专利名称：制造热辅助磁记录头的方法和对准装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种制造在将近场光施加于磁记录介质以降低其矫顽力从而记录信息的热辅助磁记录头中所使用的热辅助磁记录头的方法，以及使用于此的对准装置。
背景技术：
现有技术中的磁盘装置用于读写磁信息(以下，简称为信息)。磁盘装置在其壳体内设置有存储信息的磁盘和将信息记录入磁盘并再现磁盘中所存储的信息的磁读写头。磁盘被固定于壳体的主轴电机的转轴支撑，并绕着转轴旋转。另一方面，磁读写头形成在设置于悬架一端的磁头滑块的侧面上，并且磁读写头包括具有面向磁盘的气垫面(airbearingsurface, ABS)的磁写入元件和磁读取元件。具体而言，作为磁读取元件，通常使用表现出磁阻效应的磁阻(MR)元件。悬架的另一端附着于被由直立安装在壳体内的固定轴可旋转地支撑的臂的边缘。当磁盘装置不在运行时，即当磁盘不旋转时，磁读写头不位于磁盘的上方并待避在远离磁盘的位置(卸载状态)。当磁盘装置被驱动且磁盘开始旋转时，磁读写头变成磁读写头与悬架一起位于磁盘上方的预定位置的状态(装载状态)。当磁盘的转数达到预定数时，由于正压和负压的平衡磁头滑块在轻微浮动在磁盘的表面上方的状态下稳定。因此，信息被准确地记录和再现。近年来，随着磁盘的更高记录密度(更高容量)的进步，已经要求对磁读写头和磁盘性能进行改进。磁盘是包含聚集的磁性微粒的不连续介质，各磁性微粒具有单畴(single-domain)结构。在磁盘中，一个记录位(bit)由多个磁性微粒构成。由于为了提高记录密度而必须使相邻记录位之间的边界的凹凸小，因此需要缩小磁性微粒。然而，如果磁性微粒的尺寸小，磁性微粒磁化的热稳定性会随着磁性微粒体积的减小而降低。为了解决该问题，增加磁性微粒的磁各向异性能是有效的。然而，增加磁性微粒的磁各向异性能会导致磁盘的矫顽力的增加。其结果是，使用现有的磁头来进行信息记录时会出现困难。作为解决上述难题的方法，已经提出了所谓的热辅助磁记录。在该方法中，使用具有大矫顽力的磁记录介质，当写入信息时，热与磁场一起施加于记录信息的磁记录介质的部分以增加温度和降低矫顽力，从而写入信息。以下，将在热辅助磁记录中所使用的磁头称为热辅助磁记录头。在热辅助磁记录中，近场光通常用于将热施加于磁记录介质。作为产生近场光的方法，通常已知的有使用是金属片的近场光探头即所谓的等离子体发生器的方法。在等离子体发生器中，等离子体由来自于外界的入射光的激发而产生，结果是产生近场光。对于要求从外界提供入射光的光源的布置，目前已经提出了各种结构。申请人已经提出了具有“复合滑块结构”的热辅助磁记录头，其中，包含激光振荡器的光源单元接合于形成有与ABS的表面相对的磁写入元件的滑块的表面。“复合滑块结构”公开在美国专利申请公开第2008/043360号的说明书以及美国专利申请公开第2009/052078号的说明书中。在利用等离子体发生器进行热辅助磁记录的方法中，将足够强度的光稳定地提供给磁记录介质上的期望的位置是重要的。因此，有必要确保将光源单元固定于滑块的高对准精度。对准精度的降低会引起相对于磁记录介质的加热效率的降低，这在热辅助磁记录中是严重的问题。出于该原因，期望提供一种能够容易且精确地制造写入效率良好的热辅助磁记录头的方法。此外，也期望提供一种适用于这样的制造热辅助磁记录头的方法的对准装置。
发明内容
根据本发明的实施方式的制造热辅助磁记录头的方法包括下列(Al) (A4)的步骤:(Al)准备包括光源的光源单元；(A2)准备其上具有热辅助磁记录头部的基体，该热辅助磁记录头部包括磁极、等离子体发生器和光波导；(A3)在光源单元与基体之间设置金属，并且使该金属熔融；以及(A4)维持金属熔融，并且在施加使光源单元与基体相互靠近的方向上的压力下，进行光源单元与热辅助磁记录头部之间的对准。在根据本发明实施方式的制造热辅助磁记录头的方法中，光源单元与基体之间的对准在这样的状态下进行，即在施加在使光源单元与基体相互靠近的方向上的压力下，处于熔融状态的金属插入在光源单元与基体之间。因此，在确保光源与光波导之间的高对准精度的同时，进一步减小光源与光波导之间的相对距离。其结果是，可以在降低的功耗下获得表现出更加优异的操作特性的热辅助磁记录头。根据本发明的实施方式的制造热辅助磁记录头的装置用于制造包括基体和光源单元的热辅助性磁记录头，该基体在其上具有包括磁极、等离子体发生器和光波导的热辅助磁记录头部，该光源单元具有光源并利用金属夹在中间而接合到基体，该装置包含下列(BI) (B4):(BI)定位部，调节光源单元与热辅助磁记录头部之间的相对位置；(B2)偏置机构，对光源单元和基体施加在使光源单元和基体相互靠近的方向上的压力；(B3)加热机构，将金属加热至熔融；(B4)控制器，控制定位部、偏置机构和加热机构的操作。根据制造本发明的实施方式的热辅助磁记录头的装置，通过控制器的操作控制，维持金属熔融，在施加使光源单元与基体相互靠近的方向上的压力下，可以调节光源单元与热辅助磁记录头部之间的相对位置。因此，在确保光源与光波导之间的高对准精度的情况下，可以实现使光源与光波导之间的距离减小的接合。其结果是，可以在降低的功耗下获得表现出更加优异的操作特性的热辅助磁记录头。在根据本发明的实施方式的制造热辅助磁记录头的方法中，压力的施加优选持续至熔融金属固化为止，原因是更切实地执行高精度的接合。此外，在金属熔融的状态下，优选使光源单元与基体在与压力施加的方向不同的方向上振动，原因是更加快速地减小光源与基体之间的相对距离。此外，可以在通过吸附部件吸附与所述光源单元和所述基体的接合面相交叉的另一个面的同时，将所述光源单元与所述基体中的一个压向另一个，由此施加所述压力。在这种情况下，优选通过改变吸附部件的吸附力来进行压力的调节，因为这样做，例如消除了将过多的压力施加到基体和光源单元的可能性。此外，优选地，所设置的光源单元包含其上安装有光源的支撑部件，并且进行支撑部件与基体之间的金属的插入，接着激光施加到支撑部件以使金属熔融。这是因为可以实现迅速的接合处理，因而光源单元与滑块之间的相对位置的错误不大可能发生。
