专利名称：扫描探头显微镜的悬臂及其制造方法、以及热辅助磁头元件的检查方法及其装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及能够测定近场光和磁场这两者的扫描探头显微镜的悬臂及其制造方法、以及用扫描探头显微镜进行近场光计测、微小尺度磁场计测而检查薄膜热辅助磁头元件的热辅助磁头元件的检查方法及其装置。
背景技术：
作为下一代硬盘用的磁头，人们已经开始讨论研究日本专利特开2010 - 182394号公报(专利文献I)以及日本专利特开2011 - 86362号公报(专利文献2)、日本专利特开2011 - 113595号公报(专利文献3)等中记载的热辅助磁头元件。从热辅助磁头元件发生的近场光，为从头元件开始20nm以下的宽度范围，该宽度决定硬盘的写入轨道宽度。对实际动作时的近场光的强度分布、发光部的表面形状以及近场光和写入磁场的位置关系的检查方法是未解决的重要课题。另一方面，在日本专利特开2009 - 230845号公报(专利文献4)中公开了 根据使用了具有磁性探针的悬臂的扫描探头显微镜(ScanProbe Microscope :SPM)检查技术,在遮板状态下，检查薄膜磁头元件的写入磁场的方法。在专利文献4所公开的方法中，只能计测磁头元件的写入磁场的轨道宽度。但是，没有顾虑到下一代硬盘用的磁头元件、即热辅助磁头元件发生的近场光或者近场光发光部的表面形状的检查、以及检查近场光发光部和写入磁场发生部的位置关系等的情况。此外，专利文献4中记载了，磁头元件的性能检查是在从晶圆切出了遮板的状态下进行检查的情况，但需求是通过对于热辅助磁头元件也相同地在遮板这样的头制造的较早阶段内进行检查，从而能够在热辅助磁头元件发生不良时能在制造工序的上游实施对策，对不良品的大量发生防患于未然。
发明内容
本发明是鉴于上述的问题点开发的，提供在制造工序过程中的尽早阶段或者作为磁头浮动块组装的状态下能够进行热辅助磁头元件发生的近场光或者近场光发光部的表面形状以及近场光发光部和写入磁场发生部的位置关系等的检查的、能够测定近场光和磁场这两者的扫描探头显微镜的悬臂及其制造方法以及热辅助磁头元件的检查方法及其装置。为了解决上述课题，本发明中，将计测试样表面的磁场的扫描探头显微镜的悬臂，构成为具有由板状的部件材料形成的杆、和形成于该杆的前端部分的探针，在该探针的表面形成磁性膜，在该磁性体膜的表面形成有贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜。此外，为了解决上述课题，本发明中，计测试样表面的磁场的扫描探头显微镜的悬臂的结构为具有由板状的部件材料形成的杆、和形成于该杆的前端部分的探针，在该探针的表面形成有磁性膜，在该磁性体膜的表面形成有变换入射的光的波长变换而使之出射的材料的微粒子或者薄膜。此外，为了解决上述课题，本发明中，计测试样表面的磁场的扫描探头显微镜的悬臂的制造方法，在将探针形成于板状的部件材料的前端部的杆的所述探针的表面，形成薄膜状的磁性体膜，在形成于该探针的表面的磁性体膜的表面形成贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜。此外，为了解决上述课题，本发明中，在计测试样的表面的磁场的扫描探头显微镜的悬臂的制造方法中，在将探针形成于板状的部件材料的前端部的杆的所述探针的表面形成薄膜状的磁性体膜，在形成于该探针的表面的磁性体膜的表面还形成变换入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜。此外，为了解决上述课题，本发明中，将检查热辅助磁头元件的检查装置构成为具备以下部分载置作为试样的热辅助磁头元件并在平面内能够移动的工作台单元；具备扫描载置于该工作台单元的试样的表面的探针，在该探针的表面形成有磁性膜的悬臂；使该悬臂对于所述试样的表面在上下方向上振动的振动驱动单元；通过向由该振动驱动单元振动的所述悬臂的形成所述探针的一侧的相反侧的面照射光而检测来自所述悬臂的反射光，从而检测所述悬臂的振动的变位检测单元；输出用于使交变磁场从所述热辅助磁头元件的磁场发生部发生并且使近场光从近场光发光部发生的信号的信号输出单元；检测由于根据从该信号输出单元输出的信号从所述热辅助磁头元件的所述近场光发光部发生的近场光而从所述悬臂的形成磁性膜的探针的表面发生的散射光的散射光检测单元；以及处理由所述变位检测单元检测得到的信号和由所述散射光检测单元检测所述散射光得到的信号，检查从所述热辅助磁头元件的所述近场光发光部发光的近场光的强度分布、所述近场光发光部的表面形状、磁场发生部与近场光发光部的位置关系中的至少一个的处理单兀。此外，为了解决上述课题，本发明中，将检查热辅助磁头元件的检查装置构成为具备以下部分载置作为试样的热辅助磁头元件并在平面内能够移动的工作台单元；具备扫描载置于该工作台单元的所述试样的表面的探针，在该探针的表面形成有磁性膜的悬臂；使该悬臂对于所述试样的表面在上下方向上振动的振动驱动单元；通过向由该振动驱动单元振动的所述悬臂的形成所述探针的一侧的相反侧的面照射光而检测来自所述悬臂的反射光，从而检测所述悬臂的振动的变位检测单元；输出用于使交变磁场从所述热辅助磁头元件的磁场发生部发生的信号的信号输出单元；向所述悬臂照射激光激光照射单元；根据从由该激光照射单元照射激光的悬臂的探针所发生的近场光检测从所述试样的表面发生的散射光的散射光检测单元；以及处理由所述变位检测单元检测得到的信号和由所述散射光检测单元检测从所述试样的表面发生的散射光得到的信号，检查所述试样的发生所述散射光的部分的表面形状、所述磁场发生部与所述近场光发光部的位置关系的至少任意一个的处理单元。此外，为了解决上述课题，本发明中，在检查热辅助磁头元件的方法中，将作为试样的热辅助磁头元件载置于扫描探头显微镜装置的在平面内能够移动的工作台单元；使交变磁场从所述试样的磁场发生部发生并且使近场光从近场光发光部发生；通过在使具有在表面形成有磁性膜的探针的扫描探头显微镜的悬臂在所述试样的表面的近旁上下地振动的状态下使所述工作台在平面内移动，检测从热辅助磁头元件发生的所述交变磁场和所述近场光带来的散射光；使用该检测出的交变磁场的发生位置信息和基于该检测出的散射光的所述近场光的发生位置信息，检查从形成于所述遮板的热辅助磁头元件的所述近场光发光部发光的近场光的强度分布、所述近场光发光部的表面形状、磁场发生部与近场光发光部的位置关系中的至少一个。此外，为了解决上述课题，本发明中，检查热辅助磁头元件的方法中，将作为试样的热辅助磁头元件载置于扫描探头显微镜装置的在平面内能够移动的工作台单元；使交变磁场从所述试样的磁场发生部发生并且向具有在表面形成有磁性膜的探针的扫描探头显微镜装置的悬臂照射激光而使近场光从近场光发光部发生；通过在使所述悬臂在所述试样的表面的近旁上下地振动的状态下使所述工作台在平面内移动，检测从热辅助磁头元件发生的所述交变磁场，并检测从所述发生的近场光的近旁的所述热辅助磁头元件发生的散射光；使用该检测出的交变磁场的发生位置信息和检测由于所述近场光而发生的散射光而得到信息，检查所述试样的所述磁场发生部和近场光发光部的表面形状以及位置关系。根据本发明，能够提供能够测定近场光和磁场这两者的悬臂、以及具备该悬臂的扫描探头显微镜。此外，本发明具有能够非破坏地进行在制造工序过程中的尽早阶段，由热辅助磁头元件发生的写入磁场、热辅助光(近场光)的强度分布或者磁场发生部、近场光发光部的表面形状以及近场光发光部和写入磁场发生部的位置关系等的检查的效果。通过以下对附图所示的本发明的优选实施例的更具体的描述，本发明的这些特征和优点将会清楚。
