电场写入型磁记录装置制造方法
【专利摘要】电场写入型磁记录装置(1)具备：旋转盘(11)，其在基底(111)的表面形成有包含至少一层铁磁铁电性物质层的磁记录膜；写入元件(121)，其具有通过相对于基底(111)具有电位而与基底之间生成电通量的写入电极(1211)，通过电场(与磁场无关地)向磁记录膜(112)进行信息的写入；以及写入电路(13)，其在每次信息的写入动作时，选择两个电位水平中的一个电位向写入电极供给，其中，通过与写入电路(13)向写入电极(1211)供给的电位对应地生成的电通量，使铁磁铁电性物质层在特定的方向磁化。在本发明的电场写入型磁记录装置中，在写入头中不使用线圈。由此，达到根本的低消耗电力化、写入的超高速化、记录信息的超高密度化、低价格化。
【专利说明】电场写入型磁记录装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种使用了在基底的表面形成有包含至少一层铁磁铁电性物质层(ferromagnetic and ferroelectric layer)的磁记录膜的旋转盘的磁记录技术，涉及一种电场写入型磁记录装置，其通过写入元件来与上述基底之间产生电通量，通过该电通量，在每次写入动作时使上述铁磁铁电性物质层的被照射了电通量的部分在特定的方向磁化。
【背景技术】
[0002]在以前的作为磁记录装置的硬盘装置中，从磁通量生成线圈照射磁通量。而且，通过在基底的表面形成了铁磁性(ferromagnetic)体的膜的旋转盘上按照N或S的极性使磁通量照射部位磁化，来进行信息的写入。
[0003]专利文献1:日本特开2008-034087号公报
【发明内容】
_4] 发明要解决的问题
[0005]但是，现有的硬盘装置由于通过磁通量进行写入，因此信息写入时因写入头的线圈的电阻等的消耗电力非常大。
[0006]另外，在写入时，必须高速地控制流过线圈的电流。在要进行高密度记录时，必须超高速地变更线圈铁芯的磁化的方向，但反转自然存在限界。
[0007]从线圈产生的最大磁通密度由线圈铁芯的材质的饱和磁通密度决定。因此，即使使用产生最大磁通密度的Fe-Co，最大磁通密度也是2.4T(特斯拉)左右。由此，在使用了普通的线圈的情况下，无法按照N或S的极性使能够应对超高密度记录的、矫顽磁场强度极高的磁记录膜磁化(无法进行写入)。
[0008]另外，现有的硬盘装置的写入头具有包含细微的线圈、线圈铁芯等的复杂构造，这成为制造成本变高的原因。另外，磁记录介质包含大量的贵金属元素，因此这也成为制造成本变高的原因。
[0009]此外，现有的磁记录介质具有厚的多层构造，因此还存在制造装置的规模巨大化的问题。
[0010]另外，现状是无法保证在现有的硬盘装置的磁记录介质中使用的贵金属元素的稳定供给。
[0011]因此，在现有的硬盘装置中，谋求根本的低消耗电力化、写入的超高速化、记录信息的超高密度化、低价格化并不容易。另外，在现有的硬盘装置中，既无法避免磁记录介质的制造装置的巨大化，谋求磁记录介质的稳定供给也存在限界。
[0012]此外，在专利文献I所记载的发明中，对由多层构成的磁记录材料层的一层使用多铁性材料，在数据的写入时向磁记录材料施加电场。由此，能够使该磁记录材料内的面外磁各向异性降低，在施加磁通量时容易使得磁化反转，因此能够增加磁数据存储装置的容量。[0013]在专利文献I所记载的发明中，与本发明同样地使用多铁性材料，但专利文献I所记载的发明通过磁线圈进行数据的写入，因此与本发明没有直接的关系。
[0014]本发明的目的在于:提供一种电场写入型磁记录装置，其通过写入元件，来与基底之间产生电通量，通过该电通量，在每次写入动作时使形成在上述基底的铁磁铁电性物质层在特定的方向磁化。
[0015]本发明的其他目的在于:谋求磁记录装置的根本的低消耗电力化、写入的超高速化、记录信息的超高密度化、低价格化，以及抑制磁记录介质的制造装置的巨大化，谋求磁记录介质的稳定供给。
[0016]用于解决问题的方案
[0017]本发明的电场写入型磁记录装置的主要内容如下。
