近场光产生元件、近场光头以及信息记录再现装置的制作方法

专利名称：近场光产生元件、近场光头以及信息记录再现装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及使导入的光束会聚并自该光束产生近场光的近场光产生 元件、利用通过该近场光产生元件产生的近场光在磁记录介质上以超高 密度记录各种信息的近场光头、以及具有该近场光头的信息记录再现装 置。
背景技术：
近年来，伴随计算机设备中的硬盘等的容量增加，单一记录面内的 信息的记录密度增加。例如，为了使磁盘每单位面积的记录容量增大， 需要使面记录密度提高。然而，伴随着记录密度的提高，记录介质上每1 比特所占的记录面积变小。当该比特尺寸变小时，1比特的信息所具有的 能量接近室温的热能，会产生所记录的信息因为热扰动等而反转或消失 等热退磁的问题。
一般采用的面内记录方式是以磁化方向朝向记录介质的面内方向的 形式来进行磁记录的方式，但是在该方式下，容易引起因上述热退磁而 导致的记录信息的消失等。因此，为了消除这样的不良情况，正逐步向 在垂直于记录介质的方向记录磁信号的垂直记录方式转移。该方式是对 记录介质利用靠近单磁极的原理来记录磁信息的方式。根据该方式，记 录磁场朝向与记录膜大致垂直的方向。关于利用垂直的磁场记录的信息，
由于在记录膜面内N极和S极难以形成环路，所以在能量上容易保持稳 定。因此，该垂直记录方式相对于面内记录方式抗热退磁能力变强。
但是，近年来的记录介质为了满足希望进行更大量且高密度信息的 记录再现等需要，要求进一步高密度化。因此，为了将相邻磁区之间的 影响和热扰动抑制到最小限度，开始采用矫顽磁力强的材料作为记录介 质。因此，即使是上述垂直记录方式，也很难将信息记录在记录介质上。因此，为了消除该不良情况，提供了下述的混合磁记录方式(近场 光辅助磁记录方式)，即利用近场光对磁区进行局部加热以使矫顽磁力临 时降低、并在此期间进行写入。该混合磁记录方式是利用通过微小区域 和光学开口之间的相互作用而产生的近场光的方式，所述光学开口形成 为小于等于形成于近场光头的光的波长的尺寸。这样，通过利用具有超 越了光的衍射极限的微小的光学开口、即近场光产生元件的近场光头， 能够处理下述区域中的光学信息小于等于以往光学系统中成为极限的 光的波长的区域。因此，能够实现超越现有的光信息记录再现装置等的 记录比特的高密度化。
另外，近场光产生元件不仅有基于上述光学微小幵口的结构，例如， 也可以由形成为纳米尺寸的凸起部构成。通过该凸起部，也能够与光学 微小开口同样地产生近场光。
作为基于上述混合磁记录方式的记录头，提供有各种类型的记录头， 作为其中之一，已知有使光点尺寸縮小从而实现了记录密度的增大的近
场光头(例如，参照日本特开2004—158067号以及日本特开2005—4901 号公报)。
该近场光头主要包括主磁极；辅助磁极；在绝缘体内部形成有螺 旋状的导体图案的线圈绕组；自照射的激光产生近场光的金属散射体； 向金属散射体照射激光的平面激光光源；以及使照射的激光聚焦的透镜。 该各结构部件安装在固定于梁前端的滑块的侧面。
主磁极的一端侧成为与记录介质对置的面，另一端侧与辅助磁极连 接。即，主磁极和辅助磁极构成将1根磁极(单磁极)配置在垂直方向 上的单磁极型垂直光头。此外，线圈绕组以其一部分从磁极和辅助磁极 之间通过的方式固定在辅助磁极上。这些磁极、辅助磁极和线圈绕组作 为整体构成电磁铁。
在主磁极的前端，安装有由金等构成的上述金属散射体。此外，在 从金属散射体离开的位置配置有上述平面激光光源，并且在该平面激光 光源和金属散射体之间配置有上述透镜。
关于上述各结构部件，从滑块的侧面侧起依次安装有辅助磁极、线圈绕组、主磁极、金属散射体、透镜、平面激光光源。
在利用这样构成的近场光头的情况下，通过在产生近场光的同时附 加记录磁场，将各种信息记录在记录介质上。
艮口，从平面激光光源照射激光。该激光通过透镜而会聚，并照射向 金属散射体。于是，金属散射体内部的自由电子通过激光的电场而均一 地进行振动，因此等离子体激元受到激发从而在前端部分产生近场光。 其结果为，记录介质的磁记录层被近场光局部加热，矫顽磁力临时降低。
此外，在照射上述激光的同时，通过向线圈绕组的导体图案供给驱 动电流，来对记录介质的接近主磁极的磁记录层局部附加记录磁场。由 此，能够将各种信息记录在矫顽磁力临时降低了的磁记录层中。即，通 过近场光和磁场的共同作用，能够在记录介质上进行记录。
专利文献1:日本特开2004—158067号公报 专利文献2:日本特开2005—4901号公报 然而，在上述现有的近场光头中，还留有以下问题。 艮P，当产生信息记录所不可或缺的近场光时，从平面激光光源经由 透镜向金属散射体照射激光。然而，由于金属散射体安装在主磁极的前 端，因此不得不从平面激光光源斜着照射激光。由此，无法使激光沿着 金属散射体入射，激光在中途会因散射等而损失，从而难以高效率地产 生近场光。特别是，由于金属散射体不能有目的地改变导入的光的方向， 所以不得不如上所述斜着照射激光来使其入射到金属散射体。
此外，由于需要在考虑对记录介质的千涉的同时将透镜配置在平面 激光光源和金属散射体之间，所以使用了半圆形的透镜。因此，难以使 激光高效率地会聚在金属散射体上。这也是导致近场光的产生效率低下 的主要原因。

发明内容
本发明是考虑了这样的情况而完成的，其目的在于提供近场光产生 元件、具有该近场光产生元件的近场光头以及具有该近场光头的信息记 录再现装置，上述近场光产生元件能够在改变所导入的光束的方向的同时进行聚光，并由该光束高效率地产生近场光。 为了解决上述课题，本发明提供以下手段。
本发明的近场光产生元件使导入至其一端侧的光束以不同于导入方 向的方向朝向另一端侧在会聚的同时进行传播，并且在生成为近场光后 向外部发出该近场光，其特征在于，上述近场光产生元件具有多面体 状的芯体，其具有反射面、光束会聚部和近场光生成部，上述反射面使 导入的上述光束向不同于导入方向的方向反射，上述光束会聚部以与从 上述一端侧朝向上述另 一端侧的长度方向正交的截面面积逐渐减小的方 式收縮成形，并用于使反射后的上述光束在会聚的同时朝向另 一端侧传 播，上述近场光生成部从上述光束会聚部的端部朝向上述另一端侧进一 步收縮成形，并用于从会聚起来的上述光束生成上述近场光并从另一端 侧向外部发出该近场光；以及包层，其由折射率比上述芯体小的材料形 成，并且该包层在使芯体的另一端侧露出于外部的状态下，与芯体的侧 面紧密接触地将芯体封闭在该包层内部，上述近场光生成部的在上述另 一端侧露出到外部的端面形成为在光的波长以下的尺寸，并且该近场光 生成部的至少一个侧面被遮光膜遮挡。