图1A是示出本发明的第I实施方式中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂的概略结构的俯视图。图1B是示出本发明的第I实施方式中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂的概略结构的侧视图。图2A是说明本发明的第I实施方式中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂的制造方法的图，是示出在悬臂和探针的正面侧的表面形成薄的磁性膜的状态的悬臂的侧视图。图2B是说明本发明的第I实施方式中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂的制造方法的图，示出在形成于悬臂和探针的正面侧的表面的薄的磁性膜上附着贵金属的微粒子的状态的悬臂的侧视图。图2C是说明本发明的第I实施方式中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂的其它制造方法的图，是示出在与悬臂和探针的表面的形成有薄的磁性膜的面不同的背面侧附着了贵金属的微粒子的状态的悬臂的侧视图。图3A是示出本发明的第I实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的概略结构的框图。图3B是本发明的第I实施方式中的热辅助磁头元件检查装置在未载置遮板的状态下的Y台和定位用的载置部的俯视图。图4A是说明本发明的第I实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的检测原理的图，是示出测定形成于遮板的热辅助磁头元件所发生的磁场的状态的悬臂和遮板的剖面的侧视图。图4B是说明本发明的第I实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的检测原理的图，是示出测定形成于遮板的热辅助磁头元件所发生的近场光的状态的悬臂和检测器以及遮板的剖面的侧视图。图5是示出使用本发明的第I实施方式和第2实施方式中的热辅助磁头元件检查装置来检查热辅助磁头元件的顺序的流程图。图6是示出本发明的第2实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的概略结构的框图。图7A是说明本发明的第2实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的检测原理的图，是示出测定形成于遮板的热辅助磁头元件所发生的磁场的状态的悬臂和遮板的剖面的侧视图。图7B是说明本发明的第2实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的检测原理的图，是示出测定形成于遮板的热辅助磁头元件所发生的近场光的状态的悬臂和遮板的剖面的侧面检查方式的概略图。图8A是示出本发明的第3实施方式中的能够测定近场光和磁场这两者的第I悬臂的概略结构的侧视图。图SB是示出本发明的第3实施方式中的能够测定近场光和磁场这两者的第2悬臂的概略结构的侧视图。图9A是说明本发明的第3实施方式中的能够测定近场光和磁场这两者的第2悬臂的制造方法的图，是示出在悬臂和探针的正面侧的表面形成了薄的磁性膜的状态的第2悬臂的侧视图。图9B是说明本发明的第3实施方式中的能够测定近场光和磁场这两者的第2悬臂的制造方法的图，是示出在形成于悬臂和探针的正面侧的表面的薄的磁性膜附着有贵金属的微粒子的状态的第2悬臂的侧视图。图9C是说明本发明的第3实施方式中的能够测定近场光和磁场这两者的第2悬臂的制造方法的图，是示出在形成于悬臂和探针的正面侧的表面的薄的磁性膜和贵金属的微粒子的间隙附着有能够变换光的波长的材料的微粒子的状态的第2悬臂的侧视图。图10是示出本发明的第3实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的概略结构的框图。图1lA是说明本发明的第3实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的检测原理的图，是示出测定形成于遮板的热辅助磁头元件所发生的磁场的状态的第I悬臂和遮板的剖面的侧视图。图1lB是说明本发明的第3实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的检测原理的图，是示出测定形成于遮板的热辅助磁头元件所发生的近场光的状态的第I悬臂和检测器以及遮板的剖面的侧视图。图12A是说明本发明的第3实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的检测原理的图，是示出测定形成于遮板的热辅助磁头元件所发生的磁场的状态的第2悬臂和遮板的剖面的侧视图。
图12B是说明本发明的第3实施方式中的热辅助磁头元件检查装置的检测原理的图，是示出测定形成于遮板的热辅助磁头元件所发生的近场光的状态的第2悬臂和检测器以及遮板的剖面的侧视图。
具体实施例方式以下，根据附图详细说明本发明的实施方式。另外，作为原则，在用于说明实施方式的所有附图中，对于同一部件材料，附以同一符号，省略其重复的说明。实施例1利用图1A及图1B说明本发明的实施例1中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂10的概略结构。图1A是示出本实施例中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂10的概略的结构的俯视图，图1B是其的侧视图。在图1A及图1B中，能够测定近场光和磁场这两者的悬臂10在板状的杆I的前端部形成呈四面体构造的探针4。杆I和探针4由硅(Si)形成。在杆I和探针4的正面侧形成薄的磁性膜2 (例如Co、N1、Fe、NiFe、CoFe、NiCo等)，在磁性膜2的表面形成贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3。悬臂10而具备杆I和探针4、薄的磁性膜2、贵金属的粒子或者薄膜3，成为能够测定近场光和磁场这两者的结构。本实施例中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂10的各部分的作用如下。能够测定近场光和磁场这两者的悬臂10，作为悬臂的结构与一般性的扫描型探头显微镜中的悬臂在形状上是相同的，但在本实施例中，为了能够测定近场光和磁场这两者，形成于悬臂10的杆I的前端的探针4的表面上的薄磁性膜2，决定测定磁场时的灵敏度和分辨率，在测定磁场时感知被测定物的磁场。此外，贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3，在探针4位于近场光发生区域内时，发生被局部存在型表面等离子体增强效应增强后的散射光。此外，从外部照射激光的情况下，激励微粒子或者薄膜3,发出近场光。接下来，利用图2A至图2C，说明本发明的实施例1中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂10的制造方法。首先，如图2A所示，形成杆I并在杆I的前端部分形成呈四面体构造的探针4。接下来，从探针4的正对面一侧向杆I和探针4涂敷磁性膜2。作为涂敷磁性膜2的手段，使用真空蒸镀装置、或者溅射装置即可。磁性膜的成模量由实际测定对象的磁场强度和尺寸决定，但一般为IOnm 40nm。磁性体的材料根据测定目的，选择N1、Fe、NiFe、CoFe> NiCo等软磁性材料，也能选择Co、Al-Ni — Co、Fe 一 Pt等硬磁性材料。接下来，如图2B所示，在探针4的涂敷了磁性膜2的面上，从正面一侧形成贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3，完成能够测定近场光和磁场这两者的悬臂10。微粒子或者薄膜3的材料是以Au、Pt、Cu、Ag等为首的贵金属或者含有贵金属的合金材料。薄膜的膜厚为I 20nm。也能够将形成该微粒子或者薄膜3的面，在图2C中作为悬臂10’所示地，从斜后方的两方向加着角度地进行附加。在这种情 况下，微粒子或者薄膜3的材料也是以Au、Pt、Cu、Ag等为首的贵金属或者含有贵金属的合金材料。在该合金材料为薄膜的情况下，膜厚为I 20nm,在为微粒子的情况下,其直径为4 20nm。