[0018]
[0019][I] 一种电场写入型磁记录装置，其特征在于，具备:
[0020]旋转盘，其在基底的表面形成有包含至少一层铁磁铁电性物质层的磁记录膜；
[0021]写入元件，其具有通过相对于上述基底具有电位而与上述基底之间生成电通量的写入电极，通过电场(与磁场无关)向上述磁记录膜进行信息的写入；以及
[0022]写入电路，其在每次上述信息的写入动作时，选择多个电位水平中的一个电位向上述写入电极供 给，
[0023]其中，通过与上述写入电路向上述写入电极供给的电位对应地生成的上述电通量，使上述铁磁铁电性物质层在特定的方向磁化。
[0024]写入电路能够构成为选择两个电位水平中的一个电位向写入电极供给。在该情况下，如在[6]中明示的那样，写入电路能够在每次写入动作时，向写入电极供给两个电位水平(写入电位水平)H典型的是V2X^V1，但也可以是V2M1X)或0〉％^。
[0025]另外，写入电路能够选择三个以上的电位水平中的一个电位向写入电极供给。例如，写入电路能够向写入电极供给四个电位水平(写入电位水平)v+2、v+1、VfV_2 (VyVJOl1I2)。在电位水平是V+2时，以大的磁化Mm+向正方向(+方向)磁化，在电位水平是V+1时，以小的磁化Mni+向正方向(+方向)磁化。另外，在电位水平是I1时，以小的磁化Μπ_向负方向(_方向)磁化，在电位水平是V_2时，以大的磁化Mm_向负方向(_方向)磁化，由此进行信息的写入。
[0026]此外，在该例子中，说明了生成电位的电场的方向和磁化的方向平行(同向)的情况，但也有生成电位的电场的方向和磁化的方向反平行(反向)的情况。
[0027]铁磁铁电性物质层是所谓的多铁性层。铁磁铁电性物质层通过电通量而磁化的“特定的方向”典型的是指与基底的表面垂直的两个方向的任意一个，但也可以是与该表面平行的方向或倾斜的方向。即，既有磁化与基底的表面平行的情况，也有具有平行的成分的情况。本发明的电场写入型磁记录装置如在[9]中说明的那样，能够具备读取磁记录膜的磁化的读取元件，能够由该读取元件读取磁记录膜的“特定的方向”的磁化。
[0028]作为铁磁铁电性物质层，只要是通过施加电场而磁化变化的铁磁铁电性的物质，则可以使用任意的物质。
[0029]例如，作为铁磁铁电性物质层，既能够使用单一层的通过电场而磁化变化的铁磁铁电性物质，也能够使用铁磁性(ferromagnetic)材料的层和铁电性(ferroelectric)的层的层叠体。但是，在使用铁磁性材料的层和铁电性的层的层叠体作为铁磁铁电性物质层的情况下，有时记录速度显著降低。因此，优选使用单一层的通过电场而磁化变化的铁磁铁电性的物质。
[0030]例如，能够使用用下述的一般式(I)所示的铁磁铁电性物质作为铁磁铁电性物质层的构成材料。
[0031](AD 1 (MD A…⑴
[0032]在式(I)中，4和8分别表示祀、1^、113、？13、￥、0、(:0、8&、1^、￥13311中的任意一个元素。
[0033]M和N分别表示Fe、Mn、N1、T1、Cr、Co、V中的任意一个元素。
[0034]X表示O~I的实数，y表示O~I的实数。
[0035]I (字母的I)表示I~3的整数，m表示I~3的整数，η表示3~6的整数。
[0036]具体地说，能够使用BiMnO3' TbMnO3、TbMn2O5、YMnO3、EuTiO3、CoCr2O4、Cr2O3、BiMn0.5Ni0.503、BiFe0.5Cr0.503、La。.!Bi。.9Mn03、La1^xBixNi0.5Mn0.503、Bi1^xBaxFeO3 等作为通过电场而磁化变化的已知的铁磁铁电性材料。
[0037][2]根据[I]记载的电场写入型磁记录装置，其特征在于，
[0038]构成上述基底的基体由导电体构成，
[0039]或者
[0040]构成上述基底的基体由绝缘体或半导体构成，在上述基体与上述磁记录膜之间形成有导电层。
[0041 ] 作为上述基体使用的导电体例如是铝等金属。
[0042]另外，作为上述基体使用的绝缘体例如是玻璃，作为上述基体使用的半导体例如是娃。