在本发明的近场光产生元件中，具有由反射面、光束会聚部及近场 光生成部一体地形成的多面体状的芯体、和将该芯体封闭在内部的包层， 该近场光产生元件能够使从一端侧导入至芯体内部的光束从另一端侧作 为近场光向外部发出。
包层由折射率比芯体小的材料以与芯体侧面紧密接触的方式形成， 并且包层以在芯体与该包层之间不产生间隙的方式将芯体封闭起来。此 处，当从一端侧向芯体内部导入光束时，该光束被反射面反射从而方向 发生改变。即，方向改变成不同于导入方向的方向。然后，改变了方向 的光束通过光束会聚部从一端侧向另 一端侧在芯体内部传播。
此时，光束会聚部以与从一端侧朝向另一端侧的长度方向正交的截 面面积逐渐减小的方式收縮成形。因此，光束在通过该光束会聚部时， 在光束会聚部的侧面反复进行反射并同时逐渐会聚地在芯体内部进行传 播。特别是，由于包层与芯体侧面紧密接触，所以光不会泄漏到芯体外部，能够使导入的光束在收縮的同时向另一端侧传播而不会被浪费。并且，传播至光束会聚部的端部的光束继而入射到近场光生成部中。 该近场光生成部向另一端侧进一步收縮成形，该近场光生成部的在另一 侧露出于外部的端面形成为在光的波长以下的尺寸(超越光的衍射极限 的微小的尺寸)。而且，该近场光生成部的侧面中的至少一个侧面被遮光 膜遮挡。由此，能够使入射到近场光生成部中的光束在不向包层侧泄漏 的情况下朝向端面传播。因此，能够生成近场光，并能够从端面向外部 发出该近场光。如上所述，能够使从芯体的一端侧导入的光束变换成近场光，并且 能够从另一端侧向外部发出该近场光。此外，由于能够利用反射面反射 所导入的光束，从而朝向另一端侧自由地改变该光束的方向，所以不论 从哪个方向导入光束，都能够使该光束从另一端侧可靠地作为近场光产 生。而且，由于光束会聚部和近场光生成部一体地形成，所以无需像现 有的透镜和金属散射体那样进行两者的位置对准。由此，能够将近场光产生元件容易地应用于需要近场光的各种设备， 能够提高设计的自由度。特别是，由于能够与光束的导入方向无关地高 效率地产生近场光，所以使用容易且方便性优秀。此外，在上述本发明的近场光产生元件中，本发明的近场光产生元 件的特征在于，上述包层以使上述芯体的一端侧露出于外部的状态形成。在本发明的近场光产生元件中，由于包层以使芯体的一端侧露出于 外部的状态形成，所以能够使光束不经过包层而直接导入到芯体中，并 且能够使光束更加高效率地变换成近场光并从端面向外部发出。此外，在上述本发明的近场光产生元件中，本发明的近场光产生元 件的特征在于，上述近场光生成部的上述另一端侧的预定长度以与上述 端面相同的尺寸成形为笔直状。在本发明的近场光产生元件中，近场光生成部不是从光束会聚部的 端部一直收縮成形至端面，而是另一端侧的预定长度以与端面相同的尺 寸成形为笔直状。由此，在近场光产生元件的制造过程中，在对芯体和 包层的另一端侧进行切割来形成端面时，即使产生了微小的切割误差、或者产生了收縮成形误差，也能够使端面的尺寸始终相同。因此，即使 大量地制造近场光产生元件，也能够消除各近场光产生元件的偏差(个 体差异)，能够稳定地制造出相同品质的产品。由此，能够提高成品率。此外，在上述本发明的任一种近场光产生元件中，本发明的近场光 产生元件的特征在于，上述近场光生成部的所有侧面都被上述遮光膜遮 挡。在本发明的近场光产生元件中，由于近场光产生元件的所有的侧面 都被遮光膜遮挡起来，所以入射到近场光生成部的光束不会向包层侧泄 漏。由此，能够将光束的损失抑制到最小限度，能够更加高效率地生成 近场光。此外，在上述本发明的近场光产生元件中，本发明的近场光产生元 件的特征在于，上述遮光膜是使上述近场光的光强度增加的金属膜。在本发明的近场光产生元件中，能够产生光强度更强的近场光。即， 通过光束会聚部会聚起来的光束在近场光生成部入射向金属膜。这样， 在该金属膜上，表面等离子体激元被激发。被激发的表面等离子体激元 由于共振效果而增强，并同时在金属膜和芯体的分界面上向端面传播。 然后，在到达端面的时刻，形成光强度强的近场光并向外部漏出。特别 是，由于能够在金属膜和芯体的分界面上产生光强度强的近场光，所以 不会受到端面的设计尺寸自身的直接影响。g卩，即使不进行使端面的尺 寸细微化等工作，也不会被这些物理性的设计所影响，能够可靠地产生 光强度强的近场光。此外，在上述本发明的近场光产生元件中，本发明的近场光产生元 件的特征在于，上述近场光生成部的设置有上述金属膜的侧面的角度被 调整成使通过上述光束会聚部会聚起来的上述光束以共振角度入射向 上述金属膜、并利用该光束的能量激发表面等离子体激元。在本发明的近场光产生元件中，能够使利用光束会聚部会聚起来的 光束以共振角度入射向金属膜，所述共振角度是光能被最多地利用于表 面等离子体激元的激发的角度。因此，能够最高效率地激发表面等离子 体激元，从而能够更加高效率地产生光强度更强的近场光。由此，能够进一步实现高密度化记录。此外，本发明的近场光头对向固定方向旋转的磁记录介质进行加热， 并且通过对磁记录介质附加垂直方向的记录磁场来产生磁化反转，从而 来记录信息，其特征在于，上述近场光头包括滑块，其与上述磁记录 介质的表面对置配置；辅助磁极，其固定在上述滑块的前端面上；主磁 极，其经由磁路与上述辅助磁极连接，在该主磁极与辅助磁极之间产生 上述记录磁场；线圈，其呈螺旋状地巻绕在上述磁路的周围，根据上述 信息进行了调制的电流被供给到该线圈中；上述本发明的任一项所述的 近场光产生元件，其在使上述另一端侧朝向上述磁记录介质侧的状态下 被固定成与上述主磁极相邻；以及光束导入单元，其以相对于上述滑块 平行地配置的状态固定于上述滑块，用于将上述光束从上述一端侧导入 到上述芯体内，上述近场光生成部在上述主磁极附近产生上述近场光。在本发明的近场光头中，通过由近场光产生元件产生的近场光和由 两磁极产生的记录磁场共同作用的近场光辅助磁记录方式，能够对旋转 的磁记录介质进行信息的记录。首先，滑块以与磁记录介质的表面对置的状态配置。并且，辅助磁 极固定在该滑块的前端面，并且主磁极经由磁路与该辅助磁极连接。而 且，与上述主磁极相邻地固定有近场光产生元件。即，在滑块的前端面 上，从滑块侧起依次配置有辅助磁极、磁路、主磁极以及近场光产生元 件。此外，近场光产生元件以产生近场光的另一端侧朝向磁记录介质侧 的状态被固定。由此，导入光束的一端侧朝向从磁记录介质离开了的位 置。并且，在该一端侧连接有固定于滑块的光束导入单元。此处，在进行记录的情况下，将光束从光束导入单元导入芯体内。 此时，可以沿平行于滑块的方向导入光束。这样，关于导入的光束，在 其方向被反射面弯曲大约90度之后，朝向位于磁记录介质侧的另一端侧 在光束会聚部中边会聚边传播。