图3A是本发明中的热辅助磁头元件检查装置100的第I实施方式的基本的构成图。图3A的热辅助磁头元件检查装置100，在磁头元件的制造工序中，在对形成多个薄膜磁头元件的晶圆进行加工而切出浮动块单体(薄膜磁头片)之前的工序的遮板40 (排列有磁头浮动块的块)的状态下，能够测定热辅助磁头元件发生的近场光的强度分布。通常，作为3cm IOcm左右的细长的块体，从形成了多个薄膜磁头元件的晶圆切出的遮板40，形成排列有40个 90个左右的磁头浮动块(薄膜磁头元件)的结构。本实施例中的热辅助磁头元件检查装置100构成为将遮板40作为工件进行预定的检查。通常，遮板40，在未图示的托盘内在短轴方向上以预定间隔排列收纳20 30根左右。使用未图示的操作机器人，从未图示的托盘中一次一根地取出遮板40，向检查台101输送。向检查台101输送设置的遮板40如后所述地进行检查。本实施例中的热辅助磁头元件检查装置100以扫描型探头显微镜为基础。热辅助磁头元件检查装置100的检查台101具备使遮板40能够在X、Y方向上能够移动的X台106、Y台105而构成。遮板40，由于其长轴方面的单侧面暂时向设于Y台105的上表面的遮板100的定位用的载置部114的基准面1141 (形成于Y台105的断坡面)突出而在Y方向上定位。该载置部114设有与遮板40的形状基本一致的断坡部1142。遮板40，通过如图3B (未载置遮板40的状态的Y台105和定位用的载置部114的俯视图)所示与该断坡部1142的底面1143和侧面1144分别抵接，从而被设置于Z方向以及X方向的预定位置。断坡部的后表面(基准面1141)上抵接遮板40的后侧面(热辅助磁头元件的各连接端子的某面的相反面)。各抵接面1143以及1144，具备与X台106的移动方向(X轴)以及Z台104的移动方向(Z轴)上具备分别平行且成正交的位置关系的基准面，所以通过使遮板40抵接设置于Y台105的断坡部1142的底面1143和侧面1144，从而执行X方向和Z方向的定位。在Y台105的上方 设 有遮板40的移位量测定用的相机103。Z台104固定于检查台101的柱体1011，使悬臂10在Z方向上移动。检查台101的X台106、Y台105、Ζ台104分别由以未图示的压电元件驱动的压电台构成。如果遮板40的预定的定位结束，则，对于遮板40，供给从控制部PC30输出的励磁信号和发光用信号或者直接供给激励用激光301，遮板40，以热辅助磁头元件的写入磁场发生部402能够发生磁场、近场光发光部404能够发光的状态，通过设于Y台105的未图示的吸附单元而吸附保持于载置部114。压电驱动器107对分别驱动该检查台101的X台106、Υ台105、Ζ台104的压电元件(未图示)进行驱动控制。控制部PC30由以包含监视器的个人计算机(PC)为基本结构的控制用计算机构成。如图所示，在检查台101的Y台105上载置的遮板40的上方的对置的位置，配置有能够测定上述近场光和磁场这两者的悬臂10。悬臂10安装在设于Z台104的下侧的加振部122上。加振部122由压电元件构成，由来自压电驱动器107的起振电压，施加机械性共振频率附近的频率的交流电压，悬臂10的前端部的探针4在上下方向(Ζ方向)上振动。悬臂10的探针4的Z方向的振动，通过具备由半导体激光元件109和4分光探测器元件组成的变位传感器110而构成的变位检测器130来检测。在该变位检测器130中，从半导体激光元件109出射的激光照射到形成有悬臂I的探针4的面的相反侧的面上，由悬臂I反射的激光向变位传感器110入射。变位传感器110是将受光面分为4个区域的4分传感器，向变位传感器110分割后的各个受光面入射的激光，分别进行光电变换，作为4个电信号而输出。这里,变位传感器110，设置于在悬臂10没有由加振部122附加振动的状态、即静止的状态下从半导体激光元件109照射激光时，来自悬臂10的反射光均等地入射到被4分后的受光面的各个上的位置上。差动放大器111，对从变位传感器110输出的4个电信号的差分信号实施预定的运算处理而向DC转换器112输出。即，差动放大器111，将与从变位传感器110输出的4个电信号间的差分相对应的变位信号向DC转换器112输出。因此,在悬臂10没有由加振部122加振的状态下，来自差动放大器111的输出变为零。DC转换器112，由将从差动放大器111输出的变位信号变为有效值的直流信号的RMS — DC转换器(RootMean Squared valueto Direct Current Converter)构成。从差动放大器111输出的变位信号是与悬臂10的变位相应的信号，由于悬臂10在振动，所以成为交流信号。从DC转换器112输出的信号向反馈控制器113输出。反馈控制器113，将从DC转换器112向控制部PC30输出的信号作为用于监视悬臂10的现在的振动的大小的信号而输出，并且，作为用于调整悬臂10的起振的大小的Z台104的控制用信号，经由控制部PC30，输出从DC转换器112向压电驱动器107输出的信号。由控制部PC30监视该信号，与其值相应地，通过压电驱动器107控制驱动Z台104的压电元件(未图示)，从而在测定开始前，调整悬臂10的初始位置。在该实施方式中，将硬盘驱动器的头浮上高度作为悬臂10的初始位置而设定。发送机102将用于使悬臂10 起振的振荡信号向压电驱动器107供给。压电驱动器107根据来自该发送机102的振荡信号驱动加振部122，使悬臂10以预定的频率振动。图4A及图4B是示出基于图3A所示的热辅助磁头元件检查装置100的磁场和近场光的检测原理的概略的图，是将形成于遮板40的热辅助磁头元件部401的写入磁场发生部402和热辅助光(近场光)发光部404的结构放大,与悬臂10 —起不出的图。如图4A所示，悬臂10由Z台104定位，以在从振动时的最低点Hf与形成于遮板40的热辅助磁头元件部401的表面接触的状态离开数IOnm的位置(高度)之间，使形成悬臂10的磁性膜以及贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3的探针4的前端部41，位于来自热辅助磁头元件部401的磁场信号和近场光的检测信号最大、能够以很好的分辨率检测的高度。悬臂10，对与遮板40的头的记录面410平行的平面在数百nm 数μ m的范围内扫描。在该实施方式中，通过X台106以及Y台107移动遮板40。这时，热辅助磁头元件部401供给从图3A所示的控制部PC30输出的励磁信号和发光用信号301或者直接供给激励用激光，热辅助磁头元件部401的写入磁场发生部402发生写入磁场(交变磁场)403，近场光发光部404使热辅助光(近场光)405发光。在悬臂10通过加振部122施加振动的状态下，将载置了遮板40的X台106由压电驱动器107控制的压电元件(未图示)以恒定的速度在X方向上移动，从而如果悬臂10的磁性体2和将贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3形成于表面的探针4进入由写入磁场发生部402发生的写入磁场403之中，则形成于探针4的表面的薄膜的磁性体2被磁化，探针4受到磁力，从而悬臂10的振动状态变化。由图3的变位传感器110检测该振动的变化。即，如果悬臂10的振动状态改变，则从半导体激光元件109发射、由悬臂10反射的激光的对变位传感器1104分后的受光面的入射位置发生变化。该变位传感器110的输出由差动放大器111检测，从而能够检测悬臂10的振动状态的变化。其结果是能够检测热辅助磁头元件部401的磁场发生部402发生的写入磁场403的强度分布。另一方面，如图4B所示，如果在悬臂10由加振部122对于遮板40的表面410在上下方向上施加振动的状态下，使载置遮板40的X台106以恒定的速度在X方向上移动，从而探针4到达通过近场光发光部404发生了近场光405的区域，则由于基于在探针4的表面的磁性膜3之上形成的贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3的局部存在型表面等离子体增强效应，从到达了正在发生近场光405的区域的探针4发生的散射光406被增强。该增强后的散射光406，由配置于悬臂10的近旁的光检测器115检测。如此，能够在与近场光发光部404相距较远的地方检测从热辅助磁头元件部401的近场光发光部404向该近场光发光部404的极近的区域发生的近场光。进而，也能测定热辅助磁头元件部401的磁场发生部402发生的写入磁场(交变磁场)403与从近场光发光部404发生的热辅助光(近场光)405的位置关系。