[0043][3]根据[1]或[2]记载的电场写入型磁记录装置，其特征在于，
[0044]上述磁记录膜包含至少一层用于抑制上述电通量的扩散的导电性的电通量扩散抑制层。
[0045]在旋转盘的表面，通常形成有保护膜(例如由类金刚石碳构成)，磁记录膜被上述保护膜保护。
[0046]但是，在本发明中，保护膜可以起到作为上述电通量扩散抑制层的功能。
[0047][4]根据[I]或[2]记载的电场写入型磁记录装置，其特征在于，
[0048]上述磁记录膜包含至少一层导电性或绝缘性的铁磁性层。
[0049]铁磁性层既能够作为从铁磁铁电性物质层读取磁化信息时的辅助而使用，也能够防止记录在铁磁铁电性物质层的磁化信息消失。
[0050]在铁磁性层是导电性时，该铁磁性层也能够作为电通量扩散抑制层发挥功能。相反，在电通量扩散抑制层由铁磁性层构成时，该电通量扩散抑制层也能够作为铁磁性层发挥功能(作为从铁磁铁电性物质层读取磁化信息时的辅助而使用，防止记录在铁磁铁电性物质层的磁化信息消失)。
[0051][5]根据[I]或[2]记载的电场写入型磁记录装置，其特征在于，
[0052]上述铁磁铁电性物质层是一层，包含至少一层用于抑制上述电通量的扩散的导电性的电通量扩散抑制层和至少一层导电性或绝缘性的铁磁性层，[0053]或者
[0054]包含多层上述铁磁铁电性物质层，
[0055]包含至少一层用于抑制上述电通量的扩散的导电性的电通量扩散抑制层和至少一层导电性或绝缘性的铁磁性层。
[0056][6]根据[I]?[5]的任意一项记载的电场写入型磁记录装置，其特征在于，
[0057]上述写入电路在每次上述写入动作时，向上述写入元件供给正负的两个电位水平中的某一个电位。
[0058][7]根据[I]?[5]的任意一项记载的电场写入型磁记录装置，其特征在于，
[0059]上述写入元件具备多个写入电极，
[0060]上述写入电路在每次写入动作时，对上述写入元件的上述多个写入电极的每一个供给多个电位水平中的一个电位。
[0061][8]根据[I]?[5]的任意一项记载的电场写入型磁记录装置，其特征在于，
[0062]上述写入元件构成为能够在上述旋转盘的表面上沿上述旋转盘的径向移动。
[0063][9]根据[I]?[8]的任意一项记载的电场写入型磁记录装置，其特征在于，
[0064]还具备读取上述磁记录膜的磁化状态的读取元件。
[0065]“磁记录膜的磁化状态”典型的是“磁记录膜的磁化方向”或者/以及“磁记录膜的磁化的大小”。
[0066]读取元件能够读取磁记录膜所保持的磁化状态作为信息。
_7] 发明的效果
[0068]在本发明中，实质上通过电场进行写入。由此，信息写入时的电力消耗极小。
[0069]另外，在用于写入的元件中没有线圈(即没有电感，结构简单)，因此能够进行超高速写入、记录信息的超高密度化。
[0070]进而，在本发明中，能够减少记录介质的叠层数，能够减薄总膜厚，因此能够将记录介质制造装置的规模缩减为一半左右。并且，在记录介质中，几乎不使用贵金属元素，因此能够低价格稳定地提供记录介质。
【专利附图】
【附图说明】
[0071]图1是表示本发明的电场写入型磁记录装置的说明图，(A)是俯视说明图，(B)是侧面说明图。
[0072]图2是明示本发明的电场写入型磁记录装置的特征的说明图，(A)是表示臂的前端的正面示意图，⑶是(A)的箭头B-B'方向的截面图(表示写入电极的图)，(C)是(A)的箭头C-C'方向的截面图(表示读取元件的图)。
[0073]图3的(A)是表示与写入元件相邻地形成多个写入电极的例子的图，(B)是表示不突出地形成一个写入电极的情况的例子的图，(C)是示例同样地不突出地形成多个写入电极的情况的图。
[0074]图4是表示磁记录膜由铁磁铁电性物质层构成的本发明的电场写入型磁记录装置的实施方式的图，(A)表示构成基底的基体是导电体的情况，(B)表示构成基底的基体是绝缘体的情况。