并且，该光束通过近场光生成部而成为 近场光，并从端面向外部漏出。通过该近场光，磁记录介质被局部加热， 矫顽磁力临时降低。特别是，由于近场光生成部在主磁极附近产生近场光，所以能够在尽可能靠近主磁极的位置使磁记录介质的矫顽磁力降低。 另一方面，在导入上述光束的同时，向线圈供给根据记录的信息进 行了调制的电流。这样，根据电磁铁的原理，电磁场会在磁路内产生磁 通，因此能够在主磁极和辅助磁极之间产生相对于磁记录介质垂直的方 向的记录磁场。具体来说，从主磁极产生的磁通相对于磁记录介质垂直 地流动，并在经过了磁记录介质后返回到辅助磁极。由此，能够对磁记 录介质的利用近场光降低了矫顽磁力的局部位置精确地作用记录磁场。 另外，该记录磁场的方向随着记录的信息而反转。另外，当磁记录介质受到记录磁场的作用时，磁化方向根据该记录 磁场的方向而反转成垂直方向。其结果为，能够进行信息的记录。艮口， 能够利用使近场光和记录磁场共同作用的近场光辅助磁记录方式来进行 信息的记录。而且，由于是以垂直磁记录方式进行记录，所以不易受到 热扰动现象的影响，能够进行写入的可靠性高的稳定的记录。特别是，由于能够在主磁极附近使磁记录介质的矫顽磁力降低，所 以能够使加热温度的峰值位置进入局部作用有记录磁场的位置。因此， 能够更可靠地进行记录，并且能够进行高密度记录。此外，由于具有能够高效率地产生近场光的近场光产生元件，所以 能够提高近场光头自身的写入的可靠性，能够实现高品质化。此外，不 论从哪个方向导入光束，该近场光产生元件都能够使该光束从另一端侧 作为近场光产生，因此，即使与滑块平行地配置光束导入单元，也能够 使来自该光束导入单元的光束在主磁极附近形成为近场光。这样，由于 能够不受光束导入方向影响地配置光束导入单元，所以能够使近场光头 的设计紧凑化。而且，由于与现有的光的进入方式不同，无需使光束在 空气中传播，所以能够极力地降低导光损失。另外，由于在滑块的前端面依次配置有辅助磁极、主磁极和近场光 产生元件等，所以极力防止了除光束导入单元以外的各结构部件在滑块 的厚度方向上重叠的情况。因此，能够实现近场光头自身的薄型化。此外，在上述本发明的近场光头中，本发明的近场光头的特征在于， 在上述包层上形成有使上述近场光生成部的侧面露出的槽部，上述主磁极具有凸出部，该凸出部经由上述槽部与上述近场光生成部的侧面接触。在本发明的近场光头中，主磁极具有凸出部，该凸出部经由形成于 包层的槽部与近场光生成部的侧面接触，所以能够使近场光产生的位置 和记录磁场产生的位置尽量靠近。因此，能够使近场光和记录磁场更加 高效率地共同作用，能够进一步应对高密度化记录。此外，在上述本发明的近场光头中，本发明的近场光头的特征在于， 在上述凸出部和上述近场光生成部的侧面之间形成有上述遮光膜。在本发明的近场光头中，由于在凸出部和近场光生成部的侧面之间 形成有遮光膜，所以能够在凸出部附近更为集中地产生近场光。因此能 够进一步实现高密度化记录。此外，在上述本发明的近场光头中，本发明的近场光头的特征在于， 在上述凸出部和上述遮光膜之间形成有屏蔽膜，该屏蔽膜将凸出部与遮 光膜之间的电联系或磁联系中的至少一种联系切断。在本发明的近场光头中，能够通过使近场光和记录磁场更有效地共 同作用的近场光辅助磁记录方式来进行信息的记录。此外，本发明的信息记录再现装置的特征在于，该信息记录再现装 置包括上述本发明的任一种近场光头；梁，其能够在与上述磁记录介 质的表面平行的方向上移动，该梁在前端侧对上述近场光头进行支承， 并且是在上述近场光头能够绕与该磁记录介质的表面平行且彼此正交的 2个轴自由转动的状态下进行支承；光源，其使上述光束入射到上述光束导入单元中；致动器，其支承上述梁的基端侧，并且使该梁向与上述磁记录介质的表面平行的方向移动；旋转驱动部，其使上述磁记录介质向上述固定方向旋转；以及 控制部，其将上述电流供给至上述线圈，并对上述光源的动作进行控制。在本发明的信息记录再现装置中，在通过旋转驱动部使磁记录介质 向固定方向旋转后，通过致动器使梁移动，从而使近场光头进行扫描。 并且，将近场光头配置于磁记录介质上的预期的位置。此时，近场光头以能够绕与磁记录介质的表面平行且彼此正交的2个轴自由转动的状态、即能够以2个轴为中心扭转的方式支承在梁上。由此，即使磁记录介质 产生了起伏，也能够通过扭转来吸收因起伏而产生的风压变化、或直接 传递过来的起伏的变化，能够使近场光头的姿态稳定。此后，控制部使光源动作，并向线圈供给根据信息进行了调制的电 流。由此，近场光头能够使近场光和记录磁场共同作用，从而在磁记录 介质上记录信息。特别是，由于具有上述近场光头，所以写入的可靠性提高，能够应 对高密度化记录，并能够实现高品质化。此外，能够同时实现薄型化。


图1是表示包括具有本发明的近场光产生元件的近场光头的信息记录再现装置的一个实施方式的结构图。图2是图1所示的近场光头的放大剖视图。图3是从盘面侧观察图2所示的近场光头的图。图4是将图2所示的近场光头的流出端侧的侧面放大的剖视图，是表示近场光产生元件和记录元件的结构、并且表示进行记录时的近场光和磁场的关系的图。图5是从箭头A方向观察图4所示的近场光产生元件的芯体的图。图6是将图5所示的芯体的另一端侧放大的图。图7是将图4所示的近场光产生元件的另一端侧放大的图。图8是从端面侧观察图7所示的近场光产生元件的图。图9是表示本发明的近场光产生元件的变形例的图，是表示将近场光生成部的一部分形成为笔直状的芯体的图。图10是具有图9所示的芯体的近场光产生元件的剖视图。图11是从端面侧观察图IO所示的近场光产生元件的图。图12是表示本发明的近场光产生元件的变形例的图，是在近场光生成部的所有侧面都形成有遮光膜的近场光产生元件的剖视图。 图13是从端面侧观察图12所示的近场光产生元件的图。图14是表示本发明的近场光产生元件的变形例的图，是在近场光生成部的所有侧面都形成有遮光膜、且其中1个遮光膜为金属膜的近场光 产生元件的剖视图。图15是从端面侧观察图14所示的近场光产生元件的图。图16是表示本发明的近场光产生元件的变形例的图，是在近场光生成部的1个侧面形成有金属膜的近场光产生元件的剖视图。 图17是从端面侧观察图16所示的近场光产生元件的图。 图18是表示本发明的近场光头的变形例的图，是具有与近场光生成部的侧面接触的主磁极的近场光头的局部放大图。图19是从端面侧观察图18所示的近场光头的图。图20是表示本发明的近场光头的变形例的图，是在图18所示的主磁极和近场光生成部侧面之间形成有遮光膜的近场光头的局部放大图。 图21是从端面侧观察图20所示的近场光头的图。 图22是表示本发明的近场光头的变形例的图，是将图20所示的遮光膜形成为金属膜的近场光头的局部放大图。图23是从端面侧观察图22所示的近场光头的图。图24是表示本发明的近场光头的变形例的图，是对形成有图22所示的金属膜的近场光生成部的侧面进行了角度调整的近场光头的局部放大图。图25是从端面侧观察图24所示的近场光头的图。图26是用于说明激发表面等离子体激元的光的入射角度与反射光 强度之间的关系的图。图27是表示本发明的近场光头的变形例的图，是图22所示的金属 膜的一部分与包层重叠的近场光头的局部放大图。图28是从端面侧观察图27所示的近场光头的图。图29是表示本发明的近场光头的变形例的图，是在图22所示的金 属膜与凸出部之间形成有屏蔽膜的近场光头的局部放大图。图30是从端面侧观察图29所示的近场光头的图。