具有能够在制造工序过程中的尽早阶段进行热辅助磁头元件的写入磁场和近场光的强度分布的检查以及二者的位置关系的测定的效果。图5是示出使用上述的热辅助磁头元件检查装置100检查遮板40的动作的顺序的流程图。首先，由未图示的操作单元从供给托盘取出一根遮板40，输送到检查台101上，以将遮板40掩住Y台105的基准面1141的状态，在由Y台105和载置部114形成的断坡部1142上载置遮板40 (S501)。接下来，由相机103对遮板40进行摄像，得到遮板40的位置信息，根据该得到的位置信息，驱动X台106或者Y台105，进行调整遮板40的位置的校准(S502 )，将遮板40向测定位置移动(S503 )。接下来，向热辅助磁头元件部401供给励磁信号和发光用信号301或者直接供给激励用激光(S504),从磁场发生部402使写入磁场(交变磁场)403发生,并从近场光发光部404使光辅助光(近场光)405发生。接下来，通过由压电驱动器107控制驱动Z台104的压电元件(未图示)，使悬臂10向热辅助磁头元件部401的记录面410靠近(S505)。接下来，通过一边由压电驱动器107驱动压电元件(未图示)使X台106在X方向上以恒定的速度移动一边由加振部122使悬臂10振动，从而使悬臂10在平行于热辅助磁头元件部401的记录面410的平面内在数百nm 数μ m的范围内进行扫描(S506)。通过该扫描，从来自具备半导体激光元件109和位置传感器110而构成的变位检测器130的输出信号中检测从热辅助磁头元件部401磁场发生部402发生的写入磁场403带给悬臂10的振动的变化，并得到磁场发生部402的位置信息和磁场发生部402发生的磁场的分布信息。另一方面，从近场光发光部404发生的近场光405的散射光，由于基于由于扫描到达该近场光405的发生区域内的悬臂10的探针4的表面上形成的贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3的局部存在型表面等离子体增强效应而被增强，由检测器115来检测。由控制部PC30处理来自检测到该增强后的近场光的检测器115的检测信号302，并求解光辅助光(近场光)405的各自的强度分布,得到近场光发光部404的位置信息和表面形状的信息。然后，根据磁场发生部402的位置信息和近场光发光部404的位置信息进行磁场发生部402与近场光发光部404的位置关系的测定(侧长)(S507)，验证磁场发生部402与近场光发光部404的间隔是否以预定的间隔形成。接下来，验证是否还有要测定的地方(S508)，在还有要测定的地方的情况下以上升的状态由Z台104使悬臂10向下一个头的测定位置移动(S509)，重复从S504开始的动作。另一方面，在没有还要测定的地方的情况下，以由Z台104使悬臂10上升的状态，由未图示的操作单元取出测定结束后的遮板40并收纳于回收托盘(S510)。接下来，验证未图示的供给托盘中是否有未检查的遮板40 (S511)，在有未检查的遮板40的情况下，返回S501，将未检查的遮板40从供给托盘(未图示)中取出(S512)，向检查台101输送而执行从S501开始的步骤。另一方面，在供给托盘中没有未检查的遮板40的情况，结束测定(S513)。根据本实施例，在热辅助磁头元件检查装置100中能够以悬臂10进行I次扫描来检测从形成在遮板40上的热辅助磁头元件401发生的写入磁场(交变磁场)和热辅助光(近场光)，能在制造工序的上游并在比较短的时间内进行检查。另外，作为探针4，能够使用由将硅、氧化硅、氮化硅、高密度碳(HDC :DLC)、碳纳米管(CNT)、碳纳米纤维(CNF)、钨(W)中的某种作为材料的细线形成的材料。此外，在上述的实施 例中，以在形成于探针4的正面侧的磁性膜2之上形成了贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3的结构进行了说明，但本实施例并不限于此。例如，即使使用不形成微粒子或者薄膜3仅形成磁性膜2的探针4，与上述实施例中说明的情况相比检测信号的电平稍稍变低，但也能通过热辅助光(近场光)从探针4发生的散射光，能够以悬臂10进行的I次扫描检测从形成于遮板40的热辅助磁头元件401发生的写入磁场(交变磁场)和热辅助光(近场光)。此外，以在探针4的表面将磁性膜2形成为薄膜状的结构的例子进行了说明，但也可以是向探针4掺杂了磁性材料的结构。此外，在上述实施例中将遮板40作为了检查对象，但在本实施例中并不限定于此，也可以将一个一个从遮板40切出的片(浮动块单体或头元件单体)作为检查对象。实施例2图6是示出本发明的第2实施例中的热辅助磁头元件检查装置600的整体的结构的框图。图6所示的热辅助磁头元件检查装置600，具有与实施例1中说明的热辅助磁头元件检查装置100基本上相同的构造。在图6所示的热辅助磁头元件检查装置600的结构中，对于与在图3A中说明的热辅助磁头元件检查装置100的结构共通的部件，附以相同的号码。在实施例2中，与实施例1不同的点是在悬臂10的正上方设置激光光源501，通过激光光源501从悬臂10的上方照射激光，从而通过形成于探针4的表面的贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3使近场光发生，并由检测器515检测照向形成于遮板40的热辅助磁头元件部401而散射后的近场光这一点、以及、不输出从控制部PC30对于近场光发光部404使光辅助光(近场光)405发生的发光用信号或者激光这一点。在实施例2中，如图7A所示，通过从控制部PC30中振荡出的励磁信号311使热辅助磁头元件部401的写入磁场发生部402发生写入磁场403，由悬臂10扫描而计测写入磁场403的强度分布的情况，与在实施例1中使用图4A说明的情况相同。这样，通过计测写入磁场发生部402发生的写入磁场403的强度分布，能够确定写入磁场发生部402的位置。根据该确定后的写入磁场发生部402的位置信息，能够推定近场光发光部404的位置。另一方面，如图7B所示，在本实施例中，不从控制部PC30对近场光发光部404供给实施例1中的那样的近场光发光用的信号或者激光，而是通过从激光光源501发射的激光，从形成于探针4的表面的薄膜磁性体2之上的贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3发生的近场光，向热辅助磁头元件部401的表面照射。在本实施例中，这样检测近场光发光部404、磁场发生部402的表面状态,但这时，悬臂10被Z台104定位于Z方向，以使悬臂10，从振动时的最低点Hf接触在遮板40上形成的热辅助磁头元件部401的记录面410的状态离开数IOnm的位置(高度)之间，将悬臂10的磁性膜2以及贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3形成于表面的探针4的前端部位于能够使来自热辅助磁头兀件部401的磁场信号和近场光的检测信号最大、分辨率良好地进行检测的高度。这样，在实施例2中，在检测来自磁场发生部402的写入磁场时和检测近场光时，控制Z台，切换悬臂的高度。