专利名称：光信息记录媒体、其再生方法及制造方法
技术领域：
本发明涉及一种高密度光盘技术。
背景技术：
现在，作为一种大容量信息记录技术，能够在单位面积内记录更多信息的高密度光记录技术的研究开发正在推进中。现在已制成成品的光盘技术中，通过透镜将激光聚光在光盘上，在光盘上进行所记录的数据的再生及/或记录。为了将数据高密度化，目前开发的技术是将聚光后的激光点的尺寸变小。如果将光源波长设为λ，物镜的数值孔径设为NA，那么光点尺寸就与λ/NA成正比。即通过将光源波长变小，透镜的NA变大，以使得在1张光盘所记录的信息量向着大容量化发展。在这里如果将光源波长、物镜的NA、记录在直径为12cm的光盘上的数据容量作为一组，记录为(波长，NA，容量)，那么，CD中就是(780nm，0.5，650MB)，DVD中就是(650nm，0.6，4.7GB)。另外，使用蓝色激光光源的技术中也有两组已被提出了，分别是(405nm，0.85，25GB)、(405nm，0.65，20GB)。以这种记录容量，可以记录约2小时高精细TV图像数据。
但是，如果是用于例如电视广播等播放业务上用的系统和安全系统的话，上述的记录容量是不够的，他们要求的容量，例如为1张盘100GB以上。而且，希望长期保存数10年到100年左右的图像数据等，考虑到其大量的数据记录媒体的保管场所，所以希望将尽可能多的数据记录在1张盘上。其所希望的容量是几百GB到1TB以上。
然而，可以认为，要用上述的方法来实现更大容量是困难的。首先，光源的短波长化中，作为光源的半导体激光的开发就很困难，而且即使开发出了半导体激光，由于它的光源是紫外光，而盘基片和保护膜会吸收光，可以设想，要确保良好的记录再生品质是困难的。另一方面，增大物镜的NA的研究也在进行，例如，在非专利文献1-《日本应用物理杂志》(Japanese Journalof Applied Physical第42卷1101页～1104页、2003年)上，记载着将NA增大到1.8的技术。但是在这个系统中，由于用于记录再生的光不是通常的传播光，而是一种局限在透镜上的，称作“近场光”的光，所以为了让透镜非常接近盘表面，并且保持其两者之间的距离的原状，透镜就必须具有在盘上移动的机构。这样的系统酷似进行磁性记录的硬盘，这使得作为光盘的优点的光盘的更换变得困难。
为了解决这个困难，提出了超析像技术的方案，以通过在盘上设置某个机构，来有效提高光分辨力。例如，在非专利文献2-《日本应用物理杂志》(Japanese Journal of Applied Physical第32卷5210页～5213页)上，记载着利用相变记录膜的媒体超析像技术。通常，相变记录膜虽用于CD-RW、DVD-RAM、DVD±RW、Blu-ray Disc等可重写型盘的记录膜中，但在此并不是将上述记录材料作为记录膜，而是用作与上述的光磁盘的再生层同样的，能有效提高光分辨力的层。这样的层(膜)在此称为超析像层(膜)。这种方法就是，在只读存储器(ROM)盘上，通过溅射制成相变记录膜，而在再生时融解一部分相变记录膜。如果盘的反射率在已融解的部分足够高，那么再生信号中，从已融解部分中得到的信号就占支配地位。也就是说，相变化膜已融解的部分成为了有效的再生光点。由于融解部分的面积比光点还小，所以缩小了再生光点，提高了光分辨力。
专利文献1-日本特开平7-244870号公报提出的方法，虽将相变化膜用作超析像膜，但根据记录模式的不同而调整该相变化膜的膜厚，设置相变化膜的薄的部分和厚的部分。这个方法的盘制作方法是，首先通过光学平板印刷技术制成具有记录标记图案的掩模；在通过溅射制成相变化膜的时候，通过该掩模进行溅射，或者在溅射后再通过该掩模，利用例如反应性离子蚀刻等来形成图案，以此来调整相变化膜的膜厚。再生这样制成的盘时，只要调整再生光的功率，就能只融解相变化膜的薄的部分，而不融解其厚的部分。用这种方法，就能和上述的将相变化膜用作超析像膜的方法一样，取得超析像效果。
除了超析像技术外，以提高记录特性为目的，在专利文献2-日本特开平5-282674号公报中，记载了在凹状的凹坑中记录信号的技术。该文献记录如下制作与基片等长的凹状的凹坑的阵列，在该基片上，叠层相变记录膜、保护膜、反射膜，并用与通常的相变记录同样的方法来控制凹坑部分的相变记录膜的结晶及非晶的状态。这里，凹状的凹坑成为记录单位。通常的可重写型相变记录媒体，如果在盘上的同一个地方多次重写数据，就会在盘内产生记录膜膜厚的不均，劣化记录再生特性。其理由之一是因为在重写数据的时候，扫描的光点虽融解记录膜，但由融解部分产生的温度梯度就会诱发记录膜的流动。通过采用专利文献2的方法，由于记录膜融解的场所是在凹状的凹坑的内部，所以可以抑制记录膜的流动，提高重写次数。
为了实现大容量光盘，除了超析像技术外，还有人提出了多层光盘技术。在这个技术中，一张光盘有多个记录面，在这些记录面上可以独立地记录及/或再生记录数据。多层光盘技术在例如非专利文献3-《日本应用物理杂志》(Japanese Journal of Applied Physical第38卷1679页～1686页)中有所记载。利用这种方法进行记录再生时，和通常的光盘一样，从盘的基片侧入射光，并使光点的焦点与进行记录再生的记录面相吻合。而再生时检测反射光量。也就是说，从基片侧看在记录再生较深的层时，必须使光透过近侧的层。通常的光盘虽根据反射率来设计其构造的，但多层光盘除最内层以外，还要确保各层某种程度以上的透射率。即在设计光盘的构造时，要满足对各层的反射率和透射率两方面的要求。并且，为了防止在再生某层的数据时不受其它层记录的标记的影响，有必要把各层距离保持在某种程度以上。用这种方法作成的4层追记型光盘的例子报导在非专利文献4-Proceeding of SPIE第5069卷90页～97页中。该报导的各层的透射率，从基片开始依次为81.6％、74.4％、63.3％、0％，而通过驱动器进行再生时的反射光量，在所有的层都获得了5％以上的反射率。