图1是示出根据本发明的实施方式的设置有热辅助磁头装置的磁盘装置的结构的立体图。图2是示出图1所示的磁盘装置中的滑块的结构的立体图。图3是示出从图2所示的箭头III的方向看的磁读写头的主要部分的结构的平面图。图4是示出从沿着图3所示的IV-1V线的箭头方向看的磁读写头的结构的截面图。图5是示出在磁读写头部的主要部分中暴露在气垫面的端面的结构的平面图。图6是示出图1所示的整个光源单元的基本结构的立体图。图7是示出磁读写头的主要部分的结构的分解立体图。图8是示出磁读写头的主要部分的结构的另一个立体图。图9是示出磁读写头的主要部分中与气垫面正交的截面的结构的截面图。图10是示出磁读写头的主要部分的平面图。图11是示出制造图1所示的磁头装置的方法中的工序的立体图。图12是示出接在图11的工序后面的工序的立体图。图13是示出接在图12的工序后面的工序的立体14是示出将条状物接合于光学单元的方法的步骤的流程图。图15是示出接在图13的工序后面的工序的立体图。图16是示出接在图15的工序后面的工序的立体图。图17是示出图1所示的磁盘装置的电路结构的框图。图18是用于描述磁读写头的操作的说明图。图19是示出作为制造图1所示的磁头装置的方法的变形的工序的立体图。图20是示出接合效率跟激光二极管与光波导之间的偏移量之间的关系的特性图。实施方式中参照 数字与组件的相应关系在此集中说明。I…壳体，2…磁盘,3…磁头臂组件(HAA), 4…磁头万向节组件(HGA), 4A…磁头装置，4B…悬架，5…臂，6…驱动器，7…固定轴，8…轴承，9…主轴电机，10…磁读写头部，11…滑块，IIA…元件形成面，IlB…背面，IlS…气垫面(ABS)，12…元件形成层，13...绝缘层，14…读取头部，16…写入头部，17...包层，21…下屏蔽层，22...MR元件，23…上屏蔽层，24，25，27，38，39，42…绝缘层，28…下磁轭层，29…前屏蔽，30，36，37…连接层，31L, 31U, 33A, 33B…包层，32，72…波导，34…等离子体发生器，C34…中部，W34…翼部，34A至34C…第I至第3部，34G…尖端缘，34L...下层，34U…上层，341…表面等离子体激活面，344…边缘，35，75…磁极，351…第I层，352…第2层，40A，40B…连接部，41…线圈，43…上磁轭层，45...激光,46...瞬逝光,47...表面等离子体,48，49…边缘等离子体,50…光源单元，51…支撑部件，51A…接合面，51B…侧面，510..光源安装面，58…粘合层，60...激光二极管，61…下电极,62…活性层,63...上电极,64…反射层,65…η型半导体层,66...ρ型半导体层，
70…对准装置，71...吸嘴，72…托架，73…光接收装置，74...控制器，77...激光束，78…按压构件，NF...近场光
具体实施例方式以下，将参考附图详细地说明本发明的优选实施方式。[1.磁盘装置的结构]首先，参照图1和图2，磁盘装置的结构将作为本发明的实施方式在下面进行描述。图1是示出作为实施方式的磁盘装置的内部结构的立体图。磁盘装置采用装载/卸载系统作为驱动系统，在壳体I中包括将要写入信息的作为磁记录介质的磁盘2、以及用于将信息写入磁盘2并读取该信息的磁头臂组件(HAA) 3。ΗΑΑ3设置有磁头万向节组件(HGA) 4、支撑HGA4的基体的臂5、以及作为用于使臂5转动的动力源的驱动器6。HGA4包括根据本实施方式的一个侧面设置有磁读写头部10 (稍后描述)的热辅助磁头装置(以下，简称为“磁头装置”)4Α、以及一端设置有磁头装置4Α的悬架4Β。臂5支撑悬架4Β的另一端(与设置有磁头装置4Α的端部相反的端部)。臂5被配置成通过轴承8可绕着固定于壳体I的固定轴7旋转。驱动器6例如由音圈电机构成。再者，磁盘装置具有多个(图1中为4个)磁盘2，磁头装置4Α与各磁盘2的记录面(正面和背面)对应而设置。各磁头装置4Α可以在横切写入磁道的方向即在与各磁盘2的记录面平行的平面上的磁道宽度方向(X轴方向)上移动。另一方面，磁盘2被配置成`绕着固定于壳体I的主轴电机9在与X轴方向基本正交的旋转方向2R上旋转。随着磁盘2的旋转和磁头装置4Α的移动，信息被写入磁盘2或者从磁盘2读出所储存的信息。此外，磁盘装置具有控制磁读写头部10的写入操作和读取操作并控制作为产生用于热辅助磁记录(稍后描述)的激光光源的激光二极管的发射操作的控制电路(稍后描述)。图2示出图1所示的磁头装置4Α的结构。磁头装置4Α具有例如由Al2O3-TiC(AlTiC)制成的块状滑块11。滑块11大体形成为例如六面体，其一个表面对应于与磁盘2的记录面相对且靠近设置的ABS11S。当没有驱动磁盘装置时，即当主轴电机9停止且磁盘2不旋转时，磁头装置4Α待避在远离磁盘2的位置(卸载状态)，以防止ABSllS与记录面的接触。相反，当启动磁盘装置时，磁盘2开始绕着主轴电机9高速旋转，臂5通过驱动器6而绕着固定轴7可转动地移动。因此，磁头装置4Α在磁盘2的正面的上方移动，处于装载状态。磁盘2的高速旋转引起记录面与ABSllS之间的气流，由气流引起的升力造成磁头装置4Α浮动以沿着与记录面正交的方向(Y轴方向)保持一定距离(磁间隙)MS (在稍后描述的图5中)的状态。此外，在元件形成面IlA即与ABSllS正交的一个侧面上，设置有磁读写头部10。再者，在与滑块11的ABSllS相反的面IlB上，光源单元50被设置成靠近磁读写头部10。[2.磁读写头部的详细结构]
接着，将参照图3至图5，更详细地描述磁读写头部10。图3是从图2所示的箭头III的方向看的磁读写头部10的平面图，图4是示出沿着图3所示的IV-1V线的箭头方向的结构的截面图，图5以放大的方式示出暴露在ABSllS的端面的一部分。磁读写头部10具有包括嵌入到设置在基体11表面上的元件形成层12中并依次层叠在基体11上的绝缘层13、读取头部14、写入头部16和包层17的层叠结构。各读取头部14和写入头部16具有暴露在ABSllS的端面。读取头部14使用磁阻效应(MR)来执行读取处理。读取头部14通过在绝缘层13上依次层叠例如下屏蔽层21、MR元件22和上屏蔽层23而构成。下屏蔽层21和上屏蔽层23分别由软磁金属材料例如NiFe (镍铁合金)形成，并设置成在层叠方向(Z轴方向)上夹着MR元件22而彼此相对。其结果是，下屏蔽层21和上屏蔽层23各自表现出保护MR元件22免受不必要的磁场的影响的功能。MR元件22的一个端面暴露在ABS11S，其另一端面与填充在下屏蔽层21与上屏蔽层23之间的空间的绝缘层24相接触。绝缘层24由绝缘材料例如Al2O3 (氧化铝)、A1N (氮化铝)、SiO2 (二氧化硅)、或DLC (类钻碳)形成。MR元件22起到作为用于读取写在磁盘2中的磁信息的传感器的作用。在本实施方式中，注意到在与ABSllS正交的方向(Y轴方向)上，以MR元件22为基准而朝着ABSllS的方向或者接近ABSllS的位置被称作“前侧”。以MR元件22为基准朝着ABSllS的相反侧的方向或远离ABSllS的位置被称作“后侧”。MR元件22例如是其感应电流在其内侧沿层叠方向流动的CPP (电流垂直平面)-GMR (大磁阻)元件。