专利名称：烧入期间增加应力占空比的测试模式和测试方法
技术领域：
本发明涉及测试存储设备的方法和设备。更具体地，本发明涉及在测试存储设备时增加置于其上的应力。
背景技术：
许多现代数字设备都包含半导体存储器(例如，动态随机存取存储器，DRAM)，其用于存储该数字设备所使用的信息。为确保设置在数字设备中的存储器正常工作，该存储器要经过严格的测试。例如，存储器可能要经受一种被称为烧入的测试。
典型的烧入包括随着升高的电压对存储设备施加高温(典型的是用一种被称为烧入炉的设备)。这种烧入是要将应力施加到存储设备上以检测其潜在的缺陷(也称为早期缺陷)。
在烧入期间，还可以通过向其发出命令来对存储设备进一步加应力。典型地，发出这些命令以增加置于存储设备中电路(例如，存储设备中的晶体管和存储单元)上的应力。置于存储设备中给定电路上的应力量用被称为应力时间的数值来测量。该应力时间是指在晶体管两端(例如，在晶体管的栅极和沟道之间)施加电场时，该晶体管全部激活时间的总和。通常为了提高检测存储设备缺陷时烧入的效率，要增加应力时间量。但同时，制造商为了尽快将存储设备产品推向市场，又希望减少该烧入处理的等待时间(例如，测试存储设备所花费的时间)。因此就期望通过在最短的时间内将存储设备施加应力到最大可接收限度，来提高烧入测试的效率。
字线是用来存取行存储单元中的线路。每个存储设备中的存储单元都可以分为多个被称为存储体的部分，每个存储体都可以包含多条字线。当电压施加到字线上时，用于存取该字线上的每个存储单元的晶体管(称为存取晶体管)将可被加应力。烧入期间发出的一些命令是设计用于向存储设备中的字线加应力。
例如，在烧入期间，通过执行刷新向存储设备发出CBR命令，以对存储设备中的字线加应力。刷新是还原用于存储信息的存储单元中电荷的操作。典型地通过将存储设备中的第一输入线(列地址选通线，或/CAS)拉到低逻辑值，随后再将存储设备中的第二输入线(行地址选通线，或/RAS)拉到低逻辑值(/CAS先于/RAS，由此得名CBR)来向存储设备发出CBR命令。
图1A是在烧入期间将一系列CBR命令发给存储设备的时序图。在执行刷新时，CBR命令可依据刷新计时器，在发出全部存储体激活命令(ACT)之后，发出全部存储体预充电命令(PREA)。这样，在时间T1，当存储设备接收第一CBR命令时，向存储设备中的存储体发出ACT命令。这个ACT命令可驱动存储设备中的一条字线的电压VWL至高电压VPP，从而对字线中的存取晶体管加应力。该字线电压VWL可在时间TRAS(行存取时间，从T1至T2)中保持在VPP，以允许该字线中的存储单元有足够的时间来完全再充电。
在时间T2，向存储设备发出PREA命令。该PREA命令可驱动每一字线的字线电压VWL至低电压(如0V)。驱动字线电压至低电压可电断开与每一存储单元(称为位线)连接的输出线，以允许该位线为下一刷新操作进行预充电。字线电压在时间TRP(行预充电时间，从T1至T3)可保持在低电压，以允许位线完全预充电。在时间T3，存储设备可接收另一CBR命令，使另一ACT命令发给存储体，并驱动VWL回到VPP。
用于发出CBR命令的总时间是TRAS+TRP。TRAS+TRP被称为读取循环时间TRC(从时间T1至T3)。如前所述，在向字线(在时间TRAS期间)发出ACT命令时，字线中的晶体管被加应力。在每一命令周期(TRAS/TRC)期间，字线被加应力的时间百分比被称为占空比。例如，如图1A所示，一系列CBR命令的占空比约为35％。
在一些情况下，为增加在烧入期间的应力时间和占空比(并因此减少总烧入时间)，向存储设备发出CBR命令之外的其它命令。例如，向存储设备发出一系列分离的ACT和PREA命令。图1B是在烧入期间想存储设备发出一系列全部存储体激活和全部存储体预充电命令的时序图。因为当发出分离的ACT和PREA命令时，可以不使用由CBR命令使用的刷新计时器，字线电压VWL的占空比能增加到50％。