具体实施例方式
下面，参照图1至图8对本发明的近场光产生元件、近场光头以及 信息记录再现装置的一个实施方式进行说明。另外，本实施方式的信息记录再现装置1是对具有垂直记录层d2的盘(磁记录介质)D以垂直记 录方式进行写入的装置。此外，在本实施方式中，以利用盘D旋转所产 生的空气的流动使近场光头2浮起的空气浮起型为例进行说明。如图1所示，本实施方式的信息记录再现装置1包括近场光头2， 其具有后述的光点尺寸变换器(近场光产生元件)22;梁3，其能够在与 盘面(磁记录介质的表面)D1平行的XY方向上移动，该梁3在前端侧 对近场光头2进行支承，并且是在近场光头2能够绕与盘面Dl平行且彼 此正交的2个轴(X轴、Y轴)自由转动的状态下进行支承；光信号控 制器(光源)5，其使光束L从光波导(光束导入单元)4的基端侧入射 到该光波导4中；致动器6，其支承梁3的基端侧，并且使该梁3向与盘 面D1平行的XY方向进行扫描移动；主轴电动机(旋转驱动部)7，其 使盘D向固定方向旋转；控制部8，其将根据信息进行了调制的电流供 给至后述的线圈33，并且对光信号控制器5的动作进行控制；以及壳体 9，在其内部收纳所述各结构部件。壳体9由铝等金属材料形成为俯视呈四边形的形状，并且在内侧形 成有收纳各结构部件的凹部9a。此外，在该壳体9上，以封闭凹部9a的 开口的方式能够装卸地固定有未图示的盖。在凹部9a的大致中心安装有上述主轴电动机7，通过将盘D的中心 孔套到该主轴电动机7，盘D被固定成能够自由装卸。在凹部9a的角部 安装有上述致动器6。在该致动器6上经轴承10安装有支架11，在该支 架11的前端安装有梁3。并且，支架11和梁3通过致动器6的驱动，能 够一起在上述XY方向上移动。另外，支架11和梁3在盘D的旋转停止时通过致动器6的驱动而从 盘D上退开。此外，由近场光头2和梁3构成悬浮体12。此外，光信号 控制器5与致动器6相邻地安装在凹部9a内。并且，与该致动器6相邻 地安装有上述控制部8。上述近场光头2通过对旋转的盘D进行加热、并且对盘D附加垂直 方向的记录磁场，来产生磁化反转(磁化反転)，从而记录信息。如图2 和图3所示，该近场光头2包括滑块20，其以从盘面Dl浮起预定距 离H的状态与盘D对置配置，并具有与盘面D1对置的对置面20a;记录 元件21 ，其固定在上述滑块20的前端面(以下，表述为流出端侧的侧面)； 光点尺寸变换器22，其被固定成与上述记录元件2 1相邻；以及光波导4， 其将来自光信号控制器5的光束L导入上述光点尺寸变换器22的后述芯 体40内。此外，本实施方式的近场光头2具有被固定成与光点尺寸变换 器22相邻的再现元件23。上述滑块20由石英玻璃等透光性材料、或AlTiC (铝钛碳)等陶瓷 等形成为长方体状。该滑块20以对置面20a朝向盘D侧的状态经由万向 接头部24以悬吊的方式支承在梁3的前端。该万向接头部24是动作被 限制成只能绕X轴和绕Y轴移位的部件。由此，滑块20能够如上所述 地绕与盘面D1平行且彼此正交的2个轴(X轴、Y轴)自由转动。在滑块20的对置面20a上形成有凸条部20b，该凸条部20b利用通 过旋转的盘D产生的空气流的粘性来产生用于浮起的压力。在本实施方 式中，例示了以排列成轨道状的方式形成有2个沿长度方向延伸的凸条 部20b的情况。但是，并不限定于该情况，只要设计成通过对欲使滑块 20从盘面Dl离开的正压和欲将滑块20拉向盘面Dl的负压进行调整、 来使滑块20以最合适的状态浮起，则可以是任意的凹凸形状。另外，将 该凸条部20b的表面为被称为ABS (Air Bearing Surface:空气支承面) 的面。滑块20通过这两个凸条部20b而受到从盘面Dl浮起的力。此外， 梁3在与盘面D1垂直的Z方向上挠曲，从而吸收了滑块20的浮起力。 即，滑块20在浮起时通过梁3受到被按压向盘面D1侧的力。由此，滑 块20通过这两个力的平衡，形成为如上所述从盘面D1以离开预定距离 H的状态浮起。而且，滑块20由于通过万向接头部24形成为能够绕X 轴和绕Y轴转动，所以总是以姿态稳定的状态浮起。另外，伴随盘D的旋转而产生的空气流在从滑块20的流入端侧(梁3的基端侧)流入后，沿着ABS流动，并从滑块20的流出端侧(梁3的如图4所示，上述记录元件21包括辅助磁极30，其固定在滑块 20的流出端侧的侧面；主磁极32，其经由磁路31与辅助磁极30连接， 在该主磁极32与辅助磁极30之间产生垂直于盘D的记录磁场；以及线 圈33，其以磁路31为中心呈螺旋状地巻绕在该磁路31的周围。即，从 滑块20的流出端侧起依次配置有辅助磁极30、磁路31、线圈33以及主 磁极32。两磁极30、 32和磁路31由磁通密度高的高饱和磁通密度(Bs)材 料(例如，CoNiFe合金、CoFe合金等)形成。此外，线圈33以在相邻 的线圈线之间、线圈33与磁路31之间、线圈33与两磁极30、 32之间 空开间隙的方式配置，以使该线圈33不会短路，并且在该状态下利用绝 缘体34进行了模塑。另外，将根据信息进行了调制的电流从控制部8供 给至线圈33。即，磁路31和线圈33作为整体而构成电磁铁。另外，主 磁极32和辅助磁极30设计成与盘D对置的端面同滑块20的ABS共面。如图4和图5所示，上述光点尺寸变换器22在一端侧朝向滑块20 的上方侧、并且另一端侧朝向盘D侧的状态下，被固定成与记录元件21 相邻。更具体地说，被固定成与主磁极32相邻。另外，图5是从图4所 示的箭头A方向观察后述芯体40的图。该光点尺寸变换器22是使导入至其一端侧的光束L以不同于导入方 向的方向向另一端侧在会聚的同时进行传播，并且在生成为近场光R之 后向外部发出该近场光R的元件，如图4至图8所示，该光点尺寸变换 器22由多面体状的芯体40、和将该芯体40封闭在内部的包层41构成， 该光点尺寸变换器22在整体上形成为大致板状。