下屏蔽层21和上屏蔽层23各自起到作为向MR元件22提供感应电流的电极的作用。在带有这样结构的读取头部14中，包含在MR元件22中的自由层(未图示)的磁化方向根据来自于磁盘2的信号磁场而变化。因此，自由层的磁化方向显不相对于同样包含在MR元件22中的钉扎层(未图示)的磁化方向的变化。当使感应电流流过MR元件22时，磁化方向的相对变化表现为电阻的变化。因此，读取头部14利用该变化来检测信号磁场，从而读取磁信息。在读取头部14上，绝缘层25、中间屏蔽层26和绝缘层27依次层叠。中间屏蔽层26起到防止MR元件22受到写入头部16所产生的磁场的影响的作用，由例如软磁金属材料例如NiFe形成。绝缘层25和27例如由与绝缘层24相似的材料形成。写入头部16是执行热辅助磁记录系统的记录处理的垂直磁记录头。写入头部16例如具有依次在绝缘层27上的下磁轭层28、前屏蔽29和连接层30、包层31L、波导32、包层33A和33B、以及包层31U。包层33A和33B构成在磁道宽度的方向(X轴方向)上夹着波导32的第I包层对。另一方面，包层31L和31U构成在厚度方向(Z轴方向)上夹着波导32的第2包层对。注意到前屏蔽29可以从结构中省略。波导32由允许激光穿过的电介质材料形成。波导32的组成材料的实例包括SiC、DLC、Ti0x (氧化钛)、TaOx (氧化钽)、SiNx (氮化娃)、SiOxNy (氧氮化娃)、Si (娃)、ZnSe (硒化锌)、NbOx (氧化铌)、GaP (磷化镓)、ZnS (硫化锌)、ZnTe (碲化锌)、CrOx (氧化铬)、FeOx(氧化铁)、CuOx (氧化铜)、SrTiOx (钛酸银)、BaTiOx (钛酸钡)、Ge (锗)、以及C (金刚石)。包层33A，33B, 31L和3IU由具有相对于在波导32传播的激光比波导32组成材料的折射率更低的折射率的电介质材料形成。就相对于在波导32传播的激光的折射率而言，构成包层33A和33B的电介质材料与构成包层3IL和3IU的电介质材料可以彼此相同或不同。构成包层33A、33B、31L和31U的电介质材料的实例包括SiOx (氧化硅)、A1203 (氧化铝)、A1N (氮化铝)、以及Al2O3。下磁轭层28、前屏蔽29和连接层30各自由软磁金属材料例如NiFe制成。前屏蔽29位于下磁轭层28的上表面的最前端，从而前屏蔽29的一个端面暴露在ABSl 1S。连接层30位于下磁轭层28的上表面上的前屏蔽29的后方。包层31L由具有相对于在波导32传播的激光比波导32的折射率更低的折射率的电介质材料制成，并设置成覆盖下磁轭层28、前屏蔽29和连接层30。设置在包层31L上的波导32在与ABSllS正交的方向(Y轴方向)上延伸，波导32的一个端面暴露在ABSl 1S,另一个端面暴露在其后方。注意到波导32的前端面可以不暴露在ABSllS而位于从ABSllS后退的位置。在波导32中，与ABSllS平行的截面的形状例如是矩形，但可以是其他形状。写入头部16还包含经由包层3IU而设置在波导32前端的上方的等离子体发生器34，以及设置成与等离子体发生器34的上表面相接触的磁极35。等离子体发生器34和磁极35被布置成使等离子体发生器34和磁极35的各个的一个端面暴露在ABSl 1S。磁极35具有例如在等离子体发生器34上依次层叠的第I层351和第2层352的结构。第I层351和第2层352由具有高饱和磁通密度的磁性材料例如铁基合金构成。铁基合金的实例包括FeCo (铁钴合金)、FeNi (铁镍合金)和FeCoNi (铁钴镍合金)。等离子发生器34基于已在波导32传播的光，从ABSllS产生近场光NF (稍后描述)。磁极35在其中储存线圈41所产生的磁通(稍后描述)、从ABSllS释放磁通，从而产生用于将磁信息写入磁盘2的写入磁场。等离子体发生器34和第I层351嵌入在包层33中。写入头部16还包括在等离子体发生器34和磁极35的后方嵌入在包层33的连接层36、以及设置成与连接层36的上表面接触的连接层37。连接层36和37均布置在连接层30的上方，由软磁金属材料例如NiFe形成。写入头部16包含嵌入在包层31U, 33A和33B中的两个连接部40A和40B (图3)。连接部40A和40B也由软磁金属材料例如NiFe形成。连接部40A和40B在Z轴方向上延伸以与连接层30和连接层36连接，并在X轴方向上布置成与波导32有间隔地夹着波导32。如图4所示，在包层3IU上，绝缘层38设置成填充围绕磁极35的第2层352的空间。绝缘层39和螺旋绕着连接层37而形成的线圈41依次层叠在绝缘层38上。线圈41是为了产生用于利用写入电流的流动的写入的磁通，由高导电性材料例如Cu (铜)和Au (金)形成。绝缘层38和39由绝缘材料例如Al203、AlN、Si02或DLC构成。绝缘层38和39以及线圈41覆盖有绝缘层42，上磁轭层43还被设置成覆盖绝缘层42。绝缘层42由例如在加热时流动的非磁性绝缘材料例如光刻胶或旋涂玻璃(SOG)构成。绝缘层38、39和42在电学上将线圈41与其他附近的装置隔离。上磁轭层43由具有高饱和磁通密度的软磁材料例如CoFe形成，其前部与磁极35的第2层352连接，后部的一部分与连接层37连接。此外，上磁轭层43的前端面位于从ABSllS后退的位置。在具有这样的结构的写入头部16中，通过流经线圈41的写入电流，在主要由前屏蔽29、下磁轭层28、连接层30、连接部40A和40B、连接层36和37、上磁轭层43、以及磁极35构成的磁路的内部产生磁通。相应地，在暴露在ABSllS的磁极35的端面附近产生信号磁场，信号磁场到达磁盘2的记录面的预定区域。
此外，在磁读写头部10中，例如形成由与包层31U相似的材料制成的包层17，以覆盖写入头部16的整个上表面。设置在磁读写头部10的后方的光源单元50包括作为发射激光的光源的激光二极管60、以及支撑激光二极管60的长方体支撑部件51，如图6所示。再者，图6是示出整个光源单元50的基本结构的立体图。支撑部件51由例如陶瓷材料例如Al2O3.TiC形成。如图4所示，支撑部件51包括粘接于滑块11的背面IlB的接合面51A、以及与接合面51A正交的光源安装面51C。光源安装面51C与元件形成面IlA平行，激光二极管60安装在光源安装面51C上。注意到照射痕51H通过激光束照射在与接合面51A和光源安装面51C均正交的一对侧面51B而形成(参照图6)。照射痕51H是深度随着与光源安装面51C的距离减小而增加的凹部。支撑部件51优选除了支撑激光二极管60的功能外，还具有驱散由激光二极管60产生的热量的热沉的功能。通常用作通讯、光盘储存、或者材料分析的激光二极管，例如InP基、GaAs基、或者GaN基的激光二极管，可以用作激光二极管60。