[0075]图5是表示磁记录膜由铁磁铁电性物质层和电通量扩散抑制层构成的本发明的电场写入型磁记录装置的实施方式的图，(C)表示构成基底的基体是导电体的情况，(D)表示构成基底的基体是绝缘体的情况。
[0076]图6是表示磁记录膜由铁磁铁电性物质层和绝缘性铁磁性层构成的本发明的电场写入型磁记录装置的实施方式的图，(E)表示构成基底的基体是导电体的情况，(F)表示构成基底的基体是绝缘体的情况。
[0077]图7是表示磁记录膜由铁磁铁电性物质层和导电性铁磁性层构成的本发明的电场写入型磁记录装置的实施方式的图，(G)表示构成基底的基体是导电体的情况，(H)表示构成基底的基体是绝缘体的情况。
[0078]图8是表示磁记录膜由铁磁铁电性物质层、绝缘性铁磁性层以及导电性铁磁性层构成的本发明的电场写入型磁记录装置的实施方式的图，(I)表示构成基底的基体是导电体的情况，(J)表示构成基底的基体是绝缘体的情况。
[0079]图9是表示磁记录膜由两个铁磁铁电性物质层和两个导电性铁磁性层构成的本发明的电场写入型磁记录装置的实施方式的图，(K)表示构成基底的基体是导电体的情况，(L)表示构成基底的基体是绝缘体的情况。
【具体实施方式】
[0080]图1是表示本发明的电场写入型磁记录装置的说明图，㈧是俯视说明图，⑶是侧面说明图。
[0081]实际的电场写入型磁记录装置隔开间隔地配置多个两面形成了磁性膜的盘。另夕卜，在各盘的两面配置在前端搭载了写入元件和读取元件的臂。
[0082]为了说明而简化表示图1的电场写入型磁记录装置1，旋转盘由一个构成，并且只在旋转盘的单面形成有磁记录膜。
[0083]电场写入型磁记录装置I具备旋转盘11、在前端搭载了写入元件121和读取元件122(它们在图1的(A)中没有图示)的臂1201、向写入元件121供给写入用的信号的写入电路13 (在图1的⑶中没有图示)以及经由读取元件122读取写入到旋转盘11的信息的读取电路14(在图1的⑶中没有图示)。
[0084]在图1中，在旋转盘11的表面形成有后述的磁记录膜(参照图4?图9的附图标记 112)。
[0085]通过致动器1202对臂1201进行转动操作。由此，写入元件121和读取元件122能够在旋转盘11的表面上沿旋转盘11的径向移动。
[0086]将在后面说明设置在致动器1202的前端的写入元件121和读取元件122的结构(参照图2)。
[0087]写入电路13驱动写入元件121，读取电路14驱动读取元件122。
[0088]在图2的㈧、⑶以及(C)中明示出图1的㈧、⑶的电场写入型磁记录装置I的技术特征。图2的(A)是表示臂1201的前端的正面示意图，图2的(B)是图2的(A)的箭头B-B'方向的截面图，图2的(C)是图2的(A)的箭头C-C'方向的截面图。
[0089]图1的写入电路13向写入元件121发送写入信号。在图2的㈧所示的写入元件121的写入电极(图4?图9的附图标记1211)产生正或负的极性的电位，向旋转盘11的表面的磁记录膜写入磁信息(典型的是N或S的比特信息)。[0090]图2的(A)所示的读取元件122的读取部1221读取写入到旋转盘11的表面的磁记录膜的磁信息(典型的是N或S的比特信息)，发送到图1的读取电路14。
[0091]在现有的电场写入型磁记录装置中，写入头由线圈和线圈铁芯构成。因此，不可能在一个写入头中相邻地设置多组线圈和线圈铁芯的组。
[0092]但是，电场写入型磁记录装置I的写入元件121的构造简单，因此如图3的㈧所示，在写入元件121中能够使多个写入电极1211相邻。
[0093]另外，如图3的(B)、(C)所示，也能够构成为使形成在写入元件121的写入电极1211不突出。图3的(B)示例写入电极有一个的情况，图3的(C)示例写入电极有多个的情况。
[0094]以下，详细说明电场写入型磁记录装置I的结构(主要与写入动作有关的结构)。此外，在以下的说明中，也示意地表示出基底111、磁记录膜112、写入元件121等，它们在附图上的形状、大小等并不反映实际的情况。另外，为了方便，表示写入电极1211相对于基底111是正电位的情况。