上述以前的方法，主要是利用热，通过在光点内形成光学变化区域来获得超析像效果。这些方法可有效地提高光学分辨力，能够得到用通常的方法所不能得到充分的信号的尺寸的标记的再生信号，提高光盘的记录容量，即，使记录数据的高密度化成为可能。
但是，通常，光点内的热分布不很均匀。其理由是因为，源于形成盘的膜至少有一些是多晶的晶粒的存在，或者由于膜的缺陷，从而失去了热扩散的一致性。由于这些原因，通过超析像效果形成的有效的再生光点的尺寸和形状具有波动，这会引起通常的再生方式中所不存在的噪声和再生错误等。这里将这样的噪声称为超析像噪声。
超析像膜除了有机膜，全是多晶。这些膜的晶粒直径会虽根据材料的不同而不同，但一般都在几十nm以上。有机膜也是依据分子尺寸来决定它的单位，一般是10nm左右。即超析像的实际点径的波动为几十nm。
在通常的光盘驱动中，点径的波动由例如自动聚焦伺服机构的错误等所引起。在通常的光盘驱动中，由自动聚焦错误引起的点径的波动大约在5％以内。因此，超析像的实际点径也允许有5％的波动，并且如果由晶粒引起的热波动为20nm左右，那么就要求实际点径为400nm以上。现在已制成成品的Blu-ray Disc中，由于其光源波长为405nm，物镜的NA为0.85，因此λ/NA大约是480nm。因为Blu-ray Disc的记录容量为23.3GB，因而，通过超析像所实现的记录容量大约是其原来的(480/400)2倍，约为33.5GB。这是利用媒体超析像技术提高记录密度的上限。所以，如现有技术记载的那样，要将记录容量提高到几百GB乃至1TB是很困难的。
另外，关于多层光盘技术，如“背景技术”中所述，由于有必要考虑各层的透射率和反射率来设计，因此记录面的层数具有上限。这是因为，例如考虑最接近基片的层的情况下，要增加层数虽必须确保高的透射率，但透射率一高，反射率就低，因而该层的信号振幅变低。相反，为了提高该层的信号量若提高反射率，由于到达里层的光量减少，因而里层的信号振幅变低。
专利文献1的方法中，相变化膜的膜厚虽可进行调整，但由于记录膜是连续的，所以标记部分融解的时候，由于向空白部分的热传导，所以空白部分的一部分被融解掉的可能性很大。由于该空白部分的融解面积主要依赖于记录膜的晶粒直径、记录膜内的缺陷、膜厚变化的过渡部分的波动等，所以与上述的超析像效果的界限同样的议论是成立的。而且在专利文献1中，相变化膜的膜厚虽是通过采用掩模的溅射和采用掩模的RIE来进行的，但溅射和RIE等采用等离子体的方法中，由于在掩模的内面渗入等离子体，所以膜厚过渡部分变得很平缓。这个过渡部分的宽度也依赖于工艺条件，大概在100nm左右。由于过渡部分位于记录标记的前后，因此，要用这种方法将标记长变做到200nm以下是非常困难的。也就是说，要用这种方法使记录容量达到同Blu-ray Disc相同或以上是很困难的。
专利文献2的方法中，通过抑制记录时的物质流动，虽能提高重写的次数，但因在数据再生时采用原来的方法，因此，记录密度由光点尺寸决定，而光点尺寸又由光源波长和物镜的NA决定。因此，在记录密度和记录容量的提高上没有显示出效果。
发明内容
本发明的目的就在于解决上述问题。
为了解决上述课题，通过使每个记录标记分离并融解该记录标记，从而利用超析像效果来再生数据。其示意图示于图1。图1是光入射到盘上的情况下的模式图，其中(a)是剖面图，(b)是俯视图。在盘基片101的上面，设有与记录标记相对应的凹坑102，凹坑之间用比凹坑本身的热传导率更低的材料构成的隔热膜、即隔热材料103完全隔离。其上设有保护膜104。由于凹坑就是记录标记，所以凹坑的长度可根据记录数据进行调整。
为了用驱动器再生记录在这种盘上的数据，将激光105通过物镜106射到盘上。由此在盘上形成聚光点108。这时，设定入射功率，使得仅在光点的中心附近的光强度最强的部分将凹坑融解。光点108与作为记录标记的凹坑102相比非常大，在光点108内存在着多个凹坑102。通常在这种状态下，再生信号里重叠着多个凹坑的信息，无法将其分离，从而不可能进行数据的再生。但是，通过只融解1个凹坑，由于该凹坑被赋予与其他凹坑在再生信息中不同的强度，因此能够只取出被融解的那个凹坑的信息。由于将融解区域局限为1个凹坑很重要，所以凹坑之间最好用热传导率比凹坑更低的材料构成的隔热材料103来隔离。作为热传导率低的材料，可以列举例如非晶质状态的SiO2、用作光盘保护膜的ZnS-SiO2以及SnO2等。
这虽是超析像的一种，但其特征是记录标记完全隔离。据此可以完全去除超析像噪声，实现记录数据的高密度化。其示意图如图2所示。假定入射光的高斯光束的曲线201，因入射光功率增高而成为如202那样。利用表示超析像效果的温度的阈值203，实际点径由204增大为205。这个波动有必要控制在例如实际点径204的5％左右。即，如果实际点径204为100nm的话，那么实际点径的波动应该控制在5nm以下。与这相应，本发明图2(b)中，高斯光束内的温度到达凹坑的熔点206以上的部分虽显示出超析像效果，但由于起超析像膜作用的凹坑不连续，所以最大的波动可以在最小凹坑长以下。也就是说，如果最小凹坑长是50nm的话，波动就允许在25nm左右。在这个范围内，温度分布即使有波动，但是由于被融解的凹坑的个数不变，因此再生信号振幅也几乎不变。并且，因为使用不连续的凹坑，所以不会产生因例如超析像膜的缺陷等所引起的再生错误。例如，即使在凹坑内有缺陷，由于再生时会融解，所以该缺陷也通过原子的运动而被消除。
再有，本发明与用原来的超析像技术得到的再生信号相比还具有降低了噪声，提高了S/N比的效果。其理由是因为，原来的超析像技术是将超析像膜成膜在盘的整个表面上，该膜就成了噪声的原因，而本发明在将不连续凹坑以外的膜做成透明的电介质膜的情况下，噪声产生的原因仅是凹坑本身，而这些凹坑只存在于盘的一部分上。因此，可以评估能多大程度地降低噪声。