然而在某些情况下，为进一步减少执行烧入所必需的时间，可期望用高于50％的占空比。由此所需要的是用于在烧入期间增加应力占空比的方法和设备。
发明内容
本发明的实施例提供了一种操作存储设备的方法、设备和系统。在一实施例中，接收反向刷新命令。响应于接收到该反向刷新命令，发出全部存储体预充电命令。在发出了该全部存储体预充电命令之后，发出全部存储体激活命令，使由行地址计数器识别的字线被激活。该被识别的字线保持在激活状态，直至接收到后续的反向刷新命令。
本发明的一实施例提供一种存储设备，其包括一个或多个存储体，其中每一存储体包括一条或多条字线、存储体控制电路、行地址计数器、和控制电路。该控制电路被配置为接收反向刷新命令，并向存储体控制电路发出全部存储体预充电命令，以响应于接收到反向刷新命令。控制电路进一步被配置为在发出了全部存储体预充电命令之后，向存储体控制电路发出全部存储体激活命令，以使行地址计数器所识别的字线被激活。存储体控制电路保持这些识别的字线处于激活状态，直至接收到后续的反向刷新命令。
本发明的一实施例提供一种存储设备，包括用于存储的装置，其包括一条或多条字线、用于寻址的装置和用于控制的装置。该用于控制的装置被配置为接收反向刷新命令，并向用于存储的装置发出预充电命令以响应于接收到反向刷新命令。用于控制的装置进一步被配置为在发出了预充电命令之后，向用于存储的装置发出激活命令，以使用于寻址的装置所识别的字线被激活。该识别的字线保持在激活状态，直至接收到后续的反向刷新命令。
本发明的一实施例提供一个包括测试器和存储设备的系统。该测试器被配置为发出多个反向刷新命令。该存储设备被配置为接收来自该测试器的多个反向刷新命令，并响应于接收到每一反向刷新命令，发出全部存储体预充电命令。该存储设备进一步被配置为在发出了全部存储体预充电命令之后，发出全部存储体激活命令，以使由地址计数器识别的字线被激活并保持在激活状态，直至从测试器接收到后续的反向刷新命令。该存储设备进一步被配置为递增该地址计数器。
本发明的一实施例提供一种用于测试存储设备的方法。在一实施例中，该方法包括发送第一反向刷新命令到存储设备，其中响应于接收到反向刷新命令，存储设备触发第一全部存储体预充电命令，其中该全部存储体预充电命令通过同样由该存储设备触发的第一全部存储体激活被自动终止。该方法还包括向存储设备发送第二反向刷新命令，其中该第二反向刷新命令触发第二全部存储体预充电命令，其中该第二全部存储体预充电命令去激活在存储设备中由第一全部存储体激活命令激活的一条或多条字线。
上述简要总结的本发明的特点可以参考附图中所示的实施例的更详细的描述得到更深入的理解。然而需要引起注意的是，附图中所示的仅是本发明的典型实例，而不能认为其限制了本发明的保护范围，本发明还允许其它等效的实例。
图1A和1B是在存储设备烧入期间向存储设备发出的不同命令序列的时序图。
图2是按照本发明的一实施例的测试器和存储设备的框图。
图3是按照本发明的一实施例的使用反向刷新命令的存储设备的框图。
图4是按照本发明的一实施例的在烧入期间增加字线应力占空比的方法的流程图。
图5是按照本发明的一实施例的向存储设备所发出的反向刷新命令的时序图。
具体实施例方式
本发明的实施例从整体上提供了用于在烧入期间增加存储设备中字线应力占空比的方法和设备。在一实施例中，发出了反向刷新命令(/CBR)。该反向刷新命令将全部存储体预充电命令(PREA)发给存储设备，并随后发出全部存储体激活命令(ACT)。在一实施例中，字线在反向刷新命令之后不预充电，而是保持在激活状态。通过保持字线处于激活状态，字线的应力时间和占空比被增加。