[0095]进而，在实际的磁记录膜112的表面形成类金刚石碳等保护膜，但在以下的说明中，省略保护I吴的说明。
[0096]图4是表示磁记录膜112由铁磁铁电性物质层构成的本发明的电场写入型磁记录装置I的实施方式的图，图4的(A)表示构成基底111的基体是导电体的情况，图4的(B)表示构成基底111的基体是绝缘体的情况。
[0097]此外，在图4和图5?图8中，为了容易理解说明，用相同方向表示出与写入的极化方向对应的记录磁化的方向。
[0098]在图4的(A)的电场写入型磁记录装置IA中，旋转盘11的基底111由基体1111构成，该基体1111由铝等导电体构成。在基底111的表面形成有磁记录膜112。磁记录膜112由铁磁铁电性物质层1121构成。
[0099]作为铁磁铁电性物质层1121，只要是通过施加电场而磁化变化的铁磁铁电性的物质，则可以使用任意的物质。
[0100]例如，作为铁磁铁电性物质层1121，既能够使用单一层的通过电场而磁化变化的铁磁铁电性物质，也能够使用铁磁性材料的层和铁电性的层的层叠体。在本实施方式中，使用(111)取向的(BihBax) (FepyMny)O3作为铁磁铁电性物质层1121。
[0101]如后述那样(参照图9)，磁记录膜112能够包含多个铁磁铁电性物质层1121。
[0102]写入元件121具有写入电极1211，写入电极1211相对于基底111具有电位，从而能够与基底111之间生成电通量Φ。
[0103]写入电路13在每次信息的写入动作时，能够向写入电极1211供给正电位和负电位的两个电位水平中的某一个电位。
[0104]通过与写入电路13向写入电极1211提供的电位相应地生成的电通量Φ，使铁磁铁电性物质层1121在特定的方向磁化。
[0105]此外，在铁磁铁电性物质层1121的电通量Φ通过的区域中，在与该电通量Φ的方向对应的方向上引起极化P。伴随着该极化P，上述区域被磁化为与该电通量φ的方向对应的方向(磁化M)。
[0106]此外,用中空箭头表示极化P，用涂黑箭头表示磁化M。[0107]上述磁化M的状态存储在铁磁铁电性物质层1121中，因此能够通过图2的(A)、(C)所示的读取元件122(通过读入部1221)进行读取。
[0108]该磁化M的方向通常与电通量Φ的方向(Φ具有正负的方向)相同,但也有时相对于与基底111的表面垂直的方向(法线方向或与法线方向相反的方向)具有零以外的角度(磁化朝向基底111的表面的面内方向、或具有该面内方向的成分)。
[0109]此外，写入电路13能够向写入电极1211提供四个电位水平(写入电位水平)V+2、V+1、V_1、V_2 (VjVjOl1I2)。在电位水平是V+2时，以大的磁化Mm+向正方向(+方向)磁化，在电位水平是V+1时，以小的磁化Mni+向正方向(+方向)磁化。在电位水平是时，以小的磁化Μπ_向负方向(_方向)磁化，在电位水平是V_2时，以大的磁化Mm_向负方向(_方向)磁化，由此进行信息的写入。此外，说明了生成电位的电场的方向和磁化的方向平行(同向)的情况，但也有生成电位的电场的方向和磁化的方向反平行(反向)的情况。
[0110]在图4的⑷的电场写入型磁记录装置IA中，基底111的基体1111是导电体，但在图4的(B)的电场写入型磁记录装置IB中，基底111的基体1112为绝缘体。在该情况下，在由绝缘体构成的基体1112和磁记录膜112之间形成导电层1113。作为用作基体1112的绝缘体，例如能够使用玻璃、陶瓷、塑料等。此外，也能够代替绝缘体而使用硅等半导体。
[0111]在图5的(C)的电场写入型磁记录装置IC中，磁记录膜112包含铁磁铁电性物质层1121和电通量扩散抑制层1122。S卩，在磁记录膜112的表面侧形成有电通量扩散抑制层
1122。电通量扩散抑制层1122是导电性的。通过在磁记录膜112的表面侧形成导电性的层，来抑制写入电极1211和磁记录膜112之间的电通量的变宽(使写入电极1211和磁记录膜112之间的电通量汇聚)。由此，能够提高写入信息的写入密度。