噪声的原因分为系统噪声、激光噪声、媒体噪声。媒体噪声又分为膜噪声、标记噪声等。除了系统噪声以外虽都依赖于盘的反射率，但为了便于比较，在此设该盘与本发明的盘的反射率相等。还假定凹坑在盘上所占的面积占该盘数据区域的1/4。通常，在轨道方向上，标记和空白的比例虽是相等的，但标记宽度是轨道宽度的1/2左右。因而，由于标记在轨道方向上占一半，在盘半径方向上也占一半，因此，占有面积约为1/4左右。也即，本发明将来自膜的噪声源的反射光量减少到1/4，膜噪声降低12dB左右。可以认为其它噪声和现有技术大致一样。表1表示再生现有技术的典型的相变化盘和本发明的盘的情况下的噪声的详细内容。根据该表可知本发明的信号的噪声降低了1.3dB。
降低1.3dB的噪声能带来优点的程度主要依赖于SN比、符号间干扰、信号再生方式等，但在此根据现实的光盘来评估优点的程度。首先，评估仅由SN比引起的数据再生时的错误率。假定以前的盘的SN比是和通常的光盘一样为18dB。即设本发明的盘的SN比为19.3dB。前提是信号再生方式也和表1
CD及DVD的再生方式一样，都使用增加来自最短标记长的信号振幅的等价器。于是，由于以前的盘和本发明的盘的再生信号的波动分别为5.7％、4.88％，所以数据错误率分别为1.11×10-18和1.22×10-24。实际上可知，虽在其中加上源于符号间干扰和伺服机构错误的错误，但利用本发明可将SN比引起的错误率降低6位。虽然上述的错误率两者都很低，但由于在用于计算机中完全不允许错误，因此错误率降低6位，其效果是非常大的。
在本发明中，构成凹坑的材料，最好使用GeSbTe和AgInSbTe等相变记录材料。理由主要有三条，记述如下第一，凹坑的制作相对容易。这是由于相变记录材料在非晶状态和结晶状态，对于碱溶液的溶解度不同。(Applied Physic Letters第85卷639页～641页)第二，相变记录适合微小图案的形成。其理由是，在结晶内，通过用激光照射使该结晶局部融解并急冷来记录非晶标记时，由于熔融部分的周边缓慢冷却而结晶化。这称为再结晶化。由于通过这种再结晶化形成比熔融区域小的标记，因此，可以用大功率机器来记录比用于记录的光点尺寸还小的标记。例如，再现性良好地记录50nm的标记，对于现在的光学平板印刷技术来说是很困难的，但对于相变记录来说则是可能的。通过模拟和实验显示这方面的例子记载在前面提到的Applied Physic Letters第85卷639页～641页上。
第三，相变记录膜的熔点为550℃～650℃之间，这个温度正合适。例如，如果熔点过低，因驱动器内温度等最佳的再生光功率就会不同，成为错误的原因。特别是有时候驱动器内温度为数10℃到80℃之间，若凹坑的熔点为例如100℃左右的话，驱动器内温度就成为热波动的原因。如果熔点在600℃左右，那么驱动器内温度在调整范围之内。相反，若熔点过高，则必须提高再生光功率，则将导致驱动器消耗电力的增大和作为光源的半导体激光的劣化。因此，在这个意义上，相变记录材料的熔点是适当的。
以下探讨一下盘的膜构造。膜构造虽应该考虑再生信号、记录特性、盘的制作方法等来设计，但这里主要叙述为了获得良好的再生信号的设计。
这里以用原来的光盘驱动器来再生数据为前提。这时，就要考虑盘的反射率。这里设想的是具有如图3(a)那样的结构的盘。作为图1的隔热材料103，这里使用热传导率低的SiO2。
图3(a)的结构中，由于记录膜层具有SiO2部分303、恒定状态的凹坑部分304、已融解的凹坑部分305，因此有必要考虑这3部分的反射率。此处，这3部分的反射率分别记为Rspace、Rpit、Rmelt。为了增大再生信号，以下2点是重要的(1)增大Rspace和Rmelt的反射率差；(2)缩小Rspace和Rpit的差。上述的(2)中，如果严格地满足Rspace＝Rpit的话，只要凹坑不融解，记录标记就不会促进反射光的改变，因而只有凹坑已融解的地方才产生信号。相反，Rspace和Rpit之差的绝对值|Rspace-Rpit|则作为再生时的噪声出现。在此，根据上述，将再生信号的评价函数F定义为(1)式，将设计盘的结构造以增大该信号评价函数F作为目标。
F=|Rspace-RmeltRspace-Rpit|]]>式(1)图3(b)表示记录膜层303、304、305全部都有相同的膜厚drec时，计算drec和Rspace、Rpit、Rmelt及F的关系的结果。在此假定光源波长为蓝紫色激光的400nm，并且构成凹坑的材料是典型的相变记录膜材料GeSbTe。图3(b)所示的计算中，302、306、307的膜厚分别为55nm、30nm、20nm。其理由虽是因为这样的组合其F值较大，但也有其他组合能够确保F值较大。关于这些组合将于后述。根据图3(b)，当drec在20nm左右时，Rspace约等于Rpit，此时的F值非常大。并且F的分子|Rspace-Rpit|约为15％。由于通常的相变化光盘上的标记部分和空白部分的反射率差为15～25％左右，因而应该能够得到与其同等的反射率差。换句话说，上述的构造由于能够几乎完全去除超析像噪声，并且得到很大的信号，因此相比原来的超析像技术，更能提高S/N比。
下面，评估本发明所能达到的记录容量。图4表示用本发明所得到的信号振幅对标记长的依存性的计算结果。此处，纵轴是标准化的以无限长的标记所得到的振幅。假定轨道宽度为0.24mm，标记宽度是它的一半。一般相变化标记的形状，根据它的记录膜种类和记录方式的不同，有圆形标记或者标记宽度很宽的人字型标记。这记载在例如Japanese Journal of AppliedPhysical第41卷631页～635页中，还包含其机理。据此，图4表示了关于圆形标记和与人字型标记相似的长方形标记的计算结果。为了便于比较，在图中也记有用25GB容量的Blue-ray Disc的最短标记列所得到的振幅的计算结果。