另外，图6是图5所示的芯体40的另一端侧的放大图，图7是图4 所示的光点尺寸变换器22的另一端侧的放大图，图8是从端面40d侧观 察图7所示的光点尺寸变换器22的图。上述芯体40由反射面40a、光束会聚部40b和近场光生成部40c — 体地形成。另外，在本实施方式中，光束会聚部40b和近场光生成部40c1个侧面配置成与主磁极32对置。反射面40a使从一端侧通过光波导4导入的光束L向不同于导入方 向的方向反射。在本实施方式中，以光束L的方向改变大约90度的方式 进行反射。此外，光束会聚部40b是以如下方式收縮成形而成的部分 与从一端侧朝向另一端侧的长度方向(Z方向)正交的截面面积逐渐减小， 该光束会聚部40b使被反射面40a反射后的光束L在会聚的同时朝向另 一端侧传播。即，光束会聚部40b能够使导入的光束L的光点尺寸收縮 成较小的尺寸。近场光生成部40c是从光束会聚部40b的端部朝向另一端侧进一步 收縮成形而成的部分。即，近场光生成部40c能够使通过光束会聚部40b 收縮了的光点尺寸收縮得更小。此时，如图8所示，近场光生成部40c 收縮成形成位于另一端侧的端面40d的尺寸在光的波长以下。即，在端 面40d上能够确保的最大直线长度Ll设计成在光的波长以下。另外，作 为在该光的波长以下的尺寸，优选在lnm至lpim的范围内，更优选在lnm 至500nm的范围内。由此，能够使光点尺寸收缩至与最大直线长度L1相同程度的大小、 即能够使直径收縮到大约lnm至1^im的程度(或者lnm至500nm的程 度)，从而能够作为该尺寸的近场光R从端面40d向外部发出。此外，在本实施方式中，如图4所示，光束会聚部40b和近场光生 成部40c均朝向主磁极32侧逐渐收縮成形。由此，端面40d位于主磁极 32侧。由此，能够在主磁极32附近产生上述尺寸的近场光R。另外，本 发明中所说的"附近"，是指从主磁极32离开与从端面40d产生的近场光 R的直径相同程度的距离、或其以下的距离的范围内的区域。由此，在 本实施方式的情况下，主磁极32和近场光生成部40c的端面40d之间的 距离设计成与近场光R的直径(最大直线长度Ll)相同程度的lnm至lpm 的程度(或lnm至500nm的程度)的距离、或者其以下的距离。如图4和图5所示，上述包层41由折射率比芯体40小的材料形成， 包层41与芯体40的侧面紧密接触，并将芯体40封闭在内部。由此，在 芯体40和包层41之间不会产生间隙。此外，本实施方式的包层41形成为使芯体40的另一端侧的端面40d与芯体40的一端侧一样也露出到外 部。另外，如果要记载作为包层41和芯体40使用的材料的组合的一个 示例，可以考虑例如用石英(Si02)形成芯体40、用添加有氟的石英形 成包层41的组合。在该情况下，在光束L的波长为400nm时，芯体40 的折射率为1.47，包层41的折射率小于1.47，所以是优选的组合。此外， 也可以考虑用添加有锗的石英形成芯体40、用石英(Si02)形成包层41 的组合。在该情况下，在光束L的波长为400nm时，芯体40的折射率 大于1.47，包层41的折射率为1.47，所以仍然是优选的组合。特别是，芯体40和包层41的折射率之差越大，将光束L封闭在芯 体40内的力就越大，因此更优选的是，芯体40使用氧化钽(Ta205:在 波长为550nm时折射率为2.16)，包层41使用石英等，使两者的折射率 之差增大。此外，在利用红外区域的光束L的情况下，用作为相对于红 外光透明的材料的硅(Si:折射率大约为4)来形成芯体40也是有效的。此外，在近场光生成部40c的3个侧面中，在除与主磁极32对置的 l个侧面之外的2个面上，形成有遮挡光束L的遮光膜42。由此，光束L 不会从近场光生成部40c向包层41侧漏出。近场光生成部40c通过该遮 光膜42和上述的收縮成形，能够自利用光束会聚部40b会聚起来的光束 L生成近场光R并从端面40b向外部发出。而且，由于端面40d形成在 主磁极32侧，所以能够在主磁极32附近产生近场光R。另外，光点尺 寸变换器22的端面40d设计成与滑块20的ABS共面。如图4和图5所示，上述光波导4是由芯体4a和包层4b构成的2 轴波导，光束L在芯体4a内传播。该光波导4以嵌入在形成于包层41 的槽部41a和形成于滑块20上表面的未图示的槽部内的状态固定。由此， 光波导4成为相对于滑块20平行配置的状态。此外，光波导4的前端与光点尺寸变换器22的一端侧连接，从而将 光束L导入芯体40内。此外，光波导4的基端侧在经由梁3和支架11 等引出到光信号控制器5后，与该光信号控制器5连接。另外，如图5所示，光点尺寸变换器22和光波导4的位置关系被调整成使从光波导4导入至芯体40内的光束L入射向反射面40a的大致 中心。
此外，上述再现元件23是电阻随着从盘D的垂直记录层d2漏出的 磁场大小而变化的磁阻效应膜。从控制部8经由未图示的铅膜(lead film) 等向该再现元件23供给偏压电流。由此，控制部8通过将从盘D漏出的 磁场的变化作为电压的变化检测出来，能够根据该电压的变化进行信号 的再现。
另外，本实施方式的盘D至少使用垂直双层膜盘，该垂直双层膜盘 由在垂直于盘面D1的方向上具有易磁化轴的垂直记录层d2、和由高导 磁率材料构成的软磁性层d3这两层构成。作为这样的盘D，例如如图2 所示，使用将软磁性层d3、中间层d4、垂直记录层d2、保护层d5和润 滑层d6依次成膜在基板dl上而形成的盘。
作为基板dl，例如有铝基板、玻璃基板等。软磁性层d3是高导磁 率层。中间层d4是垂直记录层d2的结晶控制层。垂直记录层d2形成为 垂直各向异性的磁性层，其使用例如CoCrPt类合金。保护层d5用于保 护垂直记录层d2，其使用例如DLC (Diamond-like Carbon:类金刚石) 膜。润滑层d6例如使用氟类的液体润滑材料。
接着，下面对利用这样构成的信息记录再现装置1在盘D上记录和 再现各种信息的情况进行说明。
首先，驱动主轴电动机7，使盘D向固定方向旋转。接着，使致动 器6动作，经由支架11使梁3在XY方向上扫描。由此，如图1所示， 能够使近场光头2位于盘D上的预期的位置。此时，近场光头2通过形 成在滑块20的对置面20a上的2个凸条部20b而受到浮起力，并且近场 光头2被梁3等以预定的力按压向盘D侧。通过该两个力的平衡，近场 光头2如图2所示浮起至从盘D上离开了预定距离H的位置。
此外，近场光头2即使受到了因盘D的起伏而产生的风压，也能够 通过梁3吸收Z方向的移位，并且通过万向接头部24绕XY轴移位，因 此能够吸收因起伏而产生的风压。因此，能够使近场光头2以稳定的状 态浮起。此处，在进行信息的记录的情况下，控制部8使光信号控制器5动 作，并且将根据信息而进行了调制的电流供给至线圈33。