[0112]在图5的(C)的电场写入型磁记录装置IC中，基底111的基体1111是导电体，但在图5的(D)的电场写入型磁记录装置ID中基底111的基体1112为绝缘体。在该情况下，在由绝缘体构成的基体1112和磁记录膜112之间形成导电层1113。
[0113]在图6的(E)的电场写入型磁记录装置IE中，磁记录膜112包含铁磁铁电性物质层1121和绝缘性铁磁性层1123。S卩，在磁记录膜112的基底111侧形成有绝缘性铁磁性层
1123。优选如图示那样，与铁磁铁电性物质层1121接触地形成绝缘性铁磁性层1123。在铁磁铁电性物质层1121通过写入电极1211磁化时，绝缘性铁磁性层1123也随之磁化。由于绝缘性铁磁性层1123的存在，记录在磁记录膜112的磁化方向稳定，并且读取元件122 (参照图2的(A)、(C))对记录在磁记录膜112的磁化的读取精度也特别提高。
[0114]此外，也能够在磁记录膜112的表面侧形成绝缘性铁磁性层1123。
[0115]在图6的(E)的电场写入型磁记录装置IE中，基底111的基体1111是导电体，但在图6的(F)的电场写入型磁记录装置IF中基底111的基体1112为绝缘体。在该情况下，在由绝缘体构成的基体1112和磁记录膜112之间形成导电层1113。此外，在该情况下，也能够在磁记录膜112的表面侧形成绝缘性铁磁性层1123。
[0116]在图7的(G)的电场写入型磁记录装置IG中，磁记录膜112包含铁磁铁电性物质层1121和导电性铁磁性层1124。S卩，在磁记录膜112的表面侧形成有导电性铁磁性层
1124。优选如图示那样，与铁磁铁电性物质层1121接触地形成导电性铁磁性层1124。在铁磁铁电性物质层1121通过写入电极1211磁化时，导电性铁磁性层1124也随之磁化。由于导电性铁磁性层1124的存在，记录在磁记录膜112的磁化方向稳定，并且读取元件122(参照图2的(A)、(C))对记录在磁记录膜112的磁化的读取精度也特别提高。
[0117]除此以外，在图7的(G)的电场写入型磁记录装置IG中，磁记录膜112的表面侧是导电性的(在表面侧形成有导电性铁磁性层1124)。因此，与图5的(C)的电场写入型磁记录装置IC同样地，能够抑制写入电极1211和磁记录膜112之间的电通量的变宽，由此提高写入信息的写入密度。
[0118]此外，在图7的(G)的电场写入型磁记录装置IG中，导电性铁磁性层1124可以形成在磁记录膜112的基底11U则。
[0119]在图7的(G)的电场写入型磁记录装置IG中，基底111的基体1111是导电体，但在图7的(H)的电场写入型磁记录装置IH中基底111的基体1112为绝缘体。在该情况下，在由绝缘体构成的基体1112和磁记录膜112之间形成导电层1113。
[0120]在图7的⑶的电场写入型磁记录装置IH中，由磁性材料形成导电层1113，但可以由非磁性材料形成。
[0121]在图8的⑴的电场写入型磁记录装置II中，磁记录膜112包含铁磁铁电性物质层1121、绝缘性铁磁性层1123、导电性铁磁性层1124。S卩，在磁记录膜112的基底111侧形成有绝缘性铁磁性层1123，在表面侧形成有导电性铁磁性层1124。
[0122]导电性铁磁性层1124起到抑制写入电极1211和磁记录膜112之间的电通量的变宽(使写入电极1211和磁记录膜112之间的电通量汇聚)的作用，记录在磁记录膜112的磁化方向稳定，并且读取元件122(参照图2的(A)、(C))对记录在磁记录膜112的磁化的读取精度也特别提高。
[0123]此外，在图8的(I)的电场写入型磁记录装置II中，可以使用导电性铁磁性层代替绝缘性铁磁性层1123。
[0124]在图8的⑴的电场写入型磁记录装置II中，基底111的基体1111是导电体，但在图8的(J)的电场写入型磁记录装置IJ中基底111的基体1112为绝缘体。在该情况下，在由绝缘体构成的基体1112和磁记录膜112之间形成导电层1113。