在此，如果假定应该得到的振幅的下限值与Blue-ray Disc的最小振幅相同，那么根据图4可知，本发明所能到达的最短标记长是，圆形标记时为0.06mm，人字型标记为20nm。由于25GB容量的Blue-ray Disc的最短标记长为0.149mm，轨道凹坑为0.32mm，因此如果假定本发明的盘尺寸和格式效率等条件和Blue-ray Disc相等，那么本发明所能达到的记录容量，圆形标记时是约83GB，人字型标记时是约248GB。
本技术在应用于多层光盘时也有优势。在设计多层盘的结构时，为了确保反射率和透射率两者，通常要使透射率约为50％。这样，可以做成4层盘。通常，光盘的整个记录面虽都有记录膜等，但由于图3(a)的结构中只有记录凹坑部分才有，而空白部分只有很薄的Ag薄膜，因而预期能确保高的透射率。
下面尝试着评估本发明所能达到的层数。现在，有层数为n层的多层盘，从光入射一侧开始称作第1层、第2层、…、第i层…、第n层，将各层的单层透射率和反射率分别设作Ti和Ri，在驱动器中，若将再生第i层时所得到的反射率记为Ridrive，则可写为式(2)。
Ridrive=Ri·Πj=1i-1Tj+2]]>式(2)Tj取平方是因为检测反射光量并再生数据时，要2次通过相同的层。在此评估层数时，也要和前面提到的4层光盘的文献中的设计指针同样，对于所有的层都假定Ridrive＞4％。另外，再加上|Rspace-Rpit|＜0.5％这个条件。由该条件得到的膜设计值和各层的反射率、透射率如图5所示。在这里，假定盘的结构与图3(a)的相同，膜的编号从基片301侧开始分别依次为膜302是film1，膜303、304、305做成膜厚都相同并统称film2，膜306是film3，膜307是film4。
根据图5的结果可知，8层光盘是可能的。图5的结果表明，在驱动器中得到的融解凹坑和空白部的反射率差，所有的层都为4.3％～6.2％，所得到的振幅与4层光盘的报告的结果相同或比之更高。如果1层的记录容量为83GB，那么8层的记录容量就可达到约660GB。使用人字型标记时，由于1层的记录容量是248GB，那么8层的记录容量就可达到约2TB。并且，本发明和多层光盘的组合，具有降低层间串扰的效果。通常，多层光盘中，在记录或再生数据的层以外的层也照射到光，由于从这些层反射的光的一部分入射到驱动器的光检测器中，因而无法完全消除记录再生层以外的层的影响。将这种影响称作“层间串扰”。层间串扰的大小虽依赖于光学条件和盘的规格，但要降低层间串扰，尽量扩大层间距离是重要的。但是，层间距离一扩大，例如在记录再生最内层时，从光学条件的观点来看，基片厚度相当于偏离最佳值，这是产生球面像差的原因。这方面的内容记载在Japanese Journal ofApplied Physical第42卷5624页～5633页上。
但是，本发明是为了缩小|Rspace-Rpit|而设计盘的结构，只有在光点聚焦，功率密度增大的情况，记录标记才融解，为了借此检测标记，在光点未聚焦的层所记录的标记的影响则小到可以忽略不计的程度。所以没有必要扩大层间距离。重要的是控制层间距离，使各层间离开到光点的焦点深度以上，并抑制热传导到使未聚焦的层的凹坑不融解的程度。光点的焦点深度，譬如在Blue-ray Disc条件下大约是300nm左右，并且由于热传导控制在最短凹坑间距离，如果凹坑间是例如100nm左右，就能在不融解邻近凹坑的情况下再生数据。因此，层间距离若在500nm左右以上就足够，则能够在低于4μm的厚度内制作8层。紧接着，探讨不进行球面像差修正的情况。当使用蓝色激光NA 0.85时可知，若设定球面像差量的上限值和DVD-ROM的标准值相同，则允许从焦点的最佳位置最大偏移达5μm。因此，在8层光盘的情况下，并且8层的中心在焦点的最佳位置的情况下，则层间距离为5÷3.5＝1.4μm。因而，在这个条件下，如果层间距离在1.4μm以下，则不需要球面像差修正机构。
进而，在通常的多层盘的情况下，如Japanese Journal of Applied Physical第43卷4983页～4986页的记载，为了降低层间串扰，虽有必要将各层的中间层的厚度全部做成不同的值，但本发明由于已将层间串扰降得非常低，所以能将各层的中间层的厚度做成相同。这样，由于在制作所有的中间层的工序中可以使用相同的装置，因而能降低盘的制作成本。
综上所述，本发明可以达到的记录容量为CD尺寸单层为100GB左右，通过多层化可达到500GB至1TB以上。
下面阐述本发明的盘的制作方法。制作图1(a)和图3(b)这样结构的盘的方法有多种，下面就其中几种进行说明。
最简单的方法是在相变化膜中直接记录标记，利用相变记录膜的非晶和结晶对碱溶液的溶解度不同这一点，来仅保存标记部分的方法。这个方法如图6所示。在记录标记之前，像图6(a)那样叠层膜。由于通过溅射来制膜的情况下相变记录膜为非晶状态，所以要使其如图6(b)那样结晶化。结晶化既可以直接烘烤图6(a)的试样，也可以用激光照射，通过使记录膜吸收光而产生热来进行。用激光照射图6(b)中的试样来记录标记，并剥离保护膜成为图6(d)那样。保护膜是例如SiO2等时，由于与相变记录膜的粘接性很低，因而比较容易剥离。即使有一部分SiO2仍残留在相变记录膜上，在下一个蚀刻的过程中也容易剥离。将图6(d)的试样浸泡在碱溶液中溶解结晶部分，作成像图6(e)那样的凹凸凹坑，并在其上制成保护膜和反射膜，用UV树脂与基片连接，最后作成像图6(f)那样的盘，也就是图1(a)那样的盘。但是若为图6(f)的状态，凹凸保留直到反射膜，这一点与图1(a)不同。
要作成图1(a)那样的结构，在图6(e)之后先只制成保护膜。此时，预先对相变记录膜的凹坑进行结晶化。若将这种试样短时间浸泡在碱溶液中，相变记录膜的部分表面溶解，仅仅使位于相变化膜的凹坑部分之上的保护膜剥离，变成像图6(h)那样平坦。或者，保护膜是SiO2时，在凹坑部分溶解之前只通过浸泡在液体中将其剥离。这时，液体就不必是碱溶液，例如也可以是水。在图6(h)的试样上制成反射膜，若粘接在基片上就可以得到与图1(a)同样构造的盘。