首先，光信号控制器5接收来自控制部8的指示，使光束L从光波 导4的基端侧入射。入射的光束L在光波导4的芯体4a内向前端侧前进， 如图4所示，光束L从光点尺寸变换器22的一端侧被导入芯体40内。 此时，光束L以平行于滑块20的方向被导入芯体40内。这时，导入的 光束L在反射面40a发生反射，其方向改变大约90度。即，光束L的方 向变化成与导入方向不同的方向。然后，改变了方向的光束L朝向位于 盘D侧的另一端侧，在通过光束会聚部40b会聚的同时进行传播，并入 射到近场光生成部40c中。
此时，光束会聚部40b收縮成形为与从一端侧朝向另一端侧的长度 方向正交的截面面积逐渐减小。因此，光束L在通过该光束会聚部40b 时，在光束会聚部40b的侧面反复进行反射并同时逐渐会聚地在芯体40 的内部进行传播。特别是，由于包层41与芯体40的侧面紧密接触，所 以光不会泄漏到芯体40的外部，能够使导入的光束L在收縮的同时向另 一端侧传播而不会被浪费。
并且，传播至光束会聚部40b的端部的光束L继而入射到近场光生 成部40c中。该近场光生成部40c向另一端侧进一步收缩成形，其端面 40d形成为在光的波长以下的尺寸。而且，近场光生成部40c的两个侧面 被遮光膜42遮挡。由此，能够使入射到近场光生成部40c的光束L不会 向包层41侧泄漏地朝向端面40d传播。因此，能够生成近场光R，并能 够从端面40d向外部发出该近场光R。
利用该近场光R对盘D进行局部加热，使矫顽磁力临时降低。特别 是，近场光生成部40c使该近场光R产生在主磁极32附近、即从主磁极 32离开与近场光R的直径相同程度的距离的范围内，因此能够在尽可能 靠近主磁极32的位置使盘D的矫顽磁力降低。
另一方面，当通过控制部8向线圈33供给电流时，根据电磁铁的原 理电磁场会在磁路31内产生磁场，因此能够在主磁极32和辅助磁极30 之间产生相对于盘D垂直的方向的记录磁场。于是，如图4所示，从主磁极32侧产生的磁通笔直地穿过盘D的垂直记录层d2并到达软磁性层 d3。由此，能够在使垂直记录层d2的磁化方向垂直于盘面Dl的状态下 进行记录。此外，到达了软磁性层d3的磁通经由该软磁性层d3返回辅 助磁极30。此时，在返回辅助磁极30时不会对磁化方向产生影响。这是 因为，由于与盘面D1对置的辅助磁极30的面积比主磁极32要大，因而 磁通密度大，无法产生会使磁化反转的程度的力。即，仅能够在主磁极 32侧进行记录。
其结果为，能够利用使近场光R和通过两磁极30、 32产生的记录磁 场共同作用的近场光辅助磁记录方式进行信息的记录。而且，由于是以 垂直记录方式进行记录，所以不易受到热扰动现象等的影响，能够进行 稳定的记录。由此，能够提高写入的可靠性。
特别是，由于能够在主磁极32附近使盘D的矫顽磁力降低，所以能 够使加热温度的峰值位置进入局部作用有记录磁场的位置。因此，能够 可靠地进行记录，能够实现可靠性的提高并且能够实现高密度化记录。
接着，在对记录于盘D的信息进行再现的情况下，与光点尺寸变换 器22相邻地固定的再现元件23受到从盘D的垂直记录层d2漏出的磁场 的作用，从而该再现元件23的电阻随着该磁场的大小而变化。由此，再 现元件23的电压发生变化。由此，控制部8能够将从盘D漏出的磁场的 变化作为电压的变化检测出来。并且，控制部8通过根据该电压的变化 进行信号的再现，能够进行信息的再现。
如上所述，由于本实施方式的近场光头2具有能够高效率地产生近 场光R的光点尺寸变换器22，所以能够提高近场光头2自身的写入的可 靠性，能够实现高品质化。而且，在本实施方式中，由于在使芯体40的 一端侧和另一端侧的端面40d露出于外部的状态下形成有包层41，所以 能够使光束L不经过该包层41而直接导入芯体40中，并且能够使光束L 更加高效率地变换成近场光R并从端面40d向外部发出。
特别是，由于该光点尺寸变换器22能够利用反射面40a使导入的光 束L反射从而自由地改变光束L的方向，所以即使与滑块20平行地配置 光波导4，也能够使来自该光波导4的光束L在主磁极32附近变成近场光R。由此，能够不受光束L的导入方向影响地配置光波导4。因此，能 够使近场光头2的设计紧凑化。而且，由于与现有的光的进入方式不同， 无需使光束L在空气中传播，所以能够尽量地降低导光损失。另外，由 于在滑块20的流出端侧的侧面依次配置有记录元件21、光点尺寸变换器 22以及再现元件23，所以防止了除光波导4以外的各结构部件在滑块20 的厚度方向上重叠的情况。因此，能够实现近场光头2自身的薄型化。
此外，在制造本实施方式的近场光头2的情况下，可以利用光刻技 术和蚀刻加工技术等半导体技术来进行制造。即，即使在具有光点尺寸 变换器22的情况下，也能够在现有的制造工序的流程中同时组装光点尺 寸变换器22，而无需采用特别的手法。
具体来说，在将滑块20加工成预定的外形形状后，利用上述半导体 技术在该滑块20的流出端侧的侧面组装记录元件21。接着，同样利用半 导体技术在该记录元件21上组装光点尺寸变换器22。最后，在光点尺寸 变换器22上组装再现元件23即可。这样，只需要在从滑块20侧起依次 组装各结构部件的中途追加一道光点尺寸变换器22的制造工序，就能够 容易地制造出近场光头2。
另外，在制造光点尺寸变换器22时，首先在主磁极32上使包层41 成膜。此时，为了以后使光波导4与一端侧连接，在包层41上以形成槽 部41a的方式形成图案。接着，在使芯体40呈凸状地在该包层41上成 膜之后，进行适当的蚀刻，分别形成反射面40a、光束会聚部40b以及近 场光生成部40c。接着，在近场光生成部40c的侧面上使遮光膜42成膜。 接着，以将芯体40封闭在内部的方式再次使包层41成膜。并在最后进 行加工以使包层41的外形形状成为预定形状。此时，通过采用切割等对 光点尺寸变换器22的另一端侧进行切断加工，能够形成端面40d。能够 这样利用半导体技术容易地制造出光点尺寸变换器22。
此外，根据本实施方式的信息记录再现装置1，由于具有上述近场 光头2，所以写入的可靠性提高，能够应对高密度化记录，能够实现高品 质化。此外，能够同时实现薄型化。
另外，在上述实施方式中，优选在调整成使光束L的偏振光分量朝向图8所示的箭头L2方向之后，将光束L导入光波导4内。由此，能够 使近场光R集中地局限在朝向主磁极32侧的近场光生成部40c的侧面附 近(图8所示的区域S)。因此，能够进一步实现高密度化记录。
另外，本发明的技术范围并不限定于上述实施方式，可以在不脱离 本发明主旨的范围内加以各种变更。