从激光二极管60发射的激光的波长可以是在例如375nm至1.7 μ m的范围内的任意值。具体而言，这样的激光二极管的实例包括发射波长区域为1.2^1.67 μ m的InGaAsP/InP四元混晶的激光二极管。如图4所示，激光二极管60具有包括下电极61、活性层62和上电极63的多层结构。例如包括η型AlGaN的η型半导体层65插入在下电极61与活性层62之间，例如包括P型AlGaN的ρ型半导体层66插入在活性层62与上电极63之间。在多层结构的两个劈开面的各个面上，由Si02、Al203等形成的反射层64被设 置成使光全反射并激发振荡。在反射层64中，用于发射激光的开口设置在包括活性层62的发射中心62A的位置。通过将支撑部件51的接合面51A粘接到滑块11的背面IlB来固定光源单元50与磁读写头部10的相对位置，从而发射中心62A和波导32的后端面32A彼此吻合。激光二极管60的厚度Iu例如在约6(Γ200 μ m的范围内。在下电极61与上电极63之间施加预定的电压，从而激光从活性层62的发射中心62A发射，并接着进入波导32的后端面32A。从激光二极管60发射的激光优选是电场在垂直于活性层62的表面的方向上振荡的TM模式的偏振光。激光二极管60可以利用磁盘装置中的电源来驱动。磁盘装置通常包括产生例如约2V电压的电源，由电源产生的电压足以驱动激光二极管60。此外，激光二极管60消耗约数十mW的功率，该功率可以被磁盘装置中的电源足够涵盖。接着，参照图5及图7 10，波导32、等离子体发生器34和磁极35中的各个的结构和功能都将具体说明。图7是示出波导32、等离子体发生器34和磁极35的结构的分解示意图，图8是示出波导32与等离子体发生器34的形状和位置关系的立体图。图9是示出波导32、等离子体发生器34和磁极35的结构和功能的截面图，该截面正交于ABS11S。图10是示出从上侧看的等离子体发生器34的主要部分的平面图。如图8所示，除了图4所示的后端面32A之外，波导32还包含更接近于ABSllS的端面32B、作为上表面的瞬逝光产生面32C、下表面32D、以及两个侧面32E和32F。瞬逝光产生面32C基于在波导32传播的激光而产生瞬逝光。在图7至图10中，尽管例示了端面32B布置在ABSllS上，但前端面32B可以布置在远离ABSllS的位置。如图8所示，等离子体发生器34具有依次从ABSllS侧开始的第I部34A、第2部34B和第3部34C。在图8中，第2部34B与第3部34C之间的边界由短划线来表示。等离子体发生器34的组成材料的实例包括含有Pd (钯)、Pt (钼)、Rh (铑)、Ir (铱)、Ru (钌)、Au(金)、Ag (银)、Cu (铜)和Al (铝)中的I种以上的导电材料。这里，下层34L和上层34U的组成材料可以是同类或不同类。如图5所示，第I部34A具有包括在与ABSllS平行的截面上向波导32突起的边缘344的V形中部C34、以及在磁道宽度方向(X轴方向)上夹着中部C34而彼此相对的一对翼部W34。注意到第I部34A的与ABSlIS平行的截面形状与ABSlIS的距离无关，是不变的。V形凹槽设置在第I部34A的中部C34中。换言之，分别在与ABSllS正交的方向上延伸的一对侧壁34A1和34A2在边缘344彼此连接，从而在与ABSllS平行的截面上形成具有顶角α的V形。为了提高近场光的产生效率，顶角α优选在例如约55°至75°的范围内。边缘344是一对侧壁34Α1与34Α2之间的边界部，并在Y轴方向上从作为基点的暴露在ABSllS的尖端缘34G延伸到第2部34Β。尖端缘34G是产生近场光的部分。边缘344面向波导32的瞬逝光产生面32C，侧壁34Α1和34Α2倾斜成在X轴方向上彼此之间的相对距离以边缘344为基点随着与波导32的距离增加而逐渐变宽。在第I部34Α的翼部W34中，一对外缘(fringe)34A3和34A4被设置成外缘34A3和34A4的各个的一个端部在X轴方向上分别连接到与侧壁34A1和34A2的边缘344的相反侧上的端部。例如，一对外缘34A3和34A4沿着与ABSllS正交且与X轴方向平行的平面(XY平面)延伸。侧壁34A1和34A2以及外缘34A3和34A4具有暴露在ABSllS的前端面342 (图7和图8)。第I部34A在整个中部C34和一对翼部W34上具有大致均匀的厚度。如图8所示，第2部34B具有面向瞬逝光产生面32C的板状底部34B1、两个板状侧壁34B2和34B3、以及外缘34B4和34B5。底部34B1被配置成在X轴方向上的宽度在与第I部34A的边界部处为零，并随着与ABSllS距离增加而逐渐变宽。侧壁34B2和34B3在底部34B1的在X轴方向上的两个端缘，朝着与波导32的相反侧而直立设置。这里，侧壁34B2和34B3倾斜成彼此之间的相对距离(在X轴方向上的距离)以连接到底部34B1的部分为基点，随着与波导32的距离增加而逐渐变宽。此外，侧壁34B2和34B3分别连接到第I部34A的侧壁34A1和34A2。再有，外缘34B4和34B5分别连接到与侧壁34B2和34B3的底部34B1相反的端部，同时分别连接到第I部34A的外缘34A3和34A4。另外，在侧壁34B2和34B3以及外缘34B4和34B5，与对应的延伸方向正交的截面优选分别具有与第I部34A的侧壁34A1和34A2以及外缘34A3和34A4的截面相似的形状。第3部34C包括底部34C1、侧壁34C2和34C3、壁34C4、以及外缘34C5, 34C6和34C7。底部34C1设置成从第2部34B的底部34B1连续在XY平面上延伸。侧壁34C2和34C3分别连接到第2部34B的侧壁34B2和34B3，并延伸成与ABSllS正交。侧壁34C2和34C3倾斜成彼此之间的相对距离(X轴方向的距离)以与底部34C1的连接部为基点，随着与波导32的距离增加而逐渐变宽。壁34C4与底部34C1以及侧壁34C2和34C3的各个的后端部结合。外缘34C5和34C6分别与第2部34B的外缘34B4和34B5结合，并延伸成与ABSllS正交。外缘34C7与外缘34C5和34C6以及壁34C4的后端部结合。与对应的延伸方向正交的侧壁34C2和34C3以及外缘34C5和34C6的各个的截面，优选具有例如与第I部34A的侧壁34A1和34A2以及外缘34A3和34A4的各个的截面相似的形状。注意到壁34C4和外缘34C7可以不设置。