图6的方法，为了制作一张盘，需要一个个地记录标记，非常费时间。另一方面，在制作通常的ROM盘时，在制作原盘时虽要一个个地记录标记制作凹凸，但从该原盘制作原模，然后使熔融的聚碳酸酯流入原模中，则完成了凹凸图案的复制。这被称为“注射成型”。这种方法虽然为制作原盘需要时间，但在制成原模之后，每张盘的生产时间则非常短。
作为解决上述图6的问题的方法之一，图7所示的方法是可行的。在基片701上制成保护层702和相变化膜703。并在上面压上加热了的原模704。在此，只有原模上的凹凸的凸的部分和相变化膜703接触，这个部分的温度达到结晶化温度而进行结晶。这样，原模上的标记图案就复转印到了相变化膜703上，形成记录标记705。通过用碱溶液对该试样进行蚀刻，就形成了图7(d)那样由相变化材料制成的凹坑。由于该状态和图6(e)一样，所以之后的工序和图6也一样。用图7的方法，在盘上转印标记图案的时间，和制作通常的ROM盘时的注射成型所用的时间几乎一样，因而可缩短盘的制作时间。
原模704虽由原盘作成，而原盘的制作和通常的ROM盘的制作情况相同，可以用短波长激光照射玻璃基片上涂有抗蚀剂的试样来制作。另外，由于本发明要实现的高密度记录的标记尺寸非常之小，所以也可以用电子线来制作标记。另外，如上所述，由于相变记录适合于高密度记录，因而可以采用这样的方法例如仅在原盘制作时采用图6(a)～图6(e)的方法，然后再以图6(e)为原盘制作原模。
再有，还可以利用相变化膜的浸润性来制作盘。如图8(a)所示，有由基片801、保护膜802及相变化膜组成的试样，相变化膜既有非晶部分803，又有结晶部分804。在该非晶部分803和结晶部分804上滴上碱溶液的蚀刻液的液滴805。于是，几秒钟或几分钟后，如图8(b)所示，结晶804排斥蚀刻液的液滴805，液滴805在非晶部分803上运动。这可以解释如下。非晶和结晶在空气中其表面都会氧化。这数nm厚的氧化膜虽阻止蚀刻液的腐蚀，但由于结晶是多晶，从晶粒边界开始发生腐蚀，所以耐蚀刻性很低。因此，结晶部分的表面氧化膜被蚀刻，只有结晶部分中暴露出部分和蚀刻液滴接触。相变记录膜处于氧化状态下者比暴露出部分具有更大的极化率。并且一般来说，极化率越大的固体对水的浸润性越大。根据这些情况，在相变记录膜中由于表面氧化膜对蚀刻液具有更高的浸润性，所以如图8(b)所示，表面氧化膜腐蚀了的结晶部分就更快地排斥蚀刻液滴，液滴就流动到非晶部分。
图9表示利用这一点来制作盘的方法。如图6(d)或图7(c)那样制作相变化标记图案。然后再像图9(b)那样在试样表面涂上呈现同时具有疏水基和亲水基的两亲性分子的蚀刻液。图9(b)的两亲性分子中，用圆表示的部分是亲水基，用线表示的部分是疏水基。蚀刻液为碱溶液，由于其热力学性质和水接近，因此，亲水基会接触蚀刻液，而疏水基则朝向大气一侧。在图9(b)的状态下，结晶部分的表面氧化物被溶解，并排斥蚀刻液，成为图9(c)那样。此时，蚀刻液蒸发，成为图9(d)那样。在这种状态下让它接触带有保护膜的基片，像图9(f)那样移动两亲性分子。当在这个试样上制成相变化膜，并以能溶解两亲性分子的溶剂剥离两亲性分子的部分时，就能像图9(h)那样制成相变化材料的凹坑图案。这和图6(e)的状态相同，其后可以利用图6的方法。
要制作下一张盘时，将图9(a)作为原模使用，若再从图9(b)开始，由于能高速地作成图9(h)的状态，这样就能缩短制盘时间。
像这样利用两亲性分子制膜的方法和Langmuir-Blodgett膜(LB膜)的方法相同，由于都是已经成熟的技术，因而图9的方法可以没有困难地完成。这儿使用的两亲性分子经常在LB膜中使用，可以是脂肪酸中的油酸、亚油酸、硬脂酸。此外，还可以使用构成生物膜的分子的磷脂。
上述的盘的制作方法，也可以应用在多层盘的制作中。这个方法示于图10中。图10(a)是图6(i)粘接上部基片前的状态，可以用图6、图7、图9所示的方法来制作。在这个状态设置一个起隔层作用的中间层1006。这个中间层和通常的多层光盘的中间层一样，可以采用以紫外线硬化树脂进行旋涂的制作方法，或将聚碳酸酯等塑料制的膜用紫外线硬化树脂进行粘接的方法制作。在图10(b)的状态下制成保护膜和相变化膜，用图6、图7、图9中的任何一种方法，在相变化膜上记录标记图案。将这个盘用碱溶液进行蚀刻，并制作由相变化材料构成的凹坑，形成图10(e)的状态。将该试样用图6的方法变成图10(f)的状态。制作2层盘的时候，只要在图10(f)的表面粘接上部基片即可；而制作3层以上盘的时候，再从图10(b)的工序开始即可。
利用原来的光驱的化学系，就可以再生具有大约100GB/面的容量的光盘的记录数据。而且通过多层化，还可以做成具有约1TB容量的光盘。
图1是本发明的示意图。图1(a)为盘的剖面图，图1(b)为盘的俯视图。
图2是高斯光束的功率和有效的再生光点尺寸波动关系的说明图。图2(a)为原来的超析像技术，图2(b)为本发明。
图3是实现本发明的盘构造的一个例子的说明图。图3(a)为盘的剖面图，图3(b)为记录膜厚度与反射率及信号评价函数的关系的计算结果。
图4是本发明的标记长和信号振幅的关系的计算结果。
图5是将本发明运用于多层盘时的盘构造及其光学特性的一个例子。
图6是本发明的盘的制作方法的一个例子，是直接记录标记的方法。
图7是本发明的盘的制作方法的一个例子，是通过与热的原模接触来制作最终标记图案的方法。
图8是说明相变化膜经蚀刻的、晶体及非晶部分的浸润性的变化的说明图。图8(a)为将蚀刻液滴在膜表面上之后，图8(b)为几分钟之后。
图9是本发明的盘的制作方法的一个例子，是利用晶体和非晶在短时间蚀刻后的表面的浸润性的差异的方法。
图10是本发明的多层盘制作方法的一个例子。
图11是在本发明的实施例中所使用的记录及再生装置的结构图。