例如，在上述实施方式中，举例对将光点尺寸变换器22应用于近场 光头2的情况进行了说明，但是并不限定于近场光头2，也可以将光点尺 寸变换器22应用于需要近场光R的各种设备。特别是在上述实施方式中， 在应用于近场光头2时，设计成使导入的光束L的方向通过反射面40a 而改变大约90度，但是反射角度并不限定于该角度。即，可以根据反射 面40a的设计，使从一端侧导入的光束L通过反射面40a发生反射并朝 向另一端侧以任意角度改变方向。因此，不论从哪个方向导入光束L，都 能够使该光束L从另一端侧可靠地产生为近场光R。因此，能够容易使 用地利用于各种设备。
此外，在上述实施方式中，如图9至图11所示，也可以将近场光生 成部40c形成为另一端侧的预定长度L3以与端面40d相同的尺寸呈笔直 状。即，近场光生成部40c不是从光束会聚部40b的端部一直收縮成形 至端面40d，而是使另一端侧的预定长度L3形成为笔直状。
由此，在光点尺寸变换器22的制造过程中，在对芯体40和包层41 的另一端侧进行切割来形成端面40d时，即使产生了微小的切割误差、 或者产生了收縮成形误差，也能够使端面40d的尺寸始终是相同的。因 此，即使大量地制造光点尺寸变换器22，也能够消除各光点尺寸变换器 22的偏差(个体差异)，能够稳定地制造出相同品质的产品。由此，能够 提高成品率。
此外，在上述实施方式中，构成了在近场光生成部40c的3个侧面 中、仅将2个侧面利用遮光膜42遮挡起来的结构，但是也可以仅遮挡至 少1个侧面。在该情况下，也能够产生近场光R。
但是，优选的是，如图12和图13所示将所有的侧面(3个侧面) 都利用遮光膜42遮挡起来。这样，入射到近场光生成部40c的光束L不会向包层41侧泄漏。由此，能够将光束L的损失抑制到最小限度，能够 更加高效率地产生近场光R。
另外，也可以将形成于某一侧面上的遮光膜42形成为增强近场光R 的光强度的金属膜43。例如，如图14和图15所示，可以将形成于与主 磁极32对置的侧面上的遮光膜形成为使近场光R的光强度增强的金属膜 43。这样，能够产生光强度更强的近场光R。即，通过光束会聚部40b 会聚起来的光束L在近场光生成部40c入射到该金属膜43。这样，在该 金属膜43上，表面等离子体激元被激发。被激发的表面等离子体激元由 于共振效应而增强，并同时在金属膜43和芯体40的分界面上向端面40d 传播。然后，在到达端面40d的时刻，成为光强度强的近场光R并漏出。 因此，能够进一步实现高密度化记录。
特别是，由于能够在金属膜43和芯体40的分界面上产生光强度强 的近场光R，所以不会受到端面40d的设计尺寸的直接影响。即，即使 不进行使端面40d的尺寸细微化等工作，也不会被这些物理性的设计所 影响，能够可靠地产生光强度强的近场光R。
另外，作为这样的金属膜43，例如有金膜、银膜和铂膜等。其中， 从抗氧化强、耐久性优秀的观点出发，优选使用金膜。此外，也可以将 所有的遮光膜都形成为金属膜43 。
另外，也可以仅在近场光生成部40c的3个侧面中的1个或2个侧 面上形成金属膜43。例如，如图16和图17所示，可以在近场光生成部 40c的3个侧面中，在除与主磁极32对置的侧面以外的一个侧面上形成 金属膜43。在该情况下，也不会被物理性的设计所影响，能够在使光强 度强的近场光R局限在金属膜43和芯体40的分界面上的状态下产生该 近场光R。因此，能够进一步实现高密度化记录。
特别是，由于仅在近场光生成部40c的3个侧面中的一个侧面上形 成金属膜43，所以与在2个或3个侧面形成金属膜43的情况相比，更容 易制作。
此外，在上述实施方式中，如图18和图19所示，可以在包层41上 形成使近场光生成部40c的侧面露出的槽部41b，并且在主磁极32上设置经由该槽部41b与近场光生成部40c的侧面接触的凸出部32a。
这样，能够使近场光R产生的位置和记录磁场产生的位置尽量地靠
近。因此，能够使近场光R和记录磁场更加高效率地共同作用，能够进
一步应对高密度化记录。
特别是，在具有该凸出部32a时，如图20和图21所示，更优选在
凸出部32a和近场光生成部40c的侧面之间形成有遮光膜42。这样，能
够在凸出部32a附近更为集中地产生近场光R，因此能够进一步实现高密
度化记录。
另外，在设置有凸出部32a时，如图22和图23所示，优选将形成在近场光生成部40c的3个侧面中的与主磁极32对置的侧面上的遮光膜，与图14和图15所示的情况一样形成为金属膜43。这样，能够使光强度强的近场光R在被局限的状态下产生在更靠近凸出部32a的位置。因此，能够使近场光R和记录磁场更加高效率地共同作用，能够进一步实现高密度化记录。
此外，在如图22和图23所示地设置有金属膜43的情况下，能够更加高效率地产生光强度更强的近场光R。
例如，为了使通过光束会聚部40b会聚起来的光束L以共振角度e向金属膜43入射，并利用光束L的能量在金属膜43的表面上激发表面等离子体激元，如图24和图25所示，只要对近场光生成部40c的形成有金属膜43的侧面进行角度调整即可。
在此，对光束L的入射角度和反射光强度简单进行说明。
如图26所示，当朝向在底面设置有金属膜P2的棱镜Pl在全反射条件下射入光Ll时，反射光强度随着入射角度0 (与金属膜P2的表面垂直的直线与光L1所成的角度)而变化。这是因为，光L1的能量被用于表面等离子体激元的激发。并且，当使入射角度变化并对反射光强度进行检测时，存在使反射光强度最小的入射角度。这是因为，光L1的能量被最多地用于表面等离子体激元的激发。并且， 一般将该反射光强度最小的入射角度称为共振角度。
由此，如图24所示，通过使利用光束会聚部40b会聚起来的光束L43，能够最高效率地激发表面等离子体激元，
从而能够更加高效率地产生光强度更强的近场光R。
另外，虽然导入至芯体40内的光束L在芯体40的侧面反复进行反射并同时逐渐会聚地向端面40d前进，但是由于在前进至光束会聚部40b为止的阶段中该光束L被集中至一定程度，所以其前进方向是确定的。即，在设计好芯体40的时刻，就能够把握光束L的主要分量是怎样前进地在芯体40中传播。因此，如图24所示，只要将近场光生成部40c的侧面的角度调整成使该光束L的主要分量以共振角度0入射向金属膜43即可。
另外，在使会聚后的光束L以共振角度e入射向金属膜43的情况下，如图27和图28所示，设计成金属膜43的一部分与包层41重叠即可。如上所述可知，通过使光束L以共振角度e入射向金属膜43，来高效率地激发表面等离子体激元，然而，仅通过使电介质薄膜吸附在棱镜P1的金属膜P2上，共振角度e就会发生变化，这也是一般公知的。因此，如图27所示，通过使金属膜43和包层41一部分重叠，能够将共振角度e调整成任意角度。因此，在图27所示的情况下，也能够使会聚的光束L以共振角度e入射向金属膜43，也同样能够更加高效率地产生光强度更强的近场光R。