尽管本发明的实施例是相对于特定的命令名称(CBR，/CBR，PREA，ACT等)被描述的，但这些名称仅是示例性而非限制性的。这样的命令可以按任何适当的方式发给存储设备及其内部。
尽管在下面的描述中是有关于测试器在烧入时将命令应用于存储设备，这样的命令可以由任何设备发给存储设备(如由测试器、存储设备位于其中的电子设备、在自测期间由该存储设备本身、或由其它任何设备)。更进一步，在某些情况下，这样的命令可以在任何时间发给存储设备，包括当该存储设备没有进行烧入的时间期间。这样的命令可以在存储设备是晶圆的一部分时由测试器使用探测卡发出，或在存储设备与晶圆分离后由测试器发出，或在存储设备安装在电子设备中后由该电子设备发出。
示例性存储设备图2是描述按照本发明的一实施例的存储设备200和测试设备250的示意图。存储设备200包含控制电路202，用于存取存储设备200中的一个或多个存储体220。在一实施例中，测试设备250可使用存储设备200的输入/输出(I/O)数据线来向存储设备200发出命令。这些命令包括向存储设备发出的普通命令和特别用于测试的命令。
图3是描述按照本发明的实施例的存储设备200的示意图。存储设备200包括地址输入和命令输入。地址输入由地址缓冲器304接收，命令输入由命令解码器302接收。地址输入由行解码器322和列解码器324使用，以存取存储体220中的存储单元。在某些情况下，多个存储体220可以用行解码器322和列解码器324进行存取。
当对存储体220中给定行的存储单元进行存取时，行解码器可激活驱动用于这行存储器的字线328的字线驱动器326。列解码器220选择要存取的存储体220的列330。其它电路如感应放大器、输出缓冲器、数据选通电路等(未示出)也被用于存取和输出来自存储体220的数据。
在一实施例中，存储设备200还可具有刷新电路310。该刷新电路可包含刷新计时器312(可选择使用行存取计时器或TRAS计时器)和地址计数器314。如下所述，在一实施例中，刷新电路310用于实现CBR和反转CBR(/CBR)命令。
CBR命令现在参照图3来详细描述CBR命令的示例实施方式。如前所述，可向存储设备发出CBR命令来执行对行存储体220中的存储单元的刷新。
当命令解码器302接收到CBR命令时，命令解码器302可发送命令到刷新电路310来执行对存储体220中由字线328控制的行存储单元的刷新。
在某些情况下，刷新电路310可用地址计数器314来自动选择激活哪条字线328。当存储设备200被初始供电时，或者在某些情况下，通过向存储设备200发出命令，地址计数器314可被复位。每当向存储设备200发出CBR命令时，可递增地址计数器314。在实施例中，地址计数器314可在执行刷新之前递增。在另一实施例中，地址计数器314可在执行刷新后递增。
这样，向存储设备发出的一系列CBR命令可用于刷新存储设备200中存储单元的每行，一次一条字线328。在某些情况下，当地址计数器314循环通过了每一条字线328后，地址计数器314可返回到第一条字线。
在执行CBR刷新时，刷新电路310可触发全部存储体激活命令(ACT)，并接着触发全部存储体预充电命令(PREA)。如上所述，可发出ACT命令，以便通过将字线电压VWL驱动至高电压(如VPP)来激活存储体220中的一行存储单元。在一实施例中，行地址解码器322通过利用由地址计数器314提供的地址所选择的字线驱动器326可用于向适当的字线328施加VPP。
如上参照图1A所述，ACT命令可使字线328在时间TRAS中保持激活。当接收到CBR命令并发出了ACT命令时，刷新计时器312启动。刷新计时器312可用于确保正被刷新的字线328在时间TRAS中保持激活。在某些情况下，在时间TRAS中保持字线328激活，对于完全执行对由被选择的字线328控制的存储单元的刷新操作是必要的。
