外实施例的维持率的偏差小。
根据图5，在实施例的磁头20中，当与磁带对置的滑动面33的宽度尺寸W2小于等于80μm时，能够较高地设定包络强度的维持率，此外，当宽度尺寸W2小于等于70μm时，所有试样的包络强度的维持率大于等于80％。此外，在实施例的磁头20中，当上述宽度尺寸W2小于等于55μm时，所有试样的包络强度的维持率大于等于80％。
但是，当磁头20的滑动面33的宽度尺寸W2小于40μm时，磁头的机械强度大大降低。因此，宽度尺寸W2的下限最好为40μm。
(测定方法B)下面，采用80μm的试样作为上述实施例1中的滑动面33的宽度尺寸W2，比较图4所示的凸曲面C1和S1的表面形状。
该测定中采用的相位变换干涉法是干涉法的一种。采用干涉法，算出来自参照面的反射光和由磁头20的滑动面33反射的波长λ的测定光的相位差φ，并利用公式h＝(λ/4π)·φ，求出磁头20的滑动面33的从上述参考面起的高度h。
图6是利用相位变换干涉法将上述试样的滑动面33的表面形状图示的结果。利用相位变换干涉法的测定，采用Veeco公司制WYKOHD2000#2进行。测定位置是在图2所示的滑动面33的、在磁带上的上述始端Ga的前部与磁带接触的一侧，示出了从上述始端Ga离开150μm的位置的滑动面33的表面形状。图6表示在磁头的断面，在滑动面露出的棱线的形状。
根据图5，在实施例的试样中，宽度窄的磁芯部30F的上面比非磁性材料部41、41的上面41a、41a更突出，其高度h2为5nm～40nm。此外，凸曲线C1的平均曲率半径小于凸曲面S1的平均曲率半径。
在图5所示的测定结果中，实施例的特性良好的理由，可以理解为是因为滑动面33的表面形状是图6所示的形状。
权利要求
1.一种磁头，其中，一对由磁性材料形成的磁芯半体接合而形成磁芯，在该磁芯的前部形成与记录介质滑动的滑动面，在该磁芯的基部设有底面，在上述磁芯半体相互接合的接合部所形成的磁隙露出到上述滑动面，其特征在于，在上述磁芯的两侧面，在从上述前部向上述底面空出规定距离的位置，形成第1阶差部，在上述第1阶差部的前部侧形成第2阶差部；而上述磁芯的宽度尺寸，上述第1阶差部前面的部分比上述第1阶差部小，上述第2阶差部前面的部分比上述第2阶差部小，由第2阶差部前面的部分形成宽度窄的磁芯部；在上述第1阶差部前面的部分，在上述宽度窄的磁芯部的两侧设有非磁性材料部，上述磁隙的始端位于上述滑动面，终端位于上述滑动面和第2阶差部之间。
2.如权利要求1所述的磁头，其特征在于，在上述磁隙的两侧接合非磁性材料部，并且，在上述磁隙的上述终端的基部侧也接合非磁性材料。
3.如权利要求2所述的磁头，其特征在于，位于上述宽度窄的磁芯部两侧的非磁性材料部由玻璃形成，与上述磁隙的上述终端的基部侧接合的非磁性材料也是玻璃。
4.如权利要求1所述的磁头，其特征在于，上述滑动面的露出上述磁隙的部分呈突出的凸曲面形状，该滑动面的凸曲面比上述第2阶差部更向基部侧延伸。
5.如权利要求1所述的磁头，其特征在于，在上述滑动面，上述宽度窄的磁芯部的前端面比上述非磁性材料部的前端面更突出。
6.如权利要求1所述的磁头，其特征在于，当横向截断上述滑动面、且在对用与上述两侧面正交的面切断的切断面进行观察时，上述非磁性材料部的前端面呈凸曲线状。
7.如权利要求1所述的磁头，其特征在于，在上述切断面，上述宽度窄的磁芯部的前端面的两角呈凸曲线状，该凸曲线的曲率半径比上述非磁性材料部的凸曲线的曲率半径小。
8.如权利要求1所述的磁头，其特征在于，上述宽度窄的磁芯部及位于其两侧的非磁性材料部的合计宽度尺寸大于等于40μm且小于等于80μm。
全文摘要
本发明提供一种能够以窄磁道宽度进行高密度记录、且与磁带的滑动特性和再现功率特性高的磁头。将磁芯半体和磁芯半体接合而形成磁芯。在磁芯上形成第1阶差部和第2阶差部，形成宽度尺寸小的宽度窄的磁芯部。磁隙(G)形成在宽度窄的磁芯部，磁隙(G)的终端(Gb)形成在第2阶差部(35)的前部，磁隙的深度尺寸(Gd)变浅。此外，在磁隙(G)的部分，两侧部被非磁性材料夹持，另外用非磁性材料加强。
文档编号G11B5/23GK1612218SQ20041008966
公开日2005年5月4日 申请日期2004年10月29日 优先权日2003年10月31日
发明者杉原真次 申请人:阿尔卑斯电气株式会社