悬臂10，在与遮板40的头的记录面410平行的平面上在数百nm 数μ m的范围内进行扫描。在该实施例中，通过由X台106以及Y台107移动遮板40而进行扫描。形成于探针4的前端的磁性膜2之上的贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3,由于照射了从激光光源501发射激光的,而发生近场光。该发生的近场光，通过由悬臂10扫描遮板40，悬臂10的探针4的前端部分41在热辅助磁头元件部401的记录面410上散射。该近场光的散射的程度，根据热辅助磁头元件部401的记录面410的形状的不同而不同，所以在探针4通过近场光发光部404及其近旁、写入磁场发生部402及其近旁时和通过记录面410上其它的平坦区域时，从探针4的前端部分41发生的近场光505的散射的进行方式不同。通过由光检测器515检测该散射光506而求解散射光的强度分布,能够检查热辅助磁头元件部401的近场光发光部404与磁场发生部402的表面形状以及位置关系。在本实施例中， 在检测来自磁场发生部402的写入磁场时和检测近场光时，切换悬臂的高度而对遮板40的头的记录面410上的相同区域进行两次扫描。根据通过图7A中说明的方法求出的磁场发生部402的位置信息、和通过图7B中说明的方法求出的近场光发光部404与磁场发生部402的位置关系，能够求解近场光发光部404的位置信息。根据本实施例，即使不使用使近场光发光部404发光的手段，也能求解近场光发光部404的位置信息。具有能够在制造工序过程中的尽早阶段中，进行热辅助磁头元件的写入磁场的强度分布、写入磁场发生部和近场光发光部的表面形状的检查以及二者的位置关系的测定的效果。在上述的实施例1以及2中说明的悬臂10的探针4是以成角锥形状的例子进行了说明，但本发明并不限于此，作为探针4，能够使用由将与杆I不同材质的氧化硅、氮化娃、高密度碳(HDC :DLC)、碳纳米管(Carbon Nano Tube :CNT)、或碳纳米纤维(Carbon NanoFiber :CNF)、钨(W)等的某种作为材料的细线而形成的探针。此外贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3，从图1B以及图2B所示的正面一侧形成于作为探针4的碳纳米管或者碳纳米纤维的表面即可。此外，如图2C所示，也可以从背面一侧形成。此外，用在探针4的表面将磁性膜2形成为薄膜状的例子进行了说明，但也可以是向探针4掺杂了磁性材料的结构。进而，在上述的实施例中，用在形成于探针4的正面侧的磁性膜2之上形成有贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3的结构进行了说明，但本实施例不限于此。例如，即使使用不形成微粒子或者薄膜3仅形成磁性膜2的探针4，与上述实施例中说明的情况相比检测信号的电平稍稍变低，但也能够检测接受从悬臂10的上方照射的激光通过形成于探针4的正面侧的磁性膜而发生近场光，照到热辅助磁头元件部401而散射后的光(散射光)。由此，能够以悬臂10进行的I次扫描来检测从形成于遮板40的热辅助磁头元件401发生的写入磁场(交变磁场)和基于照射到热辅助磁头元件部401的近场光的散射光。另外，在上述实施例中，说明了在遮板的状态下检查磁头元件的请，但本发明不限于此，在例如将磁头元件从遮板一个一个切离而成的片(浮动块或头元件单体)的状态下，也能用实施例2中说明过的热辅助磁头元件检查装置来测定并检测从磁头元件发生的近场光所产生的散射光和磁场这 两者。实施例3根据图8A以及图SB，对本发明的实施例3中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂10的概略的结构进行说明。图8A是示出本实施例中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂210的概略的结构的侧视图，图8B是示出悬臂310的概略的结构的侧视图。在图8A中，能够测定近场光和磁场这两者的悬臂210及悬臂310，在板状的杆I的前端部形成呈四面体构造的探针4。杆I和探针4由硅(Si)形成。在杆I和探针4的正面侧形成有薄的磁性膜2 (例如Co、N1、Fe、NiFe、CoFe, NiCo等)，在磁性膜2的表面形成有能够变换光的波长的材料(荧光材料(例如掺杂了稀土类离子的陶瓷材料、稀土类和钡的复合氯化物材料等)、能发生高频波的材料(例如对硝基苯胺(pNA)、PDA (PolyDiallymethylammonium)纳米结晶等)或者能发生拉曼散射的材料(例如，腺嘌呤纳米结晶、偶氮苯纳米结晶等有机纳米结晶体、或生物体分子、半导体等))的微粒子或者薄膜801。悬臂210具备杆I和探针4、薄的磁性膜2、能变换光的波长的材料的粒子或者薄膜801，成为能够测定近场光和磁场这两者的结构。在图SB中，能够测定近场光和磁场这两者的悬臂210及悬臂310，在板状的杆I的前端部形成呈四面体构造的探针4。杆I和探针4由硅(Si)形成。在杆I和探针4的正面侧形成有薄的磁性膜2 (例如Co、N1、Fe、NiFe、CoFe, NiCo等)，在磁性膜2的表面形成有贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3，在贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3的间隙或者表面形成有能够变换光的波长的材料(荧光材料(例如掺杂了稀土类离子的陶瓷材料、稀土类和钡的复合氯化物材料等)、能够发生高频波的材料(例如对硝基苯胺(pNA)、PDA (PolyDiallymethylammonium)纳米结晶等)或者能够发生拉曼散射的材料(例如，腺嘌呤纳米结晶、偶氮苯纳米结晶等有机纳米结晶体、或生物体分子、半导体等))的微粒子或者薄膜801。悬臂310具备杆I和探针4、薄的磁性膜2、贵金属的粒子或者薄膜3、和能够变换光的波长的材料的粒子或者薄膜801，成为能够测定近场光和磁场这两者的结构。本实施例中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂210的各部分的作用如下。能够测定近场光和磁场这两者的悬臂210，作为悬臂的结构，与一般的扫描型探头显微镜中的悬臂在形状上相同，但在本实施例中，为了能够测定近场光和磁场这两者，形成于悬臂210的杆I的前端的探针4的表面的薄的磁性膜2，决定测定磁场时的灵敏度和分辨率，在测定磁场时感知被测定物的磁场。此外，能够变换光的波长的材料的粒子或者薄膜801，在探针4照到近场光时，变换近场光带来的散射光的波长，使与近场光不同波长的散射光发生。本实施例中的能够测定近场光和磁场这两者的悬臂310的各部分的作用如下。能够测定近场光和磁场这两者的悬臂310，作为悬臂的结构，与一般的扫描型探头显微镜中的悬臂在形状上相同，但在本实施例中，为了能够测定近场光和磁场这两者，形成于悬臂310的杆I的前端的探针4的表面的薄的磁性膜2，决定测定磁场时的灵敏度和分辨率，在测定磁场时感知被测定物的磁场。此外，贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3，在探针4照到近场光时由于局部存在型表面等离子体增强效应，增强近场光带来的散射光。此夕卜，能够变换光的波长的材料的粒子或者薄膜801，变换增强后近场光带来的散射光的波长，使与近场光不同波长的散射光发生。接下来，基于图9A至图9C，说明能够测定本发明的实施例3中的近场光和磁场这两者的悬臂310的制造方法。首先，如图9A所示，形成杆I并在杆I的前端部分形成呈四面体构造的探针4。接下来，从探针4的正对面一侧，对杆I和探针4涂敷磁性膜2。作为涂敷磁性膜2的手段，使用真空蒸镀装置、或者溅射装置即可。磁性膜的成模量由实际测定对象的磁场强度和尺寸决定，但一般为IOnm 40nm。磁性体的材料根据测定目的选择N1、Fe、NiFe、CoFe、NiCo等软磁性材料，也选择Co、Al-Ni — Co、Fe — Pt等硬磁性材料。接下来，如图9B所示，在探针4的涂敷了磁性膜2的面上，从正面一侧，形成贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3，完成能够测定近场光和磁场这两者的悬臂10。微粒子或者薄膜3的材料以Au、Pt、Cu、Ag等为首，为贵金属或者含有贵金属的合金材料。薄膜的膜厚为I 20nm。能够将形成该微粒子或者薄膜3的面，在图2C中作为悬臂10’所示地，从斜后方的两方向加着角度地进行附加。在这种情况下，微粒子或者薄膜3的材料也是以Au、Pt、Cu、Ag等为首的贵金属或者含有贵金属的合金材料。在该合金材料为薄膜的情况下，膜厚为I 20nm,在为微粒子的情况下,其直径为I 20nm。