在时间TRAS之后，刷新计时器312可发出一个信号以终止ACT命令并触发以全部存储体预充电命令，PREA。当触发PREA命令时，每一存储体220中的每一条字线328可被降至低电压(如0V)，这样电断开与存储体220中的存储单元连接的位线330。
当位线330与存储单元断开时，PREA命令可使位线330被驱动至处于对应于位线高逻辑值的电压(VBLH)和对应位线低逻辑值的电压(VBLL)中间的电压，例如(VBLH+VBLL)/2)。通过将位线330预充电至中间电压值，在当利用位线330来感测存储在存储单元中的数值的后续操作期间，需要更小的电压摆动来将位线330驱动至对应于所存储的逻辑值的电压(如用于所存储高逻辑值的VBLH或用于所存储低逻辑值的VBLL)并由此感测存储在存储单元中的数值。
在某些情况下，由CBR命令触发的PREA命令可在对存储体220中的每一位线330进行完全预充电所必需的时间TRP(如图1A所示)之后自动终止。在一实施例中，TRP小于TRAS。在其它情况下，PREA命令可在存储设备200接收到另一命令(如读，写，或刷新命令)时终止。
如前所述，典型用于发出CBR命令的最小时间是读取循环时间TRC(TRAS+TRP)。由于不是在发出PREA命令时，而是当向字线(在时间TRAS中)发出ACT命令时，字线晶体管被加应力，一系列CBR命令的占空比(TRAS/TRC)可比在测试存储设备200时要低。与此相似，如上参照图1B所述，在某些情况下，发出一系列分离的ACT和PREA命令也可以不产生十分高的占空比。
反转CBR命令如上所述，按照本发明一实施例，对存储设备200中的字线328所施加的占空比可用被称为反向刷新命令，(或/CBR命令)的命令而被增加。图4描述了按照本发明一实施例的用/CBR命令来增加用于存储设备200中的字线328占空比的过程400。
在一实施例中，过程400可以从将存储设备200置于测试模式的步骤402开始。在一实施例中，可以通过将电压施加到存储设备200的外部引脚或设置在存储设备200的控制寄存器(如模式寄存器)中的位来将存储设备200置于测试模式。可选地，也可不将存储设备200置于测试模式来发出/CBR命令。
在步骤404，/CBR命令被接收。在一实施例中，/CBR命令按与CBR命令相同的方式向存储设备200发出(如通过降低/CAS命令输入，并随后降低/RAS命令输入)，但如果当接收到/CAS和/RAS时存储设备200处于测试模式，那么存储设备200替换地执行/CBR命令。可选地，也可以使用其它命令输入来向存储设备200发出CBR命令。
在步骤404接收/CBR命令之后，在步骤406，预充电全部存储体命令(PREA)被触发并发给存储设备200的存储体220。如上所述，当PREA命令被发给存储体220时，每一位线330可被预充电。
在本发明一实施例中，在步骤408，在终止PREA命令之前，PREA命令可按定义的时间段被法错过于(在此被称为TRP_/CBR)。按照本发明一实施例，计时器，例如刷新计时器312，被用于计时并自动终止PREA命令。在一实施例中，在其之后终止PREA命令的时间TRP_/CBR小于TRAS(如图5所示)。与此相似，在一实施例中，TRP_/CBR可小于时间TPR(在正常CBR命令期间使用)。在某些情况下，/CBR命令的规范可规定TRP_/CBR的数值。可选地，例如在测试期间可以通过测试设备250向存储设备200的控制寄存器写入对应于TRP_/CBR的数值来选择TRP_/CBR。
在步骤410，激活全部存储体(ACT)命令被发给存储设备200的存储体220。在一实施例中，由地址计数器314提供的地址可用于激活存储体220中的一条字线328。当每条字线328被激活时，可将高电压(VPP)施加到这些字线328中的存取晶体管。如上所述，，当高电压被施加到字线328时，字线电路被加应力。