[0125]在图9的(K)的电场写入型磁记录装置IK中，磁记录膜112包含两个铁磁铁电性物质层1121、两个导电性铁磁性层1124。S卩，在磁记录膜112的表面侧形成有第一导电性铁磁性层1124，在第一导电性铁磁性层1124的下面形成有第一铁磁铁电性物质层1121，并且在第一铁磁铁电性物质层1121的下面形成有第二导电性铁磁性层1124，在第二导电性铁磁性层1124的下面形成有第二铁磁铁电性物质层1121。
[0126]导电性铁磁性层1124起到抑制写入电极1211和磁记录膜112之间的电通量的变宽(使写入电极1211和磁记录膜112之间的电通量汇聚)的作用，记录在磁记录膜112的磁化方向稳定，并且读取元件122(参照图2的(A)、(C))对记录在磁记录膜112的磁化的读取精度也特别提高。
[0127]在图9的⑷的电场写入型磁记录装置IK中，基底111的基体1111是导电体，但在图9的(L)的电场写入型磁记录装置IL中基底111的基体1112为绝缘体。在该情况下，在由绝缘体构成的基体1112和磁记录膜112之间形成导电层1113。
[0128]附图标记说明
[0129]1、1A?IL:电场写入型磁记录装置；11:旋转盘；13:写入电路；14:读取电路；111:基底；112:磁记录膜；121:写入元件；122:读取元件；1111、1112:基体；1113:导电层；1121:铁磁铁电性物质层；1122:电通量扩散抑制层；1123:绝缘性铁磁性层；1124:导电性铁磁性层；1201:臂；1202:致动器；1211:写入电极；1222:读取部；M:磁化；P:极化。
【权利要求】
1.一种电场写入型磁记录装置，其特征在于，具备: 旋转盘，其在基底的表面形成有包含至少一层铁磁铁电性物质层的磁记录膜； 写入元件，其具有通过相对于上述基底具有电位而与上述基底之间生成电通量的写入电极，通过电场向上述磁记录膜进行信息的写入；以及 写入电路，其在每次上述信息的写入动作时，选择多个电位水平中的一个电位向上述写入电极供给， 其中，通过与上述写入电路向上述写入电极供给的电位对应地生成的上述电通量，使上述铁磁铁电性物质层在特定的方向磁化。
2.根据权利要求1所述的电场写入型磁记录装置，其特征在于， 构成上述基底的基体由导电体构成， 或者 构成上述基底的基体由绝缘体或半导体构成，在上述基体与上述磁记录膜之间形成有导电层。
3.根据权利要求1或2所述的电场写入型磁记录装置，其特征在于， 上述磁记录膜包含至少一层用于抑制上述电通量的扩散的导电性的电通量扩散抑制层。
4.根据权利要求1或2所述的电场写入型磁记录装置，其特征在于， 上述磁记录膜包含至少一层导电性或绝缘性的铁磁性层。
5.根据权利要求1或2所述的电场写入型磁记录装置，其特征在于， 上述铁磁铁电性物质层是一层， 包含至少一层用于抑制上述电通量的扩散的导电性的电通量扩散抑制层和至少一层导电性或绝缘性的铁磁性层， 或者 包含多层上述铁磁铁电性物质层， 包含至少一层用于抑制上述电通量的扩散的导电性的电通量扩散抑制层和至少一层导电性或绝缘性的铁磁性层。
6.根据权利要求1?5的任意一项所述的电场写入型磁记录装置，其特征在于， 上述写入电路在每次上述写入动作时，向上述写入元件供给正负的两个电位水平中的某一个电位。
7.根据权利要求1?5的任意一项所述的电场写入型磁记录装置，其特征在于， 上述写入元件具备多个写入电极， 上述写入电路在每次写入动作时，对上述写入元件的上述多个写入电极的每一个供给多个电位水平中的一个电位。
8.根据权利要求1?5的任意一项所述的电场写入型磁记录装置，其特征在于， 上述写入元件构成为能够在上述旋转盘的表面上沿上述旋转盘的径向移动。
9.根据权利要求1?8的任意一项所述的电场写入型磁记录装置，其特征在于， 还具备读取上述磁记录膜的磁化状态的读取元件。
【文档编号】G11B5/82GK103959377SQ201280056604
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2012年10月31日 优先权日:2011年11月18日
【发明者】吉村哲, 齐藤准 申请人:国立大学法人秋田大学