接下来，如图9C所示，在上述贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3的间隙或者表面形成能够变换光的波长的材料的粒子或者薄膜801，完成能够测定近场光和磁场这两者的悬臂310。能够变换光的波长的材料微粒子或者薄膜801的材料，是荧光材料(例如掺杂了稀土类离子的陶瓷材料、稀土类和钡的复合氯化物材料等)、能够发生高频波的材料(例如对硝基苯胺(pNA)、PDA (Poly Dial lymethy lammonium)纳米结晶等)、能够发生拉曼散射的材料(例如，腺嘌呤纳米结晶、偶氮苯纳米结晶等有机纳米结晶体、或生物体分子、半导体等)。在该材料为薄膜时膜厚为I 20nm，在为微粒子时，其直径为I 20nm。悬臂210的制造方法是在悬臂310的制造方法的基础之上去除贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3。图1OA是本实施例中的热辅助磁头元件检查装置1000的基本性的结构图。图1OA所示的热辅助磁头元件检查装置1000与实施例1中用图3A以及图3B说明的热辅助磁头元件检查装置100，除悬臂210、310的结构在将滤镜1015设于检测器115的结构以外是相同的，对相同的部件附加相同的号码。与实施例1中说明的检查装置共同的结构，省略说明。此外，在图5中说明的检查顺序的流程也是共通的，所以省略说明。图1lA以及图1lB是示出图1OA所示的热辅助磁头元件检查装置100进行的磁场和近场光的检测原理的概略的图，是放大形成于遮板40的热辅助磁头元件部401的写入磁场发生部402和热辅助光(近场光)发光部404的结构，与悬臂210 —起不出的图。如图1lA所示，悬臂10由Z台104定位，以在从振动时的最低点Hf与形成于遮板40的热辅助磁头元件部401的表面接触的状态离开数IOnm的位置(高度)之间，使形成了能够变换波长的材料的粒子或者薄膜801的探针4的前端部41，位于来自热辅助磁头元件部401的磁场信号和近场光的检测信号最大、能够以很好的分辨率检测的高度。悬臂10，对与遮板40的头的记录面410平行的平面在数百nm 数μ m的范围内扫描。在该实施方式 中，遮板40被X台106以及Y台107移动。这时，热辅助磁头元件部401，供给从图1OA所示的控制部PC30输出的励磁信号和发光用信号301或者直接供给激励用激光，热辅助磁头元件部401的写入磁场发生部402发生写入磁场(交变磁场)403，近场光发光部404使热辅助光(近场光)405发光。在悬臂210被加振部122加诸了振动的状态下，通过使载置了遮板40的X台106利用由压电驱动器107控制的压电元件(未图示)以恒定的速度在X方向上移动，从而如果悬臂210的磁性体2和将能够变换波长的材料的粒子或者薄膜801形成于表面的探针4进入由写入磁场发生部402发生的写入磁场403之中，则形成于探针4的表面的薄膜的磁性体2被磁化，探针4受到磁力，从而悬臂210的振动状态变化。用图10的变位传感器110检测该振动的变化。S卩，如果悬臂210的振动状态改变，则从半导体激光元件109发射、由悬臂210反射的激光对变位传感器110的4分后的受光面的入射位置将变化。通过有差动放大器111检测该变位传感器110的输出，能够检测悬臂210的振动状态的变化。其结果是能够检测热辅助磁头元件部401的磁场发生部402发生的写入磁场403的强度分布。另一方面，如图1lB所示，在悬臂210通过加振部122对于遮板40的表面410在上下方向加诸振动的状态下，如果由于使载置遮板40的X台106以恒定的速度在X方向上移动，从而探针4到达由近场光发光部404发生近场光405的区域，则通过形成于探针4的表面的磁性膜3之上的能够变换光的波长的材料的粒子或者薄膜801，近场光405带来的散射光406被变换波长,使与近场光不同波长的散射光1106发生。仅该散射光1106的光,通过配置于悬臂210的近旁的滤镜1015，由光检测器115检测。如此，能够在与近场光发光部404离得比较远的地方检测从热辅助磁头元件部401的近场光发光部404向该近场光发光部404的极近区域发生的近场光。进而，还能测定热辅助磁头元件部401的磁场发生部402发生的写入磁场(交变磁场)403与从近场光发光部404发生的热辅助光(近场光)405的位置关系。此外，在测定之际，先检查容易检测磁头元件部401的磁场发生部402发生的写入磁场(交变磁场)403，根据头元件的设计信息，能够进行推测近场光发光部404的位置这样的高速校准。(实施例1 3共通)具有能够在制造工序过程中的尽早阶段，进行热辅助磁头元件的写入磁场和近场光的强度分布的检查以及二者的位置关系的测定的效果。图12A以及图12B是示出图1OA所示的热辅助磁头元件检查装置100进行的磁场和近场光的检测原理的概略的图，是放大形成于遮板40的热辅助磁头元件部401的写入磁场发生部402和热辅助光(近场光)发光部404的结构、与悬臂310 —起不出的图。如图12A所示，悬臂310由Z台104定位，以在从振动时的最低点Hf与形成于遮板40的热辅助磁头元件部401的表面接触的状态离开数IOnm的位置(高度)之间，使悬臂310的磁性膜2、贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3以及形成了能够变换波长的材料的粒子或者薄膜801的探针4的前端部41，位于来自热辅助磁头元件部401的磁场信号和近场光的检测信号最大、能够以很好的分辨率检测的高度。悬臂310，对与遮板40的头的记录面410平行的平面在数百nm 数μ m的范围内扫描。在该实施方式中，由X台106以及Y台107移动遮板40。这时，热辅助磁头元件部401供给从图1OA所示的控制部PC30输出的励磁信号和发光用信号301或者直接供给激励用激光，热辅助磁头元件部401的写入磁场发生部402发生写入磁场(交变磁场)403，近场光发光部404使热辅助光(近场光)405发光。在悬臂310被加振部122加诸了振动的状态下，通过使载置了遮板40的X台106利用由压电驱动器107控制的压电元件(未图示)以恒定的速度在X方向上移动，从而如果悬臂210的磁性体2和贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3和将能够变换波长的材料的粒子或者薄膜801形成于表面的探针4进入由写入磁场发生部402发生的写入磁场403之中，则形成于探针4的表面的薄膜的磁性体2被磁化，探针4受到磁力，从而悬臂310的振动状态变化。用图1OA的变位传感器110检测该振动的变化。即，如果悬臂310的振动状态改变，则从半导体激光元件109发射、由悬臂310反射的激光对变位传感器110的4分后的受光面的入射位置将变化。通过有差动放大器111检测该变位传感器110的输出，能够检测悬臂310的振动状态的变化。其结果是能够检测热辅助磁头元件部401的磁场发生部402发生的写入磁场403的强度分布。