在本发明一实施例中，ACT命令可以不自动终止，这样，被选择的字线328可保持激活。由此在一实施例中，刷新计时器312(或TRAS计时器)不用于终止由/CBR命令触发的ACT命令。这样可以发出激活全部存储体命令并使存储体220保持激活(因此被加应力)直至另一命令(终止命令，如PREA或另一/CBR命令)在步骤412被接收，由此终止ACT命令和/CBR命令。
在步骤414，在ACT命令和/CBR命令终止之后，递增地址计数器314。如前所述，地址计数器314也可以选择在接收到/CBR命令时及在发出ACT命令之前递增。在如下所述的一实施例中，当存储设备200处于测试模式中时(如在内置自测，BIST期间)，接收/CBR命令并递增地址计数器314的过程可不断重复进行。
图5是按照本发明实施例向存储设备200所发出的一系列CBR命令的时序图。
如图所示，在时间T1，/CBR命令被接收，由此触发PREA命令。当向存储体220发出PREA命令时，每一存储体220中的字线电压VWL(和位线电压)可以是低电压值(如0V)。
在时间TRP_/CBR终止后(在时间T2)，PREA命令可以自动终止，如通过刷新计时器312。当PREA命令自动终止时，/CBR命令可以使ACT命令被发给存储体220。如上所述，当向存储体220发出ACT命令时，由地址计数器314选择的字线328的字线电压可提高至高电压值(如VPP)。
如图所示，可以一直发出ACT命令至时间T3，此时另一命令如PREA或/CBR命令被发给存储设备200。这样，字线328可在一较长的时段内保持激活并被加应力(例如直至在时间TACT/CBR之后接收到另一命令)，使得单个/CBR命令的占空比(TACT_/CBR/T/CBR)大于普通CBR命令的占空比(TRAS/TRC)。例如，按照本发明一实施例，/CBR命令的占空比可大于90％。
通过在激活存储体220之前对存储体220进行预充电和保持被选择的字线328处于激活状态，直至接收到另一命令，/CBR命令可以用于大大增加应用于存储设备200的应力占空比(如施加到字线驱动器326、感应放大器、存取晶体管、及存储设备200中受ACT命令影响的其它部件上的应力)。其结果导致烧入所需的时间可以大大减少。所以，在某些情况下，通过发出/CBR命令而不是发出传统的CBR命令，可以使在更短的时段内对存储设备200进行等量的应力测试。
另一实施例在本发明一实施例值中，当对存储设备200进行测试时，可以为字线328施加不同于VPP的电压。例如，在某些情况下，可以对字线328施加更高的电压以提高加到存储设备200的应力。
在某些实施例中，可以用不同的方法来终止CBR命令。如在上述的一实施例中，可以通过发出另一反向刷新命令/CBR来终止由/CBR触发的ACT命令(及该反向刷新命令/CBR自身)。可选地，还可以通过发出全部存储体预充电PREA命令来终止由/CBR命令触发的ACT命令(及该反向刷新命令/CBR)。在又另一实施例中，特殊命令或任何其它命令(可选的)都可以用于终止该/CBR命令。在某些情况下，还可以通过去激活测试模式来终止/CBR命令。
在另一实施例中，由/CBR命令发出的激活命令可以自动终止。例如，在某些情况下，由/CBR命令触发的ACT命令可以在TRAS之后终止。在其它情况下，ACT命令可以在由/CBR命令规范提供的扩展时段(大于TRAS)之后自动终止。在又另一情况下，也可以提供一个选项，以允许另一设备(如测试设备250)来选择由/CBR触发的ACT命令的终止时间。例如，可以通过向存储设备200的模式寄存器中写入一数值来选取所选择的时间。