图12是在本发明中记录非晶标记时照射的激光的波形。
图13是在本发明的实施例1中得到的再生信号的CNR的标记长与再生功率的依存性。
图14是在本发明的实施例2中得到的再生信号的错误率与再生功率的依存性。
图15是在本发明的实施例3中得到的再生信号的错误率与再生功率的依存性。
图16是在本发明的实施例5中得到的，8层盘的各层的再生功率与再生信号的错误率。
具体实施例方式
实施例1制作单层盘，并考察本发明的效果。盘制作方法使用图6所示的方法。图6的上部基片606是厚度为1.2mm的聚碳酸酯板，反射膜605是Ag 20nm，上部保护层604是ZnS-SiO230nm，相变化膜603是Ge5Sb70Te2520nm，下部保护层602是SiO255nm，下部基片601是聚碳酸酯制成的厚度为0.1mm的薄片，并用紫外线硬化树脂粘接。该膜的结构与按图3计算的信号评估函数为最大的情况是一样的。膜全部由溅射法制成，在上部基片上依次叠层反射膜、上部保护层、相变化膜、下部保护层。
用相变化盘初始化机使这个试样的相变化膜进行结晶。初始化机的激光波长为830nm，物镜的NA为0.5。并且聚焦时的光点在盘半径方向具有约200mm的长度，而在盘转动方向由λ/NA决定的长度具有约1.7mm的长度。结晶化的时候试样以3m/s的线速度转动，并用功率为300mW的DC激光束照射。
在这个盘上，用图11所示的装置记录非晶标记图案而制成盘。蚀刻时，将试样放在pH12的氢氧化钠溶液中浸泡20分钟。
数据再生时使用和记录时相同的装置。这种装置兼有通常的光盘测试装置和ROM盘制作装置两种功能。下面说明装置的结构。从半导体激光器1101出射激光，通过透镜1102变为平行光。该平行光通过偏振光束分裂器1103。此时，从半导体激光器1101出射的激光虽是直线偏振光，但该偏振光方向可预先调整偏振光束分裂器1103的方向，使其完全通过偏振光束分裂器1103。激光用λ/4板1104变换为圆偏振光，并通过反射镜1105、物镜1106聚焦在盘1107上。从盘上反射的光，通过物镜1106、反射镜1105虽用λ/4板1104变为直线偏振光，但这与从半导体激光器1101出射时的偏振光方向为相差90°的方向。因此，当这个光入射到偏振光束分裂器1103时，光路又转了90°，入射到焦点信号检测器1110及再生信号及跟踪信号检测器1111。从两个检测器出来的信号输入到信号处理及控制系统1112。同时，用激光干涉仪1114检测激光头的半径位置，并将其信号输入系统1112。用这个系统控制自动聚焦伺服机构、跟踪信号、激光脉冲发生信号、盘转动速度等。
在此，在进行为制作盘的记录时，虽可以使用自动聚焦伺服机构，但由于不存在标记，所以无法得到跟踪伺服信号。因而，在记录时，为了用激光干涉仪1114来控制激光头的位置，所以系统1112要往激光头的调节器1113发送信号。在记录再生时为了使激光头和盘的线速度总是保持一致，即实现所谓的恒定线速度(CLV-Constant Linear Velocity)，以及为了根据激光干涉仪1114的信号来控制盘转动速度，系统1112会给主轴1115发出信号。并且在记录时，由于半导体激光器1101需要出射与记录的标记图案相对应的激光脉冲，因此系统1112也会将该激光脉冲信号发送给半导体激光器1101。
这里使用的半导体激光器1101的波长为405nm，物镜1106的NA为0.85，与Blue-ray Disc的条件相同。
图12表示的是记录激光脉冲的波形图。这里使用的记录调制方式，是采用最短标记为检测窗宽度Tw的2倍(2Tw)，最长标记为9Tw的(1，7)调制方式。脉冲由记录功率Pw、底线功率Pb、消去功率Pe组成，nTw的标记用(n-1)个脉冲来记录。图上只记载了2Tw、3Tw、5Tw三种情况。本实施例中，1个脉冲中，其Pw的长度为3/8Tw，Pb的长度为5/8Tw，Pw、Pb、Pe的值分别为4.5mW、0.1mW、2.0mW，而记录时的轨道宽度为0.24mm。
跟踪方法使用与通常的ROM盘再生方法相同方法，即位相差检测方式。即，在图11中，将再生信号及跟踪信号检测器1111分成4部分，对每部分所得到的信号将其对角成分之间的和的差设为0的方法。将这个方法运用到通常的盘时，标记长一变短，轨道错误信号则变小，跟踪伺服则不可能；但由于本发明只融解单一的凹坑，并只从该凹坑得到信号，因此轨道错误信号不会极端变小，跟踪伺服则成为可能。
为了与上述(1，7)调制的随机图案相区别，研究本发明的效果，对标记长和空白长的长度相等的单一图案进行记录，使其能测定载波噪声比(CNR)。图13表示用不同的再生功率来研究该标记长和CNR的关系的结果。在图13中，再生功率为0.3mW及1mW时，几乎得不到信号。这正如图3的说明中所述，相变化膜的凹坑部分不融解的场合，标记和空白的反射率几乎相等。再生功率为1.5mW时，能得到非常大的信号，即便标记长为40nm时还能得到约40dB的CNR。但是，随着再生功率变大，小的标记长的CNR则变小。这可以解释为，由于再生功率变大，融解区域也变大，小的标记长部分由于邻近的凹坑也融解，所以有效的分辨力也就降低。由于融解区域的大小也和盘的构造及光学条件有关，因此最佳再生功率依赖于盘、驱动器以及最短标记长。从此处使用的盘和光学条件来推测，再生功率以约1.5mW为最佳。
下面说明使用以前的盘进行上述实验的情况。
不使用超析像的盘，即使改变再生功率，CNR也几乎不会改变。这是因为，即使改变再生功率，由于光学分辨力也不会改变，因而虽然随着反射光量的增大信号也相应提高，但噪声也同样提高。光学分辨力大概为λ/4NA，这以下的标记长，信号振幅几乎为0。即，在Blue-ray Disc条件下约为120nm。