另一方面，如图12B所示，在悬 臂210通过加振部122对于遮板40的表面410在上下方向加诸振动的状态下，如果由于使载置遮板40的X台106以恒定的速度在X方向上移动，从而探针4到达由近场光发光部404发生近场光405的区域，则基于探针4的表面的磁性膜3之上形成的贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3的局部存在型表面等离子体增强效应，近场光405的散射光406增强。进而，通过形成于贵金属(例如金、银、钼等)或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3的间隙或者表面的能够变换光的波长的材料的粒子或者薄膜801，增强后的近场光带来的散射光被变换波长，使与近场光不同波长的散射光发生。仅该散射光1106的光,通过配置于悬臂310的近旁的滤镜1015，由光检测器115检测。如此，能够在与近场光发光部404相距较远的地方检测从热辅助磁头元件部401的近场光发光部404向该近场光发光部404的极近的区域发生的近场光。进而，也能测定热辅助磁头元件部401的磁场发生部402发生的写入磁场(交变磁场)403与从近场光发光部404发生的热辅助光(近场光)405的位置关系。此外，在测定之际，先检查容易检测磁头元件部401的磁场发生部402发生的写入磁场(交变磁场)403，根据头元件的设计信息，能够进行推测近场光发光部404的位置这样的高速校准。这也是实施例1至3共通的效果。具有能够在制造工序过程中的尽早阶段，进行热辅助磁头元件的写入磁场和近场光的强度分布的检查以及二者的位置关系的测定的效果。另外，在上述的实施例中，以在形成于探针4的正面侧的磁性膜2之上形成了贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜3，在其之上形成了能够变换光的波长的材料的微粒子或者薄膜801的结构进行了说明，但本实施例并不限于此。例如，即使使用不形成微粒子或者薄膜3而在磁性膜2之上形成有能够变换直接波长的材料的微粒子或者薄膜801的探针4，虽与上述实施例中说明的情况相比检测信号的电平稍稍变低，但能够由热辅助磁头元件部401发生的近场光检测从探针4发生的散射光。由此能够以悬臂10进行的
I次扫描检测从形成于遮板40的热辅助磁头元件401发生的写入磁场(交变磁场)和从热辅助磁头元件401发生的近场光带来的散射光。另外，在上述实施例中，说明了在遮板的状态下检查磁头元件的情况，但本发明不限于此，在例如将磁头元件从遮板一个一个切离而成的片(浮动块或头元件单体)的状态下，也能用热辅助磁头元件检查装置1000来测定并检查从磁头元件发生的近场光所产生的散射光和磁场这两者。本发明可以被实施为其它特定的形式，而不脱离其精神或实质特性。因此，本实施例将在所有方面被认为是示出性的而非限制性的，本发明的范围由所附的权利要求书指示，而不是由前面的说明书指示，并且因此落入权利要求书的等效物的含义和范围之内的所有变化预期包含在其内。
权利要求
1.一种扫描探头显微镜的悬臂，其特征在于，具有 由板状的部件材料形成的杆、和 形成于该杆的前端部分的探针， 在该探针的表面形成有磁性膜，在该磁性体膜的表面形成有贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜，计测试样表面的磁场和近场光。
2.根据权利要求1所述的扫描探头显微镜的悬臂，其特征在于，在所述贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜之上，形成变换入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜。
3.根据权利要求1或者2所述的扫描探头显微镜的悬臂，其特征在于，所述贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜是金、银、钼或者含有这些的合金的微粒子或者薄膜。
4.一种扫描探头显微镜的悬臂,其特征在于,具有 由板状的部件材料形成的杆、和 形成于该杆的前端部分的探针， 在该探针的表面形成有磁性膜，在该磁性体膜的表面形成有变换入射的光的波长变换而使之出射的材料的微粒子或者薄膜，计测试样表面的磁场和近场光。
5.根据权利要求1或者4所述的扫描探头显微镜的悬臂，其特征在于，在所述杆中，由不同的材料形成所述板状的部件材料和所述探针。
6.根据权利要求5所述的扫描探头显微镜的悬臂，其特征在于，所述探针由碳纳米管或者碳纳米纤维、氧化硅、高密度碳(HDC :DLC)、钨(W)形成。
7.一种扫描探头显微镜的悬臂的制造方法，其特征在于， 在将探针形成于板状的部件材料的前端部的杆的所述探针的表面，形成薄膜状的磁性体膜， 在形成于该探针的表面的磁性体膜的表面形成贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜，其中 所述扫描探头显微镜通过所述悬臂计测试样表面的磁场。
8.根据权利要求7所述的扫描探头显微镜的悬臂的制造方法，其特征在于， 在形成于所述磁性体膜的表面的贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜之上，还形成变换入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜。
9.一种扫描探头显微镜的悬臂的制造方法，其特征在于， 在将探针形成于板状的部件材料的前端部的杆的所述探针的表面形成薄膜状的磁性体膜， 在形成于该探针的表面的磁性体膜的表面还形成变换入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜，其中 所述扫描探头显微镜通过所述悬臂计测试样表面的磁场。
10.一种检查热辅助磁头元件的检查装置，其特征在于，具备以下部分 载置作为试样的热辅助磁头元件并在平面内能够移动的工作台单元； 具备扫描载置于该工作台单元的试样的表面的探针，在该探针的表面形成有磁性膜的悬臂； 使该悬臂对于所述试样的表面在上下方向上振动的振动驱动单元；通过向由该振动驱动单元振动的所述悬臂的形成所述探针的一侧的相反侧的面照射光而检测来自所述悬臂的反射光，从而检测所述悬臂的振动的变位检测单元；输出用于使交变磁场从所述热辅助磁头元件的磁场发生部发生并且使近场光从近场光发光部发生的信号的信号输出单元；检测由于根据从该信号输出单元输出的信号从所述热辅助磁头元件的所述近场光发光部发生的近场光而从所述悬臂的形成磁性膜的探针的表面发生的散射光的散射光检测单元；以及处理由所述变位检测单元检测得到的信号和由所述散射光检测单元检测所述散射光得到的信号，检查从所述热辅助磁头元件的所述近场光发光部发光的近场光的强度分布、所述近场光发光部的表面形状、磁场发生部与近场光发光部的位置关系中的至少一个的处理单元。
11.根据权利要求10所述的热辅助磁头元件的检查装置，其特征在于，所述悬臂的探针，在所述磁性膜的表面形成有贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜，通过使所述探针接近使所述近场光发生的试样的表面，利用所述近场光使散射光从所述贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜发生。
12.根据权利要求10所述的热辅助磁头元件的检查装置，其特征在于，在形成于所述悬臂的探针的表面的磁性膜之上，形成有变换入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜，通过使所述探针接近使所述近场光发生的试样的表面，对于从所述探针的表面的磁性膜发生的散射光，利用变换所述入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜，使与所述近场光不同的波长的散射光发生。