在某些情况下，可以用存储设备200的命令和/或地址输入来发出/CBR命令。在某些情况下，在存储设备200与在之上制造其的晶圆分离之前，可以通过用与存储设备200的直接连接来发出/CBR命令(如通过测试设备250使用探测卡)。另外，在某些情况下，/CBR命令只可当存储设备200处于测试模式时才可用。还可以是只有当存储器处于与工作配置相反的测试配置中时，/CBR命令和/或测试模式才可用。在存储设备200被制造时，可以这种测试结构可用，但当存储设备200被测试之后，可禁用测试配置(例如通过烧断一个位于存储设备200上的，如电可编程的电子保险丝那样的保险丝)。
对于某些实施例，存储设备200可以在内置自测(BIST)期间使用/CBR命令。这样在一实施例中，存储设备200可具有用于执行存储设备200自测的BIST电路。在某些情况下，当对存储设备200供电时，当存储设备200复位时，当向存储设备200发出BIST命令时，或当在存储设备200的模式寄存器中设置标记时，BIST电路可启动BIST。
当启动BIST时，BIST电路可向存储设备200发出一系列/CBR命令来执行应力测试。在一实施例中，BIST电路可以复位地址计数器314，并发出/CBR命令直至存储设备200中的每条字线328都以足够长的时间加应力。在发出了/CBR命令之后，可进一步执行测试以确保存储设备200正确地通过自测。
尽管相对于由行解码器和列解码器存取单一存储体的作了描述，但正如本领域技术人员所认识到的，本发明的实施例也可以适用于具有任何可接受的结构的存储器的任何可接受的存储设备。
尽管前述是针对本发明的实施例的，还可以设计本发明其它和进一步深入的实施例而不脱离其基本范围，其范围由随后的权利要求来确定。
权利要求
1.一种操作存储设备的方法，包括接收反向刷新命令；响应于接收到该反向刷新命令，发出全部存储体预充电命令；在发出了该全部存储体预充电命令之后，发出全部存储体激活命令，使由行地址计数器识别的字线被激活；保持该识别的字线处于激活状态，直至接收到后续的反向刷新命令。
2.如权利要求1中所述的方法，其中用该存储设备的计时器来终止所述全部存储体预充电命令。
3.如权利要求1中所述的方法，其中所述全部存储体预充电命令在经过小于用于非反向刷新命令的预充电时间的时间之后终止。
4.如权利要求1中所述的方法，其中无需用该存储设备的计时器来终止所述全部存储体激活命令。
5.如权利要求1中所述的方法，其中所述识别的字线在大于由非反向刷新命令使用的行存取时间(TRAS)的时间期间内保持在激活状态，其中所述行存取时间由该存储设备的行存取计时器测量。
6.一种存储设备，包括一个或多个存储体，其中每一存储体包括一条或多条字线；存储体控制电路；行地址计数器；和控制电路，被配置为接收反向刷新命令；响应于接收到该反向刷新命令，向存储体控制电路发出全部存储体预充电命令；在发出该全部存储体预充电命令之后，向存储体控制电路发出全部存储体激活命令，使由该行地址计数器识别的字线被激活，其中所述存储体控制电路保持该识别的字线处于激活状态，直至接收到后续的反向刷新命令。
7.如权利要求6中所述的存储设备，其中所述存储设备进一步包括计时器，并且其中用该存储设备的计时器来终止所述全部存储体预充电命令。
8.如权利要求6中所述的存储设备，其中所述全部存储体预充电命令在经过小于用于非反向刷新命令的预充电时间的时间之后终止。
9.如权利要求6中所述的存储设备，其中无需用该存储设备的计时器来终止所述全部存储体激活命令。
10.如权利要求6中所述的存储设备，其中所述存储设备进一步包括用于测量行存取时间(TRAS)的行存取计时器，并且其中该存储体控制电路在大于该行存取时间的时间期间内将所述识别的字线保持在激活状态。
11.如权利要求6中所述的存储设备，其中所述存储设备进一步包括内置自测电路，被配置为当该存储设备处于测试模式时，向该存储设备发出反向刷新命令。