如图7和图8所示，第I部34A、第2部34B和第3部34C形成在其内部用于容纳磁极35的第I层351的空间。底部34B1和34C1的以预定距离面向波导32的瞬逝光产生面32C的表面是如图7所示的形成表面等离子体激活面341的第I面341B和第2面341C。在图7中，第I面341B和第2面341C之间的边界由双点划线表示。磁极35具有如图6和图7所示的暴露在ABSllS的端面35T。端面35T包括在第I层351的暴露在ABSllS的端面351T、以及在第2层352的暴露在ABSllS的端面352T。磁极35的第I层351包含在由等离子体发生器34的第I部34A、第2部34B和第3部34C所形成的空间内。具体而言，第I层351具有占据由第I部34A所形成的空间的第I部351A、占据由第2部34B所形成的空间的第2部351B、以及占据由第3部34C所形成的空间的第3部351C。第I部351A具有与等离子体发生器34的第I部34A的侧壁34A1和34A2紧密接触的三角柱形状，并且与ABSllS平行的截面的面积是固定的。在X轴方向上，第I部351A的宽度优选小于波导32的前端面32B的宽度。再有，第I部351A的宽度优选小于第I部34A的中部C34的宽度。这是因为来自于磁极35的写入磁场的最大强度在两种情况下均增加。另外，第I部351A的端面351T具有位于与第2层352相反的顶点的尖端缘35C。第2部351B与等离子发生器34的第2部34B的侧壁34B2和34B3以及底部34B1紧密接触。第2部351B的宽度在X轴方向上随着与ABSllS的距离增加而逐渐变宽，在Z轴方向上随着与波导32的距离增加而逐渐变宽。第3部351C与等离子发生器34的第3部34C的侧壁34C2和34C3以及底部34C1紧密接触。第3部351C在X轴方向上的宽度在Y轴方向上是固定的，在Z轴方向上随着与波导32的距离增加而逐渐变宽。如图9所示，在包层3IU中，设置在瞬逝光产生面32C与表面等离子体激活面341之间的部分是缓冲部31UA。在包层31U中，位于等离子体34和第I层351后方的部分是后部 31UB。图10是示出表面等离子体激活面341与瞬逝光产生面32C之间的位置关系的平面图，并示出从磁极35侧看的等离子发生器34和波导32。然而，对于等离子体发生器34示出仅仅面向瞬逝光产生面32C的表面，其他表面在图例中被省略。如图10所示，第I面341B在X轴方向上的宽度朝着ABSllS而逐渐变小。第I面341B在X轴方向上端缘341B1与341B2彼此交叉的位置上具有前端部341A3。由端缘341B1和341B2相对于与ABSllS垂直的方向(Y轴方向)而形成的角β彼此相等。角β在3至50度的范围内，特别在10至25度的范围内。[3.制造磁头装置的方法]将参照图4还有图1f 16，说明制造磁头装置4Α的方法。图1广16是各自示出在制造磁头装置4Α的方法中的工序的立体图。注意，以下将一起描述制造磁头装置4Α的装置。(3-1.制造磁读写头部的方法)首先，如图11所示，提供由例如AlTiC制成的晶片11ΖΖ。晶片IlZZ最终将成为多个滑块11。之后，多个磁读写头部10如下所述那样以阵列形成在晶片IlZZ上。磁读写头部10主要是通过使用现有的薄膜工序依次形成并层叠一连串组件而制成。现有的薄膜工序的实例包括膜形成技术例如电镀和溅射，图案化技术例如光刻，刻蚀技术例如干法刻蚀和湿法刻蚀，以及抛光技术例如化学机械抛光(CMP)。这里，首先，将绝缘层13形成在滑块11上。接着，下屏蔽层21、MR元件22和绝缘层24、以及上屏蔽层23是通过依照该次序层叠在绝缘层13上而形成，以形成读取头部14。随后，绝缘层25、中间屏蔽层26、以及绝缘层27依次层叠在读取头部14上。其后，下磁轭层28、前屏蔽29和连接层30、包层31L、波导32、包层33A和33B、包层31U、等离子体发生器34、磁极35、以及连接层36和37依次形成在绝缘层27上。注意到前屏蔽29的形成可以被省略。此外，在形成绝缘层38以覆盖整个表面之后，通过进行平坦化处理，使磁极35的上表面、绝缘层38和连接层37平坦化。随后，形成被绝缘层39和42嵌入的线圈41。此外，形成与磁极35和连接层37连接的上磁轭层43，完成写入头部16。其后，在写入头部件16上形成包层17，并通过使用CMP等，从滑块11到包层17的层叠结构的侧面全部进行抛光以形成ABS11S。其结果是，多个磁读写头部10以阵列形成在晶片IlZZ 上(图 11)。其后，如图12所示，切割晶片IlZZ以形成多个条状物11Z。多个磁读写头部10在各条状物Iiz中形成一排。此外，对条状物IlZ的一个侧面进行机械抛光，并接着通过使用光刻等选择性地刻蚀以形成ABS11S。(3-2.将滑块接合到光源单元的方法)接着，光源单元50被设置并利用图13所示的对准装置70按以下方式在各预定的位置接合到条状物11Z。对准装置70包括管状吸嘴71、托架72、光接收装置73、控制器74、和光源75 (稍后描述)。吸嘴71包括其内侧在长度方向上延伸的吸孔71K，当吸孔71K的内部空间为负压时，光源单元50的支撑部件51被吸附到吸嘴71的端的吸附面71T。换言之，吸嘴71起到保持光源单元50的保持部的作用。注意到在图13中例示了使用两个吸嘴
71的情况，然而吸嘴的数量可以适当地进行选择。托架72上安装有条状物11Z，条状物IlZ在稍后被分成多个滑块11。吸嘴71和托架72具有作为调节光源单元50和磁读写头部10之间的相对位置的定位部的功能，以及作为向光源单元50和支撑部件51在允许它们彼此靠近的方向上施加压力的偏置机构的功能。控制器74的作用是可以使由吸嘴71保持的光源单元50与安装在托架72上的条状物IlZ之间的相对位置移动。此外，控制器74驱动激光二极管60产生激光，接着控制所产生的光的输出。光接收装置73接收已从激光二极管60发射并接着穿过磁读写头部10的光。以下，将另外参照图14具体地描述光源单元50接合于条状物IlZ的方法。图14是示出接合方法的步骤的流程图。首先，通过例如蒸镀法在最终成为滑块11的背面IlB的条状物IlZ的背面IlBZ的预定位置上形成粘合层58 (步骤S101)。粘合层58用于将光源单元50接合于条状物11Z。粘合层58由例如焊料即Sn (锡)单体、或包含Sn，Pb (铅)、或Bi (铋)的合金制得。更具体而言，可以使用包含SnAu、SnCu、SnAl、SnS1、SnGe、SnMg、SnPb、SnAg> SnZn> SnB1、SnN1、SnPt> PbAu> PbMg> PbB1、BiAu 等的合金。注意到粘合层 58 可以设置在支撑部件51面向背面IlBZ的接合面51A上。接着，条状物IlZ布置在对准装置70的托架72上，对准装置70的吸嘴71吸附并保持光源单元50(步骤S102)。其后，由吸嘴71保持的光源单元50搬送到将要接合的磁读写头部10的上方(步骤S103)。