使用超析像时的CNR的例子记载在Japanese Journal of Applied Physical第43卷4921页～4924页上。再此标记长在50nm以内能可靠的得到信号，虽可认为光学分辨力提高，但作为Blue-ray Disc的2T容量标记的CNR的48dB的CNR只能以100nm标记长取得。推测其中的一个原因就是因为超析像噪声。与此相对，图13中60nm的标记长取得了48db的CNR，从而证实本发明的效果。
再生了以40nm为最短标记记录的随机标记。再生时，采用了JapaneseJournal of Applied Physical第39卷824页～829页上记载的信号处理方法之一的“部分响应极大似然”(PRML-Partial Response Most Likelihood)法。再生数据的错误率为2.2×10-6。通常，利用错误订正符号能够几乎完全无误地再生数据的错误率的上限为1×103，因而此处得到的错误率已经比高上限低了很多，是能实际使用的值。
将盘分解后用电子显微镜观察标记形状的结果发现，标记形状是类似于所谓的人字型标记的形状。最短标记长为40nm的标记宽度约为80nm。做成人字型的理由可以认为是，图12所示的记录脉冲波形中的Pe水平引起的再结晶化的结果。因此，可以认为，长40nm的标记能得到十分强的信号振幅。这样，就可以制成CD尺寸的容量为125GB的盘。
在此，虽制作了能往盘上进行标记的记录和再生两者的盘测试器，并进行了实验，但用该测试器再生数据时使用的功能，由于是和以前的盘驱动器所具有的功能一样，因此在此取得的结果用以前的盘驱动器也能取得。但是，这里使用的再生功率是1.5mW，这个值比现有技术的再生功率高。即，若对现有成品盘驱动器追加提高再生功率的功能的话，就能得到本发明的效果，并因此可确保和现有成品的互换性。
实施例2在此，再生用图7所示的方法所制作的盘的数据，测定其错误率。
往盘里记录数据使用实施例1所示的方法。调制代码使用(1，7)调制，最短标记长设为40nm。实施例1虽使用图6的方法制作盘，但用紫外线硬化树脂获得图6(e)状态的形状，并在该树脂上实施镀Ni后作为原盘。再从原盘制作出Ni制的原模。另一方面，在1.2mm厚的聚碳酸酯基片上通过溅射制成Ag 20nm、ZnS-SiO230nm、作为相变化材料的Ge2Sb2Te520nm的多层膜。将温度为200℃的Ni原模和该试样接触1秒钟，从而在试样上作成结晶标记图案。将该试样的膜侧的表面朝上放在旋转涂料器上，以600rpm的转速边旋转边往试样内侧滴入pH值13.5的氢氧化钠溶液。通过一边滴入氢氧化钠溶液，一边旋转3分钟，使结晶状态的部分溶解，并制作出相变化材料的凹坑。在该试样上溅射SiO255nm，再用紫外线硬化树脂将0.1mm厚的聚碳酸酯基片粘接在其上。
用与图11所示的相同的盘测试器再生该盘。图14表示再生功率和错误率的关系的实测值。为了比较，图14中也记载了用原来的超析像盘测定的错误率的数据。用原来的超析像盘测定的，最好的错误率是4.2×10-3左右，比要求的错误率的最大值1×10-3要大，而本发明的盘，在再生功率为1.5mW时，最小的错误率可得到2.2×10-6，当再生功率为1.4～1.6mW之间时，可得到比1×10-3还低的错误率。
此外，图14是再生用图7所示的方法制作的盘的数据时的错误率，根据本发明的盘的制作方法，由于最小错误率及能得到最小错误率的再生功率不同，所以最小错误率、再生功率的值不限于图14所示的值。
实施例3在此，再生用图9所示的方法制作的盘的数据。
往盘里记录数据使用实施例1及实施例2所述的方法。用旋转涂料器往图9(a)的试样的表面涂布pH值12的氢氧化钠溶液。此时，氢氧化钠溶液覆盖了盘半径20mm到60mm部分的表面。这个面积大约为0.01m2。往该试样上滴16mg的硬脂酸。预测24mg的硬脂酸可以无间隙地覆盖0.01m2的面积。由于硬脂酸的直径约为1nm，并且分子量为284，因而该值大体上是妥当的值。此时盘的半径20mm到60mm的表面的2/3被硬脂酸覆盖。这个状态对应于图9(b)。若将该状态保持2分钟后，就成了图9(c)的样子。将该试样在加热到80℃的热板上放置10秒钟，使氢氧化钠溶液蒸发，成为图9(d)的状态。到80℃左右的话，硬脂酸可以不蒸发而保留在试样上。
在这个1.2mm厚的聚碳酸酯基片上溅射Ag 20nm、ZnS-SiO230nm，将此作为试样A并将其靠近图9(c)的表面，使硬脂酸在试样A的表面移动。相变化膜有疏水性，它对水的接触角约为70°。与此相对，ZnS-SiO2对水的接触角约为30°，ZnS-SiO2介于疏水性和亲水性之间。因此，可以认为，亲水基朝着相变化膜方向的硬脂酸，由于ZnS-SiO2靠近而朝ZnS-SiO2的方向移动由于能降低界面能量，因而在ZnS-SiO2的表面移动。
在该试样上溅射上相变化膜Ge5Sb70Te25，并将该试样在异丙乙醇里浸泡10秒钟。这样，硬脂酸就溶解，而溅射在硬脂酸上的相变化膜就被剥离除去。由于非晶状态的相变化膜对异丙乙醇具有很强的耐受性，因而在没有硬脂酸的地方所制成的相变化膜就原样地保留在试样上。这样，可以形成由相变化材料组成的凹坑。
在该试样上溅射SiO255nm，并用紫外线效应树脂来粘接0.1mm厚的聚碳酸酯薄片。用图11的盘测试器再生该试样的记录数据。这些数据表示在图15中。为了比较，图中也表示了原来的超析像盘的错误率的数据。而原来的超析像盘的数据与图14的数据相同。从图15可定性地得到与图14同样倾向的数据。在再生功率为1.5mW时，虽可以得到与实施例2相同的最佳错误率，但该错误率为1.5×10-7，比实施例2的错误率更好。其原因可以认为这是，利用本实施例的盘的制作方法制作的盘与用实施例2的方法制作的盘相比，盘的噪声降低了。
此外，改造现有成品驱动器来再生数据。对驱动器实施2点改造。首先，使再生功率可以设定为2mW以下的任何功率。其次，设置可选择再生功率的机构，从而能再生盘上的特定图案，并使其错误率达到最小。用这个驱动器来再生数据时，最佳再生功率为1.5mW，此时的错误率为9.7×10-8。