12.一种存储设备，包括用于存储的装置，包括一条或多条字线；用于寻址的装置；用于控制的装置，被配置为接收反向刷新命令；响应于接收到该反向刷新命令，向该用于存储的装置发出预充电命令；在发出了该预充电命令之后，向该用于存储的装置发出激活命令，使由用于寻址的装置识别的字线被激活，其中所述识别的字线保持在激活状态，直至接收到后续的反向刷新命令。
13.如权利要求12中所述的存储设备，其中所述存储设备进一步包括用于计时的装置，并且其中用该用于计时的装置来终止所述预充电命令。
14.如权利要求12中所述的存储设备，其中所述预充电命令在经过小于用于非反向刷新命令的预充电时间的时间之后终止。
15.如权利要求12中所述的存储设备，其中无需用该存储设备的用于计时的装置来终止所述激活命令。
16.如权利要求12中所述的存储设备，其中所述存储设备进一步包括用于测量行存取时间(TRAS)的用于计时行存取的装置，并且其中所述识别的字线在大于该行存取时间的时间期间内保持在激活状态。
17.一种系统，包括测试器，被配置为发出多个反向刷新命令；存储设备，被配置为接收来自该测试器的多个反向刷新命令，响应于接收到该多个反向刷新命令中的每一个发出全部存储体预充电命令；在发出了该全部存储体预充电命令之后，发出全部存储体激活命令，使由行地址计数器识别的字线被激活并保持在激活状态，直至从该测试器接收到后续的反向刷新命令；递增该行地址计数器。
18.如权利要求17中所述的系统，其中所述存储设备进一步包括计时器，并且其中用该计时器来自动来终止所述全部存储体预充电命令。
19.如权利要求17中所述的系统，其中所述全部存储体预充电命令在经过小于用于由该存储设备接收的非反向刷新命令的预充电时间的时间之后终止。
20.如权利要求17中所述的系统，其中无需用该存储设备的计时器来终止所述全部存储体激活命令。
21.如权利要求17中所述的系统，其中所述存储设备进一步包括用于测量行存取时间(TRAS)的行存取计时器，并且其中该存储体控制电路在大于该行存取时间的时间期间内将所述识别的字线保持在激活状态。
22.一种用于测试存储设备的方法，该方法包括向该存储设备发送第一反向刷新命令，其中，响应于接收到该反向刷新命令，该存储设备触发第一全部存储体预充电命令，其中该全部存储体预充电命令通过同样由该存储设备触发的第一全部存储体激活被自动终止；向该存储设备发送第二反向刷新命令，其中该第二反向刷新命令触发第二全部存储体预充电命令，其中该第二全部存储体预充电命令去激活在该存储设备中由该第一全部存储体激活命令激活的一条或多条字线。
23.如权利要求1所述的方法，进一步包括向该存储设备发送外部全部存储体预充电命令，其中所述外部全部存储体预充电命令去激活在该存储设备中由该第二反向刷新命令激活的一条或多条字线。
24.如权利要求1所述的方法，其中用该存储设备的计时器来自动来终止所述第一全部存储体预充电命令。
25.如权利要求1所述的方法，其中所述第一全部存储体预充电命令在经过小于用于发送到该存储设备的非反向刷新命令的预充电时间的时间之后终止。
26.如权利要求1所述的方法，其中无需用该存储设备的计时器来终止所述第一全部存储体激活命令。
全文摘要
本发明的实施例提供了一种用于操作存储设备的方法，设备和系统。在一实施例中，接收反向刷新命令。响应于接收到该反向刷新命令，发出全部存储体预充电命令。在发出了该全部存储体预充电之后，发出全部存储体激活命令，使由行地址计数器识别的字线被激活。该识别的字线保持在激活状态，直至接收到后续的反向刷新命令。
文档编号G11C29/04GK1921020SQ20061015937
公开日2007年2月28日 申请日期2006年8月11日 优先权日2005年8月12日
发明者M·费尔森, K·尼尔勒 申请人:奇梦达股份公司