特别是，即使在难以机械地调整近场光生成部40c的侧面的角度的情况下，也能够使共振角度e本身发生变化，因此能够辅助机械性的设计。因此，能够提高设计的自由度。
此外，在如图22和图23所示地设置有金属膜43的情况下，也可以在金属膜43和凸出部32a之间设置图29和图30所示的屏蔽膜44。该屏蔽膜44将凸出部42a与金属膜43之间的电联系或磁联系中的至少一种联系切断。这样，能够通过使近场光R和记录磁场更有效地共同作用的近场光辅助磁记录方式来进行信息的记录。
此外，在上述各实施方式中，以使近场光头2浮起的空气浮起型的信息记录再现装置1为例进行了说明，但并不限定于该情况，只要与盘面D1对置配置，盘D与滑块20也可以接触。即，本发明的近场光头2也可以是接触滑块型的光头。在该情况下，也能够得到同样的作用效果。产业上的可利用性
根据本发明的近场光产生元件，能够使从芯体的一端侧导入的光束高效率地变换成近场光，并且能够从另一端侧向外部发出该近场光。特别是，由于能够与光束的导入方向无关地高效率地产生近场光，所以使用容易且方便性优秀。因此，能够容易地使用于需要近场光的各种设备,能够提高设计的自由度。
此外，根据本发明的近场光头，由于具有上述近场光产生元件，所以能够提高写入的可靠性，能够实现高品质化。此外，由于能够不受光束导入方向影响地配置光束导入单元，所以能够使设计紧凑化。而且，与现有的光的进入方式不同，无需使光束在空气中传播，所以能够尽量地降低导光损失。此外，由于极力防止了除光束导入单元以外的各结构部件在滑块的厚度方向上重叠，所以能够实现薄型化。
此外，根据本发明的信息记录再现装置，由于具有上述近场光头，所以写入的可靠性提高，能够应对高密度化记录，能够实现高品质化。此外，能够同时实现薄型化。
权利要求
1. 一种近场光产生元件，其使导入至其一端侧的光束以不同于导入方向的方向朝向另一端侧在会聚的同时进行传播，并且在生成为近场光后向外部发出该近场光，其特征在于，上述近场光产生元件具有多面体状的芯体，其具有反射面、光束会聚部和近场光生成部，上述反射面使导入的上述光束向不同于导入方向的方向反射，上述光束会聚部以与从上述一端侧朝向上述另一端侧的长度方向正交的截面面积逐渐减小的方式收缩成形，并用于使反射后的上述光束在会聚的同时朝向另一端侧传播，上述近场光生成部从上述光束会聚部的端部朝向上述另一端侧进一步收缩成形，而且用于自会聚起来的上述光束生成上述近场光并从另一端侧向外部发出该近场光；以及包层，其由折射率比上述芯体小的材料形成，并且该包层在使芯体的另一端侧露出于外部的状态下，与芯体的侧面紧密接触地将芯体封闭在该包层内部，上述近场光生成部的在上述另一端侧露出到外部的端面形成为在光的波长以下的尺寸，并且该近场光生成部的至少一个侧面被遮光膜遮挡。
2. 根据权利要求1所述的近场光产生元件，其特征在于， 上述包层以使上述芯体的一端侧露出于外部的状态形成。
3. 根据权利要求1所述的近场光产生元件，其特征在于， 上述近场光生成部的上述另一端侧的预定长度以与上述端面相同的尺寸成形为笔直状。
4. 根据权利要求1所述的近场光产生元件，其特征在于， 上述近场光生成部的所有侧面都被上述遮光膜遮挡。
5. 根据权利要求1所述的近场光产生元件，其特征在于， 上述遮光膜是使上述近场光的光强度增加的金属膜。
6. 根据权利要求5所述的近场光产生元件，其特征在于， 上述近场光生成部的设置有上述金属膜的侧面的角度被调整成使通过上述光束会聚部会聚起来的上述光束以共振角度入射向上述金属 膜、并利用该光束的能量激发表面等离子体激元。
7. —种近场光头，其对向固定方向旋转的磁记录介质进行加热，并 且通过对磁记录介质附加垂直方向的记录磁场来产生磁化反转，从而来 记录信息，其特征在于，上述近场光头包括滑块，其与上述磁记录介质的表面对置配置； 辅助磁极，其固定在上述滑块的前端面上；主磁极，其经由磁路与上述辅助磁极连接，在该主磁极与辅助磁极 之间产生上述记录磁场；线圈，其呈螺旋状地巻绕在上述磁路的周围，根据上述信息进行了 调制的电流被供给到该线圈中；权利要求1所述的近场光产生元件，其在使上述另一端侧朝向上述 磁记录介质侧的状态下被固定成与上述主磁极相邻；以及光束导入单元，其以相对于上述滑块平行地配置的状态固定于上述 滑块，用于将上述光束从上述一端侧导入到上述芯体内，上述近场光生成部在上述主磁极附近产生上述近场光。
8. 根据权利要求7所述的近场光头，其特征在于， 在上述包层上形成有使上述近场光生成部的侧面露出的槽部， 上述主磁极具有凸出部，该凸出部经由上述槽部与上述近场光生成部的侧面接触。
9. 根据权利要求8所述的近场光头，其特征在于， 在上述凸出部和上述近场光生成部的侧面之间形成有上述遮光膜。
10. 根据权利要求9所述的近场光头，其特征在于， 在上述凸出部和上述遮光膜之间形成有屏蔽膜，该屏蔽膜将凸出部与遮光膜两者之间的电联系或磁联系中的至少一种联系切断。
11. 一种信息记录再现装置，其特征在于， 上述信息记录再现装置包括 权利要求7所述的近场光头；梁，其能够在与上述磁记录介质的表面平行的方向上移动，该梁在 前端侧对上述近场光头进行支承，并且是在上述近场光头能够绕与该磁 记录介质的表面平行且彼此正交的2个轴自由转动的状态下进行支承；光源，其使上述光束入射到上述光束导入单元中；致动器，其支承上述梁的基端侧，并且使该梁向与上述磁记录介质 的表面平行的方向移动；旋转驱动部，其使上述磁记录介质向上述固定方向旋转；以及控制部，其将上述电流供给至上述线圈，并对上述光源的动作进行 控制。
全文摘要
本发明提供近场光产生元件、近场光头以及信息记录再现装置。近场光产生元件(22)具有多面体状的芯体(40)，其具有反射面(40a)、光束会聚部(40b)和近场光生成部(40c)，上述反射面(40a)使光束(L)向不同于导入方向的方向反射，上述光束会聚部(40b)以与从一端侧朝向另一端侧的长度方向正交的截面面积逐渐减小的方式收缩成形，并用于使反射后的光束在会聚的同时向另一端侧传播，上述近场光生成部(40c)从上述光束会聚部的端部朝向另一端侧进一步收缩成形，而且用于自会聚起来的光束生成近场光(R)并从另一端侧向外部发出该近场光；以及包层(41)，其与芯体的侧面紧密接触地将芯体封闭在该包层的内部，端面(40d)形成为在光的波长以下的尺寸，近场光生成部的侧面被遮光膜(42)遮挡。
文档编号G11B5/02GK101536091SQ20078004285
公开日2009年9月16日 申请日期2007年11月9日 优先权日2006年11月20日
发明者大海学, 平田雅一, 朴马中 申请人:精工电子有限公司