实施例4尝试用电子线来记录数据。往玻璃基板上溅射Ag 100nm，相变化材料Ge2Sb2Te520nm。在该试样的相变化材料表面照射聚焦的电子线，通过使其结晶化以记录数据。记录时，使试样以1m/s的速度转动，电子线的加速电压设为10kV，电流为20nA，根据所记录的标记图案来开启关闭电子线。在此，记录了最短标记长分别为60nm、40nm、20nm3种类型的标记图案。
用电子线制作完标记图案之后，用与实施例3所述方法相同的方法来制作盘。用实施例3所述的驱动器来再生该盘时，最短标记长为60nm时的错误率为3.4×10-7，为40nm时的错误率为2.2×10-5，为20nm时的错误率为5.8×10-3。错误率与实施例1～3的错误率相比更低的原因可以认为是，标记形状不是人字型而是圆形。
实施例5制作多层盘，再生记录数据。
盘的制作方法与实施例3所述的方法基本相同。在实施例3中制作完单层盘后，不粘接聚碳酸酯薄片，而是用紫外线效应树脂制作了中间层。中间层的厚度全部为3mm。蚀刻时，由于已经制作完的层的相变化凹坑被对碱溶液具有耐受性的材料包围，因而不会溶解而保留下来。
用这个方法来制作图5所示的膜结构的8层盘。图16表示再生该盘各层时的再生功率及错误率。再生功率随层的不同而改变的理由是因为，如式(2)所表示的那样，由于光被途中的层遮住，所以到达再生层的光的功率和反射光量都减弱了。在此，如式(2)所示，反射光量虽依赖于透射率的积的平方，但到达再生层的光量却依赖于透射率的积。本发明中，为了熔融凹坑，重要的是到达再生层的光量，而从再生信号的大小的观点来看，反射光量也很重要，因此，需要确保两者的平衡。但是，在此着眼于反射光量，再生功率取1.5mW乘以透射率的积的平方的值。即，到达各层的有效功率比1.5mW还要大。但是，图16的结果却取得了良好的错误率。其理由可以认为有以下3点(1)在盘的设计阶段，由于各层的透射率较高，所以透射率和透射率的平方之差不太大；(2)其透射率和透射率的平方之差在再生功率范围内；(3)在此采用的盘结构，第6层到第8层的相变化膜的厚度较厚，为了熔融相变化凹坑，有必要增大有效的再生功率。
如上所述，可以制成8层盘。由于1层的容量是125GB，所以该盘的容量为1TB。即，事实表明，通过使以前的光盘驱动器的再生功率可改变，再生1TB容量的光盘变为了可能。
权利要求
1.一种信息记录媒体，其特征在于，具有基片，形成在基片上的、由通过照射再生光束能融解的孤立图案构成的记录凹坑，以及形成在上述记录凹坑之间的，由热传导率比上述记录凹坑更低的材料组成的隔热膜。
2.根据权利要求1记载的信息记录媒体，其特征在于设置了多个具有上述记录凹坑的层。
3.根据权利要求2记载的信息记录媒体，其特征在于设置了多个具有上述记录凹坑的层的相互邻接层的间隔在500nm以上1.4μm以下。
4.根据权利要求1记载的信息记录媒体，其特征在于上述记录凹坑含有Sb、Te。
5.根据权利要求1记载的信息记录媒体，其特征在于上述的隔热膜由含有SiO2的材料构成。
6.根据权利要求1记载的信息记录媒体，其特征在于上述的孤立图案是圆形标记或者人字型标记。
7.一种信息再生方法，其特征在于对具有由孤立图案构成的记录凹坑和在上述记录凹坑间形成的、由热传导率比上述记录凹坑更低的材料构成的隔热膜构成的层的信息记录媒体用光照射，熔融上述记录凹坑，通过检测来自被熔融的上述记录凹坑的信号来进行信息的再生。
8.根据权利要求7记载的信息再生方法，其特征在于设定上述光的入射功率，使得最大波动在上述记录凹坑的最小凹坑长以下。
9.根据权利要求7记载的信息再生方法，其特征在于上述信息记录媒体有多个具有上述记录凹坑的层，通过用光照射上述多个层中的第1层，熔融上述第1层的记录凹坑来进行信息的再生。
10.一种信息记录媒体的制造方法，其特征在于，具有以下步骤在基片上形成的相变化膜上形成多个记录标记的步骤，形成除去上述相变化膜上形成的上述记录标记以外的区域的凹凸图案的步骤，以及在上述凹凸图案的凹部形成隔热膜的步骤，上述的记录标记在读取用光束照射时会熔融。
11.根据权利要求10记载的信息记录媒体的制造方法，其特征在于上述的记录标记通过热能形成。
12.根据权利要求10记载的信息记录媒体的制造方法，其特征在于形成上述凹凸图案的步骤是通过将媒体浸泡在碱溶液中来除去上述记录标记以外的区域的步骤。
13.根据权利要求10记载的信息记录媒体的制造方法，其特征在于在形成上述凹凸图案的步骤之后，使上述记录凹坑结晶化，在已形成上述相变化膜的基片上形成保护膜，并通过将媒体浸泡在碱溶液中以形成隔热膜。
14.根据权利要求10记载的信息记录媒体的制造方法，其特征在于通过有凹凸图案的模压来形成上述记录标记。
15.根据权利要求10记载的信息记录媒体的制造方法，其特征在于通过在形成有上述记录标记的相变化膜上涂抹含有两亲性分子的蚀刻液，上述蚀刻液流动在上述记录标记以外的区域后，通过使其接触含有保护膜的基片来移动上述的两亲性分子，再通过制成相变化膜来形成凹凸图案。
16.根据权利要求10记载的信息记录媒体的制造方法，其特征在于形成上述隔热膜的步骤之后，在上述相变化膜上形成中间层，再在上述中间层上制成相变化膜并形成记录标记。
全文摘要
本发明涉及一种高密度光盘技术。本发明为了实现光盘记录数据的高密度化，以再生比光学分辨力更小的标记为目的，提出了超析像技术；而原来的超析像技术，由于具有超析像效果的膜的晶粒和分子的波动，所以表示超析像效果的区域也有波动，因而高密度化有限。本发明的技术方案是由于记录标记自身具有超析像效果效果，并且通过将这些记录标记之间进行分隔，则可降低表示超析像效果区域的波动。
文档编号G11B7/005GK1758346SQ200510005120
公开日2006年4月12日 申请日期2005年1月28日 优先权日2004年10月4日
发明者新谷俊通, 宫本治一, 安斋由美子, 工藤裕美 申请人:株式会社日立制作所