13.根据权利要求10所述的热辅助磁头元件的检查装置，其特征在于，在形成于所述悬臂的探针的表面的磁性膜之上形成有贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜，在该贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜之上形成有变换入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜，由变换所述入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜，变换通过使所述探针接近使所述近场光发生的试样的表面而从形成于所述探针的贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜发生的散射光的波长，发生与所述近场光不同的波长的散射光，由所述散射光检测单元检测该发生的散射光。
14.一种检查热辅助磁头元件的检查装置，其特征在于，具备以下部分载置作为试样的热辅助磁头元件并在平面内能够移动的工作台单元；具备扫描载置于该工作台单元的所述试样的表面的探针，在该探针的表面形成有磁性膜的悬臂；使该悬臂对于所述试样的表面在上下方向上振动的振动驱动单元；通过向由该振动驱动单元振动的所述悬臂的形成所述探针的一侧的相反侧的面照射光而检测来自所述悬臂的反射光，从而检测所述悬臂的振动的变位检测单元；输出用于使交变磁场从所述热辅助磁头元件的磁场发生部发生的信号的信号输出单元;向所述悬臂照射激光激光照射单元；根据从由该激光照射单元照射激光的悬臂的探针所发生的近场光检测从所述试样的表面发生的散射光的散射光检测单元；以及处理由所述变位检测单元检测得到的信号和由所述散射光检测单元检测从所述试样的表面发生的散射光得到的信号，检查所述试样的发生所述散射光的部分的表面形状、所述磁场发生部与所述近场光发光部的位置关系的至少任意一个的处理单元。
15.根据权利要求14所述的检查热辅助磁头元件的检查装置，其特征在于，所述悬臂的探针，在表面形成有磁性膜，在该磁性膜的表面形成有贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜，基于由所述激光照射单元照射的激光，通过所述贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜发生所述近场光。
16.根据权利要求14所述的检查热辅助磁头元件的检查装置，其特征在于，所述悬臂的探针由将氧化硅、氮化硅、高密度碳(HDC :DLC)、碳纳米管(CNT)、碳纳米纤维(CNF)、钨(W)中的某种作为材料的细线形成。
17.—种检查热辅助磁头元件的方法，其特征在于， 将作为试样的热辅助磁头元件载置于扫描探头显微镜装置的在平面内能够移动的工作台单元； 使交变磁场从所述试样的磁场发生部发生并且使近场光从近场光发光部发生； 通过在使具有在表面形成有磁性膜的探针的扫描探头显微镜的悬臂在所述试样的表面的近旁上下地振动的状态下使所述工作台在平面内移动，检测从热辅助磁头元件发生的所述交变磁场和所述近场光带来的散射光； 使用该检测出的交变磁场的发生位置信息和基于该检测出的散射光的所述近场光的发生位置信息，检查从形成于所述遮板的热辅助磁头元件的所述近场光发光部发光的近场光的强度分布、所述近场光发光部的表面形状、磁场发生部与近场光发光部的位置关系中的至少一个。
18.根据权利要求17所述的检查热辅助磁头元件的方法，其特征在于，在所述上下地振动的悬臂的探针的所述磁性膜的表面形成有贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜，通过使所述探针接近从所述热辅助磁头元件的近场光发光部发生的近场光，使由形成于所述探针的微粒子或者薄膜增强的散射光发生，并检测该增强后的散射光，从而得到所述近场光的强度分布、所述近场光发光部的表面形状、磁场发生部与近场光发光部的位置关系的信息。
19.根据权利要求17所述的检查热辅助磁头元件的方法，其特征在于，在所述上下地振动的悬臂的探针的所述磁性膜的表面形成有变换入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜，通过使所述探针接近从所述热辅助磁头元件的近场光发光部发生的近场光，从形成于所述探针的微粒子或者薄膜发生与所述近场光的波长不同的波长的散射光，通过检测该散射光，得到所述近场光的强度分布、所述近场光发光部的表面形状、磁场发生部与近场光发光部的位置关系的信息。
20.根据权利要求17所述的检查热辅助磁头元件的方法，其特征在于，在所述上下地振动的悬臂的探针的所述磁性膜的表面形成有贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜，在该微粒子或者薄膜之上形成有变换入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜，通过使所述探针接近从所述热辅助磁头元件的近场光发光部发生的近场光，使由形成于所述探针的微粒子或者薄膜增强的散射光发生，通过变换所述入射的光的波长而使之出射的材料的微粒子或者薄膜，变换该发生的散射光的波长而使之出射，通过检测变换该波长而使之出射的散射光，得到所述近场光的强度分布、所述近场光发光部的表面形状、磁场发生部与近场光发光部的位置关系的信息。
21.一种检查热辅助磁头元件的方法，其特征在于，将作为试样的热辅助磁头元件载置于扫描探头显微镜装置的在平面内能够移动的工作台单元；使交变磁场从所述试样的磁场发生部发生并且向具有在表面形成有磁性膜的探针的扫描探头显微镜装置的悬臂照射激光而使近场光从近场光发光部发生；通过在使所述悬臂在所述试样的表面的近旁上下地振动的状态下使所述工作台在平面内移动，检测从热辅助磁头元件发生的所述交变磁场，并检测从所述发生的近场光的近旁的所述热辅助磁头元件发生的散射光；使用该检测出的交变磁场的发生位置信息和检测由于所述近场光而发生的散射光而得到信息，检查所述试样的所述磁场发生部和近场光发光部的表面形状以及位置关系。
22.根据权利要求21所述的检查热辅助磁头元件的方法，其特征在于，在所述上下地振动的悬臂的探针的所述磁性膜的表面形成有贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜，通过向所述悬臂照射所述激光，而使所述近场光从所述贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜发生。
23.根据权利要求17或者21所述的检查热辅助磁头元件的方法，其特征在于，检测形成于所述上下地振动的悬臂的探针的表面的磁性膜，通过由所述热辅助磁头元件的磁场发生部发生的交变磁场时，受到该交变磁场的影响而发生的所述悬臂的振动的变化，从而得到所述磁场发生部的位置信息。
全文摘要
为了测定热辅助磁头发生的近场光和磁场这两者、能进行热辅助磁头检查，将扫描探头显微镜的悬臂构成为具备在板状的部件材料的前端部形成探针的杆、在杆的探针的表面形成为薄膜状的磁性体膜、形成于磁性体膜的表面的贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜，将检查热辅助磁头元件的检查装置构成为具备所述悬臂、检测悬臂的振动的变位检测单元、检测从近场光发光部发生并有悬臂的探针的贵金属或者含有贵金属的合金的微粒子或者薄膜增强的近场光带来的散射光的近场光检测单元、处理由变位检测单元和近场光检测单元检测而得的信号的处理单元。
文档编号G11B5/455GK103050129SQ20121038508
公开日2013年4月17日 申请日期2012年10月12日 优先权日2011年10月13日
发明者张开锋, 广濑丈师, 渡边正浩, 中込恒夫, 本间真司, 徳富照明, 中田俊彦, 立崎武弘 申请人:株式会社日立高新技术