此时，支撑部件51的接合面51A与条状物IlZ的背面IlBZ相对，彼此之间距离具有预定距离。注意到吸嘴71被设置成吸附与支撑部件51的接合面51A交叉的面例如背面51E。随后，光源单元50在Y轴方向上移动，如图15所示，并且可以与设置在条状物IIZ的背面IlBZ上的粘合层58相接触(步骤S104)。此外，由吸嘴71保持的光源单元50以预定的压力压向条状物IlZ (步骤S105)。此时，上述压力可以通过改变吸嘴71的吸附力来进行调节，这时的压力由吸嘴71的吸附力决定，例如约10克重。此外，因为吸嘴71提供有吸附与接合面51A交叉的背面51E并使吸嘴71在沿着背面51E的方向(在这种情况下，+Y方向)上移动的力，因此，超过必要以上的力不大可能会被施加到光源单元50和条状物11Z。这是因为，即使超过吸附力的力施加于吸嘴71，吸嘴71的吸附面71T在支撑部件51的背面51E上滑动，因此超过吸附力的载荷基本上不会施加到支撑部件51。接着，如图16 (A)和16 (B)所示，光源75将透过支撑部件51的具有预定的波长的激光束LB施加到支撑部件51的两个侧面51B，因而粘合层58被加热和熔融(步骤S106)。基于来自于控制器74的指令,在维持对光源单兀50施加压力的状态的同时，进行激光束LB的照射。作为激光束LB，可以使用例如Nd-YAG激光(λ =1064nm)。因此，支撑部件51被加热。注意到，通过激光束LB的照射，在支撑部件51的两个侧面51B上的照射位置P及其附近形成照射痕51H。照射痕51具有主轴沿激光束LB的行进方向的椭圆平面形状，并且是深度沿着激光束LB的行进方向逐渐增加的凹部。注意到图16 (A)是从顶侧看的布置在条状物IlZ上的多个光源单元50的顶视图。图16 (B)是从侧面看的光源单元50的侧视图。激光束LB是如图所示16 (A)自设置在外部的光源75从斜后方施加到支撑部件51。换言之，激光束LB在具有沿着Z轴的矢量分量的方向上从支撑部件51的背面(与光源安装面51C相反的面)51E朝向光源安装面51C。当激光束LB的轨迹投射在与背面IlB和接合面51A平行的平面上(XZ平面)时，激光束LB的入射方向相对于光源单元50的布置方向(X轴方向)形成角Θ1。因此，即使不设置保护措施例如防护板，也可以避免由来自于侧面51B (的照射位置P)的激光束LB的反射光RL所造成的对条状物IlZ的损坏。此外，由于从光源安装面51C处于盲区的方向施加激光束LB，因此可以消除激光二极管60以及设置在光源安装面5IC上的端子电极610和611被激光束LB的(由于偏移等引起)误照射而被损坏的可能性。如图16 (B)所示，从斜上方施加激光束LB，即在具有沿着Y轴方向的矢量分量的方向上从支撑部件51的顶面(与接合面5IA相反的面)5ID朝向接合面5IA施加激光LB。因此，与激光束LB在Y轴方向上的矢量分量为零的情况相比，从照射位置P传播到粘合层58的热能增加。在这种情况下，激光束LB优选以来自于照射位置P的反射光RL避免进入条状物IlZ和元件形成层12的角Θ 2进入支撑部件51，以防止条状物IlZ和元件形成层12不被反射光RL损坏。注意到角Θ 2是由激光束LB相对于与接合面51A和背面IlB正交的Y轴方向的入射角所形成的角。粘合层58通过热传导从被激光束LB的照射加热的支撑部件51接收能量，并且接着粘合层58熔融。在保持粘合层58熔融的状态和维持对接合层51A施加压力的状态的同时，如下所述那样进行光源单元50、条状物IlZ与元件形成层12之间的对准(位置调节)(步骤S107)。首先，基于来自于控制器74的指令，在激光二极管60的端子电极610与611之间施加预定电压，从活性层62的发射中心62A发射激光束77 (图4)。激光束77优选是单模的激光。此时，由于粘合层58熔融，因此光源单元50与条状物IlBZ在X轴方向(横切磁道的方向上)和Z轴方向上可以相对移动。当在发射激光束77的状态下光源单元50在X轴方向和Z轴方向上移动时，光接收装置73从等离子体发生器34中的暴露在ABSllS的端面按次序检测近场光NF。具体而言，来自发射中心62A的激光束77可以进入波导32的后端面32A，并接着可以在波导32传播，到达等离子体发生器34的附近。因此，在等离子体发生器34中产生表面等离子体。表面等离子体朝着ABSllS传播，并最终聚集在尖端缘34G(参照图5)，在尖端缘34G产生近场光NF。光源单元50在X轴方向和Z轴方向上的移动停止在由光接收装置73检测的近场光NF的强度最大的位置。与此相伴，激光束77的照射被停止。因此，完成光源单元50、条状物IlZ与元件形成层12之间的对准(位置调节)。注意到在进行位置调节时，在粘合层58熔融的状态下，光源单元50或条状物IIZ可以在与施加压力的方向(Y轴方向)不同的方向(例如，沿着XZ平面的方向)上振动。这样做的话，支撑部件51与条状物IlZ之间的相对距离会更快速地减小。其后，当停止激光束LB的照射时，熔融的粘合层58迅速固化(步骤S108)。其结果是，光源单元50的支撑部件51与滑块11以准确的位置关系相接合。再者，激光束LB的照射在例如约1.(Γ20.0s的时间内进行。再者，当激光束LB的直径设置为100 μ m时，照射位置P优选设置在与条状物IlZ的背面IlBZ相距150 μ m以下的位置。此外，激光束LB优选不施加于条状物IlZ的背面11BZ，而是全部施加到支撑部件51的侧面51B，以避免条状物IlZ受到损坏。注意到角Θ 2可以是0°。在这种情况下，照射位置P的位置降低(靠近背面11BZ)，从而粘合层58可以被有效地加热。此外，仅S-偏光可以作为激光束LB来施加。在这种情况下,偏光板PP布置在光源(未图示)与支撑部件51之间以阻断P-偏光，并且S-偏光可以以由与激光束LB的波长对应的材料(例如Si)的折射率决定的布鲁斯特(Brewster’ s)角(例如75° )进入支撑部件51。其结果是，可以防止照射平面(侧面51B)上的反射光RL的产生。此外，为了防止侧面51B上的反射光的产生，侧面51B可以是粗糙面(例如，表面粗糙度Rz=0.2^0.8 μ m)。在粘合层58由于激光束LB的照射停止而固化后，施加到接合面51A的压力通过终止吸嘴71对光源单元50的吸附而释放。以这样的方式，完成磁头装置4A的制造。[4.磁盘装置的控制回路]接着，将参照图17，在下面描述图1所示的磁盘装置的控制电路的电路结构和磁读写头部10的操作。控制电路包括控制LSI (大规模集成电路)100、连接到控制LSIlOO的ROM (只读存储器)、连接到控制LSIlOO的写入门111、以及将写入门111连接至线圈41的写入电路112。控制电路还包括连接到MR元件22和控制LSIlOO的恒定电流电路121、连接到MR元件22的放大器122、以及连接到放大器122的输出端和控制LSI100的解调电路123。控制电路还包括连接到激光二极管60和控制LSIlOO的激光控制电路131、以及连接到控制LSIlOO的温度检测器132。这里，控制LSI100提供写入数据和写入控制信号给写入门111。此外，控制LSI100提供读取控制信号给恒定电流电路121和解调电路123，并从解调电路123接收读取数据输出。此外，控制LSIlOO提供激光0N/0FF信号和操作电流控制信号给激光控制电路131。
温度检测器132检测磁盘2的磁记录层的温度，以将该温度的信息传给控制LSI100。R0M101储存控制表等，以控制将提供给激光二极管60的操作电流值。在写入操作时，控制LSIlOO提供写入数据给写入门111。写入门111仅在写入控制信号指示写入操作时提供写入数据给写入电路112。写入电路112使写入电流根据写入数据流过线圈41。其结果是，从磁极35产生写入磁场，并且通过写入磁场数据被写入到磁盘2的磁记录层。在读取操作时，恒定电流电路121仅在读取控制信号指示读取操作时提供恒定感应电流给MR元件22。MR元件22的输出电压被放大器122放大，接着被解调电路123接收。解调电路123对放大器122的输出进行解调，以在读取控制信号指示读取操作时产生将要提供给控制LSIlOO的读取数据。激光控制电路131基于激光0N/0FF信号控制操作电流向激光二极管60的供应，并基于操作电流控制信号控制提供给激光二极管60的操作电流的值。当激光0N/0FF信号指示ON操作时，通过激光控制电路131的控制，将等于或大于振荡阈值的操作电流提供给激光二极管60。其结果是，激光从激光二极管60发射并接着在波导32传播。随后，近场光NF (稍后描述)从等离子体发生器34的尖端缘34G产生，磁盘2的磁记录层的一部分被近场光NF加热，因而被加热部分的矫顽力下降。在写入时，从磁极35产生的写入磁场被施加于矫顽力降低的磁记录层的部分，从而进行数据记录。控制LSIlOO基于由温度检测器132测量的磁盘2的磁记录层的温度等，参考存储在R0M101的控制表来确定激光二极管60的操作电流的值，并利用操作电流控制信号来控制激光控制电路131，从而将该值的操作电流提供给激光二极管60。控制表包含例如激光二极管60的振荡阈值和表示光输出-操作电流特性的温度依赖性的数据。控制表还包含表示操作电流值与被近场光NF所加热的磁记录层的温度的增加量之间的关系的数据、以及表示磁记录层的矫顽力的温度依赖性的数据。图17所示的控制电路具有用于控制激光二极管60的信号系统，即激光0N/0FF信号和操作电流控制信号的信号系统，其独立于写入/读取操作的控制信号系统。因此，除了利用写入操作来简单操作的对激光二极管60的传导之外，还可以实现与激光二极管60的各种传导模式。注意到磁盘装置的控制电路的结构并不限制于图17所示的那样。[5.热辅助磁记录的原理]随后,将参考图9和图18,描述实施方式中的近场光产生的原理和利用近场光进行热辅助磁记录的原理。与图10相似，图18是示出表面等离子体激活面341与瞬逝光产生面32C之间的位置关系的平面图，并示出从磁极35侧看的等离子体发生器34和波导32的状态。已从激光二极管60发射的激光束在波导32传播，到达等离子体发生器34的附近。此时，激光45被瞬逝光产生面32C即波导32与缓冲部33A之间的界面全反射，因此产生泄漏到缓冲部33A的瞬逝光46 (图9)。其后，瞬逝光46与等离子体发生器34的外表面之外的表面等离子体激活面341上的电荷涨落耦合，引起表面等离子体极化模式。其结果是，表面等离子体47 (图18)在表面等离子体激活面341上被激活。表面等离子体47在表面等离子体激活面341上朝着尖端缘34G传播。表面等离子体激活面341的第I面341B被配置成其在X轴方向上的宽度朝着如上所述的ABSllS而逐渐变窄。因此，当在第I面341B上传播时，随着表面等离子体沿着端缘341B1和341B2传播，表面等离子体47逐渐转变成边缘等离子体48 (图18)，并且提高了包括表面等离子体47和边缘等离子体48的等离子体的电场强度。表面等离子体47和边缘等离子体48在到达边缘344时被转变成边缘等离子体49 (图18)，并且边缘等离子体49沿着端部344向ABSllS传播。边缘等离子体49最终到达尖端缘34G。其结果是，边缘等离子体49聚集在尖端缘34G，基于边缘等离子体49从尖端缘34G产生近场光NF。近场光NF向磁盘2照射并到达磁盘2的表面(记录面)，对磁盘2的磁记录层的一部分进行加热。其结果是，在磁记录层的受热部分的矫顽力下降。在热辅助磁记录中，对于矫顽力被这样降低的磁记录层的部分，通过施加由磁极35产生的写入磁场来进行数据记录。下面的第一和第二原理被认为引起了第I面341B上的等离子体的电场强度的增力口。首先，对第一原理进行描述。在实施方式中，在表面等离子体激活面341的金属表面上，表面等离子体47被从瞬逝光产生面32C产生的瞬逝光46所激活。表面等离子体47在表面等离子体激活面341上朝向尖端缘34G传播。在第I面341B上传播的表面等离子体47的波数随着第I面341B在X轴方向上的宽度减小即朝着ABSllS而逐渐增加。随着表面等离子体47的波数增加，表面等离子体47的传播速度下降。其结果是，表面等离子体47的能量密度增加，提高了表面等离子体47的电场强度。接着，对第二原理进行描述。当表面等离子体47在表面等离子体激活面341上朝向尖端缘34G传播时，表面等离子体47的一部分与第I面341B的端缘341B1和341B2碰撞并散射，相应地产生波数不同的多个等离子体。这样产生的多个等离子体的一部分被转变成波数大于在平面上传播的表面等离子体的波数的边缘等离子体48。以这样的方式，表面等离子体47逐渐转变成沿着端缘341B1和341B2传播的边缘等离子体48，相应地，边缘等离子体48的电场强度逐渐增加。此外，与在平面上传播的表面等离子体相比，边缘等离子体48具有更大的波数和更慢的传播速度。因此，表面等离子体47转变成边缘等离子体48提高了等离子体的能量密度。此外，在第I面341B上，表面等离子体47如上所述转变成边缘等离子体48，新的表面等离子体47也基于从瞬逝光产生面32C发射的瞬逝光46产生。新的表面等离子体47也转变成边缘等离子体48。以这样的方式，边缘等离子体48的电场强度增加。边缘等离子体48转变成在边缘344传播的边缘等离子体49。因此，可以获得与在产生初期的表面等离子体47相比具有提高了的电场强度的边缘等离子体49。在实施方式中，在第I面341B上，在平面上传播的表面等离子体47与波数大于表面等离子体47的波数的边缘等离子体48共存。在第I面341B上，表面等离子体47与边缘等离子体48的电场强度的增加被认为是由于上述的第一和第二原理而发生的。因此，在实施方式中，与第一和第二原理中的其中一个有效的情况相比，可以进一步增加等离子体的电场强度。[6.实施方式的效果]在实施方式中，如上所述，通过控制器74的操作控制，在保持粘合层58熔融的同时，在允许光源单元50与条状物IlB彼此靠近的方向上施加压力的情况下，可以调节光源单元50与磁读写头部10之间的相对位置。因此，在确保作为光源的激光二极管60与光波导32之间的高对准精度的情况下，可以实现使激光二极管60的发射中心62A与光波导32的端面32A之间的距离缩短的接合。
在实施方式中，由于施加到接合层51A的压力是持续至熔融的粘合层58固化，因此可以更切实地进行高精度的接合。此外，在进行位置调节时，在粘合层58熔融的状态下，当使光源单元50与基体、或光源单元50与条状物IlZ在例如与XZ平面平行的方向上振动时，支撑部件51与条状物IlZ之间的相对距离更快速地减小。此外，粘合层58被激光束LB的照射所加热，从而粘合层58的熔融状态容易受控制并且可以实现快速的接合处理。因此，光源单元50和滑块11之间的相对位置错误不大可能发生。如上所述，根据实施方式的磁读写头部10，作为精确的位置调节的结果，写入位置对于磁记录介质的预定区域的精度可以得到提高，因而可以实现更高密度的磁记录。此外，激光二极管60的发射中心62A和波导32的端面32A彼此非常接近，从而激光二极管60和光波导32之间的接合效率可以得到提高。其结果是，可以实现低功耗。此外，在实施方式中，如上所述，通过激光束LB对支撑部件51的侧面51B的照射，光源单元50与滑块11 (条状物IIZ)接合。激光束LB从设置有激光二极管60的光源安装面51C处于盲区的背侧施加到支撑部件51。当从光源单元50的前侧施加激光束LB时，激光束LB的误照射有可能损坏设置在光源安装面51C的激光二极管60及其端子电极610和611。然而，在实施方式中，可以避免这样的由于误照射所引起的损坏。因此，在实施方式中，可以实现提供光源单元50与磁读写头部10之间的高位置精度并适用于高密度记录的热辅助磁头装置。[7.变形]在上述实施方式中，利用吸嘴71的吸附力而在支撑部件51与条状物IlZ之间施加压力。然而，例如，如图19所示，可以通过按压构件78来按压支撑部件51的顶面51TS而将支撑部件51压向条状物11Z。[8.实施例](实施例1)根据在上述实施方式中所描述的步骤(图14)，制造30个磁头装置4A。在磁读写头部10与光源单元50之间的偏移量通过利用SEM观察各磁头装置4A中的ABS来测量。结果显示在表I中。在表I中，对于与在下行磁道(down track)的方向(Z轴方向)、横切磁道的方向(X轴方向)、以及在XZ平面上的参考位置的偏移量(μ m)，分别描述平均值和标准差。(实施例2)如图19所示，除了按压构件78按压支撑部件51的顶面51TS之外，与实施例1相似地制造30个磁头装置4A。对于它们，与实施例1相似，测量与参考位置的偏移量(μ m)。结果也显示在表I中。(实施例3)在完成光源单元50与条状物IlZ之间在XZ平面上的位置调节后，除了粘合层58熔融并被接合之外，与实施例1相似地制造30个磁头装置4A。对于它们，与实施例1相似，测量与参考位置的偏移量(μ m)。结果也显示在表I中。[表 I]
权利要求
1.一种制造热辅助磁记录头的方法，其特征在于， 包含: 准备包括光源的光源单元； 准备基体，在所述基体上具有热辅助磁记录头部； 在所述光源单元与所述基体之间设置金属，并且使所述金属熔融；以及维持所述金属熔融，并且在施加使所述光源单元与所述基体相互靠近的方向上的压力下，进行所述光源单元与所述热辅助磁记录头部之间的对准。
2.根据权利要求1所述的制造热辅助磁记录头的方法，其特征在于， 所述压力的施加持续至熔融了的所述金属固化为止。
3.根据权利要求1所述的制造热辅助磁记录头的方法，其特征在于， 使所述光源单元与所述基体在与施加所述压力的方向不同的方向上振动，并且进行所述对准。
4.根据权利要求1所述的制造热辅助磁记录头的方法，其特征在于， 在通过吸附部件吸附与所述光源单元和所述基体的接合面相交叉的另一个面的状态下，将所述光源单元与所述基体中的一个压向另一个，由此施加所述压力。
5.根据权利要求4所述的制造热辅助磁记录头的方法，其特征在于， 所述压力通过改变由所述吸附部件产生的吸附力而进行调整。
6.根据权利要求1所述的制造热辅助磁记录头的方法，其特征在于， 所准备的所述光源单元包括支撑部件，在所述支撑部件上安装有所述光源，并且在所述支撑部件和所述基体之间的设置金属之后，对所述支撑部件施加激光以使所述金属熔融。
7.根据权利要求1所述的制造热辅助磁记录头的方法，其特征在于， 使用激光二极管作为所述光源， 利用来自于所述激光二极管的激光，进行所述光源单元与所述热辅助磁记录头部之间的所述对准。
8.根据权利要求7所述的制造热辅助磁记录头的方法，其特征在于， 所使用的所述激光二极管发射单模的激光。
9.根据权利要求1所述的制造热辅助磁记录头的方法，其特征在于， 所述热辅助磁记录头部包括磁极、等离子体发生器和光波导。
10.一种制造热辅助磁记录头的装置，其特征在于， 所述热辅助记录头包括基体和光源单元， 所述装置包含: 定位部，调节所述光源单元与安装在所述基体上的热辅助磁记录头部之间的相对位置； 偏置机构，对所述光源单元和所述基体，施加在使所述光源单元和所述基体相互靠近的方向上的压力； 加热机构，将设置在所述光源单元与所述基体之间的金属加热至熔融；以及 控制器，控制所述定位部、所述偏置机构和所述加热机构的操作。
11.根据权利要求10所述的制造热辅助磁记录头的装置，其特征在于，CN 103137141 A权利要求书所述热辅助磁记录头部包括 磁极、等离子体发生器和光波导。
全文摘要
本发明提供一种制造热辅助磁记录头的方法，其包括准备包括光源的光源单元；准备在其上具有热辅助磁记录头部的基体，该热辅助磁记录头部包含磁极、等离子体发生器和光波导；在光源单元和基体之间插入金属，并且使金属熔融；以及在维持金属熔融的同时，在施加使光源单元和基体互相靠近的方向上的压力下，进行光源单元与热辅助磁记录头部之间的对准。
文档编号G11B5/31GK103137141SQ20121050621
公开日2013年6月5日 申请日期2012年11月30日 优先权日2011年12月1日
发明者原晋治, 岛泽幸司, 高山清市, 伊藤靖浩, 森信幸, 细井亮, 高贯一明, 安东洋一, 杉山千元 申请人:Tdk株式会社, 新科实业有限公司